专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101161510B1 콘택트 프로브 핀 有权
标题翻译：联系人探针
公开(公告)号：KR101161510B1
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020100075764
申请日：2010-08-06
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 히라노다까유끼 , 미야모또다까시
IPC分类号： G01R1/067 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： H01R13/22 , G01R1/06738 , G01R1/06761 , H01R13/03 , Y10T428/30
摘要： 본 발명은 도전성과 내구성을 겸비하는 동시에, 피검체(특히, 그것에 포함되는 Sn)의 저부착성을 실현하여 장기간에 걸쳐서 안정된 전기적 접촉을 유지할 수 있는 콘택트 프로브 핀을 제공하는 것이다. 본 발명은 기재와, 금속 및 그 탄화물 중 적어도 1개를 함유하는 탄소 피막을 갖는 콘택트 프로브 핀이며, 상기 탄소 피막이, 콘택트 프로브 핀의 선단부로부터 측면부에 걸쳐서 표면에, 연속적으로 형성되어 있고, 탄소 피막 중의 금속 및 그 탄화물 중 적어도 1개의 함유량은 상기 선단부로부터 측면부를 향해 연속적 또는 단속적으로 감소하고 있는 콘택트 프로브 핀에 관한 것이다.

2. 发明公开

KR1020110035973A 전기적 접점 부재 有权
标题翻译：电接触会员
公开(公告)号：KR1020110035973A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：KR1020100094889
申请日：2010-09-30
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 히라노다까유끼 , 야마구찌아까시 , 미야모또다까시
IPC分类号： G01R1/067 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： H01B5/00 , G01R1/06738 , G01R1/06761 , H01R13/03
摘要： PURPOSE: An electrical contact member is provided to reduce separation of a carbon film. CONSTITUTION: A lower leg layer(2) is formed on the surface of a base(1) of a leading end and includes Au, Au alloy, Pd, or PD ally. A carbon film(5) is formed on the surface of a middle layer and contains metal or metal oxide. An inner layer(3) includes Ni or Ni alloy. An outer layer(4) includes Cr, Cr ally, W, or W alloy.
摘要翻译：目的：提供电接触构件以减少碳膜的分离。构成：在前端的基体（1）的表面上形成下腿层（2），并且包括Au，Au合金，Pd或PD。在中间层的表面上形成碳膜（5），并含有金属或金属氧化物。内层（3）包括Ni或Ni合金。外层（4）包括Cr，Cr，Al，W或W合金。

3. 发明授权

KR101161514B1 전기적 접점 부재 有权
标题翻译：电接触会员
公开(公告)号：KR101161514B1
公开(公告)日：2012-06-29
申请号：KR1020100094889
申请日：2010-09-30
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 히라노다까유끼 , 야마구찌아까시 , 미야모또다까시
IPC分类号： G01R1/067 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： H01B5/00 , G01R1/06738 , G01R1/06761 , H01R13/03
摘要： 적어도 혼을 갖는 전기적 접점 부재의 사용시에 문제가 되는 탄소 피막의 박리를 최대한 저감하고, 장기간에 걸쳐 안정된 전기적 접촉을 유지할 수 있는 전기적 접점 부재를 제공한다. 혼을 갖는 선단부로 피검체에 반복 접촉하는 전기적 접점 부재이며, 기재와, 상기 선단부의 기재 표면에 형성되고, Au, Au 합금, Pd 또는 Pd 합금을 포함하는 하지층과, 그 하지층 표면에 형성된 중간층과, 상기 중간층의 표면에 형성되고, 금속 및 그 탄화물 중 적어도 하나를 함유한 탄소 피막을 포함하고, 또한 상기 중간층은, Ni 또는 Ni 합금을 포함하는 내측층과, Cr, Cr 합금, W, W 합금 중 적어도 1종을 포함하는 외측층을 갖는 적층 구조인 전기적 접점 부재이다.

4. 发明公开

KR1020110015393A 콘택트 프로브 핀 有权
标题翻译：联系人探针
公开(公告)号：KR1020110015393A
公开(公告)日：2011-02-15
申请号：KR1020100075764
申请日：2010-08-06
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 히라노다까유끼 , 미야모또다까시
IPC分类号： G01R1/067 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： H01R13/22 , G01R1/06738 , G01R1/06761 , H01R13/03 , Y10T428/30
摘要： PURPOSE: A contact prove pin is provided to maintain stable electrical contact for long time by securing excellent conductivity in end and low adhesion to a target in other area. CONSTITUTION: The tip(11) of a contact probe pin(10) is contacted with an electrode(12) as a subject under a test The contact reduces the interference of the oxide film formed on the surface of the electrode. The end of contact probe pin is formed to be sharp. The contact probe pin includes a carbon film containing at least one of a base member, a metal, and carbide. The contact probe pin testing a plurality of electronic components is repetitively contacted with the electrode to pass current.
摘要翻译：目的：通过确保优异的导电性和低附着力到其他区域的目标，提供了一个接触证明引脚，以保持长时间的稳定的电接触。构成：接触探针（10）的尖端（11）与受试者的电极（12）接触。接点减小了形成在电极表面上的氧化膜的干涉。接触探针的端部形成为锋利的。接触探针包括含有基材，金属和碳化物中的至少一种的碳膜。测试多个电子部件的接触探针引脚与电极重复接触以通过电流。

5. 发明授权

KR101361303B1 배선 구조 및 배선 구조를 구비한 표시 장치 有权
标题翻译：具有接线结构的接线结构和显示设备
公开(公告)号：KR101361303B1
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020137009988
申请日：2010-07-27
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 고또오히로시 , 마에다다께아끼 , 이와나리유우미 , 히라노다까유끼
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 밀착성이 우수하고, 저 전기 저항, 저 콘택트 저항을 실현할 수 있는 새로운 배선 구조를 제공한다. 기판 위에 기판측으로부터 순서대로, 배선막과, 박막 트랜지스터의 반도체층을 구비한 배선 구조이며, 상기 반도체가 산화물 반도체로 이루어지는 배선 구조를 제공한다.

6. 发明授权

KR101024801B1 온도 측정 부재, 온도 측정 장치 및 온도 측정 방법 有权
标题翻译：温度测量部件，温度测量装置和温度测量方法
公开(公告)号：KR101024801B1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：KR1020080065919
申请日：2008-07-08
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 미즈노마사오 , 히라노다까유끼 , 도미히사가쯔후미
IPC分类号： G01K7/00 , H01L21/66
CPC分类号： G01K3/14 , G01K11/06 , G01K2213/00
摘要： 본 발명의 과제는 외부 배선이 불필요하고 불순물이나 분진의 발생도 없어, 낮은 온도로부터 높은 온도까지의 넓은 온도 범위에 있어서의 최고 도달 온도를 측정할 수 있는 온도 측정 부재, 온도 측정 장치 및 온도 측정 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 광학 현미경(3), CCD 카메라(4) 및 IO 보드(5)를 통해 연산 처리 장치(6)에 출력된 화상 데이터를 기초로, 금속 박막이 형성된 온도 측정 부재(1)가 받은 열이력에 의해 금속 박막에 생긴 돌기 형상의 면밀도를 개수 산출부(7)에서 산출하고, 이 면밀도와 미리 메모리(8)에 저장된 최고 도달 온도와 면밀도에 관한 데이터로부터 피측온 대상의 최고 도달 온도를 온도 산출부(9)에서 구하는 구성이다.
또한 본 발명은 기판 상에 알루미늄 박막을 성막하여 이루어지는 온도 측정 부재를 이용하여, 이 온도 측정 부재가 받은 온도 이력에 수반하여 박막 표면에 형성된 돌기에 기인하는 박막의 반사율의 저하량을 측정하고, 이 반사율의 저하량을 기초로 하여 온도 이력 중 최고 도달 온도를 추정하는 구성이다.
온도 측정 부재, 광학 현미경, CCD 카메라, IO 보드, 개수 산출부

7. 发明公开

KR1020080097243A 멤브레인 구조 소자 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：膜结构元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080097243A
公开(公告)日：2008-11-04
申请号：KR1020087023570
申请日：2007-03-28
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 히라노다까유끼 , 가와까미노부유끼 , 간나까마사또
IPC分类号： H01L21/316 , H01L31/101
CPC分类号： G01F1/692 , B81B2201/0278 , B81B2203/0127 , B81C1/00666 , B81C2201/0169 , B81C2201/0178 , C23C16/402 , C23C16/56 , Y10T428/24488 , Y10T428/24612
摘要： A membrane structure element which can be easily manufactured, has excellent insulating characteristics and a high quality is provided. A method for manufacturing such membrane structure element is also provided. The membrane structure element is provided with a membrane formed of a silicon oxide film, and a substrate for supporting the membrane in a hollow status by supporting a part of the periphery of the membrane. The method for manufacturing such membrane is provided with a film forming step of forming a heat-shrinkable silicon oxide film (13) on the surface side of a silicon substrate (2) by plasma CVD method; a heat treatment step of performing heat treatment for making the silicon oxide film (13) formed on the substrate (1) shrink with heat; and a removing step of removing a part of the substrate (2) so that a corresponding part of the silicon oxide film (13) to the membrane is supported as a membrane to the substrate (2) in the hollow status, and forming a recessed section (4).
摘要翻译：提供了可以容易地制造的膜结构元件，具有优异的绝缘特性和高质量。还提供了一种制造这种膜结构元件的方法。膜结构元件设置有由氧化硅膜形成的膜，以及用于通过支撑膜的周边的一部分来将膜支撑在中空状态的基板。该膜的制造方法具有通过等离子体CVD法在硅衬底（2）的表面侧形成热收缩性氧化硅膜（13）的成膜工序; 进行热处理的热处理步骤使得形成在基板（1）上的氧化硅膜（13）热收缩; 以及去除所述基板（2）的一部分以使得所述膜的所述氧化硅膜（13）的相应部分以中空状态作为膜被支撑到所述基板（2）的去除步骤，并且形成凹陷第（4）节。

8. 发明公开

KR1020070037369A 평탄한 표면을 갖는 다공질 기판 및 그것의 제조 방법 有权
标题翻译：具有平坦表面的多孔基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070037369A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：KR1020060095265
申请日：2006-09-29
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠
发明人： 히라노다까유끼 , 가와까미노부유끼 , 다나까다께하루 , 스즈끼데쯔오 , 후꾸모또요시또 , 나까니시가즈끼 , 가나모리가즈요시
IPC分类号： H01L21/84 , C01B33/152
CPC分类号： H05K3/0011 , B32B21/04 , H05K1/024 , H05K1/0306 , H05K2201/0116 , Y10T428/249953 , Y10T428/249969
摘要： 다공성 기판은 기판 내부의 3차원 네트워크 골격 고체상, 및 기판의 적어도 한 표면 상에 형성된, 골격 고체상과 품질이 동일한 표피층을 포함하고, 그것의 제조 방법은 졸-겔 반응에 의해, 한 쌍의 편평한 판들 사이의 공간 내에 상호 분리된, 3차원 네트워크 골격 고체상 및 용매가 풍부한 유체상을 갖는 습윤성 겔을 형성시키고, 건조에 의해 습윤성 겔 내의 용매를 제거하며, 한 쌍의 편평한 판들 중 하나 이상의 편평한 판을 제거하는 것을 포함한다.
다공성 기판, 골격 고체상, 표피층

9. 发明授权

KR101320229B1 배선 구조 및 배선 구조를 구비한 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR101320229B1
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：KR1020127002083
申请日：2010-07-27
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 고또오히로시 , 마에다다께아끼 , 이와나리유우미 , 히라노다까유끼
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 밀착성이 우수하고, 저 전기 저항, 저 콘택트 저항을 실현할 수 있는 새로운 배선 구조를 제공한다. 기판 위에 기판측으로부터 순서대로, 배선막과, 박막 트랜지스터의 반도체층을 구비한 배선 구조이며, 상기 반도체가 산화물 반도체로 이루어지는 배선 구조를 제공한다.

10. 发明公开

KR1020090005988A 온도 측정 부재, 온도 측정 장치 및 온도 측정 방법 有权
标题翻译：温度测量部件，温度测量装置和温度测量方法
公开(公告)号：KR1020090005988A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：KR1020080065919
申请日：2008-07-08
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 미즈노마사오 , 히라노다까유끼 , 도미히사가쯔후미
IPC分类号： G01K7/00 , H01L21/66
CPC分类号： G01K3/14 , G01K11/06 , G01K2213/00 , H01L21/67248 , G01K7/02 , G01K2219/00
摘要： A temperature measurement member, a temperature measuring apparatus and a temperature measuring method are provided to remove the need of external wiring and reduce the risk of substrate contamination due to dust or foreign materials. A temperature measuring apparatus comprises a substrate in which a plurality of metallic films are attached, a planar density measuring unit for measuring the planar density of concave/convex parts generated on the substrate, a memory unit(8) in which data indicating the relation between the planar density of concave/convex parts and the highest arrival temperature are stored, and a temperature production unit(9) for producing the highest arrival temperature of the atmosphere. The planar density measuring unit includes a surface data collecting part receiving a surface image, a conversion unit converting the image signal into digital signal, and a number production unit(7) converting the digital signal into the number per unit area.
摘要翻译：提供温度测量部件，温度测量装置和温度测量方法以消除对外部布线的需要，并降低由于灰尘或异物引起的基板污染的风险。一种温度测量装置，包括其中附着有多个金属膜的基板，用于测量在基板上产生的凹凸部的平面密度的平面密度测量单元，存储单元（8），其中指示存储凹凸部的平面密度和最高到达温度，以及用于产生气氛的最高到达温度的温度生成部（9）。平面密度测量单元包括接收表面图像的表面数据收集部分，将图像信号转换为数字信号的转换单元，以及将数字信号转换为单位面积数的数字生成单元。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式