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1. 发明授权

KR101848562B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，衬底处理设备和程序
公开(公告)号：KR101848562B1
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：KR1020160121440
申请日：2016-09-22
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 나카무라,요시노부 , 미나미,마사요시 , 아사이,마사유키 , 오쿠다,가즈유키 , 우라노,유지
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/56
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： 클리닝처리를행함으로써발생한화합물의처리실내로부터의제거효과를높여, 기판처리의품질을향상시킨다. 처리실내의기판에대하여처리가스를공급함으로써기판을처리하는공정과, 처리실내에퍼지가스를공급함으로써처리실내를승압시키는공정과, 처리실내를진공배기함으로써처리실내를강압시키는공정을 1 사이클로해서이 사이클을복수회 반복함으로써, 처리실내의압력을제1 압력폭으로주기적으로변동시키면서처리실내에대하여제1 퍼지를행하는공정과, 처리실내에퍼지가스를공급함으로써처리실내를승압시키는공정과, 처리실내를진공배기함으로써처리실내를강압시키는공정을 1 사이클로해서이 사이클을복수회 반복함으로써, 처리실내의압력을제1 압력폭보다도작은제2 압력폭으로주기적으로변동시키면서처리실내에대하여제2 퍼지를행하는공정을갖는다.
摘要翻译：通过来自处理室的清洁处理而产生的化合物的除去效果提高，基材处理的品质提高。处理所述一个周期haeseoyi到降压处理室由排气真空步骤中，一个处理室，用于通过供给净化气体的处理和用于通过在室内供给处理气体，以在衬底处理衬底的处理室升压处理室重复该循环数次，而在第一压力幅度在处理室中的压力的周期性变化通过供应吹扫气体到处理和用于相对于执行第一清洗至处理腔室和处理的处理室升压的第一处理腔室的步骤通过多次重复一个周期haeseoyi周期降压到由排气真空内部的处理室中的处理，而在处理室中的压力以一个小的第二压力范围比第一压力范围至第二净化的周期性变化相对于所述处理室它具有执行步骤。

2. 发明公开

KR1020140036971A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，衬底加工设备和回收介质
公开(公告)号：KR1020140036971A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：KR1020130110291
申请日：2013-09-13
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사사지마,료타 , 나카무라,요시노부
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0214 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/0228
摘要： The object is to prevent an increase in permittivity and the deterioration of a layer formation speed when a thin film including preset element, oxygen, carbon, and nitrogen is formed in a low temperature region. After a process of supplying a nitrification gas to a substrate is performed, the thin film including preset element, oxygen, carbon, and nitrogen is formed on a substrate by performing a preset time a cycle which successively performs a process of supplying a carbon containing gas to the substrate, a process of supplying a preset element containing gas to the substrate, a process of supplying a carbon containing gas to the substrate, a process of supplying an oxidation gas to the substrate, a process of supply a nitrification gas to the substrate. [Reference numerals] (AA) Silicon containing gas(HCDS); (BB) Carbon containing gas(C_3H_6); (CC) Nitrification gas(NH_3); (DD) Oxide gas(O_2); (EE) Inert gas(N2); (FF) 1 cycle; (GG) 2 cycle; (HH) n cycle
摘要翻译：本发明的目的是为了防止在低温区域形成包含预设元素，氧，碳和氮的薄膜时介电常数的增加和层形成速度的劣化。在对基板进行硝化气体的供给处理之后，通过在预先设定的时间内依次进行供给含碳气体的处理的循环，在基板上形成包含预设元素，氧，碳和氮的薄膜向衬底提供将含有气体的预设元素供应到衬底的过程，向衬底供应含碳气体的过程，向衬底供应氧化气体的过程，向衬底供应硝化气体的过程。（附图标记）（AA）含硅气体（HCDS）; （BB）含碳气体（C_3H_6）; （CC）硝化气体（NH_3）; （DD）氧化物气体（O_2）; （EE）惰性气体（N2）; （FF）1个循环; （GG）2周期; （HH）n周期

