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1. 发明授权

KR101785450B1 연마제 조성물, 실리콘 웨이퍼용 연마제 조성물, 및 실리콘 웨이퍼 제품의 제조 방법 有权
标题翻译：磨料组合物，用于硅片的磨料组合物，以及制造硅片产品的方法
公开(公告)号：KR101785450B1
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：KR1020157036384
申请日：2014-10-03
申请人： 가부시키가이샤 사무코 , 에이티 실리카 가부시키가이샤
发明人： 다니모토류이치 , 고야타사카에 , 후쿠이고이치
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02024 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： 실리카입자, 알칼리성물질, 수용성합성고분자, 및물을포함하는연마용조성물로서, 상기수용성합성고분자는구성단위(1)를가지고, 상기구성단위(1)는, 산소함유기 및카르보닐기를가지고, 상기산소함유기는, 알코올성수산기 또는치환또는비치환의알콕시기이며, 상기카르보닐기는, 케토기, 에스테르결합, 또는아미드결합의일부를이루는카르보닐기인것을특징으로하는연마제조성물, 이것을사용한실리콘웨이퍼용연마제조성물, 및실리콘웨이퍼제품의제조방법.
摘要翻译：作为含有二氧化硅粒子，碱，水溶性合成聚合物，mitmul抛光组合物中，水溶性合成聚合物具有结构单元（1），具有结构单元（1），含氧基团和羰基，氧含氧基团，醇羟基或取代或未取代的烷氧基，羰基，酮基，酯键，或一个磨料组合物，使用该组合物的硅晶片的研磨产品，其特征在于，所述羰基是酰胺键的部分，和硅一种制造晶片产品的方法。

2. 发明公开

KR1020160013971A 연마제 조성물, 실리콘 웨이퍼용 연마제 조성물, 및 실리콘 웨이퍼 제품의 제조 방법 有权
标题翻译：抛光剂组合物，硅砂抛光剂组合物及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160013971A
公开(公告)日：2016-02-05
申请号：KR1020157036384
申请日：2014-10-03
申请人： 가부시키가이샤 사무코 , 에이티 실리카 가부시키가이샤
发明人： 다니모토류이치 , 고야타사카에 , 후쿠이고이치
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02024 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： 실리카입자, 알칼리성물질, 수용성합성고분자, 및물을포함하는연마용조성물로서, 상기수용성합성고분자는구성단위(1)를가지고, 상기구성단위(1)는, 산소함유기 및카르보닐기를가지고, 상기산소함유기는, 알코올성수산기 또는치환또는비치환의알콕시기이며, 상기카르보닐기는, 케토기, 에스테르결합, 또는아미드결합의일부를이루는카르보닐기인것을특징으로하는연마제조성물, 이것을사용한실리콘웨이퍼용연마제조성물, 및실리콘웨이퍼제품의제조방법.

3. 发明授权

KR100827574B1 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 有权
标题翻译：硅片制造方法
公开(公告)号：KR100827574B1
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：KR1020060076124
申请日：2006-08-11
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 고야타사카에 , 하시이도모히로 , 무라야마가츠히코 , 다카이시가즈시게 , 가토다케오
IPC分类号： H01L21/3063 , H01L21/304
摘要： 규소 단결정 잉곳을 슬라이싱하여 얻어진 단일의 박원판상 실리콘 웨이퍼의 표면에 공급 노즐에 의해 에칭액을 공급하고, 상기 웨이퍼를 회전시킴으로써 상기 공급한 에칭액을 웨이퍼 표면 전체에 확산시켜 에칭하는 매엽식 에칭 공정 (12) 과, 상기 실리콘 웨이퍼의 표면을 연마하는 연마 공정 (14) 을 이 순서로 포함하고, 매엽식 에칭에 사용되는 에칭액이 산에칭액으로서, 상기 산에칭액이 불산, 질산 및 인산으로 구성되고, 상기 불산, 질산 및 인산이 중량% 로 불산 : 질산 : 인산 = 0.5 ∼ 40% : 5 ∼ 50% : 5 ∼ 70% 의 혼합 비율로 함유된 수용액인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
매엽식 에칭 공정, 연마 공정, 모따기 공정, 실리콘 웨이퍼의 제조 방법
摘要翻译：单晶圆为通过供给由单个东湖总线供给喷嘴的蚀刻溶液，以由此得到的板状的硅晶片的表面切片的硅单晶锭，以及蚀刻通过所述通过旋转晶片供给蚀刻液的蚀刻扩散到晶片工艺的整个表面（12）并且，用于单晶片与蚀刻液蚀刻，其中所述酸蚀刻液由氢氟酸，硝酸和磷酸的抛光步骤（14），用于抛光硅晶片的表面的序列包含，和酸蚀刻溶液，氢氟酸，硝酸和磷酸以重量％氢氟酸：硝酸：磷酸= 0.5〜40％：5％至50％：在硅晶片的方法，其特征在于，含有5〜70％的混合比的水溶液。

