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1. 发明授权

KR102128718B1 트랜스포져블 피드백 전계효과 전자소자 및 이를 이용한 배열 회로 有权
公开(公告)号：KR102128718B1
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：KR1020180106112
申请日：2018-09-05
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김상식 , 조경아 , 조진선 , 임두혁 , 우솔아
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/8238 , H01L27/105

2. 发明公开

KR1020170114838A 수직 반도체 컬럼을 구비한 메모리 소자 有权
标题翻译：一种包括垂直半导体柱的存储器件
公开(公告)号：KR1020170114838A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：KR1020160042424
申请日：2016-04-06
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김상식 , 조경아 , 김민석 , 김윤중 , 임두혁
IPC分类号： H01L27/102 , H01L27/08 , H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/423
CPC分类号： H01L27/08 , H01L27/102 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L27/1027 , H01L27/0817 , H01L29/083 , H01L29/42308 , H01L29/7392 , H01L2924/13026
摘要： 본발명은메모리소자, 그동작방법, 및그 제조방법을제공한다. 이메모리소자는기판상에서수직으로연장되고차례로제1 도전형의소오스영역, 제2 도전형의드레인영역, 상기소오스영역과상기드레인영역사이에배치된진성영역, 및상기진성영역과상기드레인영역사이에배치된제1 도전형의장벽영역을포함하는반도체컬럼; 상기진성영역을감싸도록배치된게이트전극; 및상기게이트전극과상기진성영역사이에배치된게이트절연막을포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种存储器件，其操作方法及其制造方法。所述存储器元件从导电类型的顺序第一源极区之间的衬底垂直地延伸，一个导电型的第二漏极区，设置在源极区和漏极区，和本征区和漏区之间的本征区域半导体柱，包括设置在所述半导体层中的第一导电类型的势垒区; 栅电极，被布置为围绕本征区; 并且栅极绝缘膜设置在栅极电极和本征区域之间。

3. 发明公开

KR1020130079703A 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 제조방법 有权
标题翻译：使用单晶硅纳米晶的晶体管和制造晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020130079703A
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：KR1020120000341
申请日：2012-01-03
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김상식 , 이명원 , 전영인
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02532 , H01L21/02598 , H01L21/30608 , H01L29/1033 , H01L29/16 , H01L29/42392 , H01L29/517 , H01L29/66439 , H01L29/66568 , H01L29/775 , H01L29/78696
摘要： PURPOSE: A transistor using a single crystal silicon wire and a manufacturing method thereof are provided to obtain a high electrostatic control effect by decreasing the diameter of a single crystal silicon nanowire channel region in comparison to a source region and a drain region. CONSTITUTION: A source region and a drain region are separately arranged in a longitudinal direction of a single crystal silicon nanowire. A channel region is located between the source region and the drain region. The channel region is thinner than the drain region and the source region. A gate electrode surrounds the channel region. A high-k gate dielectric layer is formed between the channel region and the gate electrode.
摘要翻译：目的：提供一种使用单晶硅线的晶体管及其制造方法，其与源极区域和漏极区域相比，通过减小单晶硅纳米线沟道区域的直径来获得高静电控制效果。构成：源极区域和漏极区域沿单晶硅纳米线的纵向方向分开布置。沟道区位于源区和漏区之间。沟道区域比漏极区域和源极区域薄。栅极电极围绕沟道区域。在沟道区和栅电极之间形成高k栅极电介质层。

4. 发明授权

KR101268696B1 투명 기판 또는 플렉시블 기판을 이용한 투명 또는 플렉서블한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 有权
标题翻译：使用透明基板或柔性基板制造非易失性存储器件的方法
公开(公告)号：KR101268696B1
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020120035775
申请日：2012-04-06
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김상식 , 조경아 , 박병준
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
摘要： 본발명은 (a)투명기판또는플렉서블기판상에투명게이트전극을형성하는단계; (b)내부에투명나노입자로이루어진투명부유게이트의전면(全面)을둘러싸는투명게이트절연층을상기투명게이트전극상에형성하는단계; (c)상기투명게이트절연층상에투명산화물채널층을형성하는단계; 및 (d)상기투명산화물채널층과전기적으로연결시키고, 상기투명부유게이트와비접촉되도록투명소스전극및 투명드레인전극을형성하는단계;를더 포함하는비휘발성메모리소자제조방법을제공한다.

