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1. 发明授权

KR101227760B1 기판처리장치 및 기판처리방법 有权
标题翻译：基板处理装置及其处理方法
公开(公告)号：KR101227760B1
公开(公告)日：2013-01-29
申请号：KR1020110030857
申请日：2011-04-04
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 미야카츠히코 , 키타가와히로아키
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/67028 , B08B7/0014 , H01L21/67034
摘要： [과제] 초임계상태를 실현하기 위해 필요한 압력보다 낮은 압력환경 하에서, 기판(W)에 형성된 패턴을 도괴시키는 일없이 기판(W)을 건조할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공한다.
[해결수단] 건조처리유닛(30)은, 주로, 건조처리챔버(31), 이산화탄소공급기구(32), 제1질소공급기구(33), 액체질소공급기구(34), 제2질소공급기구(44), 및 배출기구(35)를 구비한다. 치환액인 ＩＰＡ액으로 덮인 기판(W)이 건조처리챔버(31) 내에 유지된 상태에서, 액체이산화탄소가 기판(W)의 표면을 덮는다. 건조처리챔버(31) 내가, 액체질소공급기구(34)에 의해 냉각됨으로써 액체이산화탄소는 고체이산화탄소로 응고한다. 그리고 배출기구(35)에 의해, 건조처리챔버(31) 내를 대기압으로 되돌림과 아울러, 제1질소공급기구(33)가 기체질소를 공급함으로써 승온되어, 기판(W) 표면의 고체이산화탄소는 승화한다.

2. 发明授权

KR100893998B1 기판처리장치 및 기판처리방법 失效
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：KR100893998B1
公开(公告)日：2009-04-20
申请号：KR1020070126686
申请日：2007-12-07
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 키시모토타쿠야 , 미야카츠히코
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/6875 , H01L21/6708 , Y10S134/902
摘要： 기판의 표면가장자리부로부터 노즐삽입공에 부착한 처리액의 액적을 그 노즐삽입공으로부터 배출해, 그 액적에 의한 악영향을 받지 않고, 기판의 표면가장자리부를 양호하게 처리할 수가 있는 기판처리장치 및 방법을 제공한다.
개구부(521) 중 노즐삽입공(52)에 삽입된 노즐(3)에 대하여 액토출방향 X측에 위치하는 부위(531)가 액토출방향 X측으로 확장된다. 따라서, 노즐삽입공(52)으로 이동해 온 액적(DL)은 확장부위(531)를 통하여 노즐(3)에 대하여 액토출방향 X측의 내벽면, 즉 경사부위(532)에 부착한다. 또한, 이 경사부위(532)는 노즐삽입공(52)의 중앙부로부터 확장부위(531)를 향해 기울어지면서 기판(W)의 표면 중앙부측으로부터 멀어지도록 설치되고 있기 때문에, 부착한 액적(DL)은 경사부위(532)에 따라 액토출방향 X측으로 흘러 노즐삽입공(52)의 개구부(521)로부터 배출된다.
기판처리장치, 액토출방향

3. 发明公开

KR1020120033220A 기판처리장치 및 기판처리방법 有权
标题翻译：装置和处理基板的方法
公开(公告)号：KR1020120033220A
公开(公告)日：2012-04-06
申请号：KR1020110030857
申请日：2011-04-04
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 미야카츠히코 , 키타가와히로아키
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/67028 , B08B7/0014 , H01L21/67034
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method thereof are provided to prevent dew condensation by increasing the temperature of a substrate higher than the temperature of a processing chamber. CONSTITUTION: A dry process chamber(31) is comprised of a cylindrical upper member(313) and a lower member(314) which includes a lower wall(316). The upper member and the lower member are closely attached to each other through a sealing material(315). A placement table(39) for mounting a substrate(W) is installed inside of the dry process chamber. A carbon dioxide supply device(32) comprises a carbon dioxide supply source(321), a valve(323), a pipe(322), and a first introduction tube(40). A liquid nitrogen supply device(34) comprises a second introduction tube(341), a liquid nitrogen supply source(342), a pipe(345), and a valve(343).
摘要翻译：目的：提供一种基板处理装置及其基板处理方法，以通过增加高于处理室的温度的基板的温度来防止结露。构成：干燥处理室（31）由包括下壁（316）的圆柱形上部构件（313）和下部构件（314）组成。上部构件和下部构件通过密封材料（315）彼此紧密地附接。用于安装基板（W）的放置台（39）安装在干燥处理室的内部。二氧化碳供应装置（32）包括二氧化碳供应源（321），阀（323），管（322）和第一引入管（40）。液氮供给装置（34）包括第二导入管（341），液氮供给源（342），管（345）和阀（343）。

