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1. 发明授权

KR101672081B1 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치 有权
标题翻译：硅胶膜成型方法和装置
公开(公告)号：KR101672081B1
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：KR1020130162964
申请日：2013-12-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오부,도모유키 , 미야하라,다카히로 , 나가타,도모유키
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/02 , C23C16/24
CPC分类号： H01L21/02532 , C23C16/0218 , C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/0262
摘要： 본발명은추가적인박막화의요구에대해서도대응가능하고, 또한, 표면거칠기의정밀도도개선하는것이가능한실리콘막의성막방법을제공한다. 본발명에따른실리콘막의성막방법은, 하지를가열하고, 가열한하지표면상에아미노실란계가스를공급하여하지표면상에시드층을형성하는공정(스텝 1)과, 하지를가열하고, 가열한하지표면의시드층상에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여시드층상에실리콘막을형성하는공정(스텝 2)을포함하고, 스텝 1에사용되는아미노실란계가스를, 이아미노실란계가스의분자식중에실리콘을 2개이상포함하는것으로한다.

2. 发明公开

KR1020140085343A 시드층의 형성 방법, 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치 有权
标题翻译：种子层形成方法，硅胶膜成型方法和薄膜成型装置
公开(公告)号：KR1020140085343A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020130162913
申请日：2013-12-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오부,도모유키 , 미야하라,다카히로 , 나가타,도모유키
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/02 , C23C16/24 , C30B25/18 , C30B29/06
CPC分类号： H01L21/02532 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/0262
摘要： Provided is a seed layer forming method capable of meeting a further desired reduction in temperature of a film forming process, maintaining or improving accuracy of the surface roughness of a thin film formed on a seed layer, and achieving further improvement of in-plane uniformity of the thin film. The method of forming a seed layer includes the steps of forming a first seed layer on a surface of the underlayer by heating the underlayer, followed by supplying an aminosilane-based gas onto the surface of the heated underlayer (step 11); and forming a second seed layer on the surface of the underlayer with the first seed layer formed thereon by heating the underlayer, followed by supplying a disilane or higher order silane-based gas onto the surface of the heated underlayer (step 12), wherein a process temperature of step 11 applied when forming the first seed layer is set to be within a range between less than 400°C and not less than a temperature at which at least silicon contained in the aminosilane-based gas is adsorbed onto the surface of the underlayer; and wherein a process temperature of step 12 applied in forming the second seed layer is set to be within a range between less than 400°C and not less than a temperature at which at least silicon contained in the disilane or higher order silane-based gas is adsorbed onto the surface of the underlayer with the first seed layer formed thereon.
摘要翻译：提供了能够满足成膜工艺的进一步期望的降低温度的种子层形成方法，保持或提高在种子层上形成的薄膜的表面粗糙度的精度，并且进一步提高面内均匀性薄膜。形成种子层的方法包括以下步骤：通过加热底层在底层的表面上形成第一种子层，然后将基于氨基硅烷的气体供应到加热的底层的表面上（步骤11）。在底层的表面上形成第二晶种层，通过加热底层形成第一晶种层，然后在加热的底层的表面上提供乙硅烷或更高级的硅烷基气体（步骤12），其中a 在形成第一种子层时施加的步骤11的处理温度设定在小于400℃且不低于将氨基硅烷系气体中所含有的硅中的至少一部分吸附在该表面上的温度底层; 并且其中在形成所述第二种子层时施加的步骤12的处理温度被设定在小于400℃且不小于至少包含在所述乙硅烷或更高级硅烷类气体中的硅的温度被吸附到底层的表面上，其上形成有第一种子层。

3. 发明授权

KR101888727B1 ＳｉＣＮ막의 성막 방법 有权
公开(公告)号：KR101888727B1
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：KR1020150068861
申请日：2015-05-18
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 우베 고산 가부시키가이샤
发明人： 시미즈,아키라 , 미야하라,다카히로 , 시라이,마사시 , 사다이케,신이치로
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/318 , C07D249/04
CPC分类号： H01L21/02167 , C23C16/36 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/0228
摘要： 성막온도를낮추어도양호한성막레이트를유지하면서, SiCN막을성막하는것이가능한 SiCN막의성막방법을제공하는것이다. 피처리체의피처리면위에 SiCN막을성막하는 SiCN막의성막방법은, 피처리체가수용된처리실내에 Si 원료를포함하는 Si 원료가스를공급하는공정(스텝 1)과, Si 원료가스를공급하는공정(스텝 1) 후, 처리실내에질화제를포함하는가스를공급하는공정(스텝 3)을구비하고, 질화제로서, 1,2,3-트리아졸계화합물을사용한다.

