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1. 发明授权

KR101872067B1 기판 처리 방법, 프로그램, 제어 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 有权
公开(公告)号：KR101872067B1
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：KR1020150037348
申请日：2015-03-18
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 사이토다카노리
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/67248 , H01L21/67253
摘要： 본발명은적은매수의모니터기판으로, 기판의처리결과를알 수있는기판처리방법을제공하는것을목적으로한다. 복수의슬롯을갖는기판유지구내에적어도모니터기판을배치한상태에서기판에처리를실시하는기판처리방법으로서, 모니터기판을제1 매수포함하여실시된제1 처리에있어서의, 제1 처리조건과모니터기판에관한제1 처리결과를취득하는제1 취득단계와, 모니터기판을제1 매수보다많은제2 매수포함하여실시된제2 처리에있어서의, 제2 처리조건과모니터기판에관한제2 처리결과를취득하는제2 취득단계와, 제1 처리조건과제2 처리조건사이의처리조건차를산출하는제1 산출단계와, 제1 처리결과, 제2 처리결과, 처리조건차, 및처리조건과처리결과사이의관계를나타내는프로세스모델에기초하여, 제1 처리에있어서의모니터기판이배치되어있지않은슬롯위치에서의기판의처리결과를산출하는제2 산출단계를갖는기판처리방법이제공된다.

2. 发明授权

KR101755761B1 기판 처리 방법, 프로그램, 제어 장치, 성막 장치 및 기판 처리 시스템 有权
标题翻译：基板处理方法，程序，控制装置，成膜装置和基板处理系统
公开(公告)号：KR101755761B1
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020140054014
申请日：2014-05-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 노자와슈지
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/56
CPC分类号： H01L21/67248 , C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/6708
摘要： 본발명은막 두께분포의제어가가능한기판처리방법을제공하는것을목적으로한다. 기판처리방법은, 승온또는강온을포함하는설정온도프로파일로, 처리용기내에서처리가스를이용하여피처리체상에막을형성하는성막공정과, 상기막을에칭하는에칭공정을포함하고, 상기에칭공정은, 상기성막공정에서의성막온도에따라에칭률이변화하는상기막을에칭하는공정이며, 상기설정온도프로파일은, 상기에칭공정에서의에칭률의상기성막온도에대한제1 온도의존성과, 상기성막공정에서의성막량의상기성막온도에대한제2 온도의존성에기초하여결정된다.
摘要翻译：本发明的目的在于提供一种能够控制膜厚分布的基板处理方法。的基板处理方法，在设定温度曲线包括温度增加或温度的降低，在使用处理气体特征的成膜工序和包括在蚀刻处理中的处理容器具有称为膜，在一块形成膜的蚀刻步骤是中，成膜工艺是在膜中提到了一个过程eseoui使得蚀刻速率与成膜温度而变化，设定的温度曲线为第一温度依赖性和所述沉积eseoui沉积过程的蚀刻速率的成膜温度eseoui蚀刻步骤基于成膜温度的第二温度依赖性来确定。

3. 发明公开

KR1020140133449A 기판 처리 방법, 프로그램, 제어 장치, 성막 장치 및 기판 처리 시스템 有权
标题翻译：基板处理方法，程序，控制装置，成膜装置和基板处理系统
公开(公告)号：KR1020140133449A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：KR1020140054014
申请日：2014-05-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 노자와슈지
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/56
CPC分类号： H01L21/67248 , C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/6708
摘要： 본 발명은 막 두께 분포의 제어가 가능한 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판 처리 방법은, 승온 또는 강온을 포함하는 설정 온도 프로파일로, 처리 용기 내에서 처리 가스를 이용하여 피처리체 상에 막을 형성하는 성막 공정과, 상기 막을 에칭하는 에칭 공정을 포함하고, 상기 에칭 공정은, 상기 성막 공정에서의 성막 온도에 따라 에칭률이 변화하는 상기 막을 에칭하는 공정이며, 상기 설정 온도 프로파일은, 상기 에칭 공정에서의 에칭률의 상기 성막 온도에 대한 제1 온도 의존성과, 상기 성막 공정에서의 성막량의 상기 성막 온도에 대한 제2 온도 의존성에 기초하여 결정된다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种能够控制膜厚分布的基板处理方法。作为包括温度升高或强温度的设定温度曲线的基板处理方法包括：使用处理容器内的处理气体在被处理物上形成膜的成膜工序; 以及蚀刻该膜的蚀刻工艺。蚀刻工艺是根据在成膜工艺中形成膜的温度来蚀刻蚀刻速率改变的膜的工艺。基于关于成膜温度的成膜工艺中的蚀刻速率的第一温度依赖性和成膜温度对成膜工艺中的成膜量的第二温度依赖性来确定设定温度分布。

4. 发明授权

KR102147563B1 제어 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 프로그램 有权
公开(公告)号：KR102147563B1
公开(公告)日：2020-08-24
申请号：KR1020170036706
申请日：2017-03-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 가사이다카히토
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67

