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1. 发明授权

KR101678512B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：用于制造用于处理衬底衬底处理器件和记录介质的半导体器件方法的方法
公开(公告)号：KR101678512B1
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020147026035
申请日：2013-03-22
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사노,아츠시 , 아사이,마사유키 , 요네바야시,마사히로
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/318 , H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C16/42 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/022 , C23C16/4405 , H01J37/32394 , H01J37/32862 , H01L21/0217
摘要： 성막장치의가스클리닝의주기를길게할 수있도록하기위해서, 처리실(201)에기판(200)을반입하는기판반입공정과, 처리실에서적어도 2종의막을기판에적층하는막 형성공정과, 막이형성된기판을처리실로부터반출하는기판반출공정과, 기판반출공정후, 기판이처리실에내에존재하지않는상태에서, 처리실에에칭가스를공급하는에칭공정을갖는다. 에칭공정은, 처리실에에칭가스로서불소함유가스를플라즈마여기에의해활성화하여공급하는제1 클리닝공정과, 처리실에에칭가스로서불소함유가스를열에의해활성화하여공급하는제2 클리닝공정을갖는다.

2. 发明授权

KR101848562B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，衬底处理设备和程序
公开(公告)号：KR101848562B1
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：KR1020160121440
申请日：2016-09-22
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 나카무라,요시노부 , 미나미,마사요시 , 아사이,마사유키 , 오쿠다,가즈유키 , 우라노,유지
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/56
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： 클리닝처리를행함으로써발생한화합물의처리실내로부터의제거효과를높여, 기판처리의품질을향상시킨다. 처리실내의기판에대하여처리가스를공급함으로써기판을처리하는공정과, 처리실내에퍼지가스를공급함으로써처리실내를승압시키는공정과, 처리실내를진공배기함으로써처리실내를강압시키는공정을 1 사이클로해서이 사이클을복수회 반복함으로써, 처리실내의압력을제1 압력폭으로주기적으로변동시키면서처리실내에대하여제1 퍼지를행하는공정과, 처리실내에퍼지가스를공급함으로써처리실내를승압시키는공정과, 처리실내를진공배기함으로써처리실내를강압시키는공정을 1 사이클로해서이 사이클을복수회 반복함으로써, 처리실내의압력을제1 압력폭보다도작은제2 압력폭으로주기적으로변동시키면서처리실내에대하여제2 퍼지를행하는공정을갖는다.
摘要翻译：通过来自处理室的清洁处理而产生的化合物的除去效果提高，基材处理的品质提高。处理所述一个周期haeseoyi到降压处理室由排气真空步骤中，一个处理室，用于通过供给净化气体的处理和用于通过在室内供给处理气体，以在衬底处理衬底的处理室升压处理室重复该循环数次，而在第一压力幅度在处理室中的压力的周期性变化通过供应吹扫气体到处理和用于相对于执行第一清洗至处理腔室和处理的处理室升压的第一处理腔室的步骤通过多次重复一个周期haeseoyi周期降压到由排气真空内部的处理室中的处理，而在处理室中的压力以一个小的第二压力范围比第一压力范围至第二净化的周期性变化相对于所述处理室它具有执行步骤。

3. 发明授权

KR100985363B1 반도체 장치의 제조방법 및 기판처리 장치 有权
标题翻译：半导体装置及基板处理装置的制造方法
公开(公告)号：KR100985363B1
公开(公告)日：2010-10-04
申请号：KR1020047015035
申请日：2003-07-15
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 이타타니,히데하루 , 호리이,사다요시 , 아사이,마사유키 , 사노,아츠시
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45542 , C23C16/0272 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L28/90
摘要： 단차 피복성, 밀착성에 우수하고, 생상성이 높은 도전성 금속막을 얻는다. 원료가스 공급공정 후에 여기가스 공급공정을 실시하여, 기판 위에 용량 전극으로서 적합한 도전성의 금속막 또는 금속산화막을 형성한다. 원료가스 공급공정에서는, 기판에 대해서 유기금속 원료를 기화시킨 가스를 공급하여 원료를 기판 위에 흡착시킨다. 여기가스 공급공정에서는, 플라즈마에 의해 여기시킨 산소 또는 질소 함유 가스를 공급하고, 기판 위에 흡착한 원료를 분해시켜 막을 형성한다. 원료가스 공급공정과 여기가스 공급공정을 1회 또는 복수회 반복하는 것에 의해 막을 형성하는 공정을 초기 성막공정으로 한다. 또한, 그 초기 성막공정의 1단계만으로 원하는 막두께를 얻을 수 있지만, 그 후에, 유기금속 원료를 기화시킨 가스와 플라즈마에 의해 여기하지 않은 산소 함유 가스 또는 질소 함유 가스를 동시에 공급하는 열CVD법을 이용하는 본 성막공정을 실시하여 2단계로 성막하여도 좋다.
성막, 플라즈마, 여기가스, 도전성 금속막, 기화

4. 发明公开

KR1020170037831A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170037831A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：KR1020160121440
申请日：2016-09-22
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 나카무라,요시노부 , 미나미,마사요시 , 아사이,마사유키 , 오쿠다,가즈유키 , 우라노,유지
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/56
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02046 , H01L21/02312 , H01L21/02337 , H01L21/56 , H01L21/67034 , H01L21/67098
摘要： 클리닝처리를행함으로써발생한화합물의처리실내로부터의제거효과를높여, 기판처리의품질을향상시킨다. 처리실내의기판에대하여처리가스를공급함으로써기판을처리하는공정과, 처리실내에퍼지가스를공급함으로써처리실내를승압시키는공정과, 처리실내를진공배기함으로써처리실내를강압시키는공정을 1 사이클로해서이 사이클을복수회 반복함으로써, 처리실내의압력을제1 압력폭으로주기적으로변동시키면서처리실내에대하여제1 퍼지를행하는공정과, 처리실내에퍼지가스를공급함으로써처리실내를승압시키는공정과, 처리실내를진공배기함으로써처리실내를강압시키는공정을 1 사이클로해서이 사이클을복수회 반복함으로써, 처리실내의압력을제1 압력폭보다도작은제2 압력폭으로주기적으로변동시키면서처리실내에대하여제2 퍼지를행하는공정을갖는다.

