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1. 发明公开

KR1020110041251A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110041251A
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：KR1020090098338
申请日：2009-10-15
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최신일 , 정유광 , 이기엽 , 양동주 , 송진호
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L27/1214
摘要： PURPOSE: A thin film transistor display panel and a manufacturing method thereof are provided to prevent a contact failure of a data conductor or gate conductor in the contact hole of a protection layer by preventing foreign materials like CuS on the surface of the data conductor or gate conductor. CONSTITUTION: A gate conductor including a plurality of gate lines(121) and a storage electrode line(131) is formed on an insulation substrate(110). A gate insulation layer(140) is formed on the gate conductor. A plurality of linear semiconductors(151) are formed on the gate insulation layer. A protection layer(180) is formed on the plurality of linear semiconductors. A contact hole(185) exposing a drain electrode(175) is formed on the protection layer.
摘要翻译：目的：提供薄膜晶体管显示面板及其制造方法，以防止数据导体或栅极导体在保护层的接触孔中的接触不良，通过防止数据导体或栅极表面上的诸如CuS的异物导体。构成：在绝缘基板（110）上形成包括多条栅极线（121）和存储电极线（131）的栅极导体。栅极绝缘层（140）形成在栅极导体上。在栅极绝缘层上形成多个线性半导体（151）。在多个线性半导体上形成保护层（180）。在保护层上形成露出漏电极（175）的接触孔（185）。

2. 发明公开

KR1020090075367A 기판 지지대, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 정렬방법 有权
标题翻译：底板底座，用于处理其底板的装置和用于对准基板的方法
公开(公告)号：KR1020090075367A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：KR1020080001203
申请日：2008-01-04
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 양동주 , 오민석 , 이기엽 , 김상갑 , 최신일 , 진홍기 , 정유광 , 최승하 , 장재호
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/68 , B65G49/065 , B65G2249/02 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , H01J37/20 , H01J37/32743 , H01J2237/0206 , H01J2237/204 , H01L21/6831
摘要： A substrate pedestal, apparatus for treating a substrate having it and the method for aligning the substrate are provided to improve product yield and reduce manufacturing costs by preventing damage from discharge in processing the substrate with plasma. In substrate pedestal, apparatus for treating a substrate having it and the method for aligning the substrate, a substrate(90) is mounted at on a main body(31). A guide has a side inclined to an upper part of a main body downwardly at higher level of the main body. A gas injection hole(33) is formed on the upper part of the main body, and the injection rate of the gas injection hole at the main body edge is higher than the central. The diameter of the gas injection hole at the main body edge is larger than the central.
摘要翻译：提供了一种用于处理具有该基板的基板的设备和用于对准基板的方法的设备，以通过防止在等离子体处理该基板时由于放电损坏而提高产品产量并降低制造成本。在基板基座中，具有该基板的基板的处理装置和基板对准的方法，基板（90）安装在主体（31）上。引导件具有在主体的较高高度向下倾斜到主体的上部的一侧。在主体的上部形成有气体注入孔33，主体边缘处的喷射孔的喷射率高于中心。主体边缘处的气体注入孔的直径大于中心。

3. 发明授权

KR101627728B1 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101627728B1
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：KR1020080136895
申请日：2008-12-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 양동주 , 정유광 , 이기엽 , 김상갑 , 여윤종 , 최신일 , 진홍기 , 최승하 , 방정석
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1248 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/7869
摘要： 제조공정을단순화할수 있는박막트랜지스터기판및 그제조방법이제공된다. 박막트랜지스터어레이기판은표시영역과주변영역을포함하고, 절연기판상에형성된게이트라인및 게이트전극을포함하는게이트배선과, 게이트배선을덮는게이트절연막과, 게이트절연막상에형성된반도체층과, 반도체층상에형성된데이터라인, 소스및 드레인전극을포함하는데이터배선과, 데이터배선상에형성되며, 드레인전극의일부를노출하는컨택홀을갖는보호막과, 상기컨택홀을통하여상기드레인전극과전기적으로연결되며, 상기표시영역의일부분인투과영역에서보호막상부에형성되는화소전극을포함한다.

