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1. 发明公开

KR1020070081102A 자기저항효과소자의 제조 방법 失效
标题翻译：制造磁阻效应元件的方法
公开(公告)号：KR1020070081102A
公开(公告)日：2007-08-14
申请号：KR1020070013222
申请日：2007-02-08
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 유아사히로미 , 후꾸자와히데아끼 , 후지요시히꼬 , 이와사끼히또시
IPC分类号： H01C17/00
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3163 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F10/3281 , H01F41/303 , H01F41/325
摘要： A method for manufacturing a magnetoresistance effect element is provided to achieve a highly sensitive magnetism detection by obtaining a large amount of variation of magnetoresistance, high reliability, and high magnetic stability. A magnetoresistance effect element includes a first electrode(1), a substrate layer(2), a semi-magnetic layer(3), a magnetization fixed layer(4), a spacer layer(5), a magnetization free layer(6), a first protective layer(7), a second protective layer(8), and a second electrode(9). The substrate layer includes a Ta layer with a thickness of 5nm and a Ru layer with a thickness of 2nm. The anti-ferromagnetic layer has a thickness of 15nm and is made of a PtMn material. The magnetization fixed layer includes a first magnetization fixed layer(4-1), a magnetization anti-parallel coupling layer(4-2), and a second magnetization fixed layer(4-3). The spacer layer is made of a Cu material and has a thickness of 3nm. The first magnetization fixed layer has a thickness between 3 and 4nm and is made of a Co90Fe10 material. The magnetization anti-parallel coupling layer has a thickness of 0.9nm and is made of the Ru material. The second magnetization fixed layer includes a functional layer(10-1) applied therein and is bonded with the Co90Fe10 layer with a thickness of 1.5nm.
摘要翻译：提供一种用于制造磁阻效应元件的方法，通过获得大量的磁阻变化，高可靠性和高磁稳定性来实现高灵敏度的磁检测。磁阻效应元件包括第一电极（1），基底层（2），半磁性层（3），磁化固定层（4），间隔层（5），无磁化层（6），第一保护层（7），第二保护层（8）和第二电极（9）。衬底层包括厚度为5nm的Ta层和厚度为2nm的Ru层。反铁磁层的厚度为15nm，由PtMn材料制成。磁化固定层包括第一磁化固定层（4-1），磁化反平行耦合层（4-2）和第二磁化固定层（4-3）。间隔层由Cu材料制成，厚度为3nm。第一磁化固定层的厚度在3和4nm之间，由Co90Fe10材料制成。磁化反平行耦合层的厚度为0.9nm，由Ru材料制成。第二磁化固定层包括施加在其中的功能层（10-1），并与厚度为1.5nm的Co90Fe10层结合。

2. 发明授权

KR100912154B1 자기저항효과소자의 제조 방법 失效
标题翻译：磁阻元件的制造方法
公开(公告)号：KR100912154B1
公开(公告)日：2009-08-14
申请号：KR1020070013222
申请日：2007-02-08
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 유아사히로미 , 후꾸자와히데아끼 , 후지요시히꼬 , 이와사끼히또시
IPC分类号： H01C17/00
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3163 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F10/3281 , H01F41/303 , H01F41/325
摘要： 자화 고착층, 비자성 중간층, 및 자화 자유층이 순차적으로 적층되어 있는 자기저항효과소자를 제조하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법은, 상기 자화 고착층과 상기 자화 자유층 중 어느 하나가 될 자성층의 적어도 일부를 형성하는 단계와; 상기 자성층의 일부 상에 산화물, 질화물, 및 불화물(fluoride) 중 적어도 하나를 포함하는 기능층을 형성하는 단계와; 상기 기능층을 이온빔과 플라스마 조사 중 어느 하나에 노출시킴으로써 상기 기능층의 일부를 제거하는 단계를 포함한다.
자기저항효과소자, CIP-GMR(Current-In-Plane-Giant-Magnetoresistance), TMR(Tunneling Magnetoresistance), CPP(Current-Perpendicular-to-Plane)-GMR, 하프 메탈(half metal)
摘要翻译：磁性固定层，非磁性中间层和无磁化层顺序地层压在基板上。该方法包括以下步骤：将磁层的至少一部分形成为磁固定层或无磁化层; 在磁性层的一部分上形成包括氧化物，氮化物和氟化物中的至少一种的功能层; 通过将功能层暴露于离子束或等离子体辐射来去除功能层。