3. 发明公开

KR1020170018343A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 审中-实审
标题翻译：基板处理装置方案及制造半导体装置的方法
公开(公告)号：KR1020170018343A
公开(公告)日：2017-02-17
申请号：KR1020167035779
申请日：2015-06-24
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 나카무라,요시노부 , 마에다,기요히코 , 히로세,요시로 , 호리이케,료타 , 하시모토,요시토모
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/45527 , C23C16/4554 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02247 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/02315 , H01L21/02318 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/0254 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31
摘要： 표면에산화막이형성된기판을준비하는공정과, 산화막의표면을전처리하는공정과, 기판에대하여원료가스를공급하는공정과, 기판에대하여탄소함유가스를공급하는공정과, 기판에대하여질소함유가스를공급하는공정을비동시로행하는사이클을소정횟수행하거나, 기판에대하여원료가스를공급하는공정과, 기판에대하여탄소및 질소를포함하는가스를공급하는공정을비동시로행하는사이클을소정횟수행하거나, 기판에대하여탄소를포함하는원료가스를공급하는공정과, 기판에대하여질소함유가스를공급하는공정을비동시로행하는사이클을소정횟수행함으로써, 전처리후의산화막의표면상에, 탄소를포함하는질화막을형성하는공정을갖는다.
摘要翻译：本发明具有制备在其表面上形成有氧化膜的基板的步骤，用于预处理氧化膜表面的步骤和在预处理氧化膜的表面上形成含碳氮化物膜的步骤通过：执行预定次数的非同时进行向基板供给原料气体的步骤的循环，向基板供给含碳气体的步骤，以及供给基板的步骤含氮气体至基体; 执行预定次数的非同时进行向基板供给原料气体的工序的循环，以及向所述基板供给含有碳和氮的气体的工序; 或者执行预定次数的非同时进行用于向基板供给含碳原料气体的步骤的循环，以及向所述基板供给含氮气体的工序。

4. 发明公开

KR1020170037831A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170037831A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：KR1020160121440
申请日：2016-09-22
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 나카무라,요시노부 , 미나미,마사요시 , 아사이,마사유키 , 오쿠다,가즈유키 , 우라노,유지
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/56
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02046 , H01L21/02312 , H01L21/02337 , H01L21/56 , H01L21/67034 , H01L21/67098
摘要： 클리닝처리를행함으로써발생한화합물의처리실내로부터의제거효과를높여, 기판처리의품질을향상시킨다. 처리실내의기판에대하여처리가스를공급함으로써기판을처리하는공정과, 처리실내에퍼지가스를공급함으로써처리실내를승압시키는공정과, 처리실내를진공배기함으로써처리실내를강압시키는공정을 1 사이클로해서이 사이클을복수회 반복함으로써, 처리실내의압력을제1 압력폭으로주기적으로변동시키면서처리실내에대하여제1 퍼지를행하는공정과, 처리실내에퍼지가스를공급함으로써처리실내를승압시키는공정과, 처리실내를진공배기함으로써처리실내를강압시키는공정을 1 사이클로해서이 사이클을복수회 반복함으로써, 처리실내의압력을제1 압력폭보다도작은제2 압력폭으로주기적으로변동시키면서처리실내에대하여제2 퍼지를행하는공정을갖는다.

5. 发明授权

KR101503603B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
公开(公告)号：KR101503603B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130110291
申请日：2013-09-13
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사사지마,료타 , 나카무라,요시노부
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0214 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/0228
摘要： 저온 영역에서 소정 원소, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 박막을 형성할 때에, 성막 속도의 저하를 억제하고, 유전율의 증가를 억제하는 것을 과제로 한다. 기판에 대하여 질화 가스를 공급하는 공정을 행한 후, 기판에 대하여 탄소 함유 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 탄소 함유 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 산화 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 질화 가스를 공급하는 공정을 이 순서로 행하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 소정 원소, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 박막을 기판 상에 형성하는 공정을 포함한다.