4. 发明授权

KR101011306B1 기판처리장치 및 기판처리방법 有权
公开(公告)号：KR101011306B1
公开(公告)日：2011-01-28
申请号：KR1020080100608
申请日：2008-10-14
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 미야카츠히코
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/50
CPC分类号： H01L21/67051
摘要： 본 발명은 기판을 대략 수평으로 지지한 상태에서 소정의 처리를 행하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 있어서, 차단판을 사용한 처리기술과 마찬가지의 차단효과를 얻으면서도, 보다 장치의 소형화에 적합한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이 해결수단으로서, 기판(W)의 대략 중앙 위쪽에 가스분사헤드(200)를 설치한다. 가스도입구(291)로부터 도입된 질소가스를, 내부의 버퍼공간(BF)을 거쳐 슬릿 모양의 분사구(293)로부터 분사한다. 이에 의해 기판의 위쪽에는, 상하방향으로 분사방향이 제한되는 한편, 수평방향으로는 대략 등방적인 방사상의 가스류가 형성된다. 그 때문에, 기판 주위의 먼지(D)나 미스트(M) 등은 바깥방향으로 흘러나가 기판(W)에 부착되는 일이 없다. 가스분사헤드(200)는 기판(W)의 직경보다작게할 수 있고, 더구나 기판 표면으로부터 퇴피시키거나 회전시킬 필요가 없기 때문에, 장치를 소형으로 구성할 수 있다.
기판처리장치, 기판처리방법, 소형화, 먼지, 미스트

5. 发明公开

KR1020070098509A 기판처리장치 및 기판처리방법 有权
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：KR1020070098509A
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020070022071
申请日：2007-03-06
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 미야카츠히코
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67051
摘要： An apparatus for process a substrate and a method for processing the substrate are provided to prevent the collapse of a pattern by lowering the surface tension of an upper side interface. An apparatus for process a substrate includes a proximity member(3), a drive unit, a solvent gas supply unit, and a liquid layer forming unit(8). The proximity member(3) has an opposite surface opposite to a surface of the substrate and moves relatively in a predetermined movement direction of the substrate when a liquid-tight layer is formed. The drive unit relatively moves the proximity member(3) in the movement direction of the substrate. The solvent gas supply unit supplies solvent gas including a solvent component lowering surface tension by melting in a liquid toward an end of an upper side of the liquid-tight layer. The liquid layer forming unit(8) forms a liquid layer of a paddle form on the whole surface of the substrate as a lower side of the liquid-tight layer.
摘要翻译：提供了一种用于处理衬底的装置和用于处理衬底的方法，以通过降低上侧界面的表面张力来防止图案的崩溃。一种用于处理衬底的设备包括邻近构件（3），驱动单元，溶剂气体供应单元和液体层形成单元（8）。接近构件（3）具有与基板的表面相对的相对表面，并且当形成液密层时，相对于基板的预定移动方向移动。驱动单元使接近构件（3）在基板的移动方向上相对移动。溶剂气体供给单元提供包含溶剂成分的溶剂气体，溶剂成分通过在液体中熔化而朝向液密层的上侧的端部降低表面张力。液体层形成单元（8）在基板的整个表面上形成作为液密层的下侧的桨状液体层。

