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    • 3. 发明授权
    • 기판처리장치 및 기판처리방법
    • 基板处理装置及基板处理方法
    • KR101465523B1
    • 2014-11-26
    • KR1020120149764
    • 2012-12-20
    • 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
    • 후지와라나오즈미미야카츠히코카토마사히코토쿠리켄타로
    • H01L21/302
    • B08B3/04B08B7/0092H01L21/67051H01L21/67109
    • 기판처리장치(1)에서는, 제1 액체공급부(31)로부터 기판(9)의 상면(91)에 공급된 순수의 과냉각액에 의해 상면(91)상에 액막이 형성되고, 그 액막이 동결부(4)로부터의 냉각가스에 의해 냉각되어 동결막이 형성된다. 과냉각액에 의해 형성된 액막의 온도는 순수의 응고점보다 낮고, 동결이 생기기 쉬운 상태로 있다. 이 때문에, 동결부(4)에 의해 냉각되었을 때에, 액막의 동결에 필요로 하는 시간을 짧게 할 수 있다. 또한, 응고점보다 고온인 순수로 액막을 형성하는 경우에 비하여, 동결부(4)로부터의 냉각가스의 온도를 높게 하여도 신속히 액막을 동결할 수 있다. 이 때문에, 냉각가스 공급원으로부터 냉각가스 노즐(41)로 냉각가스를 공급하는 배관 등의 단열 설비를 간소화할 수 있다. 그 결과, 액막의 동결에 필요로 하는 냉각 비용을 억제할 수 있다.
    • 在基板处理装置1中,利用从第一液体供给部31供给到基板9的上表面91的纯水的过冷却液在上表面91上形成液膜, )形成一个冷冻电影。 由过冷液体形成的液膜的温度低于纯水的冰点,处于易于发生冻结的状态。 因此,可以缩短液体膜被冷冻部4冷却时所需的时间。 另外,与使用温度比凝固点高的纯水形成液膜的情况相比,即使来自冷冻部4的冷却气体的温度上升,也能够使液膜迅速冷冻。 因此,能够简化冷却气体供给源向冷却气体喷嘴41供给冷却气体的配管等绝热设备。 结果,可以抑制冷冻液体膜所需的冷却成本。
    • 4. 发明公开
    • 기판처리장치 및 기판처리방법
    • 基板处理装置和基板处理方法
    • KR1020140130373A
    • 2014-11-10
    • KR1020140120033
    • 2014-09-11
    • 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
    • 후지와라나오즈미미야카츠히코카토마사히코토쿠리켄타로
    • H01L21/302H01L21/02
    • B08B3/04B08B7/0092H01L21/67051H01L21/67109
    • 기판처리장치(1)에서는, 제1 액체공급부(31)로부터 기판(9)의 상면(91)에 공급된 순수의 과냉각액에 의해 상면(91) 상에 액막이 형성되고, 그 액막이 동결부(4)로부터의 냉각가스에 의해 냉각되어 동결막이 형성된다. 과냉각액에 의해 형성된 액막의 온도는 순수의 응고점보다 낮고, 동결이 생기기 쉬운 상태로 있다. 이 때문에, 동결부(4)에 의해 냉각되었을 때에, 액막의 동결에 필요로 하는 시간을 짧게 할 수 있다. 또한, 응고점보다 고온인 순수로 액막을 형성하는 경우에 비하여, 동결부(4)로부터의 냉각가스의 온도를 높게 하여도 신속히 액막을 동결할 수 있다. 이 때문에, 냉각가스 공급원으로부터 냉각가스 노즐(41)로 냉각가스를 공급하는 배관 등의 단열 설비를 간소화할 수 있다. 그 결과, 액막의 동결에 필요로 하는 냉각 비용을 억제할 수 있다.
    • 通过使用从第一液体供应单元(31)供应到基板的上侧(91)的纯过冷液体,在基板处理装置(1)的上侧(91)上形成液膜。 通过冷冻单元(4)的冷却气体冷冻液膜而形成冷冻膜。 液膜的温度低于纯冰点,容易冷冻。 当使用冷冻单元(4)使液膜冷冻时,液膜冷冻所需的时间减少。 当冷冻单元(4)的冷却气体的温度与在高于凝固点的温度下形成纯液膜的状态相比增加时,液膜迅速冷冻。 诸如将冷却气体从冷却气体供应源供给到冷却气体喷嘴(41)的管道的绝缘设备被简化。 因此,冷冻液膜所需的冷冻成本降低。
    • 5. 发明授权
    • 기판처리장치 및 기판처리방법
    • 基板处理装置及基板处理方法
    • KR101029691B1
    • 2011-04-15
    • KR1020087016449
    • 2006-01-17
    • 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
    • 아라키히로유키토쿠리켄타로
    • H01L21/304
    • H01L21/67028H01L21/67034
    • 기판 표면으로부터 양호하게 린스액을배제함으로써, 기판 표면에서의 줄무늬 모양의 파티클의 발생을 억제 또는 방지할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 개시한다. 이 기판처리장치는, 기판을 지지하는 기판지지기구상의 기판을 경사시키는 기판경사기구를 구비하고 있다. 기판상에 린스액을 공급하여 액 덩어리를 형성한 후, 기판경사기구로, 기판을 미소 각도만큼 경사시킨다. 그러면, 액 덩어리는 분열하지 않고, 아래쪽으로 향한다. 기판의 상면에 미소 액방울을 잔류시키지 않고 낙하한다. 그 후, 기판을 수평자세로 되돌려, 기판을 건조시킨다.
    • 公开了一种基板处理装置和基板处理方法,其能够通过很好地从基板表面去除冲洗液来抑制或防止在基板表面上产生条状颗粒。 该基板处理装置具有用于使基板在用于支撑基板的基板保持机构上倾斜的基板倾斜机构。 在冲洗液被供应到基板上以形成液体之后,基板倾斜机构以小角度倾斜。 然后,液滴不会分裂并向下引导。 在基材的上表面上滴下液滴而不留下微小液滴。 之后,使基板回到水平姿势,并干燥基板。
    • 6. 发明公开
    • 기판처리장치 및 기판처리방법
    • 基板处理装置和基板处理方法
    • KR1020080073370A
    • 2008-08-08
    • KR1020087016449
    • 2006-01-17
    • 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
    • 아라키히로유키토쿠리켄타로
    • H01L21/304
    • H01L21/67028H01L21/67034
    • Provided are a substrate treating apparatus and a substrate treating method, by which generation of stripe-like particles on a substrate surface can be suppressed or prevented by surely removing rinse solution from the substrate surface. The substrate treating apparatus is provided with a substrate inclining mechanism for inclining the substrate on a substrate holding mechanism which holds the substrate. After forming a liquid mass on the substrate by supplying the rinse solution, the substrate is inclined at a fine angle by the substrate inclining mechanism. The liquid mass moves downward without splitting, and drops on the upper surface of the substrate without leaving a fine droplet. Then, the substrate is returned to horizontal posture and the substrate is dried.
    • 提供了一种基板处理装置和基板处理方法,通过从基板表面确定地去除冲洗溶液,可以抑制或防止在基板表面上产生条状颗粒。 基板处理装置设置有用于将基板倾斜在保持基板的基板保持机构上的基板倾斜机构。 通过提供冲洗液在基板上形成液体物质后,基板通过基板倾斜机构以微细的角度倾斜。 液体质量向下移动而不分裂,并且在基板的上表面上滴落而不留下微细液滴。 然后,将基板返回到水平姿势,并且将基板干燥。