4. 发明授权

KR101566428B1 배선의 접촉부 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：电线接触部分及其制造方法
公开(公告)号：KR101566428B1
公开(公告)日：2015-11-06
申请号：KR1020090021476
申请日：2009-03-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김주한 , 송기용 , 양동주 , 김희준 , 윤여건 , 조성헌 , 김창훈 , 김재홍 , 정유광 , 이기엽 , 김상갑 , 여윤종 , 최신일 , 박지영
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28
CPC分类号： H01L24/05 , G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L2224/04042 , H01L2924/14 , H01L2924/1426 , H01L2924/00
摘要： 배선의접촉부및 그제조방법을제공한다. 본발명의실시예에따른배선의접촉부는기판, 상기기판위에위치하는도전층, 상기도전층위에위치하고, 접촉구멍을갖는층간절연막, 상기도전층위에위치하고, 상기접촉구멍을채우는금속층그리고상기층간절연막위에위치하며상기금속층과연결되어있는투명전극을포함한다. 여기서, 상기층간절연막은하부절연막과상기하부절연막위에위치하는상부절연막을포함하며, 상기접촉구멍에서상기하부절연막은언더컷되어있고, 상기하부절연막의언더컷되어있는부분을상기금속층이채우고있다.

5. 发明公开

KR1020120012209A 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管阵列的制造方法
公开(公告)号：KR1020120012209A
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：KR1020100074233
申请日：2010-07-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 양동주 , 정유광 , 송진호 , 이기엽 , 최신일 , 김태우
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L21/32138 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L29/458 , H01L29/66765
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor array panel is provided to minimize fault in a post etching process by performing pre-treatment or post treatment. CONSTITUTION: A first part of photosensitive patterns(52,54) is removed. A second metal pattern is wet-etched and an upper film for wiring a data line is formed. A first metal pattern(174a) and an amorphous silicon film(164) are etched and an under film for wiring a data line and an resistance contact member is formed. A protective film is formed after eliminating a second part. A pixel electrode, which is connected to the upper film for wiring the data line through a contact hole, is formed.
摘要翻译：目的：提供一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，以通过执行预处理或后处理来最小化后蚀刻工艺中的故障。构成：去除了第一部分感光图案（52,54）。湿蚀刻第二金属图案，并形成用于布线数据线的上膜。蚀刻第一金属图案（174a）和非晶硅膜（164），并且形成用于布线数据线和电阻接触构件的底膜。在消除第二部分之后形成保护膜。形成与上部膜连接的像素电极，用于通过接触孔布线数据线。

6. 发明公开

KR1020110067765A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110067765A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020090124494
申请日：2009-12-15
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정창오 , 손우성 , 김동규 , 김시열 , 이기엽 , 송진호
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L33/16 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要： PURPOSE: A thin film transistor array panel and a method for manufacturing the same are provided to prevent a display screen failure by minimizing the protrusion of a semiconductor layer. CONSTITUTION: A thin film transistor array panel comprises a gate line, a gate insulation film(140) which covers the gate line, a semiconductor layer which is placed on the gate insulation layer, and a data line(171) and a drain electrode(175) which are placed on the semiconductor layer. The data line and the drain electrode are formed as a dual layer including a lower layer and an upper layer. The lower layer has a first part which is protruded toward the upper layer. The semiconductor layer has a second part which is protruded toward the lower layer.
摘要翻译：目的：提供薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，以通过使半导体层的突起最小化来防止显示屏故障。构成：薄膜晶体管阵列面板包括栅极线，覆盖栅极线的栅极绝缘膜（140），放置在栅极绝缘层上的半导体层以及数据线（171）和漏极（ 175），其放置在半导体层上。数据线和漏极形成为包括下层和上层的双层。下层具有向上层突出的第一部分。半导体层具有向下层突出的第二部分。

7. 发明公开

KR1020110042667A 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管阵列的制造方法
公开(公告)号：KR1020110042667A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：KR1020090099446
申请日：2009-10-19
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김성렬 , 이기엽 , 송진호 , 서오성 , 최신일 , 정유광
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66765
摘要： PURPOSE: A thin film transistor array panel manufacturing method is provided to improve the electrical property of the thin film transistor by etching a resistive contact layer pattern on the lower layer of a source electrode and the drain electrode using a mask. CONSTITUTION: A first amorphous silicon film, a second amorphous silicon film, a first metal layer, and a second metal layer are formed on a gate insulating layer. A photosensitive pattern, having a first part and a second part having a thickness that is greater than that of the first part, is formed on the second metal layer. A data line and a top layer of the drain electrode are formed by etching the second metal pattern. An ohmic contact layer pattern is etched to form ohmic contact layers(161, 163, 165).
摘要翻译：目的：提供薄膜晶体管阵列面板制造方法，通过使用掩模蚀刻源电极和漏电极的下层上的电阻接触层图案来改善薄膜晶体管的电性能。构成：在栅极绝缘层上形成第一非晶硅膜，第二非晶硅膜，第一金属层和第二金属层。在第二金属层上形成具有第一部分和具有大于第一部分的厚度的第二部分的感光图案。通过蚀刻第二金属图案形成漏电极的数据线和顶层。蚀刻欧姆接触层图案以形成欧姆接触层（161,163,165）。