6. 发明公开

KR1020140130373A 기판처리장치 및 기판처리방법 有权
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：KR1020140130373A
公开(公告)日：2014-11-10
申请号：KR1020140120033
申请日：2014-09-11
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 후지와라나오즈미 , 미야카츠히코 , 카토마사히코 , 토쿠리켄타로
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/02
CPC分类号： B08B3/04 , B08B7/0092 , H01L21/67051 , H01L21/67109
摘要： 기판처리장치(1)에서는, 제1 액체공급부(31)로부터 기판(9)의 상면(91)에 공급된 순수의 과냉각액에 의해 상면(91) 상에 액막이 형성되고, 그 액막이 동결부(4)로부터의 냉각가스에 의해 냉각되어 동결막이 형성된다. 과냉각액에 의해 형성된 액막의 온도는 순수의 응고점보다 낮고, 동결이 생기기 쉬운 상태로 있다. 이 때문에, 동결부(4)에 의해 냉각되었을 때에, 액막의 동결에 필요로 하는 시간을 짧게 할 수 있다. 또한, 응고점보다 고온인 순수로 액막을 형성하는 경우에 비하여, 동결부(4)로부터의 냉각가스의 온도를 높게 하여도 신속히 액막을 동결할 수 있다. 이 때문에, 냉각가스 공급원으로부터 냉각가스 노즐(41)로 냉각가스를 공급하는 배관 등의 단열 설비를 간소화할 수 있다. 그 결과, 액막의 동결에 필요로 하는 냉각 비용을 억제할 수 있다.
摘要翻译：通过使用从第一液体供应单元（31）供应到基板的上侧（91）的纯过冷液体，在基板处理装置（1）的上侧（91）上形成液膜。通过冷冻单元（4）的冷却气体冷冻液膜而形成冷冻膜。液膜的温度低于纯冰点，容易冷冻。当使用冷冻单元（4）使液膜冷冻时，液膜冷冻所需的时间减少。当冷冻单元（4）的冷却气体的温度与在高于凝固点的温度下形成纯液膜的状态相比增加时，液膜迅速冷冻。诸如将冷却气体从冷却气体供应源供给到冷却气体喷嘴（41）的管道的绝缘设备被简化。因此，冷冻液膜所需的冷冻成本降低。

7. 发明授权

KR100900126B1 기판처리장치 및 기판처리방법 有权
标题翻译：基板处理装置及基板处理方法
公开(公告)号：KR100900126B1
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：KR1020070081063
申请日：2007-08-13
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 미야카츠히코 , 이즈미아키라
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/67028 , Y10S134/902
摘要： [과제] 처리액으로 젖은 기판표면을 ＩＰＡ 등의 저표면장력용제(低表面張力溶劑)를 이용하여 건조시키는 기판처리장치 및 기판처리방법에 있어서, 기판표면에 워터마크가 발생하는 것을 방지하면서 기판표면을 양호하게 건조시킨다.
[해결수단] 간극공간(ＳＰ)에 질소가스를 공급하면서 차단부재(9)에 설치된 린스액토출구(96a)로부터 린스액(ＤＩＷ)을 토출시켜 기판표면(Ｗｆ)에 대해 린스처리를 실시함과 동시에, 간극공간(ＳＰ)에 질소가스를 공급하면서 차단부재(9)에 설치된 혼합액토출구(97a)로부터 혼합액(ＩＰＡ+ＤＩＷ)을 토출시켜 기판표면(Ｗｆ)에 부착되어 있는 린스액을 혼합액으로 치환한다. 이 때문에, 기판표면(Ｗｆ)에 부착되는 린스액이 혼합액으로 치환될 때에, 혼합액의 용존산소농도가 상승하는 것을 억제할 수 있어, 기판표면(Ｗｆ)에 산화막이 형성된다든지, 워터마크가 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
摘要翻译： [问题]一种基板处理装置，并通过使用低表面张力的溶剂（低表面张力溶剂），如IPA润湿有处理液的基材表面上，同时防止在基板的基板表面产生的水印进行干燥的基板处理方法表面很干燥。

8. 发明公开

KR1020090045005A 기판처리장치 및 기판처리방법 有权
标题翻译：基板处理装置及基板处理方法
公开(公告)号：KR1020090045005A
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：KR1020080100608
申请日：2008-10-14
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 미야카츠히코
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/50
CPC分类号： H01L21/67051
摘要： 본 발명은 기판을 대략 수평으로 지지한 상태에서 소정의 처리를 행하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 있어서, 차단판을 사용한 처리기술과 마찬가지의 차단효과를 얻으면서도, 보다 장치의 소형화에 적합한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이 해결수단으로서, 기판(W)의 대략 중앙 위쪽에 가스분사헤드(200)를 설치한다. 가스도입구(291)로부터 도입된 질소가스를, 내부의 버퍼공간(BF)을 거쳐 슬릿 모양의 분사구(293)로부터 분사한다. 이에 의해 기판의 위쪽에는, 상하방향으로 분사방향이 제한되는 한편, 수평방향으로는 대략 등방적인 방사상의 가스류가 형성된다. 그 때문에, 기판 주위의 먼지(D)나 미스트(M) 등은 바깥방향으로 흘러나가 기판(W)에 부착되는 일이 없다. 가스분사헤드(200)는 기판(W)의 직경보다작게할 수 있고, 더구나 기판 표면으로부터 퇴피시키거나 회전시킬 필요가 없기 때문에, 장치를 소형으로 구성할 수 있다.
기판처리장치, 기판처리방법, 소형화, 먼지, 미스트
摘要翻译：本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，该基板处理装置和基板处理方法用于通过使用适于装置的小型化的技术在基板大致水平支撑的同时执行预定处理等等。