5. 发明公开

KR1020060095866A 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：制造半导体器件和衬底处理系统的方法
公开(公告)号：KR1020060095866A
公开(公告)日：2006-09-04
申请号：KR1020067007137
申请日：2005-01-21
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사노,아츠시 , 호리,사다요시 , 이타타니,히데하루 , 아사이,마사유키
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02148 , C23C16/34 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/31645 , H01L21/3185
摘要： Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device which enables to easily control the nitrogen concentration distribution in a film containing a metal atom and a silicon atom, thereby producing a high-quality semiconductor device. Also disclosed is a substrate processing system. The method comprises a step wherein a film containing a metal atom and a silicon atom is formed on a substrate (30) in a reaction chamber (4) and a step for nitriding the thus-formed film. In the film-forming step, a film is formed while changing the silicon concentration by at least two steps.
摘要翻译：公开了一种半导体器件的制造方法，其能够容易地控制含有金属原子和硅原子的膜中的氮浓度分布，从而制造高质量的半导体器件。还公开了一种基板处理系统。该方法包括在反应室（4）中的基板（30）上形成含有金属原子和硅原子的膜的步骤和对这样形成的膜进行氮化的工序。在成膜步骤中，在将硅浓度改变至少两个步骤的同时形成膜。

6. 发明公开

KR1020140135762A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的方法，用于处理衬底的方法，衬底处理器件和记录介质
公开(公告)号：KR1020140135762A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：KR1020147026035
申请日：2013-03-22
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사노,아츠시 , 아사이,마사유키 , 요네바야시,마사히로
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/318 , H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C16/42 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/022 , C23C16/4405 , H01J37/32394 , H01J37/32862 , H01L21/0217
摘要： 성막 장치의 가스 클리닝의 주기를 길게 할 수 있도록 하기 위해서, 처리실(201)에 기판(200)을 반입하는 기판 반입 공정과, 처리실에서 적어도 2종의 막을 기판에 적층하는 막 형성 공정과, 막이 형성된 기판을 처리실로부터 반출하는 기판 반출 공정과, 기판 반출 공정 후, 기판이 처리실에 내에 존재하지 않는 상태에서, 처리실에 에칭 가스를 공급하는 에칭 공정을 갖는다. 에칭 공정은, 처리실에 에칭 가스로서 불소 함유 가스를 플라즈마 여기에 의해 활성화하여 공급하는 제1 클리닝 공정과, 처리실에 에칭 가스로서 불소 함유 가스를 열에 의해 활성화하여 공급하는 제2 클리닝 공정을 갖는다.

7. 发明授权

KR100848226B1 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：制造半导体器件和衬底处理系统的方法
公开(公告)号：KR100848226B1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：KR1020067007137
申请日：2005-01-21
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사노,아츠시 , 호리,사다요시 , 이타타니,히데하루 , 아사이,마사유키
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02148 , C23C16/34 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/31645 , H01L21/3185
摘要： 본 발명은 금속 원자와 실리콘 원자를 포함한 막 내의 질소 농도 분포를 용이하게 제어할 수 있어 고품질의 반도체 장치를 제조할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 기판(30) 상에 금속 원자와 실리콘 원자를 포함한 막을 반응실(4)에서 성막하는 성막 공정과, 상기 막에 질화 처리를 실시하는 질화 처리 공정을 포함한다. 상기 성막 공정에서는, 적어도 2 단계로 실리콘 농도를 변화시켜 성막한다.
반도체, 금속, 실리콘, 질소

8. 发明公开

KR1020050023238A 반도체 장치의 제조방법 및 기판처리 장치 有权
标题翻译：半导体装置及基板处理装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020050023238A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：KR1020047015035
申请日：2003-07-15
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 이타타니,히데하루 , 호리이,사다요시 , 아사이,마사유키 , 사노,아츠시
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45542 , C23C16/0272 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L28/90
摘要： 단차 피복성, 밀착성에 우수하고, 생상성이 높은 도전성 금속막을 얻는다. 원료가스 공급공정 후에 여기가스 공급공정을 실시하여, 기판 위에 용량 전극으로서 적합한 도전성의 금속막 또는 금속산화막을 형성한다. 원료가스 공급공정에서는, 기판에 대해서 유기금속 원료를 기화시킨 가스를 공급하여 원료를 기판 위에 흡착시킨다. 여기가스 공급공정에서는, 플라즈마에 의해 여기시킨 산소 또는 질소 함유 가스를 공급하고, 기판 위에 흡착한 원료를 분해시켜 막을 형성한다. 원료가스 공급공정과 여기가스 공급공정을 1회 또는 복수회 반복하는 것에 의해 막을 형성하는 공정을 초기 성막공정으로 한다. 또한, 그 초기 성막공정의 1단계만으로 원하는 막두께를 얻을 수 있지만, 그 후에, 유기금속 원료를 기화시킨 가스와 플라즈마에 의해 여기하지 않은 산소 함유 가스 또는 질소 함유 가스를 동시에 공급하는 열CVD법을 이용하는 본 성막공정을 실시하여 2단계로 성막하여도 좋다.

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