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1. 发明授权

KR100893116B1 ＣＭＰ 연마 방법, ＣＭＰ 연마 장치, 및 반도체디바이스의 제조 방법 有权
标题翻译： CMP抛光方法，CMP抛光装置和用于生产半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100893116B1
公开(公告)日：2009-04-14
申请号：KR1020077014161
申请日：2005-12-21
申请人： 가부시키가이샤 니콘 , 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 다카다쇼조 , 마츠오히사노리 , 이시카와아키라
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02074 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/76826 , H01L21/76828
摘要： 세정액(계면활성제를 함유하는 것이 바람직함)으로 세정하여, 잔류하는 슬러리와 연마 잔류물을 제거하면, 계면활성제를 함유하는 세정액 중의 유기물이 층간 절연막(3) 속으로 스며든다. 그래서, 이 후, 유기 용매 또는 유기 용매를 함유한 용액으로 기판을 세정하고, 층간 절연막(3) 속에 스며든 유기물을 세정 제거한다. 층간 절연막(3)은 소수화 처리가 실시되고 있지만 유기 용매이기 때문에, 그것에 영향을 받지 않고 층간 절연막(3) 속으로 스며들어 유기물을 용해하고, 세정 제거할 수 있다. 그 후, 기판(1)을 건조시켜 표면에 부착된 유기 용매 또는 유기 용매를 함유한 용액을 제거한다.

2. 发明公开

KR1020070095297A ＣＭＰ 연마 방법, ＣＭＰ 연마 장치, 및 반도체디바이스의 제조 방법 有权
标题翻译： CMP抛光方法，CMP抛光装置和用于生产半导体器件的工艺
公开(公告)号：KR1020070095297A
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：KR1020077014161
申请日：2005-12-21
申请人： 가부시키가이샤 니콘 , 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 다카다쇼조 , 마츠오히사노리 , 이시카와아키라
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02074 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/76826 , H01L21/76828
摘要： This invention provides a CMP polishing method that, when a hydrophobilized porous material is used as an interlayer insulation film material for a semiconductor integrated circuit formed on a substrate, after washing and removal of a slurry and a polishing residue, which stay on the substrate surface, with a surfactant-containing washing liquid, an organic material permeated in the interlayer insulation film can be efficiently removed. When washing is carried out with a washing liquid containing a surfactant to remove the residual slurry and polishing residue, the organic material contained in the surfactant-containing washings is permeated in the interlayer insulation film (3). Thereafter, the substrate is washed with an organic solvent or an organic solvent-containing solution to wash away the organic material permeated in the interlayer insulation film (3). Although the interlayer insulation film (3) is in a hydrophobilized state, since the organic solvent is used for the washing, the organic material permeated in the interlayer insulation film (3) can be dissolved and washed away without being influenced by the hydrophobilized state.
摘要翻译：本发明提供一种CMP抛光方法，其中使用疏水化多孔材料作为形成在基板上的半导体集成电路的层间绝缘膜材料，在清洗和除去留在基板表面上的浆料和抛光残渣之后通过含有表面活性剂的洗涤液，可以有效地除去透过层间绝缘膜的有机材料。当用含有表面活性剂的洗涤液进行洗涤以除去残留的浆料和抛光残渣时，含有表面活性剂的洗涤液中含有的有机材料渗透在层间绝缘膜（3）中。此后，用有机溶剂或含有机溶剂的溶液洗涤基板，以冲洗渗透在层间绝缘膜（3）中的有机材料。尽管层间绝缘膜（3）处于疏水化状态，但是由于使用有机溶剂进行洗涤，渗透在层间绝缘膜（3）中的有机材料可以溶解并洗涤而不受疏水化状态的影响。