9. 发明授权

KR100877276B1 기판처리장치, 액막동결방법 및 기판처리방법 有权
标题翻译：基板加工装置，液膜冷冻方法和基板处理方法
公开(公告)号：KR100877276B1
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：KR1020070067309
申请日：2007-07-05
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 미야카츠히코 , 후지와라나오즈미 , 이즈미아키라
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： B08B7/0014 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , Y10S134/902
摘要： 기판주변부재의 내구성이 열화하는 것을 억제하면서 기판표면의 전면에 동결막을 생성할 수 있는 기판처리장치, 액막동결방법 및 그 액막동결방법을 사용한 기판처리방법을 제공한다.
냉각가스 토출노즐(3)로부터 냉각가스를 액막(11f)이 형성된 기판표면(Wf)을 향하여 국부적으로 토출한다. 그리고, 기판(W)을 회전하게 하면서 냉각가스 토출노즐(3)을 기판(W)의 회전중심위치(Pc)로부터 기판(W)의 단연위치(Pe)를 향하여 이동 궤적T에 따라 요동하게 한다. 이로써, 기판표면(Wf)의 표면영역 중 액막(11f)이 동결한 영역(동결영역)이 기판표면(Wf)의 중앙부로부터 주변부로 퍼져간다. 이 때문에, 냉각가스의 공급부위가 기판표면(Wf)위의 일부영역에 한정되어, 기판주변부재의 내구성이 열화하는 것을 억제하면서, 기판표면(Wf)의 전면에 동결막(13f)을 생성할 수 있다.
기판처리장치, 기판처리방법, 냉각가스, 냉각가스 토출노즐, 동결막, 액막동결방법, 스핀척, 이류체노즐, 약액, DIW

10. 发明公开

KR1020080047264A 기판처리장치 및 기판처리방법 有权
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：KR1020080047264A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：KR1020070102891
申请日：2007-10-12
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 미야카츠히코 , 이즈미아키라
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02057 , B08B7/0014 , H01L21/0209 , H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要： A substrate processing apparatus is provided to shorten an interval of time for reducing the temperature of liquid constituting a liquid layer to the vicinity of a solidification point by supplying cooled liquid to a substrate to form a liquid layer on a substrate and by freezing the liquid layer. A liquid layer forming unit supplies cooled liquid to a substrate(W) to form a liquid layer on the substrate. A freezing unit freezes the liquid layer on the substrate. The freezing unit can include a cooling gas discharging unit and a relative transfer unit. The cooling gas discharging unit(3) locally discharges the cooling gas toward the surface of the substrate wherein the cooling gas has a lower temperature than a solidification point of the liquid constituting the liquid layer. The relative transfer unit relatively transfers the cooling gas discharging unit along the surface of the substrate with respect to the substrate. While the cooling gas is discharged from the cooling gas discharging unit, the cooling gas discharging unit is relatively transferred by the relative transfer unit with respect to the substrate to freeze the liquid layer.
摘要翻译：提供了一种基板处理装置，用于通过将冷却的液体供给到基板以在基板上形成液体层并将液体层冷冻来缩短用于将构成液体层的液体的温度降低到凝固点附近的时间间隔。液体层形成单元将冷却的液体供应到基底（W）以在基底上形成液体层。冷冻装置冻结基板上的液体层。冷冻单元可以包括冷却气体排出单元和相对转移单元。冷却气体排出单元（3）将冷却气体局部地排出到基板的表面，其中冷却气体的温度低于构成液体层的液体的凝固点。相对转印单元相对于基板相对地沿着基板的表面转移冷却气体排出单元。当冷却气体从冷却气体排出单元排出时，冷却气体排出单元通过相对转印单元相对于基板相对转印而使液体层冻结。

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