8. 发明公开

KR1020090046300A 금속 배선 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：金属线及其形成方法
公开(公告)号：KR1020090046300A
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：KR1020070112342
申请日：2007-11-05
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 양동주 , 최신일 , 김상갑 , 오민석 , 진홍기 , 이기엽 , 정유광 , 최승하
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L23/535 , H01L21/743 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 금속 배선 및 그 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상부에 절연막을 형성한 후 절연막의 일부를 하부를 향해 점차 폭이 커지도록 식각하여 기판을 노출시키고, 노출된 기판을 식각하여 트렌치를 형성한 후 트렌치로부터 절연막이 제거된 영역 사이에 금속층을 형성하여 금속 배선을 형성하고, 이를 표시 장치의 게이트 라인 형성에 이용한다.
본 발명에 의하면, 역 테이퍼 형상의 절연막 사이에 금속층을 형성함으로써 에지 빌드 업 현상이 발생되지 않아 단차가 발생되지 않는다. 따라서, 표시 장치에 이용하면 단차로 인한 액정 충진 불량에 따른 투과율 감소 등의 문제를 해결할 수 있어 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
절연막, 역 테이퍼, 플라즈마, 건식 식각, 에지 빌드 업, 액정 충진 불량

9. 发明授权

KR101688999B1 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：液晶显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101688999B1
公开(公告)日：2016-12-23
申请号：KR1020100020356
申请日：2010-03-08
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이기엽 , 강윤호 , 김용환
IPC分类号： G02F1/1337
摘要： 본발명의실시예에따른액정표시장치는제1 기판, 상기제1 기판과마주보는제2 기판, 상기제1 기판및 상기제2 기판중 적어도하나위에형성되어있는전기장생성전극, 상기제1 기판과상기제2 기판사이에개재되어있으며액정및 반응성메조겐을갖는액정층을포함한다. 여기서, 상기반응성메조겐은자외선조사에의하여액정분자의배향을유도하며, 상기액정표시장치는상기제1 기판및 제 2 기판중 적어도하나에자외선차단층을포함한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的液晶显示装置包括第一基板，面对第一基板的第二基板，形成在第一基板和第二基板中的至少一个上的电场产生电极，介于基板和液晶之间并具有反应性液晶元的液晶层。在此，反应性液晶元通过紫外线照射引起液晶分子的取向，并且液晶显示装置在第一基板和第二基板中的至少一个上包括紫外线阻挡层。

10. 发明授权

KR101682078B1 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管阵列的制造方法
公开(公告)号：KR101682078B1
公开(公告)日：2016-12-05
申请号：KR1020100074233
申请日：2010-07-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 양동주 , 정유광 , 송진호 , 이기엽 , 최신일 , 김태우
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L21/32138 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L29/458
摘要： 본발명의한 실시예에따른박막트랜지스터표시판의제조방법은절연기판위에게이트선을형성하는단계, 게이트절연막을형성하는단계, 제1 비정질규소막, 제2 비정질규소막, 제1 금속막및 제2 금속막을형성하는단계, 제2 금속막위에제1 부분과제1 부분보다두께가두꺼운제2 부분을가지는감광막패턴을형성하는단계, 감광막패턴을마스크로하여제2 금속막, 제1 금속막을식각하여제2 금속패턴, 제1 금속패턴을형성하는단계, 제1 금속패턴에 SF기체또는 SF와 He의혼합기체로전처리하는단계, 감광막을마스크로제2 비정질규소막및 제1 비정질규소막을식각하여비정질규소패턴및 반도체를형성하는단계, 감광막패턴의제1 부분을제거하는단계, 제2 부분을마스크로상기제2 금속패턴을습식식각하여데이터선배선용상부막을형성하는단계, 제2 부분을마스크로제1 금속패턴및 비정질규소막을식각하여데이터배선용하부막및 저항성접촉부재를형성하는단계, 제2 부분을제거한후 데이터배선용상부막위에접촉구멍을포함하는보호막을형성하는단계, 보호막위에접촉구멍을통해서데이터배선용상부막과연결되는화소전극을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：薄膜晶体管阵列板的制造方法包括：形成栅极线; 在栅极线上形成绝缘层; 第一和第二硅层第一和第二金属层; 形成具有第一和第二部分的光致抗蚀剂图案; 通过蚀刻第一和第二金属层形成第一和第二金属图案; 用SF6或SF6 / He处理第一金属图案; 通过蚀刻第二和第一硅层形成硅和半导体图案; 去除光致抗蚀剂图案的第一部分; 通过湿法蚀刻第二金属图案形成数据线的上层; 通过蚀刻第一金属和非晶硅图案形成数据线的下层和欧姆接触; 在上层形成包括接触孔的钝化层; 以及在所述钝化层上形成像素电极。

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