4. 发明公开

KR1020140085344A 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치 有权
标题翻译：硅胶膜成型方法和装置
公开(公告)号：KR1020140085344A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020130162964
申请日：2013-12-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오부,도모유키 , 미야하라,다카히로 , 나가타,도모유키
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/02 , C23C16/24
CPC分类号： H01L21/02532 , C23C16/0218 , C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/0262
摘要： The present invention provides a method for forming a silicon film, capable of copping with a request for further thinning a film and improving the accuracy of surface roughness. The method for forming a film according to the present invention includes the steps of: (step 1) forming a seed layer on a surface of the base by heating the base and supplying an aminosilane-based gas onto the heated base surface; and (step 2) forming the silicon film on the seed layer by heating the base and supplying a silane-based gas containing no amino group onto the seed layer of the surface of the heated base, wherein a molecule of the aminosilane-based gas used in a step 1 contains two or more silicon atoms.
摘要翻译：本发明提供一种形成硅膜的方法，能够应对膜的进一步薄化和提高表面粗糙度的精度。根据本发明的膜的形成方法包括以下步骤：（步骤1）通过加热基底并将氨基硅烷基气体供应到加热的基底表面上在基底的表面上形成种子层; 和（步骤2）通过加热基底并将不含氨基的硅烷系气体供给到加热基材的表面的籽晶层上而在种子层上形成硅膜，其中使用氨基硅烷系气体的分子在步骤1中包含两个或多个硅原子。

5. 发明授权

KR101682747B1 시드층의 형성 방법, 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치 有权
标题翻译：种子层成型方法硅胶膜成型方法和膜形成装置
公开(公告)号：KR101682747B1
公开(公告)日：2016-12-05
申请号：KR1020130162913
申请日：2013-12-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오부,도모유키 , 미야하라,다카히로 , 나가타,도모유키
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/02 , C23C16/24 , C30B25/18 , C30B29/06
CPC分类号： H01L21/02532 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/0262
摘要： 한층더한성막프로세스저온화의요구에대해서도대응가능하고, 또한, 시드층상에형성되는박막의표면거칠기정밀도의유지향상과한층더한면내균일성의향상을달성하는것도가능한시드층의형성방법을제공한다. 가열한기초층표면상에아미노실란계가스를공급하여, 기초층표면상에제1 시드층을형성하는공정(스텝 11)과, 가열한기초층표면상에디실란이상의고차실란계가스를공급하여, 제1 시드층이형성된기초층표면상에제2 시드층을형성하는공정(스텝 12)을구비하고, 스텝 11에서의처리온도를 400℃미만, 아미노실란계가스에포함되어있는적어도실리콘이, 기초층표면상에흡착가능한온도이상으로하고, 스텝 12에서의처리온도를 400℃미만, 디실란이상의고차실란계가스에포함되어있는적어도실리콘이, 제1 시드층이형성된기초층표면상에흡착가능한온도이상으로한다.
摘要翻译：提供一种在底层上形成作为薄膜种子的种子层的方法，其包括：通过加热底层在底层的表面上形成第一种子层，然后将氨基硅烷基气体供应到表面上的加热底层; 通过加热底层，在其上形成有第一籽晶层的底层表面上形成第二晶种层，然后在加热的底层的表面上提供乙硅烷或更高级的硅烷基气体。