3. 发明公开

KR1020080058510A ＣＭＰ 연마 방법, ＣＭＰ 연마 장치, 및 반도체디바이스의 제조 방법 无效
标题翻译： CMP抛光方法，CMP抛光装置和用于生产半导体器件的工艺
公开(公告)号：KR1020080058510A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：KR1020087014014
申请日：2005-12-21
申请人： 가부시키가이샤 니콘 , 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 다카다쇼조 , 마츠오히사노리 , 이시카와아키라
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02074 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/76826 , H01L21/76828
摘要： This invention provides a CMP polishing method that, when a hydrophobilized porous material is used as an interlayer insulation film material for a semiconductor integrated circuit formed on a substrate, after washing and removal of a slurry and a polishing residue, which stay on the substrate surface, with a surfactant-containing washing liquid, an organic material permeated in the interlayer insulation film can be efficiently removed. When washing is carried out with a washing liquid containing a surfactant to remove the residual slurry and polishing residue, the organic material contained in the surfactant-containing washings is permeated in the interlayer insulation film (3). Thereafter, the substrate is washed with an organic solvent or an organic solvent-containing solution to wash away the organic material permeated in the interlayer insulation film (3). Although the interlayer insulation film (3) is in a hydrophobilized state, since the organic solvent is used for the washing, the organic material permeated in the interlayer insulation film (3) can be dissolved and washed away without being influenced by the hydrophobilized state.
摘要翻译：本发明提供一种CMP抛光方法，其中使用疏水化多孔材料作为形成在基板上的半导体集成电路的层间绝缘膜材料，在清洗和除去留在基板表面上的浆料和抛光残渣之后通过含有表面活性剂的洗涤液，可以有效地除去透过层间绝缘膜的有机材料。当用含有表面活性剂的洗涤液进行洗涤以除去残留的浆料和抛光残渣时，含有表面活性剂的洗涤液中含有的有机材料渗透在层间绝缘膜（3）中。此后，用有机溶剂或含有机溶剂的溶液洗涤基板，以冲洗渗透在层间绝缘膜（3）中的有机材料。尽管层间绝缘膜（3）处于疏水化状态，但是由于使用有机溶剂进行洗涤，渗透在层间绝缘膜（3）中的有机材料可以溶解并洗涤而不受疏水化状态的影响。

4. 发明公开

KR1020030040212A ＣＭＰ 장치 및 반도체 소자의 제조 방법 无效
标题翻译： CMP设备和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020030040212A
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：KR1020027015385
申请日：2001-07-27
申请人： 가부시키가이샤 니콘
发明人： 이시카와아키라
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/26 , B24B37/042 , B24B49/006 , B24B49/16 , H01L21/3212
摘要： 연마 패드로서, (a)에 도시한 바와 같은 선단이 라운딩된 삼각형 형상의 것을 사용하였다. 이것은, 웨이퍼 외주에 있어서 연마 패드와 웨이퍼의 접촉 시간을 요동 속도에 의하지 않고 짧게 하기 위해서, 연마 패드 외주의 일부를 컷트한다고 하는 사상에 대응하는 것이다. 도면에 도시한 바와 같이, 이러한 연마 패드의 중심에는 직경 50 ㎜의 원형 통삭부가 형성되어 있다. 이러한 연마 패드를 이용하면, 실현 가능한 요동 조건하에서, 연마 패드를 이용하여 요동폭을 10분할하고, 각 요동폭 범위 내에서, 웨이퍼면내의 각 점에 있어서의 상대 선속의 적분치, 압력의 적분치, 및 접촉 시간의 적분치의 곱이 ±30% 이내가 되도록 할 수 있어 균일한 연마가 가능해진다.

5. 发明公开

KR1020010089717A 연마체, 연마장치, 연마장치의 조정방법, 연마막 두께또는 연마종점의 측정방법, 및 반도체 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：研磨装置，研磨装置，调整研磨装置的方法，测量研磨膜厚度或研磨终点的方法以及半导体装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020010089717A
公开(公告)日：2001-10-08
申请号：KR1020017008191
申请日：2000-03-14
申请人： 가부시키가이샤 니콘
发明人： 이시카와아키라 , 센가타츠야 , 미야지아키라 , 우시오요시지로
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 투명창판 (31) 은, 연마패드 (21) 에 구멍이 뚫린 후에 그 구멍에 끼워넣어져 있다. 여기서, 투명창판 (31) 의 상면과 연마패드 (21) 의 가공면인 최표면과의 사이에는 간격 a 가 취해져 있다. 연마시에 웨이퍼를 지지한 연마헤드가 연마패드상에 가중기구에 의해 가중되어, 연마패드 (21) 와 투명창판 (31) 은 압축된다. 이 때, 간격 a 는 일정하며, 또한 기준치 이상의 수치가 유지되도록 되어 있다. 투명창판 (31) 의 상측 표면이 연마패드 (21) 의 상측 표면으로부터 움푹 패여있기 때문에, 드레싱할 때 투명창판 (31) 의 표면이 손상되지 않아, 연마패드의 수명이 길어진다.

