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1. 发明公开

KR1020150031781A 반도체 장치의 제조방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020150031781A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：KR1020130111393
申请日：2013-09-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박민준 , 윤준호 , 한제우 , 김찬원
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/3086 , H01L21/3085 , H01L21/31144 , H01L23/544 , H01L28/40 , H01L28/91 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 반도체 장치의 제조방법이 제공된다. 반도체 장치의 제조방법은, 셀 영역 및 주변회로 영역을 포함하는 하부 구조체 상에 층간 절연막을 형성하는 것, 상기 층간 절연막 상에 제1 마스크 막을 형성하는 것, 상기 주변회로 영역의 상기 제1 마스크 막을 패터닝하여 상기 층간 절연막을 노출하는 트렌치들을 형성하는 것, 및 상기 트렌치들 내에 키 마스크 패턴들을 형성하는 것을 포함한다. 상기 층간 절연막에 대한 상기 제1 마스크 패턴들의 식각 선택성은 상기 층간 절연막에 대한 상기 키 마스크 패턴들의 식각 선택성보다 크다.
摘要翻译：本发明涉及半导体器件的制造方法。制造半导体器件的方法包括以下步骤：在包括单元区域和外围电路区域的下部结构上形成层间绝缘膜; 在层间绝缘膜上形成第一掩模膜; 通过对外围电路区域中的第一掩模膜进行构图来形成暴露层间绝缘膜的沟槽; 并在沟槽中形成密钥掩模图案。相对于层间绝缘膜，第一掩模图案的蚀刻选择性大于键层掩模图案相对于层间绝缘膜的蚀刻选择性。

2. 发明授权

KR102077150B1 반도체 장치의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102077150B1
公开(公告)日：2020-02-13
申请号：KR1020130111393
申请日：2013-09-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박민준 , 윤준호 , 한제우 , 김찬원
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108

3. 发明公开

KR1020140143930A 커패시터를 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：包括电容器的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140143930A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：KR1020130065699
申请日：2013-06-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조영승 , 김성의 , 김지영 , 정훈 , 김찬원 , 서종범 , 이승준 , 이준수
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/88 , H01L21/764 , H01L27/10808 , H01L27/10811 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L28/90
摘要： 커패시터를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법에서, 상기 반도체 소자는, 기판 상에 구비되고, 제1 하부 전극, 제1 유전막 및 제1 상부 전극을 포함하는 제1 커패시터 구조물을 포함한다. 상기 기판 상에서 상기 제1 커패시터와 이웃하게 배치되고, 제2 하부 전극, 제2 유전막 및 제2 상부 전극을 포함하는 제2 커패시터 구조물을 포함한다. 상기 제1 및 제2 커패시터 구조물 사이 부위의 상부에는 에어갭이 생성되고 상기 제1 및 제2 커패시터 구조물의 하부를 지지하도록, 상기 제1 및 제2 커패시터 구조물 사이 부위의 적어도 일부를 채우는 절연 패턴을 포함한다. 상기 반도체 소자에 포함된 커패시터는 누설 전류가 감소되고 기울어지거나 쓰러지는 불량이 감소된다.
摘要翻译：在包括电容器的半导体器件及其制造方法中，半导体器件包括：第一电容器结构，其包括形成在衬底上的第一下电极，第一电介质层和第一上电极。半导体器件包括与衬底上的第一电容器相邻的第二电容器结构，并且包括第二下电极，第二电介质层和第二上电极。在第一和第二电容器结构之间的部分的上部产生气隙。绝缘图案填充在第一和第二电容器结构之间的部分的至少一部分中，以支撑第一和第二电容器结构的下部。包括在半导体器件中的电容器减少了泄漏电流和诸如倾斜或塌陷的缺陷。