6. 发明公开

KR1020140131313A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，衬底加工设备和回收介质
公开(公告)号：KR1020140131313A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：KR1020140147278
申请日：2014-10-28
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사사지마,료타 , 나카무라,요시노부
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0214 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/0228
摘要： 저온 영역에서 소정 원소, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 박막을 형성할 때에, 성막 속도의 저하를 억제하고, 유전율의 증가를 억제하는 것을 과제로 한다. 기판에 대하여 질화 가스를 공급하는 공정을 행한 후, 기판에 대하여 탄소 함유 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 탄소 함유 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 산화 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 질화 가스를 공급하는 공정을 이 순서로 행하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 소정 원소, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 박막을 기판 상에 형성하는 공정을 포함한다.
摘要翻译：本发明的目的是在低温区域形成含有预定元素，氧，碳和氮的薄膜时，防止形成层时的速度劣化并抑制介电常数的增加。一种制造半导体器件的方法包括：在向基板供应氮化物气体之后，向基板供应含碳气体; 向所述基板供应预定的含元素气体; 将所述含碳气体供给到所述基板; 向所述基板供应氧化气体; 以及通过在将氮化物气体供应到衬底之后进行几次循环，在衬底上形成含有预定元素，氧，碳和氮的薄膜的氮化物气体，其中所述工艺描述依次执行上述操作，进行数次，使得在基板上形成含有预定元素，氧，碳和氮的薄膜。

7. 发明公开

KR1020140022346A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，基板处理装置和记录介质
公开(公告)号：KR1020140022346A
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：KR1020130094662
申请日：2013-08-09
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사사지마,료타 , 나카무라,요시노부
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0214 , C23C16/00 , C23C16/36 , C23C16/455 , C23C16/45544 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/02126 , H01L21/02175 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02312
摘要： The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, a substrate processing device, and a recording medium which are capable of suppressing the degradation of a film forming rate when forming a thin film containing predetermined elements, oxygen, carbon, and nitrogen at a low temperature area. The method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention comprises: a step for supplying gas containing the predetermined elements to a substrate; a step for supplying gas containing carbon to the substrate; a step for supplying oxidizing gas to the substrate; and a step for forming a thin film containing the predetermined elements, oxygen, carbon and nitrogen on the substrate by performing a predetermined number of cycles including the step for supplying nitriding gas to the substrate. In the step for forming the thin film, the process for supplying the nitriding gas is performed before performing the process for supplying the gas containing the predetermined elements and the processes for supplying the gas containing the carbon and oxide gas are not performed until performing the process for supplying the gas containing the predetermined elements after performing the process for supplying the nitriding gas. [Reference numerals] (AA) Silicon including gas(HCDS); (BB) Carbon including gas(C_3H_6); (CC) Nitriding gas(NH_3); (DD) Oxidizing gas(O_2); (EE) Inert gas(N_2)
摘要翻译：本发明提供一种半导体器件，衬底处理器件和记录介质的制造方法，其能够在形成含有预定元素，氧，碳和氮的薄膜时抑制成膜速率的劣化低温区。根据本发明的实施例的半导体器件的制造方法包括：将含有预定元素的气体供给到基板的步骤; 向所述基板供给含有碳的气体的工序; 向基板供给氧化气体的工序; 以及通过执行预定数量的循环来形成包含预定元素，氧，碳和氮的薄膜的步骤，包括将氮化气体供给到基板的步骤。在形成薄膜的步骤中，在进行含有预定元素的气体的供给处理之前，进行氮化气体的供给处理，在进行处理之前，不进行供给含有碳和氧化物气体的气体的处理在进行氮化气体的供给处理后，供给含有规定要素的气体。（附图标记）（AA）包括气体（HCDS）的硅; （BB）包括气体（C_3H_6）的碳; （CC）氮化气体（NH_3）; （DD）氧化气体（O_2）; （EE）惰性气体（N_2）