5. 发明授权

KR100803167B1 나노 입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 및 그제조 방법 失效
标题翻译：使用纳米颗粒的纳米浮选栅存储器及其制造方法
公开(公告)号：KR100803167B1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020060098479
申请日：2006-10-10
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김상식 , 조경아 , 김동원 , 장재원
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/66825 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L29/42324
摘要： A nano-floating gate memory using nano-particles and a manufacturing method thereof are provided to reduce a process time required for a manufacturing process by using semiconductor nano-particles as a channel. A buffer layer(21) is deposited on a substrate, and then a nano-particle film(22) is formed on the buffer layer and a heat treatment is performed. A source electrode(23) and a drain electrode(24) are formed on the nano-particle film, and then an insulation material is deposited on the nano-particle film to form a tunneling gate insulation layer(25). Nano-particles are deposited on the tunneling gate insulation layer to form a nano-floating gate(26). An insulation material is deposited on the nano-floating gate to form a control gate insulation layer(27). A top gate electrode(28) is formed on the control gate insulation layer.
摘要翻译：提供使用纳米颗粒的纳米浮动栅极存储器及其制造方法，以通过使用半导体纳米颗粒作为沟道来减少制造工艺所需的处理时间。在衬底上沉积缓冲层（21），然后在缓冲层上形成纳米颗粒膜（22）并进行热处理。在纳米颗粒膜上形成源极（23）和漏极（24），然后在纳米颗粒膜上沉积绝缘材料，形成隧道栅极绝缘层（25）。纳米颗粒沉积在隧道栅极绝缘层上以形成纳米浮动栅极（26）。绝缘材料沉积在纳米浮栅上以形成控制栅绝缘层（27）。顶栅电极（28）形成在控制栅绝缘层上。

6. 发明授权

KR100792407B1 플렉시블 기판 상에 나노 입자를 이용한 전면 게이트 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用纳米颗粒的顶盖薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR100792407B1
公开(公告)日：2008-01-08
申请号：KR1020060098467
申请日：2006-10-10
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김상식 , 조경아 , 김동원 , 장재원
IPC分类号： H01L29/786 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/78603
摘要： A top gate thin film transistor using nano particles and a method for manufacturing the same are provided to form easily a nano-particle film by forming a buffer layer on a plastic substrate. A buffer layer(15) is deposited on a flexible substrate(10) by using a hydrophilic material. A nano-particle solution is formed by distributing nano-particles into a solvent on the buffer layer. A precipitant is mixed with the nano-particle solution. The nano-particle solution including the precipitant is coated on the substrate to form a nano-particle film(20). A low-temperature process is performed. A source electrode(31) and a drain electrode(32) are formed on the nano-particle film. An insulator is deposited on the nano-particle film to form a gate insulating layer(40). A top gate electrode(50) is formed on the gate insulating layer.
摘要翻译：提供使用纳米颗粒的顶栅极薄膜晶体管及其制造方法，以通过在塑料基板上形成缓冲层而容易地形成纳米颗粒膜。通过使用亲水材料将缓冲层（15）沉积在柔性基板（10）上。通过将纳米颗粒分散在缓冲层上的溶剂中形成纳米颗粒溶液。将沉淀剂与纳米颗粒溶液混合。将包含沉淀剂的纳米颗粒溶液涂布在基材上以形成纳米颗粒膜（20）。进行低温处理。源极电极（31）和漏电极（32）形成在纳米颗粒膜上。绝缘体沉积在纳米颗粒膜上以形成栅极绝缘层（40）。在栅绝缘层上形成顶栅电极（50）。

7. 发明公开

KR1020050006632A 나노선과 나노튜브 표면에 원자층 증착방법을 사용하여알루미나 박막을 코팅하는 방법 失效
标题翻译：通过原子层沉积法制备纳米线和纳米管表面的氧化铝薄膜的涂覆方法
公开(公告)号：KR1020050006632A
公开(公告)日：2005-01-17
申请号：KR1020030046515
申请日：2003-07-09
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김상식 , 민병돈 , 황주원 , 이종수 , 조경아
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C23C16/45525 , B82Y40/00 , C23C16/403 , H01L21/02601 , H01L21/02603 , H01L29/0669
摘要： PURPOSE: Provided is a method for coating an alumina (Al2O3) thin film on the surface of a nanowire and a nanotube to form a uniform alumina thin film coating which can be used as a capacitor dielectric material and a gate oxide and protects the surface of various nano-electronic devices. CONSTITUTION: The method comprises the steps of vertically growing a nanowire and a nanotube on the top part of a substrate; and coating an alumina thin film on the surface of the nanowire and the nanotube by an atomic layer deposition. Preferably the nanowire comprises any one material selected from the group consisting of Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, Si3N4, SiO2, SiC, ZnO and Ga2O3; and the precursor material used in the atomic layer deposition is trimethylammonium and water.
摘要翻译：目的：提供一种在纳米线和纳米管表面上涂覆氧化铝（Al2O3）薄膜的方法，以形成均匀的氧化铝薄膜涂层，其可用作电容器介电材料和栅极氧化物并保护表面各种纳米电子器件。构成：该方法包括在衬底顶部垂直生长纳米线和纳米管的步骤; 并通过原子层沉积在纳米线和纳米管的表面上涂覆氧化铝薄膜。优选地，纳米线包括选自由Si，Ge，GaN，InP，GaAs，GaP，Si 3 N 4，SiO 2，SiC，ZnO和Ga 2 O 3组成的组中的任何一种材料; 并且在原子层沉积中使用的前体材料是三甲基铵和水。

