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1. 发明公开

KR1020010014462A 플라즈마 원 및 이것을 이용한 이온주입장치 失效
标题翻译：等离子体源
公开(公告)号：KR1020010014462A
公开(公告)日：2001-02-26
申请号：KR1020000004798
申请日：2000-02-01
申请人： 닛신 이온기기 가부시기가이샤
发明人： 사카이시게키 , 타카하시마사토
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32357 , H01J37/32678
摘要： PURPOSE: To prevent high-energy electrons from being included in emitted plasma. CONSTITUTION: This plasma source 2a is so structured that plasma is generated by utilizing electron cyclotron resonance in a plasma chamber container 4 into which a microwave is introduced, and the plasma is emitted from a plasma emission hole 8 formed in the front part of the plasma chamber container 4. In this case, an electromagnet 40 (a magnetic field generation means) for generating a magnetic field B for causing electron cyclotron resonance in a direction intersecting with an emitting direction 22 of the plasma from the plasma emission hole 8 in the plasma chamber container is provided.
摘要翻译：目的：防止发射等离子体中包含高能电子。构成：该等离子体源2a的结构使得通过在等离子体室容器4中引入电子回旋共振来产生等离子体，其中引入微波，等离子体从形成在等离子体的前部的等离子体发射孔8发射在这种情况下，用于产生磁场B的电磁体40（磁场产生装置）用于在与等离子体的等离子体的等离子体的等离子体相交的方向上产生电子回旋共振，该等离子体来自等离子体的等离子体发射孔8在等离子体提供室容器。

2. 发明公开

KR1020170098682A 이온빔 조사 장치 审中-实审
标题翻译：离子束辐照器
公开(公告)号：KR1020170098682A
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020160149398
申请日：2016-11-10
申请人： 닛신 이온기기 가부시기가이샤
发明人： 타카하시나오야 , 후지타히데키 , 요시무라요스케 , 사카이시게키
IPC分类号： H01J37/05
CPC分类号： H01J49/421 , H01J37/3171 , H01J49/065 , H01J49/30 , H01J49/463
摘要： 이온빔에포함되는불필요이온을종래보다도저감한다. 이온원(2)과, 이온원(2)으로부터인출된이온빔(IB)으로부터특정질량및 가수의도펀트이온을선별하여도출하는질량분리기(3)와, 이온빔(IB)이통과하는빔 통과영역을형성함과함께, 필터전압(V)이인가되어소정필터전위(V)가되고, 이온의에너지차를이용하여상기빔 통과영역을통과하는통과이온과통과하지않는비통과이온을선별하는에너지필터를구비하며, 상기통과이온에상기도펀트이온이포함되고, 상기비통과이온에질량분리기(3)에서상기도펀트이온으로는선별되지않는불필요이온의적어도일부가포함되도록필터전위(V)를설정했다.
摘要翻译：与常规离子束相比，包含在离子束中的不需要的离子减少。质量分离器3，用于从从离子源2提取的离子束IB中选择性地提取特定质量和掺杂剂离子;以及光束分离器3，用于提取离子束1B通过的光束通过区域，一种能量过滤器，用于通过使用离子的能量差来选择未通过束通过区域的非通过离子和穿过束通过区域的未通过离子以变为预定的过滤器电势（V）并且设定滤波器电位（V），使得通过离子包含掺杂离子，并且未通过的离子中不包含的不需要的离子的至少一部分不被质量分离器（3）中的掺杂剂离子选择。

3. 发明公开

KR1020090009975A 이온 빔 조사 장치 및 반도체 디바이스 제조 방법 失效
标题翻译：离子束辐射装置，以及生产半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020090009975A
公开(公告)日：2009-01-23
申请号：KR1020087030421
申请日：2007-06-12
申请人： 닛신 이온기기 가부시기가이샤 , 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠
发明人： 이시카와준조 , 니콜라에스쿠단 , 고토야스히토 , 사카이시게키
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/026 , H01J2237/0041 , H01J2237/31701
摘要： An ion beam irradiating apparatus has a field emission electron source 10 which is disposed in a vicinity of a path of the ion beam 2, and which emits electrons 12. The field emission electron source 10 is placed in a direction along which an incident angle formed by the electrons 12 emitted from the electron source 10 and a direction parallel to the traveling direction of the ion beam 2 is in the range from-15 deg. to +45 deg. (an inward direction of the ion beam 2 is +, and an outward direction is-).
摘要翻译：离子束照射装置具有设置在离子束2的路径附近并发射电子的场致发射电子源10.场致发射电子源10沿着形成的入射角的方向通过从电子源10发射的电子12和与离子束2的行进方向平行的方向，在-15度的范围内。至+45度（离子束2的向内方向为+，向外方向为 - ）。

4. 发明授权

KR100582787B1 플라즈마 원 및 이것을 이용한 이온주입장치 失效
标题翻译：等离子体源和离子植入装置
公开(公告)号：KR100582787B1
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1020000004798
申请日：2000-02-01
申请人： 닛신 이온기기 가부시기가이샤
发明人： 사카이시게키 , 타카하시마사토
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32357 , H01J37/32678
摘要： 본 발명의 플라즈마 원(2a)에 따르면 전자 싸이크로트론 공명을 야기하는 자계B를 플라즈마실용기(4) 내에서 플라즈마 방출공(8)으로부터의 플라즈마 방출방향(22)과 직교하는 방향으로 발생시키는 전자석(40)(자계발생수단)을 구비한다.
이에 따라 방출플라즈마 속에 높은 에너지전자가 포함되는 것을 방지할 수 있다.

5. 发明授权

KR102006810B1 이온빔 조사 장치 有权
公开(公告)号：KR102006810B1
公开(公告)日：2019-08-05
申请号：KR1020160149398
申请日：2016-11-10
申请人： 닛신 이온기기 가부시기가이샤
发明人： 타카하시나오야 , 후지타히데키 , 요시무라요스케 , 사카이시게키
IPC分类号： H01J37/05

6. 发明授权

KR101017335B1 이온 빔 조사 장치 및 반도체 디바이스 제조 방법 失效
标题翻译：离子束辐射装置，以及生产半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101017335B1
公开(公告)日：2011-02-28
申请号：KR1020087030421
申请日：2007-06-12
申请人： 닛신 이온기기 가부시기가이샤 , 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠
发明人： 이시카와준조 , 니콜라에스쿠단 , 고토야스히토 , 사카이시게키
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/026 , H01J2237/0041 , H01J2237/31701
摘要： 본 발명에 따른 이온 빔 조사 장치는 이온 빔(2)의 경로 근처에 배치되며 전자(12)를 방출하는 전계 방출용 전자원(10)을 갖는다. 전계 방출용 전자원(10)은 이 전계 방출용 전자원(10)으로부터 방출된 전자(12)에 의해 형성된 입사각의 방향에 배치되고, 이온 빔(2)의 진행 방향과 평행한 방향은 -15°내지 +45°의 범위에 있다[이온 빔(2)의 내측 방향이 +이고 외측 방향이 -이다.

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