4. 发明公开

KR1020150142365A 높은 종횡비를 갖는 반도체 소자 형성 방법 및 관련된 소자 审中-实审
标题翻译：形成具有高比例比例和相关装置的半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020150142365A
公开(公告)日：2015-12-22
申请号：KR1020140071039
申请日：2014-06-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김찬원 , 서정우
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/76877 , H01L21/02164 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , H01L21/565 , H01L21/76802 , H01L21/76816 , H01L23/3135 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L28/40 , H01L28/91
摘要： 높은종횡비(high aspect ratio)를갖는전극을구현하는데적용할수 있는하드마스크의형성방법에관한것이다. 기판상에몰딩층이형성된다. 상기몰딩층 상에희생층이형성된다. 상기희생층 내에서로평행한다수의제1 마스크패턴들이형성된다. 상기제1 마스크패턴들을형성한후, 상기희생층 내에상기제1 마스크패턴들과교차하고서로평행한다수의제2 마스크패턴들이형성된다. 상기제1 마스크패턴들및 상기제2 마스크패턴들은상기희생층보다상대적으로불투명한물질을가진다. 상기희생층, 상기제1 마스크패턴들, 및상기제2 마스크패턴들의상부표면들은동일한수평레벨에노출된다. 상기희생층을제거한다. 상기제1 마스크패턴들및 상기제2 마스크패턴들을식각마스크로이용하여상기몰딩층을관통하는다수의개구부들이형성된다. 상기개구부들내에전극이형성된다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于形成可用于实现具有高纵横比的电极的硬掩模的方法。在基板上形成成型层。在成型层上形成牺牲层。在牺牲层中形成彼此平行的多个第一掩模图案。在形成第一掩模图案之后，在牺牲层中形成与第一掩模图案相交并且彼此平行的多个第二掩模图案。第一掩模图案和第二掩模图案具有比牺牲层相对更不透明的材料。牺牲层的上表面，第一掩模图案和第二掩模图案暴露于相等的水平面。牺牲层被去除。通过使用第一掩模图案和第二掩模图案作为蚀刻掩模来形成穿过成型层的多个孔。在孔中形成电极。

5. 发明授权

KR102164797B1 오목한 구조를 갖는 반도체 소자 형성 방법 및 관련된 소자 有权
公开(公告)号：KR102164797B1
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：KR1020140010769
申请日：2014-01-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김찬원 , 서정우 , 이기홍 , 윤경렬 , 윤성규
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108

6. 发明公开

KR1020150089772A 오목한 구조를 갖는 반도체 소자 형성 방법 및 관련된 소자 审中-实审
标题翻译：形成具有凹凸的半导体器件和相关器件的方法
公开(公告)号：KR1020150089772A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020140010769
申请日：2014-01-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김찬원 , 서정우 , 이기홍 , 윤경렬 , 윤성규
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/311 , H01L21/31116 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10852 , H01L28/90
摘要： 콘케이브(concave) 캐패시터를갖는반도체소자형성방법및 관련된소자에관한것이다. 기판상에제1 몰딩막이형성된다. 상기제1 몰딩막을관통하는제1 홀이형성된다. 상기제1 몰딩막 상에제2 몰딩막이형성된다. 상기제1 홀은상기제1 몰딩막 내에보존된다. 상기제2 몰딩막을관통하며상기제1 홀에연통된제2 홀이형성된다. 상기제1 홀및 상기제2 홀내에제1 전극이형성된다.
摘要翻译：本发明涉及一种形成具有凹电容器和相关器件的半导体器件的方法。第一成型层形成在基板上。形成贯穿第一成型层的第一孔。在第一成型层上形成第二成型层。第一个孔保持在第一个成型层中。形成穿过第二成型层并连接到第一孔的第二孔。第一电极形成在第一孔和第二孔中。

7. 发明授权

KR102173083B1 높은 종횡비를 갖는 반도체 소자 형성 방법 및 관련된 소자 有权
公开(公告)号：KR102173083B1
公开(公告)日：2020-11-02
申请号：KR1020140071039
申请日：2014-06-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김찬원 , 서정우
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/31

8. 发明授权

KR102076060B1 커패시터를 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102076060B1
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：KR1020130065699
申请日：2013-06-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조영승 , 김성의 , 김지영 , 정훈 , 김찬원 , 서종범 , 이승준 , 이준수
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242

9. 发明公开

KR1020150009072A 동작모드 제어 방법 및 그 방법을 처리하는 전자 장치 审中-实审
标题翻译：用于控制操作模式的方法及其电子设备
公开(公告)号：KR1020150009072A
公开(公告)日：2015-01-26
申请号：KR1020130082491
申请日：2013-07-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유성식 , 김병수 , 김슬아 , 김찬원 , 엄승연 , 이두만 , 정한빛 , 최승진
IPC分类号： H04B1/40
CPC分类号： H04W4/80 , G06F3/017 , H04L65/1083 , H04M1/7253 , H04M1/72563 , H04M2250/02 , H04M2250/04 , H04M2250/12
摘要： The present invention relates to an electronic device and, more specifically, to an electronic device and a method for controlling the operation mode of the same. According to the present invention, a first electronic device includes at least one processor and memory. The processor can be configured to: output call data received from a third electronic device through a second electronic device; transmit call data received from the second electronic device to the third electronic device; and change a call mode based on the approach of the second electronic device or on the status information of the second electronic device.
摘要翻译：电子设备技术领域本发明涉及一种电子设备，更具体地，涉及一种用于控制其操作模式的电子设备和方法。根据本发明，第一电子设备包括至少一个处理器和存储器。处理器可以被配置为：通过第二电子设备输出从第三电子设备接收的呼叫数据; 将从第二电子设备接收的呼叫数据发送到第三电子设备; 并且基于第二电子设备的接近或第二电子设备的状态信息来改变呼叫模式。

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