6. 发明公开

KR1020080015876A ＣＭＰ 연마 장치에서의 연마 종료점 검출 방법, ＣＭＰ연마 장치, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 有权
标题翻译：用于检测CMP抛光装置中的抛光端的方法，CMP抛光装置和半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR1020080015876A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：KR1020077030155
申请日：2006-05-16
申请人： 가부시키가이샤 니콘
发明人： 우에다다케히코 , 나카히라호세이 , 이시카와아키라
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/013 , B24B37/04
CPC分类号： G01N21/55 , B24B37/013 , B24B49/12 , G01N21/9501 , H01L21/3212 , H01L22/26
摘要： A spectral reflection spectrum of an object to be polished which has reached a polishing end point is acquired in advance and a spectral reflection spectrum of the polishing object is acquired during polishing. The correlation between them is made a parameter 1. On the other hand, a sum of absolute values of differences of the primary differentiation values is made a parameter 2. When the parameter 2 has become a minimum value in a range where the parameter 1 exceeds a predetermined value, a polishing is judged to have reached an end point. Thus, it is possible to provide a highly reliable polishing end detection method in a CMP polishing device.
摘要翻译：获取已经达到抛光终点的待抛光对象的光谱反射光谱，并且在抛光期间获得抛光对象的光谱反射光谱。将它们之间的相关性设为参数1.另一方面，将一次微分值的差的绝对值之和作为参数2.当参数2已经成为参数1超过的范围内的最小值时预定值，则判定抛光已到达终点。因此，可以在CMP抛光装置中提供高度可靠的抛光结束检测方法。

7. 发明公开

KR1020030028482A 화학 기계 연마 장치, 연마 패드 및 반도체 소자의 제조방법 无效
标题翻译：化学机械研磨装置，研磨垫，半导体元件的制造方法
公开(公告)号：KR1020030028482A
公开(公告)日：2003-04-08
申请号：KR1020027017023
申请日：2001-02-01
申请人： 가부시키가이샤 니콘
发明人： 이시카와아키라 , 이데사토루 , 야마모토에이이치 , 다나카기요시 , 미츠이다카히코
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/26
摘要： 연마 패드와 기판 사이에 연마액을 개재시킨 상태에서 상기 연마 패드와 상기 기판을 상대 이동시켜 상기 기판을 연마하는 화학 기계 연마 장치에 있어서, 상기 연마 패드의 형상은 원 또는 타원의 중앙부를 보다 작은 지름의 원형 또는 타원형으로 도려낸 환상체인 것을 특징으로 한다. 환상 연마 패드의 도려내어진 부분의 내경(li)은 연마 패드 외경(lo)의 길이의 5∼75%, 바람직하게는 30∼50%이다.
연마되는 금속막을 갖는 기판(w)의 외경에 대한 연마 패드의 외경은 원환형 패드일 때는 0.5∼0.75배, 타원 환상 패드일 때는 짧은 지름이 0.35∼0.40배, 긴 지름이 0.5∼0.75배이다.