5. 发明公开

KR1020170113201A 제어 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 프로그램 审中-实审
标题翻译：控制装置，基板处理系统，基板处理方法和程序
公开(公告)号：KR1020170113201A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020170036706
申请日：2017-03-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 가사이다카히토
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/306 , B32B37/02 , B32B37/14 , B32B2457/14 , H01L21/67225 , H01L22/12
摘要： 본발명은, 적층막의성막조건을용이하게조정하는것이가능한제어장치를제공하는것을목적으로한다. 본실시형태의제어장치는, 기판에제1 막을성막한후에제2 막을성막하여적층막을형성하는기판처리장치의동작을제어하는제어장치로서, 상기제1 막을성막하는제1 성막조건과, 상기제2 막을성막하는제2 성막조건을포함하는성막조건을기억하는레시피기억부와, 상기제1 성막조건이상기제1 막의특성에부여하는영향을나타내는제1 프로세스모델과, 상기제2 성막조건이상기제2 막의특성에부여하는영향을나타내는제2 프로세스모델을포함하는프로세스모델을기억하는모델기억부와, 상기레시피기억부에기억된상기제1 성막조건및 상기제2 성막조건에의해성막된상기제1 막과상기제2 막을포함하는상기적층막의특성의측정치와, 상기모델기억부에기억된상기제2 프로세스모델에기초하여, 상기제2 성막조건을조정하고, 상기제1 성막조건및 조정된상기제2 성막조건에의해상기적층막을형성하는경우에예측되는상기적층막의특성의예측치에기초하여, 상기제1 성막조건을조정할지여부를판정하는제어부를갖는다.
摘要翻译：本发明的目的在于提供一种能够容易地调整层叠膜的成膜条件的控制装置。本实施方式的控制装置是一种控制装置，其用于控制基板处理装置的操作，该基板处理装置用于通过在基板上形成第一膜然后形成第二膜来形成层压膜，表示对第一成膜条件异常基材1膜的特性产生影响的第一处理模型和表示第二成膜条件异常机理的影响的第二处理膜模型第二存储单元，用于存储配方存储单元中存储的第一成膜条件和第二成膜条件; 基于存储在模型存储单元中的包括第一膜和第二膜的层压膜的特性的测量值和第二处理模型来调整第二膜形成条件，第二种成膜条件通过具有控制单元，用于确定是否在形成多层膜的情况下所预测的层叠膜的特性的预测值的基础上，是否调整所述第一膜形成条件。

6. 发明公开

KR1020150109280A 기판 처리 방법, 프로그램, 제어 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 审中-实审
标题翻译：基板处理方法，程序，控制装置，基板处理装置和基板处理系统
公开(公告)号：KR1020150109280A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020150037348
申请日：2015-03-18
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 사이토다카노리
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/34
摘要： 본발명은적은매수의모니터기판으로, 기판의처리결과를알 수있는기판처리방법을제공하는것을목적으로한다. 복수의슬롯을갖는기판유지구내에적어도모니터기판을배치한상태에서기판에처리를실시하는기판처리방법으로서, 모니터기판을제1 매수포함하여실시된제1 처리에있어서의, 제1 처리조건과모니터기판에관한제1 처리결과를취득하는제1 취득단계와, 모니터기판을제1 매수보다많은제2 매수포함하여실시된제2 처리에있어서의, 제2 처리조건과모니터기판에관한제2 처리결과를취득하는제2 취득단계와, 제1 처리조건과제2 처리조건사이의처리조건차를산출하는제1 산출단계와, 제1 처리결과, 제2 처리결과, 처리조건차, 및처리조건과처리결과사이의관계를나타내는프로세스모델에기초하여, 제1 처리에있어서의모니터기판이배치되어있지않은슬롯위치에서의기판의처리결과를산출하는제2 산출단계를갖는기판처리방법이제공된다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种基板处理方法，使得用户能够通过少量的监视器基板来检查基板的处理结果。作为基板处理方法，在至少将基板保持在具有多个槽的基板保持部的基板处理方法中，基板处理方法包括获得监视基板的第一处理结果的第一获取步骤以及第一处理在通过包括第一数量的监视器基板执行的第一处理中的条件; 第二获取步骤，用于获得监视器基板的第二处理结果;以及第二处理条件，该第二处理条件是通过包括第二数量的比第一数目大的监视器基板执行的第二处理;第一计算步骤，在所述第一处理条件和所述第二处理条件之间; 以及第二计算步骤，基于第一处理结果，第二处理结果，处理条件差，以及显示关系的处理模型，计算第一处理中没有监视器基板的槽位置中的基板的处理结果在处理条件和处理结果之间。

