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2. 发明授权

KR101680938B1 연마 패드의 표면 거칠기 측정 방법 有权
标题翻译：抛光垫表面粗糙度的测量方法
公开(公告)号：KR101680938B1
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020140107747
申请日：2014-08-19
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 마츠오히사노리
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/304
CPC分类号： B24B49/12 , B24B37/005 , B24B53/017 , G01B11/303
摘要： 본발명은연마성능과강한관련성을나타내는연마패드의표면거칠기지표를측정할수 있는연마패드의표면거칠기측정방법을제공하는것을과제로한다. 연마패드(2)의표면거칠기의측정방법으로서, 레이저현미경(30)을이용하여연마패드표면의화상을취득하는공정과, 취득한화상내로부터평균높이보다높이가큰 영역만을선택하는공정과, 선택된영역에서만표면거칠기를산출하는공정을포함한다.
摘要翻译：公开了一种可以测量抛光垫的表面粗糙度指数与抛光性能有很强关系的抛光垫表面粗糙度的测量方法。用于测量抛光垫的表面粗糙度的方法包括：通过使用激光显微镜获取抛光垫的表面的图像，从所获取的图像中仅选择具有高于平均高度的高度的区域，并且计算表面仅从所选区域的粗糙度。

3. 发明授权

KR101598548B1 연마장치 및 연마방법 有权
公开(公告)号：KR101598548B1
公开(公告)日：2016-02-29
申请号：KR1020100029114
申请日：2010-03-31
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 이시이유 , 시오카와요이치 , 헤이안나죠지 , 마츠오히사노리
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B57/02 , B24B37/04 , B24B49/00
摘要： 본발명의연마장치는, 사전에다수의연마시험등을행하지않고, 더욱정밀한연마프로파일제어를행할수 있다. 연마장치는, 연마면(52a)을가지는연마테이블(22)과, 연마대상물(W)을유지하여연마면(52a)에가압하는톱링(24)과, 연마면(52a)에연마액을공급하는연마액공급노즐(26)과, 연마액공급노즐(26)의연마액공급위치(26a)를연마면(52a)의대략반경방향을따라이동시키는이동기구(70)와, 이동기구(70)를제어하는컨트롤러(66)와, 연마액공급노즐(26)의연마액공급위치(26a)와연마프로파일의관계를예측하여시뮬레이션을행하여컨트롤러에출력하는시뮬레이터(72)를구비하고있다.

4. 发明授权

KR101921763B1 연마 패드의 표면 성상 측정 방법 有权
公开(公告)号：KR101921763B1
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：KR1020130109107
申请日：2013-09-11
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 고쿠리츠 다이가쿠 호진 큐슈 코교 다이가쿠
发明人： 마츠오히사노리 , 기무라게이이치 , 스즈키게이스케 , 카존렁루앙파날트 , 구시다다카시
IPC分类号： G01B11/30 , G01N21/956 , G01N21/47
CPC分类号： G01N21/4738 , B24B37/20 , B24B49/12 , H01L21/30625 , H01L22/10
摘要： 본발명의과제는연마패드의표면성상을측정하여연마패드의표면성상이구해지는연마성능을얻을수 있는상태로되어있는지여부를판단할수 있는연마패드의표면성상측정방법을제공하는것이다. 기판에미끄럼접촉하여기판의피연마면을연마하는연마패드(2)의표면성상측정방법이며, 연마패드(2)에레이저광을조사하여, 연마패드(2)로부터반사산란된산란광을수광소자에의해수광함으로써광학적푸리에변환에의해연마패드(2)의표면형상에기초한공간파장스펙트럼에상당하는강도분포를얻고, 상이한 2개의소정의공간파장범위에상당하는강도분포에기초하여연마패드(2)의표면성상을나타내는수치를연산한다.