4. 发明授权

KR100796544B1 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법 有权
标题翻译：单波形蚀刻方法
公开(公告)号：KR100796544B1
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：KR1020060065832
申请日：2006-07-13
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 고야타사카에 , 하시이도모히로 , 무라야마가츠히코 , 다카이시가즈시게 , 가토다케오
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/02019 , H01L21/02087 , H01L21/67075 , H01L21/6708
摘要： 웨이퍼 말단부의 국소적인 형상 붕괴가 최소 레벨로 억제되고, 에천트가 웨이퍼 배면으로 흐르는 것을 방지하면서 웨이퍼 정면뿐만 아니라 웨이퍼 말단부도 균일하게 에칭된다.
평탄화된 정면 및 배면을 갖는 단일 웨이퍼가 홀딩된 상태에서 웨이퍼의 정면에 에천트를 공급하고, 상기 웨이퍼를 수평으로 회전시킴으로써 생성된 원심력을 사용함으로써 웨이퍼 정면 및 웨이퍼 정면측 말단부를 에칭하는 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법이 제공된다. 이 방법에 따르면, 웨이퍼의 정면 상에 에천트를 2회 이상 간헐적으로 공급하고, 하나의 프로세스를 위한 에천트가 공급된 후 에천트의 공급을 중단하고, 공급된 에천트가 웨이퍼 말단부로부터 흘러내린 후 다음 프로세스를 위한 에천트를 공급한다.
웨이퍼의 매엽식 에칭 방법, 국소적 형상 붕괴

5. 发明授权

KR100886603B1 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법 有权
标题翻译：抛光抛光装置及抛光方法
公开(公告)号：KR100886603B1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：KR1020060043242
申请日：2006-05-15
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 하시이도모히로 , 무라야마가츠히코 , 고야타사카에 , 다카이시가즈시게
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/20 , B24B37/042
摘要： 웨이퍼를 연마하기 위한 설비나 연마 자재의 삭감이 가능하고, 또한 웨이퍼의 연마 공정의 간략화와 연마 시간을 단축할 수 있는 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법이 제공된다. 그 웨이퍼 연마 장치는, 축을 중심으로 회전하는 캐리어 플레이트에 유지된 웨이퍼 (W) 를, 상기 축과 상이한 축을 중심으로 하여 회전하는 연마 정반 (12) 에 형성된 연마 패드 (11) 에 가압 슬라이딩시켜 연마하는 웨이퍼 연마 장치에 있어서, 연마 패드 (11) 는, 경도가 상이한 제 1 영역 (11a) 과 제 2 영역 (11b) 을 포함하는 복수의 영역이 형성되고, 제 1 영역 (11a) 과 제 2 영역 (11b) 은, 연마시 웨이퍼 (W) 가 제 1 영역 (11a) 을 통과하는 시간 또는 거리와 제 2 영역 (11b) 를 통과하는 시간 또는 거리가 소정의 비율이 되는 분포 및/또는 면적비로 형성된 것을 특징으로 한다.
웨이퍼 연마 장치, 웨이퍼 연마 방법