6. 发明公开

KR1020150142590A ＳｉＣＮ막의 성막 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜成膜方法
公开(公告)号：KR1020150142590A
公开(公告)日：2015-12-22
申请号：KR1020150068861
申请日：2015-05-18
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 우베 고산 가부시키가이샤
发明人： 시미즈,아키라 , 미야하라,다카히로 , 시라이,마사시 , 사다이케,신이치로
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/318 , C07D249/04
CPC分类号： H01L21/02167 , C23C16/36 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/0228
摘要： 성막온도를낮추어도양호한성막레이트를유지하면서, SiCN막을성막하는것이가능한 SiCN막의성막방법을제공하는것이다. 피처리체의피처리면위에 SiCN막을성막하는 SiCN막의성막방법은, 피처리체가수용된처리실내에 Si 원료를포함하는 Si 원료가스를공급하는공정(스텝 1)과, Si 원료가스를공급하는공정(스텝 1) 후, 처리실내에질화제를포함하는가스를공급하는공정(스텝 3)을구비하고, 질화제로서, 1,2,3-트리아졸계화합물을사용한다.
摘要翻译：本发明提供一种SiCN膜的成膜方法。成膜方法即使成膜温度降低，也可以保持良好的成膜速度而成膜SiCN膜。在被处理物的表面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法包括：将Si原料的Si原料气体供给到内部的工序（工序1）处理室，其中接收待加工物体; 以及在供给Si原料气体的工序（工序1）之后，向处理室内部供给包含硝化剂的气体的工序（工序2），其中使用1,2,3-三唑型化合物作为硝化剂。

7. 发明授权

KR102158903B1 질화막의 형성 방법 및 형성 장치 有权
公开(公告)号：KR102158903B1
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：KR1020170094474
申请日：2017-07-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 미야하라,다카히로 , 스즈키,다이스케 , 무라카미,히로키
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/3065 , C23C16/455 , C23C16/30

8. 发明授权

KR102131487B1 질화막의 형성 방법 및 기억 매체 有权
公开(公告)号：KR102131487B1
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：KR1020170034459
申请日：2017-03-20
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 무라카미,히로키 , 미야하라,다카히로 , 스즈키,다이스케
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/28

9. 发明公开

KR1020170110518A 질화막의 형성 방법 및 기억 매체 审中-实审
标题翻译：形成氮化物膜和存储介质的方法
公开(公告)号：KR1020170110518A
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：KR1020170034459
申请日：2017-03-20
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 무라카미,히로키 , 미야하라,다카히로 , 스즈키,다이스케
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45527 , C23C16/45534 , C23C16/52 , H01L21/02211 , H01L21/0228
摘要： 플라즈마를사용하지않고시퀀셜한가스공급에의해실리콘질화막등의질화막을형성할때, 인큐베이션타임이짧은질화막의형성방법을제공한다. 피처리기판을소정온도로가열하고, 피처리기판에성막원료를공급하는공정과, 피처리기판에질화가스를공급하는공정을반복하는서멀 ALD에의해피처리기판에질화막을형성하는질화막의형성방법은, 성막원료를공급하는공정후에, 피처리기판에염소함유가스를공급하는공정을실시한다.
摘要翻译：当形成氮化物膜，例如通过顺序气体供应而无需使用等离子体的氮化硅膜，温育时间，以提供形成氮化物膜短的方法。用于通过在预定温度下加热该靶衬底上形成氮化物膜，以形成热ALD快乐基板由上的氮化物膜的方法，在基板上供给成膜材料，重复供给氮化气体到目标衬底的步骤的步骤是，供给的沉积材料的步骤之后，我们进行供给含氧气体在基板上的氯的步骤。

10. 发明公开

KR1020170048171A 붕소 질화막의 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：形成氮化硼膜的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020170048171A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020160133329
申请日：2016-10-14
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 미야하라,다카히로
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02337 , C23C16/342 , C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/45551 , C23C16/56 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32568 , H01J37/32779 , H01L21/02112 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/02362 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/31051 , H01L21/76826
摘要： 본발명은양호한전기특성과양호한표면모폴로지를양립시킬수 있는붕소질화막의형성방법및 그것을사용한반도체장치의제조방법을제공한다. 피처리기판이수용된처리용기내에붕소함유가스및 질화가스를동시에또는교대로도입하고, CVD법또는 ALD법에의해, 피처리기판상에질화가불완전하여붕소리치한상태의붕소리치질화막을퇴적시키는공정 2와, 처리용기내에질화가스를도입해서붕소리치질화막에대하여질화처리를행하는공정 3을 1회또는복수회 반복해서행한다.
摘要翻译：本发明提供一种形成能够实现良好的电特性和良好的表面形态的氮化硼膜的方法，以及使用该方法制造半导体器件的方法。血液处理机板以同时或交替地引入含硼气体和氮化气体的步骤2中，和氮化物是不完全的，通过在接收到的处理容器内的CVD法或ALD法沉积硼富hansangtae血液处理程序中，板状，的富硼氮化物膜和并且通过向处理容器中引入氮化气体对富硼氮化物膜进行氮化处理重复一次或多次。

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