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1. 发明授权

KR102220022B1 게이트 절연막, 유기 박막 트랜지스터, 및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102220022B1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：KR1020140110805
申请日：2014-08-25
申请人： 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 , 야마가타 유니버시티
发明人： 오쿠신야 , 미즈카미마코토 , 토키토시즈오 , 타카노마사오미 , 야마다히로아키 , 하야시슈헤이
IPC分类号： H01L51/05 , H01B3/18
摘要： 본발명은전극등을형성할때의가열이나약액처리등에의해막질이변화되는일이없고, 유기반도체층형성시에높은평탄성을유지할수 있는게이트절연막을제공한다. 또한이러한게이트절연막을이용함으로써, 캐리어이동도가크고, 안정된트랜지스터특성을발현할수 있는유기박막트랜지스터, 및그 제조방법을제공한다. (A)비스페놀형에폭시화합물과에틸렌성불포화결합기함유모노카르본산을반응시킨화합물, 및 (B)광중합개시제또는열중합개시제를필수성분으로하는조성물을경화시킨경화물로이루어지는게이트절연막으로서, 경화물중 (A)성분이 40~90질량% 포함되고, (B)성분이 0.1~30질량% 포함되는게이트절연막이며, 또한상기조성물을게이트전극상에도포하여경화시킨유기박막트랜지스터, 및그 제조방법이다.

3. 发明授权

KR102162595B1 절연막용 감광성 수지 조성물 및 경화물 有权
公开(公告)号：KR102162595B1
公开(公告)日：2020-10-07
申请号：KR1020140032842
申请日：2014-03-20
申请人： 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤
发明人： 타카노마사오미 , 야마다히로아키 , 나메카와슈헤이 , 혼마나오토 , 하야시슈헤이
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/033 , C08F2/50 , G03F7/075 , G03F7/028 , G03F7/032 , G03F7/029

4. 发明授权

KR102138381B1 터치 패널용 차광성 조성물 및 터치 패널 有权
公开(公告)号：KR102138381B1
公开(公告)日：2020-07-27
申请号：KR1020130130739
申请日：2013-10-31
申请人： 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤
发明人： 야마다히로아키 , 다카노마사오미 , 하라구치겐타로 , 혼마나오토 , 하야시슈헤이
IPC分类号： C08L33/14 , C08K3/04 , C08F220/26 , G03F7/004 , G06F3/041

5. 发明公开

KR1020150026872A 게이트 절연막, 유기 박막 트랜지스터, 및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 审中-实审
标题翻译：栅绝缘膜，有机薄膜晶体管和制造有机薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020150026872A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020140110804
申请日：2014-08-25
申请人： 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 , 야마가타 유니버시티
发明人： 오쿠신야 , 미즈카미마코토 , 토키토시즈오 , 타카노마사오미 , 야마다히로아키 , 하야시슈헤이
IPC分类号： H01L51/30 , H01L51/10 , H01L51/40
摘要： 본 발명은 전극 등을 형성할 때의 가열이나 약액 처리 등에 의해 막질이 변화되는 일이 없고, 유기 반도체층 형성시에 높은 평탄성을 유지할 수 있는 게이트 절연막을 제공한다. 또한 이러한 게이트 절연막을 이용한 유기 박막 트랜지스터, 및 그 제조방법을 제공한다.
(A)비스페놀형 에폭시 화합물과 에틸렌성 불포화 결합기 함유 모노카르본산을 반응시킨 화합물에 대하여, a)디카르본산 혹은 트리카르본산 또는 그 산 무수물, 및 b)테트라카르본산 또는 그 산 이무수물을 a/b의 몰비가 0.1~10이 되는 범위에서 반응시켜서 얻어진 화합물, (B)적어도 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 중합성 모노머, 및 (C)에폭시 화합물을 함유하는 조성물을 경화시켜서 이루어지는 게이트 절연막이며, 또한 상기 조성물을 게이트 전극 상에 도포하여 경화시킨 유기 박막 트랜지스터, 및 그 제조방법이다.
摘要翻译：本发明提供一种栅极绝缘膜，其在形成电极等时由于加热或化学处理而不影响膜质量，并且能够在形成有机半导体层时保持高平坦度。本发明还提供一种使用这种栅极绝缘膜的有机薄膜晶体管及其制造方法。根据本发明的实施例，提供了一种栅极绝缘膜，通过将组合物施加在栅电极上而固化的有机薄膜晶体管以及制造该有机薄膜晶体管的方法。该组合物包含：（A）通过使（a）二羧酸或三羧酸或其酸酐与（b）四羧酸或其二酸酐在a / b的摩尔比为0.1〜10的范围内反应而得到的化合物相对于通过使双酚型环氧化合物与含有烯键式不饱和成色剂的一元羧酸反应得到的化合物; （B）具有至少一个烯属不饱和键的聚合单体; 和（C）环氧化合物。

6. 发明公开

KR1020150026873A 게이트 절연막, 유기 박막 트랜지스터, 및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 审中-实审
标题翻译：栅绝缘膜，有机薄膜晶体管和制造有机薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020150026873A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020140110805
申请日：2014-08-25
申请人： 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 , 야마가타 유니버시티
发明人： 오쿠신야 , 미즈카미마코토 , 토키토시즈오 , 타카노마사오미 , 야마다히로아키 , 하야시슈헤이
IPC分类号： H01L51/30 , H01L51/10 , H01L51/40
摘要： 본 발명은 전극 등을 형성할 때의 가열이나 약액 처리 등에 의해 막질이 변화되는 일이 없고, 유기 반도체층 형성시에 높은 평탄성을 유지할 수 있는 게이트 절연막을 제공한다. 또한 이러한 게이트 절연막을 이용함으로써, 캐리어 이동도가 크고, 안정된 트랜지스터 특성을 발현할 수 있는 유기 박막 트랜지스터, 및 그 제조방법을 제공한다.
(A)비스페놀형 에폭시 화합물과 에틸렌성 불포화 결합기 함유 모노카르본산을 반응시킨 화합물, 및 (B)광중합 개시제 또는 열중합 개시제를 필수 성분으로 하는 조성물을 경화시킨 경화물로 이루어지는 게이트 절연막으로서, 경화물 중 (A)성분이 40~90질량% 포함되고, (B)성분이 0.1~30질량% 포함되는 게이트 절연막이며, 또한 상기 조성물을 게이트 전극 상에 도포하여 경화시킨 유기 박막 트랜지스터, 및 그 제조방법이다.
摘要翻译：本发明提供一种栅极绝缘膜，其在形成电极等时由于加热或化学处理而不影响膜质量，并且能够在形成有机半导体层时保持高平坦度。通过使用这种栅极绝缘膜，本发明还提供了具有更大的载流子迁移率并且可以表现出稳定的晶体管特性的有机薄膜晶体管及其制造方法。栅极绝缘膜由通过固化组合物获得的固化制品组成，该组合物包含作为必要组分的（A）通过使双酚型环氧化合物与含有烯键式不饱和成色剂的单羧酸反应获得的化合物; 和（B）光聚合引发剂或热聚合引发剂，其中固化物含有40〜90重量％的组分（A）和0.1-30重量％的组分（B）。有机薄膜晶体管通过将组合物施加到栅电极上并使组合物硬化来制造。

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