专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020150052154A 마이크로 컨트롤러 审中-实审
标题翻译：微控制器
公开(公告)号：KR1020150052154A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：KR1020157008019
申请日：2013-08-23
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 니시지마타츠지 , 코바야시히데토모 , 아츠미토모아키 , 카토키요시
IPC分类号： G06F1/32 , G11C5/14 , G11C11/405 , H01L21/00
CPC分类号： G06F1/3243 , G06F1/3287 , G11C5/148 , G11C11/405 , Y02D10/152 , Y02D10/171
摘要： 본발명은저소비전력모드에서동작할수 있는마이크로컨트롤러를제공한다. 본발명의마이크로컨트롤러는 CPU, 메모리, 및타이머회로등의주변회로를포함한다. 주변회로의레지스터는버스라인과의인터페이스에형성되어있다. 전원공급제어를위한파워게이트가제공되어있어, 모든회로가액티브한통상동작모드외에, 일부의회로만을액티브하게하는저소비전력모드에서동작시킬수 있다. CPU의레지스터등, 저소비전력모드시에전원이공급되지않는레지스터는휘발성기억부및 비휘발성기억부를포함하고있다.

2. 发明公开

KR1020140040155A 프로그래머블 로직 디바이스 审中-实审
公开(公告)号：KR1020140040155A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020137033123
申请日：2012-05-02
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 니시지마타츠지 , 요네다세이이치
IPC分类号： H03K19/173
CPC分类号： H03K19/1776 , H01L27/0688 , H01L27/11803 , H01L27/1225 , H03K19/17736 , H03K19/17764 , H03K19/17772
摘要： 전원 전위의 공급이 차단되었을 때에도 컨피겨레이션 데이터의 유지가 가능하고, 전원 투입 후의 논리 블록의 기동 시간이 짧은, 저소비 전력화가 가능한 프로그래머블 로직 디바이스를 제공하는 것을 과제로 한다.
프로그래머블 스위치의 메모리부의 트랜지스터에, 트랜지스터의 오프 전류를 충분히 작게 할 수 있는 재료, 예를 들면, 와이드 밴드갭 반도체인 산화물 반도체 재료를 이용하여 이 트랜지스터를 구성한다. 트랜지스터의 오프 전류를 충분히 작게 할 수 있는 반도체 재료를 이용함으로써, 전원 전위의 공급이 차단되었을 때에도 컨피겨레이션 데이터를 유지하는 것이 가능하게 된다.

3. 发明授权

KR101831176B1 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR101831176B1
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR1020120052173
申请日：2012-05-16
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 니시지마타츠지
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788
CPC分类号： H03K19/0175 , G11C19/28 , H03K19/018507
摘要： 고속동작이가능하고, 또한소비전력을저감시킬수 있는반도체장치를제공한다. 레벨시프터, 제 1 버퍼, 및제 2 버퍼와, 제 1 스위치및 제 2 스위치와, 제 1 단자, 제 1 단자로부터입력되는신호의반전신호가입력되는제 2 단자, 및제 1 스위치및 제 2 스위치상태를제어하는클록신호가입력되는제 3 단자를구비하는래치회로를갖는다. 레벨시프터의제 1 출력단자는제 1 스위치를통해제 1 버퍼및 제 2 버퍼각각의하나의입력단자와접속하고, 레벨시프터의제 2 출력단자는제 2 스위치를통해제 1 버퍼및 제 2 버퍼각각의다른입력단자와접속한다. 레벨시프터의제 1 입력단자는제 1 버퍼의출력단자와접속하고, 레벨시프터의제 2 입력단자는제 2 버퍼의출력단자와접속한다.
摘要翻译：提供了一种能够高速运行并且能够降低功耗的半导体器件。和电平移位器，第一缓冲器，第二mitje缓冲器，第一开关和第二开关，第一端，第二端和从所述第一终端输入的输入信号的反相信号，mitje第一开关和第二开关并且输入用于控制锁存电路的时钟信号的第三端子。通过第一开关的第一缓冲器和连接到所述输入端子和所述相应的一个，并且每个所述第一缓冲器的通过第二开关的第二缓冲器中的电平移位器的所述第二输出端子的第二缓冲器中的电平移位器的所述第一输出端连接到另一个输入终端。电平移位器的第一输入端连接至第一缓冲器的输出端，电平移位器的第二输入端连接至第二缓冲器的输出端。