3. 发明授权

KR100520017B1 자기 저항 효과 소자, 자기 헤드 및 자기 재생 장치 失效
标题翻译：磁阻效应装置，磁头和磁性再生装置
公开(公告)号：KR100520017B1
公开(公告)日：2005-10-11
申请号：KR1020010056404
申请日：2001-09-13
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 유아사히로미 , 요다히로아끼 , 가미구찌유우조 , 나가따도모히꼬
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/00 , G11B5/3912 , G11B5/3919 , G11B5/3922 , G11B5/3929 , G11B5/398 , H01F10/324 , H01L43/08
摘要： CPP형의 MR 소자에 있어서 능동 영역을 적확하게 규정하고, 또한 전극으로부터의 전류 자장의 영향을, 효과적으로 억제하여 소실시키는 구성을 갖는 자기 저항 효과 소자, 자기 헤드 및 자기 재생 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 감지 전류가 흐르는 부분의 면적에서, MR 소자의 능동 영역을 규정한다. 또한, 소자 능동 영역을 규정하는 기둥형 전극 혹은 기둥형 비자성체를, 바로 아래의 트랙에서의 신호만을 효율적으로 판독하도록, 자속이 흐름에 따르는 단면 형상으로 한다. 기둥형 전극으로부터의 전류 자장을 무시할 수 없는 경우, 기록 매체로부터의 자속은 어느 정도 비대칭으로 요크, MR 소자 자화 자유층에 들어 간다. 이것을 예상하여 기둥형 전극의 단면을 자속의 흐름에 따르도록 비대칭으로 하면, 재생 효율이 향상된다.

4. 发明公开

KR1020090083870A 자기 저항 효과 소자 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：磁阻效应器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090083870A
公开(公告)日：2009-08-04
申请号：KR1020090006858
申请日：2009-01-29
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 후꾸자와히데아끼 , 무라까미슈이찌 , 유아사히로미 , 후지요시히꼬
IPC分类号： H01L43/08 , G11B5/39 , H01L27/10 , G06F1/16
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/04 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/10 , H01L43/12 , G11B5/39
摘要： A magnetic resistance effect device and a manufacturing method thereof are provided to generate the difference of the penetration of the up-spin electron and down-spin electron. The magnetization direction of the magnetization fixation is materially generated to one-direction. The magnetization direction of the magnetization free layer is changed corresponding to the external magnetic field. The intermediate layer is formed between the magnetization fixation and the magnetization free layer. A cap layer(19) is formed on the magnetization fixation or the magnetization free layer. A magneto-resistive film comprises the magnetization fixation or the magnetization free layer and the functional layer formed among the interface of the cap layer. A pair of electrodes(11,20) perpendicularly flow the current in the membrane surface of the magneto-resistive film.
摘要翻译：提供磁阻效应器件及其制造方法以产生上旋电子和向下旋转电子的穿透差。磁化固定的磁化方向在一个方向实质上产生。磁化自由层的磁化方向根据外部磁场而变化。中间层形成在磁化固定和无磁化层之间。在磁化固定或无磁化层上形成盖层（19）。磁阻膜包括磁化固定或磁化自由层和在盖层的界面之间形成的功能层。一对电极（11,20）垂直地流过磁阻膜的膜表面中的电流。

5. 发明公开

KR1020070111433A 자기 저항 소자 및 이를 제조하는 방법 및 장치 失效
标题翻译：磁性元件及其制造方法和装置
公开(公告)号：KR1020070111433A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：KR1020070109172
申请日：2007-10-29
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 후꾸자와히데아끼 , 고오이가쯔히꼬 , 유아사히로미 , 하시모또스스무 , 이와사끼히또시
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： H01L43/12 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , Y10T428/115
摘要： A magnetoresistive element, and a method and an apparatus for manufacturing the same are provided to provide a CCP(Current-Confined-Path)-CPP(Current-Perpendicular-to-Plane) element with high MR(Magneto-Resistance) ratio. A magnetoresistive element includes a magnetic pinned layer with pinned magnetization direction, a magnetic free layer with magnetization direction varying according to an external magnetic field, an insulation layer provided between the magnetic pinned layer and the magnetic free layer, and a spacer layer(16) having a current path(21) penetrating into the insulation layer. According to a method for manufacturing the magnetoresistive element, a second metal layer is deposited on a first metal layer. The first metal layer acting as a current path is penetrated and absorbed into the second metal layer. The second metal layer is changed into the insulation layer by supplying an oxygen gas or a nitride gas.
摘要翻译：提供了一种磁阻元件及其制造方法和装置，以提供具有高MR（磁电阻）比的CCP（电流 - 限制路径）-CPP（电流 - 垂直平面）元件。磁阻元件包括具有钉扎磁化方向的磁性固定层，具有根据外部磁场变化的磁化方向的磁性自由层，设置在磁性被钉扎层和无磁性层之间的绝缘层，以及间隔层（16）具有穿过绝缘层的电流路径（21）。根据制造磁阻元件的方法，在第一金属层上沉积第二金属层。作为电流路径的第一金属层被穿透并吸收到第二金属层中。第二金属层通过供给氧气或氮化物气体而变成绝缘层。