7. 发明公开

KR1020040029016A 처리 장치 有权
标题翻译： 처리장치
公开(公告)号：KR1020040029016A
公开(公告)日：2004-04-03
申请号：KR1020047002697
申请日：2002-08-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오바라아사미 , 다케나가유이치
IPC分类号： G05B13/02
CPC分类号： H01L21/67276 , C23C16/52 , G05B19/4099 , G05B2219/32182 , G05B2219/45031 , H01L21/67253 , H01L22/20 , Y02P90/22
摘要： CVD 장치(31)나 확산장치(33) 등의 복수의 처리장치(3)와, 측정장치(5)와, 관리용의 제어컴퓨터(7)를 LAN(9)을 통해 접속한다. 각 처리장치(3)는, 처리를 실행하기 위한 제어정보를 저장한다. 제어컴퓨터(7)도, 각 처리장치(3)의 제어정보를 기억한다. 제어컴퓨터(7)는, 각 처리장치(3)에 교정용의 프로세스를 실행시킨다. 제어컴퓨터(7)는, 측정장치(5)로부터, 교정대상의 처리장치(3)의 처리의 결과를 받아들여, 처리결과에 기초하여, 자기가 기억하고 있는 제어정보를 교정한다. 제어컴퓨터(7)는, 교정처리의 완료 후, 교정된 제어정보를 처리장치(3)에 송신한다. 처리장치(3)는, 교정된 제어정보를 보존하여, 다음차례의 처리에 사용한다.
摘要翻译：诸如CVD设备31和扩散设备33的多个处理设备3，测量设备5以及用于管理的控制计算机7通过LAN 9连接。每个处理设备3存储用于执行处理的控制数据。控制计算机7也存储处理装置3的控制数据。控制计算机7使各处理装置进行校准处理。控制计算机7接收待校准处理装置3执行的处理结果，并基于处理结果校准存储在控制计算机7中的控制数据。在完成校准程序之后，控制计算机将校准的控制数据发送到处理设备3。处理设备3存储校准的控制数据，其用于随后进行的处理。＆lt;图像＆GT;

8. 发明授权

KR102246922B1 기판 처리 시스템 및 제어 장치 有权
公开(公告)号：KR102246922B1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：KR1020180035115
申请日：2018-03-27
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 가사이다카히토
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/44 , H01L21/66
摘要： 본발명은기판에성막된막의특성의이상값을높은정밀도로검출하는것이가능한기판처리시스템을제공하는것을과제로한다. 일실시형태의기판처리시스템은, 처리용기내에수용된기판에대하여, 미리정해진처리를실행하는것이가능한기판처리장치를구비하는기판처리시스템으로서, 상기기판에대하여성막처리를실행하는처리실행부와, 상기성막처리에의해상기기판에성막된막의특성을취득하는특성취득부와, 상기특성취득부가취득한상기막의특성에기초하여, 상기막의특성이이상값을포함하고있는지의여부를판정하는이상판정부를갖는다.

9. 发明授权

KR102115642B1 제어 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 프로그램 有权
公开(公告)号：KR102115642B1
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：KR1020170037018
申请日：2017-03-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가사이다카히토 , 다케나가유이치 , 구보가즈미
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/205 , H01L21/67

10. 发明公开

KR1020170113217A 제어 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 프로그램 审中-实审
标题翻译：控制装置，基板处理系统，基板处理方法和程序
公开(公告)号：KR1020170113217A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020170037018
申请日：2017-03-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가사이다카히토 , 다케나가유이치 , 구보가즈미
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/205 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L22/12
摘要： 본발명은반도체제조장치나반도체프로세스에관한지식이나경험이적은조작자라도, 원자층퇴적에의한막을기판에성막하는최적의성막조건을용이하게산출하는것이가능한제어장치를제공하는것을과제로한다. 본실시형태의제어장치는, 원자층퇴적에의한막을기판에성막하는기판처리장치의동작을제어하는제어장치로서, 상기막의종류에따른성막조건을기억하는레시피기억부와, 상기성막조건이상기막의특성에부여하는영향을나타내는프로세스모델을기억하는모델기억부와, 성막시의상기성막조건의실측값을기억하는로그기억부와, 상기레시피기억부에기억된상기성막조건에의해성막된상기막의특성의측정결과와, 상기모델기억부에기억된상기프로세스모델과, 상기로그기억부에기억된상기성막조건의실측값에기초하여, 목표로하는상기막의특성을만족시키는성막조건을산출하는제어부를갖는다.
摘要翻译：本发明将是零，并且以用于容易地计算一小操作的最佳沉积条件提供一个可控装置是至少由与所述半导体制造装置或半导体工艺原子层沉积的知识和经验的基材薄膜上的沉积。根据本发明，一种用于控制基板处理装置的操作用于在基板上形成通过原子层沉积的膜的控制装置，以及用于存储对应于胶片类型在薄膜形成条件的膜形成条件，gimak配方存储单元的一个实施例的控制装置和用于存储表示对性能的影响的过程模型的模型存储部，由薄膜形成，所述薄膜形成存储单元，用于在膜形成期间储存的膜形成条件的测量值的配方存储部所存储的日志中的条件和的膜特性，被存储在存储单元和，成膜存储在日志存储单元的条件的实际测量值的基础上，所述过程模型的模型的测量结果，用于计算满足上述薄膜性能瞄准的成膜条件和一个控制单元。

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