8. 发明授权

KR100846685B1 가공 형상의 예측 방법, 가공 조건의 결정 방법, 가공방법, 가공 시스템, 반도체 디바이스의 제조 방법, 계산기프로그램, 및 계산기 프로그램 기억 매체 有权
标题翻译：工作形状预测方法，工作要求确定方法，工作方法，工作系统，制造半导体器件的方法，计算机程序和计算机程序存储介质
公开(公告)号：KR100846685B1
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：KR1020037007829
申请日：2002-01-15
申请人： 가부시키가이샤 니콘
发明人： 센가다츠야 , 이시카와아키라 , 우에다다케히코
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L22/26 , B24B37/042 , B24B49/00 , B24B49/04 , H01L21/3212
摘要： The relationship between polishing conditions constituting elements and the worked shape (amount of polishing) obtained by means of these polishing conditions is input beforehand into polishing condition determining means along with the type of the object of polishing, and polishing conditions (invariable polishing conditions) that are used in common for the polishing of this object of polishing. The polishing condition determining means determine the polishing conditions on the basis of these conditions. Specifically, the above-mentioned polishing conditions constituting elements are given in a time series, or combinations of the above-mentioned polishing conditions constituting elements are converted into variations in the swinging velocity of the polishing body, and the swinging velocity corresponding to the swinging position is determined. The polishing apparatus control means input the polishing conditions determined by the polishing condition determining means, and control the polishing apparatus so that these polishing conditions are realized. As a result, working conditions for obtaining a specified worked shape in a working apparatus can be simply and accurately determined.

9. 发明授权

KR100435246B1 연마체, 연마장치, 연마장치의 조정방법, 연마막 두께또는 연마종점의 측정방법, 및 반도체 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译： 연마체，연마장치，연마장치의조정방법，연마막두께또는연마종점의측정방법，및반도체디바이스의제조방
公开(公告)号：KR100435246B1
公开(公告)日：2004-06-11
申请号：KR1020017008191
申请日：2000-03-14
申请人： 가부시키가이샤 니콘
发明人： 이시카와아키라 , 센가타츠야 , 미야지아키라 , 우시오요시지로
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/205 , B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/12
摘要： After a hole is formed in the polishing pad 21, a transparent window plate 31 is inserted into this hole. Here, a gap a is left between the upper surface of the transparent window plate 31 and the outermost surface constituting the working surface of the polishing pad 21. During polishing, the polishing head holding the wafer applies a load to the polishing pad by means of a load-applying mechanism, so that the polishing pad 21 and transparent window plate 31 are compressed. In this case, Äthe system isÜ arranged so that the gap a remains constant, and so that a dimension equal to or greater than a standard value is maintained. Since the upper surface of the transparent window plate 31 is recessed from the upper surface of the polishing pad 21, there is no scratching of the surface of the transparent window plate 31 during dressing. Accordingly, the polishing pad has a long useful life.
摘要翻译：在研磨垫21上形成孔后，在该孔中插入透明的窗板31。这里，在透明窗板31的上表面和构成研磨垫21的工作表面的最外表面之间留有间隙a。在研磨期间，保持晶片的研磨头借助于施加载荷的机构，使得抛光垫21和透明窗板31被压缩。在这种情况下，＆Auml;系统是＆Uuml; 被布置为使得间隙a保持恒定，并且保持等于或大于标准值的尺寸。由于透明窗板31的上表面从研磨垫21的上表面凹陷，所以在修整期间透明窗板31的表面不会刮伤。因此，抛光垫的使用寿命很长。＆lt;图像＆GT;

10. 发明授权

KR101361875B1 ＣＭＰ 연마 장치에서의 연마 종료점 검출 방법, ＣＭＰ연마 장치, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 有权
标题翻译：用于检测CMP抛光装置中的抛光端的方法，CMP抛光装置和半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR101361875B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020077030155
申请日：2006-05-16
申请人： 가부시키가이샤 니콘
发明人： 우에다다케히코 , 나카히라호세이 , 이시카와아키라
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/013 , B24B37/04
CPC分类号： G01N21/55 , B24B37/013 , B24B49/12 , G01N21/9501 , H01L21/3212 , H01L22/26
摘要： 본 발명에 따르면, 연마 종료점에 도달한 연마 대상물의 분광 반사 스펙트럼을 미리 구해 놓고, 연마 중에 연마 대상물의 분광 반사 스펙트럼을 구하여, 이들의 상관 계수를 파라미터 1로 한다. 한편, 이들의 1차 미분값의 차의 절대값을 가산한 것을 파라미터 2로 한다. 그리고, 파라미터 1이 소정값을 넘은 범위에서, 파라미터 2가 극소값을 취했을 때, 연마 종료점이라고 판단한다. 이에 따라, 신뢰성이 높은 CMP 연마 장치에 있어서의 연마 종료점 검출 방법을 제공할 수 있다.

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