8. 发明授权

KR101783158B1 나노파이버 열전 발전 모듈, 그 제조방법 및 이를 위한 나노파이버 제조 전기 방사 장치 有权
公开(公告)号：KR101783158B1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020160178139
申请日：2016-12-23
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김상식 , 조경아 , 최진용 , 이동훈
IPC分类号： H01L35/34 , H01L35/32 , H01L35/04
摘要： 본발명은, 나노파이버열전발전모듈을제조하는방법으로서, 기판상에복수개의제 1 전극및 제 2 전극을상호이격시켜대향교번배치되도록형성하는전극형성단계와, 일단이상기제 1 전극에그리고타단이대향하는제 2 전극에연결되도록, n 타입이나 p 타입의반도체를구비하는제 1 나노파이버를배치시키는제 1 나노파이버배치단계와, 일단이상기제 1 전극에그리고타단이대향하는다른제 2 전극에연결되도록, 다른타입의반도체를구비하는제 2 나노파이버를배치시키는제 2 나노파이버배치단계를포함하는것을특징으로하는나노파이버열전발전모듈제조방법및 이로부터제조되는나노파이버열전발전모듈및 이를위한나노파이버전기방사장치를제공한다.

9. 发明授权

KR101564514B1 소자 열 및 전기 특성 동시 측정 프로브 스테이션 장치 有权
标题翻译：用于以同时方式检测热电模块的温度和电压信号的探针站
公开(公告)号：KR101564514B1
公开(公告)日：2015-10-30
申请号：KR1020140094674
申请日：2014-07-25
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김상식 , 조경아 , 최진용 , 이종구
IPC分类号： H01L21/66 , G01R1/073
CPC分类号： G01R31/2601 , G01J5/0096 , G01J2005/0077 , G01N25/72
摘要： 본발명은, 일면상에형성되는챔버커버개방구를통하여내측을향하여들어가고윈도우를구비하는인워드수용부를구비하는챔버; 상기챔버내에배치되는베이스; 상기베이스상에배치되고전압검출을위한소자가배치되고상기소자의전압신호검측가능한플랫폼터미널이배치되는플랫폼; 일단이상기챔버의내부에배치되어상기플랫폼터미널과접속가능한프로브팁을구비하는프로브유닛; 상기챔버의내부에배치되어상기소자의전압신호를검출가능하도록상기소자에열 제공가능한히트소스; 적어도일부가상기인워드수용부에배치되어상기히트소소로부터제공되는열에의한반응으로발생하는상기소자에대한열 영상을상기윈도우를통하여취득가능한적외선영상감지부를구비하고, 상기소자에대한열 영상과상기소자의전압신호를실시간동기화되는것을특징으로하는소자열 및전기특성동시측정프로브스테이션장치를제공한다.
摘要翻译：本发明提供了一种用于同时测量装置的热和电特性的探针台装置，其包括：一个室，包括一个通过形成在一个表面上并包括一个窗口的室盖孔位于内部的向内储存部分; 设置在室内的基座; 设置在基座上的平台，并配置有用于电压检测的装置，并且配置有能够检测装置的电压信号的平台端子; 探针单元，其包括能够连接到平台终端的探针尖端，一端设置在所述腔室中; 热源，其布置在所述室中，并且可以向所述装置提供热量，以便能够检测所述装置的电压信号; 并且可以通过窗口获取关于通过由热源至少一部分提供的热的反应而产生的装置的红外线图像感测部件布置在向内存储部分中。并且器件的温度记录和器件的电压信号彼此实时同步。

10. 发明公开

KR1020110010026A 나노선과 나노입자막으로 구성된 ｐｎ 이종접합 다이오드 및 이를 제조하는 방법 有权
标题翻译：用纳米和纳米薄膜构成的PN异质二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110010026A
公开(公告)日：2011-01-31
申请号：KR1020090067526
申请日：2009-07-23
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김상식 , 조경아 , 전진형
IPC分类号： H01L29/861
CPC分类号： H01L29/8611 , H01L29/0673 , H01L29/66136
摘要： PURPOSE: A PN hetero junction diode and a manufacturing method thereof are provided to improve an operating speed by joining a nano particle layer to a nano wire to be crossed. CONSTITUTION: A nano wire is formed on the upper part of a dielectric layer. A line patterned nano particle layer is formed on the upper part of the nano wire and the dielectric layer. The nano particle layer is welded with the nano wire. A first electrode and a second electrode are formed in both ends of the nano particle layer. A third electrode and a fourth electrode are formed in both ends of the nano wire.
摘要翻译：目的：提供PN异质结二极管及其制造方法，以通过将纳米粒子层与要交叉的纳米线接合来提高操作速度。构成：在电介质层的上部形成纳米线。在纳米线和电介质层的上部形成有线图案的纳米粒子层。纳米颗粒层用纳米线焊接。第一电极和第二电极形成在纳米颗粒层的两端。第三电极和第四电极形成在纳米线的两端。

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