基本信息:
- 专利标题： 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치
- 专利标题（英）：Silicon film forming method and apparatus
- 专利标题（中）：硅胶膜成型方法和装置
- 申请号：KR1020130162964 申请日：2013-12-24
- 公开(公告)号：KR1020140085344A 公开(公告)日：2014-07-07
- 发明人： 오부,도모유키 , 미야하라,다카히로 , 나가타,도모유키
- 申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 申请人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 장수길; 성재동
- 优先权： JPJP-P-2012-285702 2012-12-27
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; C23C16/02 ; C23C16/24
摘要：
The present invention provides a method for forming a silicon film, capable of copping with a request for further thinning a film and improving the accuracy of surface roughness. The method for forming a film according to the present invention includes the steps of: (step 1) forming a seed layer on a surface of the base by heating the base and supplying an aminosilane-based gas onto the heated base surface; and (step 2) forming the silicon film on the seed layer by heating the base and supplying a silane-based gas containing no amino group onto the seed layer of the surface of the heated base, wherein a molecule of the aminosilane-based gas used in a step 1 contains two or more silicon atoms.
摘要（中）：
本发明提供一种形成硅膜的方法，能够应对膜的进一步薄化和提高表面粗糙度的精度。 根据本发明的膜的形成方法包括以下步骤：（步骤1）通过加热基底并将氨基硅烷基气体供应到加热的基底表面上在基底的表面上形成种子层; 和（步骤2）通过加热基底并将不含氨基的硅烷系气体供给到加热基材的表面的籽晶层上而在种子层上形成硅膜，其中使用氨基硅烷系气体的分子 在步骤1中包含两个或多个硅原子。
公开/授权文献:
- KR101672081B1 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치 公开/授权日：2016-11-02
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |