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1. 发明公开

KR1020150032339A 2차 전지 有权
标题翻译：二次电池
公开(公告)号：KR1020150032339A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：KR1020157004426
申请日：2013-07-24
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 우에마츠이쿠오 , 하야미즈나오야 , 사쿠라이나오아키
IPC分类号： H01M2/16 , H01M4/485 , H01M10/04
CPC分类号： H01M2/162 , H01M2/1673 , H01M4/485 , H01M10/0525 , H01M10/04
摘要： 실시 형태의 2차 전지는, 외장 용기와, 상기 외장 용기 내에 수용된 전극 구조체 및 전해질을 구비한다. 상기 전극 구조체(24)는 정극(18)과, 부극(20)과, 정극(18) 및 부극(20) 사이에 배치되는 세퍼레이터를 포함한다. 세퍼레이터는, 정극 및 부극 중 적어도 한쪽 위에 퇴적된 유기 섬유의 층(23)을 포함한다. 유기 섬유의 층(23)은, 유기 섬유가 교차되고 그 교차되고 있는 형태가 인장 응력에 의해 변화되는 접점을 갖는다.
摘要翻译：本实施例的二次电池包括外容器，容纳在外容器中的电极结构和电解质。电极结构24包括正极18，负极20以及设置在正极18和负极20之间的隔膜。隔膜包括沉积在正极和负极中的至少一个上的有机纤维层（23）。有机纤维层23具有接触，其中有机纤维交叉并且它们的交叉形式通过拉伸应力而变化。

2. 发明授权

KR101246525B1 전해 황산에 의한 세정방법 및 반도체장치의 제조방법 有权
标题翻译：电解硫酸清洗方法及半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR101246525B1
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020090058381
申请日：2009-06-29
申请人： 티센크루프 우데 크로린 엔지니어스 가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바 , 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 도몬히로키 , 오가와유스케 , 가토마사아키 , 기시다카미치 , 하야미즈나오야 , 단게마키코 , 구로카와요시아키 , 고바야시노부오
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： C11D11/007 , C11D7/08 , C11D11/0047 , C25B1/285 , G03F7/423 , H01L21/31133
摘要： 본 발명은 전해 황산의 생성을 위한 전류 효율을 향상시키는 것과 동시에, 레지스트 등의 세정 박리 효율을 높일 수 있는 전해 황산에 의한 세정방법 및 반도체장치의 제조 방법에 관한 것이다.
상세하게는, 황산 전해조에 외부로부터 제 1 황산용액을 공급하여 전해를 행하고, 상기 황산 전해조내에 산화성 물질을 함유하는 제 1 전해 황산을 생성하는 공정과, 상기 황산 전해조내에, 외부로부터, 먼저 공급한 제 1 황산용액보다 농도가 높은 제 2 황산용액을 공급하고, 상기 황산 전해조내에 있어서, 상기 제 2 황산과 상기 제 1 전해 황산을 혼합하는 것과 동시에, 전해를 더 행하고, 상기 황산 전해조내에 황산과 산화성 물질을 함유하는 제 2 전해 황산으로 이루어진 세정액을 생성하는 공정과, 상기 세정액을 이용하여 세정 대상물의 세정처리를 행하는 세정처리 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 전해 황산에 의한 세정방법 및 상기 세정 장치를 이용한 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.

3. 发明授权

KR101165918B1 세정 방법, 세정 시스템, 및 미세 구조체의 제조 방법 有权
标题翻译：清洁方法，清洁系统和制造微结构的方法
公开(公告)号：KR101165918B1
公开(公告)日：2012-07-20
申请号：KR1020100091630
申请日：2010-09-17
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 티센크루프 우데 크로린 엔지니어스 가부시키가이샤 , 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 하야미즈나오야 , 단게마끼꼬 , 가또마사아끼 , 도몬히로끼 , 오가와유스께 , 구로까와요시아끼 , 고바야시노부오
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： C25B1/28 , G03F7/423
摘要： 한 실시 형태에 따르면, 세정 방법이 개시된다. 본 방법은, 희석 황산 용액을 전기 분해해서 산화성 물질을 포함하는 산화성 용액을 생성할 수 있다. 또한, 고농도의 무기산 용액과 상기 산화성 용액을 세정 대상물의 표면에, 개별적으로, 순차적으로 또는 거의 동시에 공급할 수 있다.

4. 发明公开

KR1020110033797A 세정액, 세정 방법, 세정 시스템 및 미세 구조체의 제조 방법 有权
标题翻译：清洁液，清洁方法，清洁系统和制造微结构的方法
公开(公告)号：KR1020110033797A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020100092471
申请日：2010-09-20
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 , 티센크루프 우데 크로린 엔지니어스 가부시키가이샤
发明人： 하야미즈나오야 , 단게마끼꼬 , 구로까와요시아끼 , 고바야시노부오 , 가또마사아끼 , 오가와유스께 , 도몬히로끼
IPC分类号： C11D7/18 , C11D11/04 , B08B3/08
CPC分类号： H01L21/31133 , G03F7/423 , H01L21/67051
摘要： PURPOSE: A cleaning liquid is provided to reduce a resist in which a modified layer is formed on the surface while not damaging a silicon oxide film and a silicon nitride film and to improve productivity. CONSTITUTION: A cleaning liquid comprises an oxidizing substance and a hydrofluoric acid and exhibits acidity. The oxidizing substance includes at least one selected from peroxomonosulfuric acid and peroxodisulfuric acid. A cleaning method comprises: producing an oxidizing solution including an oxidizing substance by one selected from electrolyzing a sulfuric acid solution, electrolyzing hydrofluoric acid added to a sulfuric acid solution, and mixing a sulfuric acid solution with aqueous hydrogen peroxide; and supplying the oxidizing solution and hydrofluoric acid to a surface of an object to be cleaned.
摘要翻译：目的：提供清洁液体，以减少在表面上形成改性层的抗蚀剂，同时不损害氧化硅膜和氮化硅膜并提高生产率。构成：清洗液含有氧化物质和氢氟酸，具有酸性。氧化物质包括选自过氧二硫酸和过氧二硫酸中的至少一种。清洗方法包括：通过选择电解硫酸溶液，电解加入到硫酸溶液中的氢氟酸，并将硫酸溶液与过氧化氢水溶液混合，制备包含氧化物质的氧化溶液; 并将氧化溶液和氢氟酸供给到待清洁物体的表面。

5. 发明公开

KR1020100112641A 불휘발성 기억 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100112641A
公开(公告)日：2010-10-19
申请号：KR1020107019807
申请日：2008-08-29
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 후꾸미즈히로유끼 , 하야미즈나오야 , 탄게마끼꼬
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1666 , H01L45/1675 , H01L27/0688
摘要： According to one embodiment, a nonvolatile memory device includes a substrate, a first electrode, a second electrode, and a memory. The first electrode is provided on the substrate. The second electrode crosses on the first electrode. The memory portion is provided between the first electrode and the second electrode. At least one of an area of a first memory portion surface of the memory portion opposed to the first electrode and an area of a second memory portion surface of the memory portion opposed to the second electrode is smaller than an area of a cross surface of the first electrode and the second electrode opposed to each other by the crossing.

6. 发明授权

KR100891631B1 포토레지스트 제거 처리 장치 및 방법 有权
标题翻译：用于光刻胶去除处理的装置和方法
公开(公告)号：KR100891631B1
公开(公告)日：2009-04-03
申请号：KR1020070006076
申请日：2007-01-19
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 와카츠키다카히코 , 하야미즈나오야 , 후지타히로시 , 사이토아키코 , 하야시도시히데 , 니시베유키노부 , 마키노츠토무
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027
CPC分类号： B08B3/00 , B08B7/00 , B08B2230/01 , G03F7/427
摘要： 본 발명에 따른 처리 장치는, 물을 저장하도록 된 탱크와, 이 탱크로부터 공급된 물을 증기로 전환하도록 된 증기 발생 유닛과, 이 증기 발생 유닛으로부터 공급된 증기를 피처리체로부터 잔류물을 제거하는 데에 사용하는 처리 챔버와, 냉각 유닛과, 필터링 유닛을 포함한다. 냉각 유닛은 처리 챔버로부터 배출된 폐액을 냉각시킨다. 필터링 유닛은 냉각 유닛과 탱크 사이에 마련되어 냉각 유닛에서 냉각된 폐액을 여과한다. 본 발명에 따른 처리 방법은, 처리 챔버 내에 증기를 공급하는 단계와, 이 증기를 사용하여 피처리체로부터 잔류물을 제거하는 단계와, 제거된 잔류물을 함유한 폐액을 냉각시켜 그 잔류물을 고형물로 침전시키는 단계와, 침전물을 함유한 폐액을 여과하는 단계를 포함한다.
처리 챔버, 피처리체, 폐액, 물, 필터링 유닛

7. 发明授权

KR100752827B1 전자 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：电子器件的制造方法
公开(公告)号：KR100752827B1
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：KR1020030018506
申请日：2003-03-25
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 우에마쯔이꾸오 , 하야미즈나오야
IPC分类号： H01L21/308
CPC分类号： H01L21/02071 , G02F2001/136295 , H01L21/02063 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , Y10S134/902 , Y10S438/906 , Y10S438/963
摘要： 기판 상의 절연막 표면에 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 배선 재료층을 형성하는 공정과, 상기 배선 재료층을 레지스트 패턴을 마스크로 하여 리액티브 이온 에칭에 의해 패터닝하여 배선을 형성하는 공정과, 퍼옥소황산염과, 불화수소산 또는 불화수소산암모늄 중에서 선택된 불소 함유 화합물, 및 pH 조정용의 산을 포함하고, pH값이 -1∼3인 에칭 잔사 제거용 수용액에 의해 상기 배선을 포함하는 절연막 표면을 처리하는 공정을 포함한다.
에칭 잔사물, 퍼옥소황산염, 변질층, 비아홀, 비아필