6. 发明授权

KR100832768B1 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법 有权
标题翻译：抛光抛光装置和抛光方法
公开(公告)号：KR100832768B1
公开(公告)日：2008-05-27
申请号：KR1020060043370
申请日：2006-05-15
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 하시이도모히로 , 무라야마가츠히코 , 고야타사카에 , 다카이시가즈시게
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/04 , B24B57/02 , H01L21/02024
摘要： 이 웨이퍼 연마 장치는, 연마 패드가 형성된 연마 정반과, 상기 연마 패드에 대향 배치되고, 웨이퍼를 유지한 상태에서, 회전하면서 상기 웨이퍼를 상기 연마 패드에 가압 슬라이딩하는 캐리어 플레이트와, 연마 슬러리 공급 수단을 갖고, 상기 연마 슬러리 공급 수단은, 함유되는 연마제의 평균 입경이 상이한 연마 슬러리를 공급할 수 있다. 이 웨이퍼 연마 방법은, 연마 슬러리를 연마 패드 표면에 공급하면서, 상기 연마 패드에 웨이퍼를 가압 슬라이딩하여, 상기 연마 패드 표면에, 함유되는 연마제의 평균 입경이 상이한 연마 슬러리를 공급한다.
웨이퍼 연마 장치

7. 发明公开

KR1020070021047A 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 有权
标题翻译：生产硅砂的方法
公开(公告)号：KR1020070021047A
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020060076124
申请日：2006-08-11
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 고야타사카에 , 하시이도모히로 , 무라야마가츠히코 , 다카이시가즈시게 , 가토다케오
IPC分类号： H01L21/3063 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02019
摘要： 규소 단결정 잉곳을 슬라이싱하여 얻어진 단일의 박원판상 실리콘 웨이퍼의 표면에 공급 노즐에 의해 에칭액을 공급하고, 상기 웨이퍼를 회전시킴으로써 상기 공급한 에칭액을 웨이퍼 표면 전체에 확산시켜 에칭하는 매엽식 에칭 공정 (12) 과, 상기 실리콘 웨이퍼의 표면을 연마하는 연마 공정 (14) 을 이 순서로 포함하고, 매엽식 에칭에 사용되는 에칭액이 산에칭액으로서, 상기 산에칭액이 불산, 질산 및 인산으로 구성되고, 상기 불산, 질산 및 인산이 중량% 로 불산 : 질산 : 인산 = 0.5 ∼ 40% : 5 ∼ 50% : 5 ∼ 70% 의 혼합 비율로 함유된 수용액인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
매엽식 에칭 공정, 연마 공정, 모따기 공정, 실리콘 웨이퍼의 제조 방법

8. 发明公开

KR1020060119763A 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법 有权
标题翻译：抛光抛光装置及抛光方法
公开(公告)号：KR1020060119763A
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020060043242
申请日：2006-05-15
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 하시이도모히로 , 무라야마가츠히코 , 고야타사카에 , 다카이시가즈시게
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/20 , B24B37/042
摘要： An apparatus for polishing a wafer and a process for polishing a wafer are provided to reduce a wafer polishing time by simplifying a wafer polishing process. A wafer polishing apparatus polishes a wafer(W) held by a carrier plate rotating around an axis by pressing and rubbing the wafer to a polishing pad(11) which is formed at a polishing platen(12) rotating around another axis different from the axis. The polishing pad is formed with a plurality of areas including a first and a second areas having hardness different from each other. Each of the first and the second areas is formed according to a distribution and/or an area ratio corresponding to a time rate or a distance rate of the wafer passing through the first and the second areas during a polishing period.
摘要翻译：提供用于抛光晶片的装置和用于抛光晶片的工艺，以通过简化晶片抛光工艺来减少晶片抛光时间。晶片抛光装置对通过将晶片按压和摩擦将支承板保持在其上的晶片（W）抛光到抛光垫（11）上，抛光垫（11）形成在抛光台板（12）上，该抛光台。抛光垫形成有多个区域，其包括具有彼此硬度不同的第一和第二区域。第一和第二区域中的每一个根据在抛光期间对应于通过第一和第二区域的晶片的时间速率或距离速率的分布和/或面积比来形成。