4. 发明公开

KR1020120130056A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020120130056A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020120052173
申请日：2012-05-16
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 니시지마타츠지
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788
CPC分类号： H03K19/0175 , G11C19/28 , H03K19/018507 , G11C11/4074 , G11C11/4076 , G11C11/4078 , H01L27/2463
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to reduce starting time by maintaining data in a latch circuit even if power source is intercepted. CONSTITUTION: A latch circuit(10) comprises a level shifter(L), a first buffer(B1), a second buffer(B2), a first switch(T1), and a second switch(T2). A first output terminal of the level shifter is connected to one input terminal of the first buffer and the second buffer through the first switch. A second output terminal of the level shifter is connected to other input terminal of the first buffer and the second buffer through the second switch. A first input terminal of the level shifter is connects to the output terminal of the first buffer. A second input terminal of the level shifter is connected to the output terminal of the second buffer.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件，用于通过将数据保持在锁存电路中来减少启动时间，即使电源被截断。构成：锁存电路（10）包括电平移位器（L），第一缓冲器（B1），第二缓冲器（B2），第一开关（T1）和第二开关（T2）。电平移位器的第一输出端子通过第一开关连接到第一缓冲器的一个输入端子和第二缓冲器。电平移位器的第二输出端子通过第二开关连接到第一缓冲器的另一输入端子和第二缓冲器。电平移位器的第一输入端子连接到第一缓冲器的输出端子。电平移位器的第二输入端连接到第二缓冲器的输出端。

5. 发明授权

KR101946360B1 프로그래머블 로직 디바이스 有权
公开(公告)号：KR101946360B1
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：KR1020187023011
申请日：2012-05-02
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 니시지마타츠지 , 요네다세이이치
IPC分类号： H03K19/177 , H01L27/118

6. 发明授权

KR101466885B1 프로그래머블 로직 디바이스 有权
标题翻译：可编程逻辑器件
公开(公告)号：KR101466885B1
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：KR1020147009330
申请日：2012-05-08
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 요네다세이이치 , 니시지마타츠지
IPC分类号： H03K19/177
摘要： 본 발명의 목적은 프로그래머블 스위치에 의해 서로 접속된 논리 블록들을 가지는 프로그래머블 로직 디바이스를 제공하는 것이고, 이 경우 프로그래머블 스위치는 그 내부에 통합된 산화물 반도체 트랜지스터를 특징으로 한다. 산화물 반도체 트랜지스터의 매우 낮은 오프 전류는 그 산화물 반도체 트랜지스터에 접속되는 트랜지스터의 게이트 전극의 전위를 보유하는 높은 능력으로 인해 불휘발성 메모리로서의 기능을 제공한다. 불휘발성 메모리로서 기능하는 산화물 반도체 트랜지스터의 능력은 전원 전위의 공급이 차단되었을 때에도 논리 블록들의 접속을 제어하기 위한 컨피겨레이션 데이터가 유지되는 것을 허용한다. 따라서, 디바이스의 시작시 컨피겨레이션 데이터를 다시 기입하는 과정이 생략될 수 있고, 이는 디바이스의 전력 소비에 있어서의 감소에 기여한다.
摘要翻译：本发明的一个目的是提供一种具有通过可编程开关连接在一起的逻辑块的可编程逻辑器件，在这种情况下，可编程开关具有集成在其中的氧化物半导体晶体管。氧化物半导体晶体管的非常低的截止电流由于其保持连接到氧化物半导体晶体管的晶体管的栅电极的电位的高能力而提供作为非易失性存储器的功能。即使当电源电势的供应中断时，氧化物半导体晶体管用作非易失性存储器的能力允许用于控制逻辑块的连接的配置数据被保持。因此，可以省略在设备启动时重写配置数据的过程，这有助于降低设备的功耗。