8. 发明公开

KR1020070077122A 포토레지스트 제거 처리 장치 및 방법 有权
标题翻译：用于光刻胶去除处理的装置和方法
公开(公告)号：KR1020070077122A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：KR1020070006080
申请日：2007-01-19
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 와카츠키다카히코 , 하야미즈나오야 , 후지타히로시 , 사이토아키코 , 하야시도시히데 , 니시베유키노부
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： B08B3/022 , B08B5/023 , C03C17/32 , C03C2218/33 , H01L21/6708 , H05K3/26 , H05K2203/075 , H05K2203/1509
摘要： A photoresist removing apparatus and method are provided to prevent the predetermined residues removed from a glass substrate from being attached onto a portion of the glass substrate again by using an improved arrangement of a first nozzle and a partition member. A photoresist removing apparatus includes a process chamber(1) for performing a predetermined process on a glass substrate, a transfer unit for transferring the glass substrate from the process chamber, a first nozzle, a partition member, an inlet port and an outlet port. The first nozzle(5) has a spray port arranged opposite to a moving path of the glass substrate. The first nozzle is capable of a process solution or a process gas to an upper side of the glass substrate moving direction. The partition member(3) is used for dividing an upper space of the moving path of the process object body into an upper side space and a lower side space. The inlet port(12) is connected through the lower side space. The outlet port(13) is connected through the upper side space.
摘要翻译：提供光致抗蚀剂去除装置和方法，以防止通过使用第一喷嘴和分隔构件的改进布置，从玻璃基板去除的预定残余物再次附着到玻璃基板的一部分上。光致抗蚀剂去除装置包括用于在玻璃基板上进行预定处理的处理室（1），用于从处理室转移玻璃基板的转印单元，第一喷嘴，分隔件，入口和出口。第一喷嘴（5）具有与玻璃基板的移动路径相对设置的喷射口。第一喷嘴能够将工艺溶液或处理气体提供到玻璃基板移动方向的上侧。分隔构件（3）用于将加工对象体的移动路径的上部空间分割成上侧空间和下侧空间。入口（12）通过下侧空间连接。出口（13）通过上侧空间连接。

9. 发明公开

KR1020040032129A 세정 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 액티브매트릭스형 표시 장치의 제조 방법 失效
标题翻译：超声波清洗方法，制造半导体器件的方法以及用于制造有源矩阵型显示装置的方法，涉及执行超声波清洗过程
公开(公告)号：KR1020040032129A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：KR1020040018754
申请日：2004-03-19
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 하야미즈나오야
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02071 , B08B3/02 , B08B3/12 , B08B2203/0288 , G02F1/1333 , G02F2001/1316 , H01L21/02052
摘要： PURPOSE: An ultrasonic cleaning method, a method for manufacturing a semiconductor device, and a method for manufacturing an active matrix type display device are provided to perform safely the ultrasonic cleaning process without generating damage of a target-object. CONSTITUTION: An ultrasonic cleaning method includes the first ultrasonic cleaning process and the second ultrasonic process. The first ultrasonic cleaning process is performed to clean a target by applying the first ultrasonic wave to an object, that is, the target to be cleaned. The second ultrasonic cleaning process is performed to clean the target by applying the second ultrasonic wave to the object. The first and the second ultrasonic cleaning processes are performed continuously and repeatedly. At this time, one of phase, wavelength and amplitude of the first and the second ultrasonic waves is different from each other.
摘要翻译：目的：提供一种超声波清洗方法，半导体装置的制造方法以及有源矩阵型显示装置的制造方法，能够安全地进行超声波清洗处理而不产生目标物的损伤。构成：超声波清洗方法包括第一超声波清洗处理和第二超声波处理。执行第一超声波清洗处理以通过将第一超声波施加到对象即待清洁的目标来清洁目标。执行第二超声波清洗处理以通过向对象施加第二超声波来清洁目标。第一和第二超声波清洗过程连续而重复进行。此时，第一和第二超声波的相位，波长和振幅之一彼此不同。

10. 发明公开

KR1020170117508A 진공 단열 패널, 코어재, 냉장고, 진공 단열 패널의 제조방법, 냉장고의 리사이클 방법 审中-实审
标题翻译：真空绝热板，芯材，冰箱，真空绝热板制造方法，冰箱回收方法
公开(公告)号：KR1020170117508A
公开(公告)日：2017-10-23
申请号：KR1020177025681
申请日：2016-03-08
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 도시바 라이프스타일 가부시키가이샤
发明人： 고지마겐지 , 시나가와에이지 , 우에마츠이쿠오 , 하야미즈나오야 , 오오시로겐이치
IPC分类号： F16L59/065 , F16L59/02 , F25D23/06 , B32B5/26 , B32B5/02
CPC分类号： B32B5/26 , F16L59/065 , F25D23/06
摘要： 본실시형태에관한진공단열패널은수지섬유로이루어진코어재를외부포장재내에수용한진공단열패널로서, 상기수지섬유는상기외부포장재의내면에직접성막되어있다.
摘要翻译：真空绝热板的芯材，根据本实施例作为容纳在外包装的真空绝热面板，其中，直接形成在外包装的内表面上的树脂纤维制成的树脂纤维。

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