5. 发明公开

KR1020140111965A 연마 장치 및 연마 방법 审中-实审
标题翻译：抛光装置和抛光方法
公开(公告)号：KR1020140111965A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：KR1020140026985
申请日：2014-03-07
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 마츠오히사노리 , 모치즈키요시히로 , 다카토오치카코 , 오보다다시
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/005 , B24B49/12 , B24B57/02
摘要： The present invention provides a polishing apparatus and a polishing method which may obtain a maximum polishing capability with a minimum amount of a polishing liquid supplied onto a polishing pad by using a polishing liquid storage mechanism provided on the polishing pad to store the polishing liquid which has been used for polishing and retains a sufficient polishing capability without discharging the polishing liquid maintaining sufficient polishing capability after the polishing liquid is used for the polishing, and by measuring the polishing capability of the polishing liquid and quickly discharging the polishing liquid whose the polishing capability is lowered. The polishing apparatus includes: a polishing liquid storage mechanism (10) to store the polishing liquid on the polishing pad (2) by damming the polishing liquid; a polishing liquid sensor (S) measuring a physical quantity representing the freshness of the polishing liquid that is stored by the polishing liquid storage mechanism (10); a freshness measuring instrument (5) to calculate the freshness of the stored polishing liquid from the physical quantity measured by the polishing liquid sensor; and a freshness controller (6) to control supply states of the polishing liquid and/or the storage state of the polishing liquid, based on the freshness of the polishing liquid that is determined by the freshness measuring instrument (5).
摘要翻译：本发明提供一种抛光装置和抛光方法，其可以通过使用设置在抛光垫上的抛光液体存储机构，以最少量的抛光液体供给到抛光垫上来获得最大抛光能力，以存储具有被用于抛光并保持足够的抛光能力，而不会在抛光液用于抛光后保持足够的抛光能力而抛光抛光液，并且通过测量抛光液的抛光能力并快速地排出研磨液的抛光能力降低。抛光装置包括：抛光液体存储机构（10），其通过阻止抛光液体将抛光液体存储在抛光垫（2）上; 抛光液体传感器（S），其测量表示由所述研磨液储存机构（10）储存的所述研磨液的新鲜度的物理量; 新鲜度测量仪器（5），用于根据由抛光液体传感器测量的物理量来计算所储存的抛光液的新鲜度; 以及基于由新鲜度测量仪器（5）确定的抛光液体的新鲜度来控制抛光液的供给状态和/或抛光液的储存状态的新鲜度控制器（6）。

6. 发明公开

KR1020140111924A 연마 패드의 표면 성상 측정 방법 审中-实审
标题翻译：测量抛光垫表面性能的方法
公开(公告)号：KR1020140111924A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：KR1020130109107
申请日：2013-09-11
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 고쿠리츠 다이가쿠 호진 큐슈 코교 다이가쿠
发明人： 마츠오히사노리 , 기무라게이이치 , 스즈키게이스케 , 카존렁루앙파날트 , 구시다다카시
IPC分类号： G01B11/30 , G01N21/956 , G01N21/47
CPC分类号： G01N21/4738 , B24B37/20 , B24B49/12 , H01L21/30625 , H01L22/10
摘要： An objective of the present invention is to provide a method for measuring surface properties of a polishing pad. According to the present invention, the surface properties of the polishing pad are measured so that it can be determined whether the surface properties of the polishing pad are in a state of being capable of providing a desired polishing performance. According to the present invention, surface properties of the polishing pad (2) which polishes a polishing target surface of a substrate by being in sliding contact with the substrate are measured. The polishing pad (2) is irradiated with laser light; scattered light which is reflected and scattered from the polishing pad (2) is received by a light receiving element and is subjected to an optical Fourier transform; an intensity distribution corresponding to a spatial wavelength spectrum based on a shape of a surface of the polishing pad (2) is obtained; and a value showing the surface properties of the polishing pad (2) is calculated based on the intensity distribution corresponding to two different predetermined spatial wavelength ranges.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种用于测量抛光垫的表面性质的方法。根据本发明，测量抛光垫的表面性质，以便可以确定抛光垫的表面特性是否处于能够提供所需抛光性能的状态。根据本发明，测量通过与基板滑动接触来抛光基板的抛光对象表面的抛光垫（2）的表面性质。抛光垫（2）用激光照射; 从抛光垫（2）反射和散射的散射光由光接收元件接收，并进行光学傅里叶变换; 获得与基于抛光垫（2）的表面形状的空间波长谱相对应的强度分布; 并且基于对应于两个不同的预定空间波长范围的强度分布来计算显示抛光垫（2）的表面性质的值。

