专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020160099773A 반도체 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其形成方法
公开(公告)号：KR1020160099773A
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020150021639
申请日：2015-02-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 성금중 , 이진욱 , 김도형 , 명성우 , 오지수 , 전용호
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/32139 , H01L21/82345 , H01L21/823842 , H01L29/401 , H01L29/4966 , H01L29/4236 , H01L29/66348
摘要： 본발명은반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 기판상에, 상기기판으로부터돌출되는활성패턴들을형성하는것, 상기활성패턴들을덮는층간절연막을형성하는것, 상기층간절연막은상기활성패턴들을노출하는그루브들을포함하되, 상기그루브들은제1 폭을갖는제1 그루브및 상기제1 폭보다큰 제2 폭을갖는제2 그루브를포함하고, 상기제1 및제2 그루브들의내면상에제1 도전막을형성하는것, 상기제1 및제2 그루브들을채우는제1 희생막을형성하는것, 상기제1 도전막의일부가노출되도록상기제1 희생막을제거하는것, 및상기노출된제1 도전막을제거하여, 제1 도전패턴들을형성하는것을포함하는반도체소자의제조방법이제공된다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种具有改进的器件驱动特性的半导体器件及其制造方法。提供一种制造半导体器件的方法，包括：形成从衬底上的衬底突出的有源图案的步骤; 形成层间绝缘膜以覆盖有源图案的步骤，其中层间绝缘膜包括用于曝光有源图案的凹槽，并且凹槽包括具有第一宽度的第一凹槽和具有大于第一宽度的第二宽度的第二凹槽宽度; 在所述第一和第二槽的内表面上形成第一导电膜的步骤; 形成用于填充第一和第二槽的第一牺牲膜的步骤; 去除第一牺牲膜以暴露第一导电膜的一部分的步骤; 以及通过去除暴露的第一导电膜形成第一导电图案的步骤。

2. 发明公开

KR1020160123818A 반도체 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法相同
公开(公告)号：KR1020160123818A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：KR1020150054494
申请日：2015-04-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송재열 , 김완돈 , 고기형 , 권기상 , 명성우 , 이진욱 , 현상진
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/42376 , H01L21/28088 , H01L21/823431 , H01L21/823456 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要： 비교적좁은폭 및비교적조밀한피치를가지는게이트라인을포함하는반도체소자및 그제조방법을제공한다. 본발명에따른반도체소자는, 핀형활성영역을가지는기판, 활성영역의상면및 양측면을덮는게이트절연막, 및게이트절연막위에서활성영역의상면및 양측면을덮으면서활성영역과교차하여연장되는게이트라인을포함하고, 게이트라인의연장방향과수직을이루는단면에서, 게이트라인의상면은중심부에오목한형상을가진다.
摘要翻译：在包括具有相对窄的宽度和相对较小的间距的栅极线的半导体器件和制造半导体器件的方法中，半导体器件包括具有鳍型有源区的衬底，覆盖上表面的栅极绝缘层翅片型有源区的侧面以及覆盖翅片型有源区的上表面和两侧的鳍型有源区延伸并相交的栅极线，栅极线位于栅极绝缘层上其特征在于，所述栅极线的上表面的与所述栅极线的延伸方向垂直的截面的中心部分具有凹形。

3. 发明公开

KR1020170085176A 반도체 소자 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170085176A
公开(公告)日：2017-07-24
申请号：KR1020160004335
申请日：2016-01-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 명성우 , 성금중 , 오지수 , 이진욱 , 김도형 , 전용호
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L21/76895 , H01L21/76805 , H01L23/535 , H01L27/0886 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
摘要： 반도체소자는, 기판상에, 상기기판의상면에평행한제1 방향으로연장되는활성패턴, 상기기판의상기상면에평행하고상기제1 방향에교차하는제2 방향으로연장되어, 상기활성패턴을가로지르는게이트전극, 상기게이트전극의상면을덮고, 상기기판의상기상면에수직한방향으로연장되어상기게이트전극의제1 측벽을덮는게이트캐핑패턴, 및상기게이트전극의제2 측벽을덮는게이트스페이서를포함한다. 상기제1 측벽및 상기제2 측벽은상기제2 방향으로서로마주한다.
摘要翻译：本发明公开了一种半导体器件，包括：有源图案，在平行于基板的上表面的第一方向上平行于基板的上表面且与第一方向相交的第二方向在基板上延伸; 栅极覆盖图案，覆盖栅极电极的上表面并且在垂直于基板的上表面的方向上延伸以覆盖栅极电极的第一侧壁;以及栅极间隔物，覆盖栅极电极的第二侧壁它包括。第一侧壁和第二侧壁在第二方向上彼此面对。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式