6. 发明授权

KR100776870B1 자기저항 소자, 자기 헤드 및 자기 기록/재생 장치 有权
标题翻译：磁电元件，磁头和磁记录/再现装置
公开(公告)号：KR100776870B1
公开(公告)日：2007-11-16
申请号：KR1020040057417
申请日：2004-07-23
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 후쿠자와히데아끼 , 유아사히로미 , 하시모또스스무 , 이와사끼히또시
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： H01F10/324 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , H01F10/3259 , H01F10/3268
摘要： 자기저항 소자는 서로 분리되어 있고, 방향이 사실상 고정된 각각의 자성을 갖는 제1 자기 층 및 제2 자기 층; 및 제1 자기 층 및 제2 자기 층과 접촉하도록 형성되고, 제1 및 제2 자기 층과 전기적으로 접속되며, 하나의 자기 층으로부터 다른 하나의 자기 층으로의 스핀-편광 전자의 경로를 형성하고, 제1 자기 층과 제2 자기 층 사이에 위치되는 감지 영역인 부분을 포함하는 비자기 전도성 층을 구비한다.
자기저항 소자, 자성, 자기 층, 스핀-편광 전자의 경로, 비자기 전도성 층

7. 发明公开

KR1020020025683A 자기 저항 효과 소자, 자기 헤드 및 자기 재생 장치 失效
标题翻译：磁阻效应元件，磁头和磁性再生系统
公开(公告)号：KR1020020025683A
公开(公告)日：2002-04-04
申请号：KR1020010056404
申请日：2001-09-13
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 유아사히로미 , 요다히로아끼 , 가미구찌유우조 , 나가따도모히꼬
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/00 , G11B5/3912 , G11B5/3919 , G11B5/3922 , G11B5/3929 , G11B5/398 , H01F10/324 , H01L43/08
摘要： PURPOSE: A magnetic resistance effect element, a magnetic head, and a magnetic producing system are provided to precisely define the active region in a CPP(Current Perpendicular to Plane) type MR element and defectively suppress and eliminate the influence of a magnetic field due to current from an electrode. CONSTITUTION: The active region(13A) of an MR element(10) is defined by the area of a portion through which a sense current flows. Moreover, the shape of the cross section of a pillar electrode(14) or pillar non-magnetic material for defining the active region of the element is designed to extend along the flow of a magnetic flux to efficiently read only a signal from a track directly below the active region. When the magnetic field due to current from the pillar electrode is not ignored, the magnetic flux from a recording medium asymmetrically enters yokes and the magnetization free layer of the MR element to some extent. If the cross section of the pillar electrode is designed to be asymmetric to extend along the flow of the magnetic flux, the regenerative efficiency is improved.
摘要翻译：目的：提供磁阻效应元件，磁头和磁性产生系统，以精确定义CPP（垂直于平面的电流）型MR元件中的有源区域，并有效抑制和消除由于来自电极的电流。构成：MR元件（10）的有源区域（13A）由感测电流流过的部分的面积限定。此外，用于限定元件的有源区域的柱状电极（14）或柱状非磁性材料的横截面的形状被设计成沿着磁通量的流动延伸，以直接有效地仅从轨道读取信号低于活跃区域。当由于来自柱电极的电流引起的磁场不被忽略时，来自记录介质的磁通量在一定程度上不对称地进入MR元件的磁轭和磁化自由层。如果将柱状电极的截面设计为沿着磁通的流动而不对称地延伸，则再生效率得以提高。