9. 发明授权

KR100760491B1 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치 및 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법 失效
标题翻译：晶圆的单晶圆蚀刻装置及晶圆的单晶圆蚀刻方法
公开(公告)号：KR100760491B1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：KR1020060100389
申请日：2006-10-16
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 고야타사카에 , 하시이도모히로 , 무라야마가츠히코 , 다카이시가즈시게 , 가토다케오
IPC分类号： H01L21/3063
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/67075 , Y10S134/902
摘要： 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치로서, 웨이퍼를 수평으로 유지하여 회전시키는 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼 상면에 에칭액을 공급하는 에칭액 공급 기구와, 상기 웨이퍼 척에 설치되어, 웨이퍼의 엣지부를 따라 흘러내리는 에칭액을 가스 분사에 의해 상기 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날리는 가스 분사 기구와, 상기 웨이퍼 척에 설치되어 상기 가스 분사 기구에 의해 날려진 에칭액을 상기 가스와 함께 흡인하는 제 1 액 흡인 기구와, 상기 웨이퍼 척 및 상기 웨이퍼의 외주면보다 바깥쪽에 설치되고, 상기 가스 분사 기구에 의해 날려진 에칭액 및, 상기 웨이퍼의 회전에 수반되는 원심력에 의해 비산된 에칭액을 상기 가스와 함께 흡인하는 제 2 액 흡인 기구를 가지는 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치.
NG 인식 마커, 에칭액, 웨이퍼, 분사구
摘要翻译：晶片卡盘设置在蚀刻液供给机构，和用于供给蚀刻液向晶片的上表面上的晶片卡盘，蚀刻液体沿着晶片气体喷射为用于晶片的单片式蚀刻装置的边缘流动，通过保持晶片在水平旋转在气体喷射机构通过吹晶片的径向外侧，安装在晶片卡盘第一吸液机构，所述晶片卡盘和用于抽吸通过气体喷射机构与气体吹出的蚀刻液二进制晶片它是由伴随蚀刻溶液的旋转，并且具有用于与所述气体吸入的第二液体吸引机构的晶片二进制由气体注入机构吹送的离心力提供比在晶片的非蚀刻溶液的单一晶片的外周面的外侧蚀刻设备。

10. 发明公开

KR1020070042461A 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치 및 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법 失效
标题翻译：用于通过单波方法蚀刻波形的装置和用于蚀刻波形的单波方法
公开(公告)号：KR1020070042461A
公开(公告)日：2007-04-23
申请号：KR1020060100389
申请日：2006-10-16
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 고야타사카에 , 하시이도모히로 , 무라야마가츠히코 , 다카이시가즈시게 , 가토다케오
IPC分类号： H01L21/3063
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/67075 , Y10S134/902
摘要： 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치로서, 웨이퍼를 수평으로 유지하여 회전시키는 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼 상면에 에칭액을 공급하는 에칭액 공급 기구와, 상기 웨이퍼 척에 설치되어, 웨이퍼의 엣지부를 따라 흘러내리는 에칭액을 가스 분사에 의해 상기 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날리는 가스 분사 기구와, 상기 웨이퍼 척에 설치되어 상기 가스 분사 기구에 의해 날려진 에칭액을 상기 가스와 함께 흡인하는 제 1 액 흡인 기구와, 상기 웨이퍼 척 및 상기 웨이퍼의 외주면보다 바깥쪽에 설치되고, 상기 가스 분사 기구에 의해 날려진 에칭액 및, 상기 웨이퍼의 회전에 수반되는 원심력에 의해 비산된 에칭액을 상기 가스와 함께 흡인하는 제 2 액 흡인 기구를 가지는 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치.
NG 인식 마커, 에칭액, 웨이퍼, 분사구

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