基本信息:
- 专利标题： 질화막의 형성 방법 및 기억 매체
- 专利标题（英）：Nitride film forming method and storage medium
- 专利标题（中）：形成氮化物膜和存储介质的方法
- 申请号：KR1020170034459 申请日：2017-03-20
- 公开(公告)号：KR1020170110518A 公开(公告)日：2017-10-11
- 发明人： 무라카미,히로키 , 미야하라,다카히로 , 스즈키,다이스케
- 申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 申请人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 장수길; 성재동
- 优先权： JPJP-P-2016-057910 2016-03-23
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/324 ; H01L21/28
摘要：
플라즈마를사용하지않고시퀀셜한가스공급에의해실리콘질화막등의질화막을형성할때, 인큐베이션타임이짧은질화막의형성방법을제공한다. 피처리기판을소정온도로가열하고, 피처리기판에성막원료를공급하는공정과, 피처리기판에질화가스를공급하는공정을반복하는서멀 ALD에의해피처리기판에질화막을형성하는질화막의형성방법은, 성막원료를공급하는공정후에, 피처리기판에염소함유가스를공급하는공정을실시한다.
摘要（中）：
当形成氮化物膜，例如通过顺序气体供应而无需使用等离子体的氮化硅膜，温育时间，以提供形成氮化物膜短的方法。 用于通过在预定温度下加热该靶衬底上形成氮化物膜，以形成热ALD快乐基板由上的氮化物膜的方法，在基板上供给成膜材料，重复供给氮化气体到目标衬底的步骤的步骤 是，供给的沉积材料的步骤之后，我们进行供给含氧气体在基板上的氯的步骤。
摘要（英）：
When forming a nitride film such as a silicon nitride film by a sequential gas supply without the use of plasma, the time of incubation to provide a method of forming a nitride film short. Forming a nitride film by heating the target substrate at a predetermined temperature to form a nitride film on a target substrate by the thermal ALD of repeating the step of the step of supplying the deposition material on the substrate, supplying a nitriding gas to the target substrate method, after the step of supplying the deposition material, it performs the step of supplying the chlorine containing gas to the substrate.
公开/授权文献:
- KR102131487B1 질화막의 형성 방법 및 기억 매체 公开/授权日：2020-07-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |