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1. 发明公开

KR1020130052654A 배선 구조 및 배선 구조를 구비한 표시 장치 有权
标题翻译：具有接线结构的接线结构和显示设备
公开(公告)号：KR1020130052654A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020137009988
申请日：2010-07-27
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 고또오히로시 , 마에다다께아끼 , 이와나리유우미 , 히라노다까유끼
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , G02F1/136286 , H01L27/3276 , H01L2924/00
摘要： 밀착성이 우수하고, 저 전기 저항, 저 콘택트 저항을 실현할 수 있는 새로운 배선 구조를 제공한다. 기판 위에 기판측으로부터 순서대로, 배선막과, 박막 트랜지스터의 반도체층을 구비한 배선 구조이며, 상기 반도체가 산화물 반도체로 이루어지는 배선 구조를 제공한다.

2. 发明授权

KR101163329B1 터치 패널 센서 有权
标题翻译：触摸面板传感器
公开(公告)号：KR101163329B1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：KR1020107020701
申请日：2009-02-20
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 미끼아야 , 고또오히로시 , 오꾸노히로유끼 , 기시도모야 , 난부아끼라
IPC分类号： G06F3/041 , C22C21/00 , C22F1/04 , H01B5/14
CPC分类号： G06F3/041 , C22C21/00 , H05K1/09
摘要： 본 발명은 경시적인 전기 저항의 증가나 단선이 일어나기 어렵고, 또한 저전기 저항률을 나타내는 동시에, 투명 도전막과의 전기 전도성을 확보할 수 있어 상기 투명 도전막과 직접 접속시킬 수 있는 가이드 배선을 갖는, 신뢰성이 높은 터치 패널 센서를 제공한다. 본 발명은 투명 도전막 및 이것과 직접 접속하는 알루미늄 합금막으로 이루어지는 가이드 배선을 갖는 터치 패널 센서이며, 상기 알루미늄 합금막이, Ni 및 Co로 이루어지는 X군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 합계로 0.2 내지 10원자％ 포함하고, 또한 상기 알루미늄 합금막의 경도가 2 내지 15㎬인 터치 패널 센서에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明几乎不增加或时间的流逝的断开电阻，并且在显示出低电阻率的同时，也能够确保具有可以被直接连接到透明导电膜的导丝的透明导电膜的导电性，从而提供高度可靠的触摸面板传感器。本发明为0.2的透明导电膜，这和直接连接到与由合金膜构成的导丝铝触摸面板传感器，至少一种元素的铝合金膜，从X组中的总由Ni和Co的为10原子％，铝合金膜的硬度为2〜15kPa。

3. 发明公开

KR1020120031089A 배선 구조 및 배선 구조를 구비한 표시 장치 有权
标题翻译：具有接线结构的接线结构和显示设备
公开(公告)号：KR1020120031089A
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020127002083
申请日：2010-07-27
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 고또오히로시 , 마에다다께아끼 , 이와나리유우미 , 히라노다까유끼
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , G02F1/136286 , H01L27/3276 , H01L2924/00
摘要： 밀착성이 우수하고, 저 전기 저항, 저 콘택트 저항을 실현할 수 있는 새로운 배선 구조를 제공한다. 기판 위에 기판측으로부터 순서대로, 배선막과, 박막 트랜지스터의 반도체층을 구비한 배선 구조이며, 상기 반도체가 산화물 반도체로 이루어지는 배선 구조를 제공한다.

4. 发明公开

KR1020110095825A 박막 트랜지스터 기판 및 표시 디바이스 有权
标题翻译：薄膜晶体管基板和显示器件
公开(公告)号：KR1020110095825A
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：KR1020110014477
申请日：2011-02-18
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 모리따신야 , 고또오히로시 , 미끼아야 , 도미히사가쯔후미 , 데라오야스아끼
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/124 , H01L29/458
摘要： PURPOSE: A thin film transistor and a display device are provided to suppress the diffusion of a Cu element to a semiconductor layer by contacting a Cu alloy layer with the semiconductor layer of the thin film transistor through an oxygen containing layer. CONSTITUTION: A thin film transistor substrate includes a semiconductor layer(33) of a thin film transistor and a Cu alloy layer(28b,29b). An oxygen containing layer is formed between the semiconductor layer and the Cu alloy layer. The oxygen of the oxygen containing layer is combined with Si of the semiconductor layer of the thin film transistor. The Cu alloy layer includes one selected from a group of Mn, Ni, Zn, and Mg between 2 and 20 atom%. The Cu alloy layer is contacted with the semiconductor layer of the tin film transistor through the oxygen containing layer.
摘要翻译：目的：提供薄膜晶体管和显示装置，通过使含氧层与Cu合金层与薄膜晶体管的半导体层接触来抑制Cu元素向半导体层的扩散。构成：薄膜晶体管衬底包括薄膜晶体管的半导体层（33）和Cu合金层（28b，29b）。在半导体层和Cu合金层之间形成含氧层。含氧层的氧与薄膜晶体管的半导体层的Si结合。 Cu合金层包括选自2至20原子％的Mn，Ni，Zn和Mg中的一种。 Cu合金层通过含氧层与锡膜晶体管的半导体层接触。

5. 发明公开

KR1020110082040A 유기 ＥＬ 디스플레이용 반사 애노드 전극 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：有机EL显示装置反射阳极及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110082040A
公开(公告)日：2011-07-15
申请号：KR1020117010508
申请日：2009-11-09
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 오찌모또따까 , 고또오히로시 , 기시도모야 , 가와까미노부유끼
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/26 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/5218 , H01L27/3244 , H01L2251/5315 , H01L51/5209 , H05B33/26
摘要： Provided is a reflective anode for an organic EL display device having a reflective film made from an Al-based alloy which can realize a low contact resistance with an oxide conductive film and achieve an excellent reflectivity. Provided is also a method for manufacturing the reflective anode for an organic EL display device. The method includes: a step of forming an Al-based alloy film containing 0.1 to 2 atomic % of Ni or Co on a substrate; a step of subjecting the Al-based alloy film to a thermal treatment in a vacuum or an inactive gas atmosphere at the temperature of 150 degrees C. or above; and a step of forming an oxide conductive film so as to be in direct contact with the Al-based alloy film.

6. 发明公开

KR1020100119794A 터치 패널 센서 有权
标题翻译：触摸面板传感器
公开(公告)号：KR1020100119794A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：KR1020107020701
申请日：2009-02-20
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 미끼아야 , 고또오히로시 , 오꾸노히로유끼 , 기시도모야 , 난부아끼라
IPC分类号： G06F3/041 , C22C21/00 , C22F1/04 , H01B5/14
CPC分类号： G06F3/041 , C22C21/00 , H05K1/09 , G06F3/0412 , G06F2203/04103 , H01B5/14
摘要： 본 발명은 경시적인 전기 저항의 증가나 단선이 일어나기 어렵고, 또한 저전기 저항률을 나타내는 동시에, 투명 도전막과의 전기 전도성을 확보할 수 있어 상기 투명 도전막과 직접 접속시킬 수 있는 가이드 배선을 갖는, 신뢰성이 높은 터치 패널 센서를 제공한다. 본 발명은 투명 도전막 및 이것과 직접 접속하는 알루미늄 합금막으로 이루어지는 가이드 배선을 갖는 터치 패널 센서이며, 상기 알루미늄 합금막이, Ni 및 Co로 이루어지는 X군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 합계로 0.2 내지 10원자％ 포함하고, 또한 상기 알루미늄 합금막의 경도가 2 내지 15㎬인 터치 패널 센서에 관한 것이다.

7. 发明公开

KR1020100080890A Ａｌ-계 합금 스퍼터링 타겟 및 이것의 제조 공정 无效
标题翻译：基于AL的合金喷射目标及其生产方法
公开(公告)号：KR1020100080890A
公开(公告)日：2010-07-13
申请号：KR1020100059636
申请日：2010-06-23
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 다까기가쯔또시 , 에히라마사야 , 구기미야도시히로 , 요네다요이찌로오 , 고또오히로시
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
摘要： PURPOSE: An Al-group alloy sputtering target and a manufacturing method thereof are provided to increase deposition rate by controlling crystal orientation vertically to the surface of sputtering. CONSTITUTION: An Al-group alloy sputtering target contains Ni 0.05-10 atomic%. When vertical direction crystal orientation , , and are observed by the electron back-scatter diffraction pattern method on the sputtering surface of the Al-system alloy sputtering target The Al- system alloy sputtering target additionally contains rare earth materials 0.1-2 atomic%.
摘要翻译：目的：提供一种Al族合金溅射靶及其制造方法，以通过垂直于溅射表面控制晶体取向来提高沉积速率。构成：Al组合金溅射靶含有0.05〜10原子％的镍。通过电子背散射衍射图法在Al系合金溅射靶的溅射表面上观察垂直方向晶体取向<001>，<011>，<111>和<311> Al体系合金溅射靶另外含有0.1-2原子％的稀土材料。