7. 发明公开

KR1020140049096A 프로그래머블 로직 디바이스 有权
标题翻译：可编程逻辑器件
公开(公告)号：KR1020140049096A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：KR1020147009330
申请日：2012-05-08
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 요네다세이이치 , 니시지마타츠지
IPC分类号： H03K19/177
CPC分类号： H03K19/0013 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869 , H03K19/0008 , H03K19/17736 , H03K19/17744
摘要： 본 발명의 목적은 프로그래머블 스위치에 의해 서로 접속된 논리 블록들을 가지는 프로그래머블 로직 디바이스를 제공하는 것이고, 이 경우 프로그래머블 스위치는 그 내부에 통합된 산화물 반도체 트랜지스터를 특징으로 한다. 산화물 반도체 트랜지스터의 매우 낮은 오프 전류는 그 산화물 반도체 트랜지스터에 접속되는 트랜지스터의 게이트 전극의 전위를 보유하는 높은 능력으로 인해 불휘발성 메모리로서의 기능을 제공한다. 불휘발성 메모리로서 기능하는 산화물 반도체 트랜지스터의 능력은 전원 전위의 공급이 차단되었을 때에도 논리 블록들의 접속을 제어하기 위한 컨피겨레이션 데이터가 유지되는 것을 허용한다. 따라서, 디바이스의 시작시 컨피겨레이션 데이터를 다시 기입하는 과정이 생략될 수 있고, 이는 디바이스의 전력 소비에 있어서의 감소에 기여한다.

8. 发明授权

KR102088865B1 마이크로 컨트롤러 有权
公开(公告)号：KR102088865B1
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：KR1020157008019
申请日：2013-08-23
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 니시지마타츠지 , 코바야시히데토모 , 아츠미토모아키 , 카토키요시
IPC分类号： G06F1/32 , G11C5/14 , G11C11/405 , H01L21/00

9. 发明授权

KR101900348B1 프로그래머블 로직 디바이스 有权
公开(公告)号：KR101900348B1
公开(公告)日：2018-09-19
申请号：KR1020137033407
申请日：2012-05-08
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 요네다세이이치 , 니시지마타츠지
IPC分类号： H03K19/177
CPC分类号： H03K19/0013 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869 , H03K19/0008 , H03K19/17736 , H03K19/17744
摘要： 본발명의목적은프로그래머블스위치에의해서로접속된논리블록들을가지는프로그래머블로직디바이스를제공하는것이고, 이경우프로그래머블스위치는그 내부에통합된산화물반도체트랜지스터를특징으로한다. 산화물반도체트랜지스터의매우낮은오프전류는그 산화물반도체트랜지스터에접속되는트랜지스터의게이트전극의전위를보유하는높은능력으로인해불휘발성메모리로서의기능을제공한다. 불휘발성메모리로서기능하는산화물반도체트랜지스터의능력은전원전위의공급이차단되었을때에도논리블록들의접속을제어하기위한컨피겨레이션데이터가유지되는것을허용한다. 따라서, 디바이스의시작시컨피겨레이션데이터를다시기입하는과정이생략될수 있고, 이는디바이스의전력소비에있어서의감소에기여한다.

10. 发明公开

KR1020140040159A 프로그래머블 로직 디바이스 审中-实审
标题翻译：可编程逻辑器件
公开(公告)号：KR1020140040159A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020137033407
申请日：2012-05-08
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 요네다세이이치 , 니시지마타츠지
IPC分类号： H03K19/177
CPC分类号： H03K19/0013 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869 , H03K19/0008 , H03K19/17736 , H03K19/17744
摘要： 본 발명의 목적은 프로그래머블 스위치에 의해 서로 접속된 논리 블록들을 가지는 프로그래머블 로직 디바이스를 제공하는 것이고, 이 경우 프로그래머블 스위치는 그 내부에 통합된 산화물 반도체 트랜지스터를 특징으로 한다. 산화물 반도체 트랜지스터의 매우 낮은 오프 전류는 그 산화물 반도체 트랜지스터에 접속되는 트랜지스터의 게이트 전극의 전위를 보유하는 높은 능력으로 인해 불휘발성 메모리로서의 기능을 제공한다. 불휘발성 메모리로서 기능하는 산화물 반도체 트랜지스터의 능력은 전원 전위의 공급이 차단되었을 때에도 논리 블록들의 접속을 제어하기 위한 컨피겨레이션 데이터가 유지되는 것을 허용한다. 따라서, 디바이스의 시작시 컨피겨레이션 데이터를 다시 기입하는 과정이 생략될 수 있고, 이는 디바이스의 전력 소비에 있어서의 감소에 기여한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式