8. 发明授权

KR101743824B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 有权
公开(公告)号：KR101743824B1
公开(公告)日：2017-06-05
申请号：KR1020150097220
申请日：2015-07-08
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 하시모토,요시토모 , 히로세,요시로 , 하라다,가츠요시 , 나카무라,요시노부 , 사사지마,료타
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211
摘要： 절연막위에성막처리를행할때에있어서의인큐베이션타임의발생이나천이층의형성을억제한다. 표면에절연막이형성된기판에대하여제1 원소및 할로겐원소를포함하는원료를공급함으로써, 절연막의표면을전처리하는공정과, 기판에대하여원료를공급하는공정과, 기판에대하여제2 원소를포함하는리액턴트를공급하는공정을비동시에행하는사이클을소정횟수행함으로써, 전처리가행하여진절연막의표면위에, 제1 원소및 제2 원소를포함하는막을형성한다.

9. 发明公开

KR1020160006631A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，基板处理装置和程序
公开(公告)号：KR1020160006631A
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020150097220
申请日：2015-07-08
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 하시모토,요시토모 , 히로세,요시로 , 하라다,가츠요시 , 나카무라,요시노부 , 사사지마,료타
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211
摘要： 절연막위에성막처리를행할때에있어서의인큐베이션타임의발생이나천이층의형성을억제한다. 표면에절연막이형성된기판에대하여제1 원소및 할로겐원소를포함하는원료를공급함으로써, 절연막의표면을전처리하는공정과, 기판에대하여원료를공급하는공정과, 기판에대하여제2 원소를포함하는리액턴트를공급하는공정을비동시에행하는사이클을소정횟수행함으로써, 전처리가행하여진절연막의표면위에, 제1 원소및 제2 원소를포함하는막을형성한다.
摘要翻译：在绝缘膜上进行成膜时，抑制了孵育时间的产生或过渡层的形成。一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：通过将含有第一元素和卤素元素的材料提供给在其表面上具有绝缘膜的基板来预处理绝缘膜的表面; 并且通过执行预定次数的循环，在所述绝缘膜的预处理表面上形成含有所述第一元件和第二元素的膜，其中所述循环包括以下步骤：将所述材料供给到所述基板; 并将含有第二元素的反应物供给到基板，其中提供材料的动作和供给反应物的动作是非同时进行的。

10. 发明授权

KR101514929B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，衬底处理设备和记录介质
公开(公告)号：KR101514929B1
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：KR1020140147278
申请日：2014-10-28
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사사지마,료타 , 나카무라,요시노부
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 저온 영역에서 소정 원소, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 박막을 형성할 때에, 성막 속도의 저하를 억제하고, 유전율의 증가를 억제하는 것을 과제로 한다. 기판에 대하여 질화 가스를 공급하는 공정을 행한 후, 기판에 대하여 탄소 함유 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 탄소 함유 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 산화 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 질화 가스를 공급하는 공정을 이 순서로 행하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 소정 원소, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 박막을 기판 상에 형성하는 공정을 포함한다.
摘要翻译：在形成薄膜包括预定元素，氧，在低温区域的碳和氮的，并且可以抑制在膜沉积速率的降低和，抑制介电常数作为挑战的增加。供给相对于含碳气体，以进行供给氮化气体到衬底的步骤之后的步骤，和供给供给含碳气体，含有规定元素相对于所述基板气体到衬底的步骤的一个步骤中，底物，通过用于执行相对于该过程，并在该顺序供给氧化性气体，以在衬底的预定次数的基板供给氮化气体的步骤进行循环，以形成薄膜，其含有期望的元素，氧，在衬底上的碳和氮以及步骤。

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