8. 发明公开

KR1020090083872A 자기 저항 효과 소자 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：磁阻效应器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090083872A
公开(公告)日：2009-08-04
申请号：KR1020090006863
申请日：2009-01-29
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 무라까미슈이찌 , 후꾸자와히데아끼 , 유아사히로미 , 후지요시히꼬
IPC分类号： G11B5/127 , G11B5/39
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： A magneto-resistive effect device and a manufacturing method thereof are provided to increase the magneto-resistive ratio by securing enough difference between penetration of the up-spin electron and down-spin electron in the spin filter layer. A magneto-resistive effect device comprises a magneto-resistive effect layer(SV) and a pair of electrodes(11,20). The magneto-resistive effect layer comprises a magnetization pinning layer(14), a magnetization free layer(18), an intermediate layer, a cap layer(19), and a functional layer. The electrodes apply perpendicular current on the surface of the magneto-resistive effect layer. The crystal orientation side of the functional layer differs from that of the upper part or lower adjacent layer.
摘要翻译：提供了一种磁阻效应器件及其制造方法，以通过在自旋滤波器层中固定上自旋电子和向下自旋电子的穿透之间的足够的差异来增加磁阻比。磁阻效应器件包括磁阻效应层（SV）和一对电极（11,20）。磁阻效应层包括磁化钉扎层（14），无磁化层（18），中间层，盖层（19）和功能层。电极在磁阻效应层的表面上施加垂直电流。功能层的晶体取向侧与上部或下部相邻层的结晶取向侧不同。

9. 发明公开

KR1020080098479A 자기저항효과소자의 제조 방법 失效
标题翻译：制造磁阻效应元件的方法
公开(公告)号：KR1020080098479A
公开(公告)日：2008-11-10
申请号：KR1020080104637
申请日：2008-10-24
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 유아사히로미 , 후꾸자와히데아끼 , 후지요시히꼬 , 이와사끼히또시
IPC分类号： H01C17/00
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3163 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F10/3281 , H01F41/303 , H01F41/325
摘要： A method for manufacturing magnetoresistance effect element is provided to high signal-noise ratio in case of high recording density and high output by using magnetic resistance having the large amount of change of the magnetic resistance, high reliability, and the high magnetic stability. A method for manufacturing the magnetic resistance device in which the magnetization fixed layer(4), and the non magnetism middle layer and magnetization free layer(6) are successively laminated. At least a part which is made as the magnetization fixed layer and magnetization free layer is manufactured. A functional layer includes at least one of the oxide, nitride, and is formed on the part of the magnetic layer. A part of the functional layer is exposed to one of the ion beam and plasma and removes the part of the functional layer so that the thickness of the functional layer is uniform.
摘要翻译：通过使用具有大的磁阻变化，高可靠性和高磁稳定性的磁阻，提供高记录密度和高输出的高信噪比的磁阻效应元件的制造方法。一种制造其中磁化固定层（4）和非磁中间层和磁化自由层（6）相继层压的磁阻装置的方法。制造作为磁化固定层和无磁化层的至少一部分。功能层包括氧化物，氮化物中的至少一种，并且形成在磁性层的一部分上。功能层的一部分暴露于离子束和等离子体中的一个，并去除功能层的一部分，使得功能层的厚度是均匀的。

10. 发明公开

KR1020080061346A 자기 저항 소자를 제조하는 방법 无效
标题翻译：制造元器件的方法
公开(公告)号：KR1020080061346A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：KR1020080055209
申请日：2008-06-12
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 후꾸자와히데아끼 , 고오이가쯔히꼬 , 유아사히로미 , 하시모또스스무 , 이와사끼히또시
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： H01L43/12 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , Y10T428/115 , G11C11/16 , G11C11/15 , H01L43/10
摘要： A method for manufacturing a magneto resistive element is provided to increase MR(Magneto Resistance) ratio by performing pre-treatment of a second metal layer using a rare gas ion beam or RF plasma. A magneto resistive element includes a magnetic pinned layer, a free magnetic layer with magnetization direction varying according to an external magnetic field, an insulation layer(22) provided between the magnetic pinned layer and the free magnetic layer and a current path(21) penetrating through the insulation layer. According to a method for manufacturing the magneto resistive element, a second metal layer(17) is deposited on a first metal layer(15). The second metal layer is changed into an oxide or a nitride by supplying an oxygen gas or a nitride gas. The second metal layer is treated by an ion beam or RF plasma.
摘要翻译：提供一种用于制造磁阻元件的方法，通过使用稀有气体离子束或RF等离子体进行第二金属层的预处理来提高MR（磁阻）比。磁阻元件包括磁性被钉扎层，具有根据外部磁场变化的磁化方向的自由磁性层，设置在磁性被钉扎层和自由磁性层之间的绝缘层（22）和穿透通过绝缘层。根据制造磁阻元件的方法，在第一金属层（15）上沉积第二金属层（17）。通过供给氧气或氮化物气体将第二金属层变成氧化物或氮化物。第二金属层由离子束或RF等离子体处理。

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