7. 发明公开

KR1020070095297A ＣＭＰ 연마 방법, ＣＭＰ 연마 장치, 및 반도체디바이스의 제조 방법 有权
标题翻译： CMP抛光方法，CMP抛光装置和用于生产半导体器件的工艺
公开(公告)号：KR1020070095297A
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：KR1020077014161
申请日：2005-12-21
申请人： 가부시키가이샤 니콘 , 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 다카다쇼조 , 마츠오히사노리 , 이시카와아키라
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02074 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/76826 , H01L21/76828
摘要： This invention provides a CMP polishing method that, when a hydrophobilized porous material is used as an interlayer insulation film material for a semiconductor integrated circuit formed on a substrate, after washing and removal of a slurry and a polishing residue, which stay on the substrate surface, with a surfactant-containing washing liquid, an organic material permeated in the interlayer insulation film can be efficiently removed. When washing is carried out with a washing liquid containing a surfactant to remove the residual slurry and polishing residue, the organic material contained in the surfactant-containing washings is permeated in the interlayer insulation film (3). Thereafter, the substrate is washed with an organic solvent or an organic solvent-containing solution to wash away the organic material permeated in the interlayer insulation film (3). Although the interlayer insulation film (3) is in a hydrophobilized state, since the organic solvent is used for the washing, the organic material permeated in the interlayer insulation film (3) can be dissolved and washed away without being influenced by the hydrophobilized state.
摘要翻译：本发明提供一种CMP抛光方法，其中使用疏水化多孔材料作为形成在基板上的半导体集成电路的层间绝缘膜材料，在清洗和除去留在基板表面上的浆料和抛光残渣之后通过含有表面活性剂的洗涤液，可以有效地除去透过层间绝缘膜的有机材料。当用含有表面活性剂的洗涤液进行洗涤以除去残留的浆料和抛光残渣时，含有表面活性剂的洗涤液中含有的有机材料渗透在层间绝缘膜（3）中。此后，用有机溶剂或含有机溶剂的溶液洗涤基板，以冲洗渗透在层间绝缘膜（3）中的有机材料。尽管层间绝缘膜（3）处于疏水化状态，但是由于使用有机溶剂进行洗涤，渗透在层间绝缘膜（3）中的有机材料可以溶解并洗涤而不受疏水化状态的影响。

8. 发明公开

KR1020020070085A 폴리싱장치 有权
公开(公告)号：KR1020020070085A
公开(公告)日：2002-09-05
申请号：KR1020017003439
申请日：2001-01-22
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 가미무라겐지 , 기무라노리오 , 오카무라사토시 , 아이자와히데오 , 아카기마고토 , 도쿠시게가츠히코 , 마츠오히사노리 , 츠지무라마나부
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 연마대상물을 평탄하고도 경면형상으로 연마하는 폴리싱장치에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명의 폴리싱장치는 연마면을 가지는 연마테이블과 톱링을 가지고, 상기 연마테이블과 톱링 사이에 연마대상물을 개재시켜 소정의 압력으로 가압함으로써 연마대상물을 연마한다. 폴리싱장치는 연마포의 표면에 접촉하여 상기 연마면의 드레싱를 행하는 적어도 2개의 드레싱유닛을 구비한다.

9. 发明公开

KR1020010021351A 연마방법 및 연마장치 失效
标题翻译：抛光方法和抛光装置
公开(公告)号：KR1020010021351A
公开(公告)日：2001-03-15
申请号：KR1020000047770
申请日：2000-08-18
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 와다유타카 , 히야마히로쿠니 , 히로카와가즈토 , 마츠오히사노리
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B53/017
摘要： PURPOSE: A method for polishing a device wafer can always exhibit a self-stop function without being restricted by the composition of an abrading plate and without being restricted by the type of the substrate. CONSTITUTION: The method is provided for polishing a device wafer(14), which has projections and depressions formed on a surface thereof, with the use of an abrading plate(12). The method comprises polishing the device wafer(14) while supplying a surface active agent and/or while dressing a surface of the abrading plate(12), thereby always exhibiting a self-stop function.
摘要翻译：目的：抛光装置晶片的方法可以始终呈现自动停止功能，而不受研磨板的组成的限制，而不受基板的类型的限制。构成：提供了一种用于研磨具有在其表面上形成有凹凸的器件晶片（14）的方法，该研磨板使用研磨板（12）。该方法包括在提供表面活性剂的同时抛光装置晶片（14）和/或在修整研磨板（12）的表面的同时，从而始终呈现自我停止的功能。

10. 发明公开

KR1020210035131A 연마 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020210035131A
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：KR1020210035629
申请日：2021-03-19
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 마루야마도루 , 마츠오히사노리 , 모토시마야스유키
IPC分类号： B24B37/015 , B24B49/14 , H01L21/306
摘要： 본발명의과제는연마패드의표면온도를조정함으로써연마레이트를향상시킬수 있음과함께연마되는기판의연마프로파일도제어할수 있는연마방법및 연마장치를제공하는것이다. 연마테이블상의연마패드에기판을가압하여기판을연마하는연마방법에있어서, 연마패드(3)의표면온도를조정하는연마패드(3)의표면온도조정공정과, 조정된표면온도에있는연마패드(3)에기판을가압하여기판을연마하는연마공정을구비하여, 연마패드(3)의표면온도조정공정은연마공정중, 연마패드(3)의표면반경방향에있어서의온도프로파일의온도변화율이연마패드반경방향에있어서일정해지도록, 기판이접촉하는연마패드(3)의영역의일부분에있어서의표면온도를조정한다.

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