8. 发明公开

KR1020080114575A 적층 구조 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：层状结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080114575A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR1020080059934
申请日：2008-06-25
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 고또오히로시 , 오찌모또따까 , 다께또미유우이찌 , 가와까미노부유끼
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136286 , B32B2457/20 , C22C21/00 , G02F2001/136295 , B32B15/04 , G02F1/136227 , H01L29/458
摘要： A laminating structure preventing galvanic corrosion in electrolyte solution and manufacturing method thereof are provided to improve yield and display quality of a display device by reducing a contact resistance of a transparent conductive oxide and an Al alloy film. A manufacturing method of a laminating structure preventing galvanic corrosion in electrolyte solution comprises the following steps: a step for forming a transparent conductive oxide(41, 42, 43) on a substrate; a step for forming an Al alloy film containing an alloy component in which an ionization tendency is smaller than Al on the transparent conductive oxide; and a step for heating up the Al alloy film over a precipitation temperature of an inter metallic compound consisting of Al and alloy component.
摘要翻译：通过降低透明导电氧化物和Al合金膜的接触电阻，提供了防止电解质溶液中的电偶腐蚀的层压结构及其制造方法，以提高显示装置的产量和显示质量。一种防止电解液中电偶腐蚀的层压结构的制造方法，包括以下步骤：在基板上形成透明导电氧化物（41,42,43）的工序; 在透明导电氧化物上形成含有电离倾向小于Al的合金成分的Al合金膜的工序; 以及在由Al和合金成分构成的金属间化合物的沉淀温度下使Al合金膜升温的工序。

9. 发明授权

KR101251227B1 박막 트랜지스터 기판 및 표시 디바이스 有权
标题翻译：薄膜晶体管基板和显示器件
公开(公告)号：KR101251227B1
公开(公告)日：2013-04-12
申请号：KR1020110014477
申请日：2011-02-18
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 모리따신야 , 고또오히로시 , 미끼아야 , 도미히사가쯔후미 , 데라오야스아끼
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본 발명의 과제는 Cu계 합금 배선막을 반도체층과 직접 접속해도 접촉 저항률이 낮고, 또한 밀착성이 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공하는 것이다.
박막 트랜지스터의 반도체층과, Cu 합금층을 갖는 박막 트랜지스터 기판에 있어서, 상기 반도체층과 상기 Cu 합금층 사이에, 산소 함유층을 포함하고 있고, 상기 산소 함유층을 구성하는 산소의 일부 혹은 전부는 상기 박막 트랜지스터의 상기 반도체층의 Si와 결합하고 있고, 상기 Cu 합금층은 합금 원소로서 X(X는 Mn, Ni, Zn 및 Mg으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종)를 합계 2원자％ 이상 20원자％ 이하 함유하고, 상기 Cu 합금층은 상기 산소 함유층을 통해 상기 박막 트랜지스터의 상기 반도체층과 접속하고 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판이다.

10. 发明授权

KR101230758B1 표시 장치용 구리 합금막 有权
标题翻译：铜合金膜用于显示器件
公开(公告)号：KR101230758B1
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：KR1020117016458
申请日：2010-01-15
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 고또오히로시 , 미끼아야 , 도미히사가쯔후미 , 오찌모또따까 , 오오니시다까시 , 구기미야도시히로
IPC分类号： G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L23/53238 , B32B15/01 , C22C9/00 , C23C14/025 , C23C14/14 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 투명 기판과의 높은 밀착성 및 낮은 전기 저항률을 갖는 Cu 합금막을 구비한 표시 장치를 제공한다. 본 발명은 투명 기판과 직접 접촉하는 표시 장치용 Cu 합금막이며, 상기 Cu 합금막은 Zn, Ni, Ti, Al, Mg, Ca, W, Nb 및 Mn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 합계 2 내지 20원자％ 포함하는 Cu 합금으로 이루어지는 제1 층(Y)과, 순Cu로 이루어지는 제2 층, 또는 Cu를 주성분으로 하는 Cu 합금이며 상기 제1 층(Y)보다도 전기 저항률이 낮은 Cu 합금으로 실질적으로 이루어지는 제2 층(X)을 포함하는 적층 구조를 갖고, 상기 제1 층(Y)이 상기 투명 기판과 접촉하고 있는 표시 장치에 관한 것이다.

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