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1. 发明公开

KR1020170123673A 자기 저항 효과 소자 审中-实审
标题翻译：磁阻元件
公开(公告)号：KR1020170123673A
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：KR1020177027717
申请日：2016-03-28
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 사사끼도모유끼
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/02 , G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3909 , G11B5/39 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01F1/405 , H01F10/1936 , H01L27/105 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/02
摘要： 이자기저항효과소자에서는, 제1 강자성금속층과, 제2 강자성금속층과, 상기제1 및제2 강자성금속층사이에끼움지지된터널배리어층을갖고, 상기터널배리어층은, ABO라고하는화학식으로표현되고, 양이온의배열이불규칙화된스피넬구조이며, 또한 A는 2가의양이온으로, Mg 또는 Zn 중어느한쪽이고, B는 3가의양이온으로, Al, Ga 및 In으로이루어지는군에서선택되는복수의원소를포함한다.
摘要翻译：和在电阻元件的基团具有第一强磁性金属层和第二铁磁性金属层和所述第一mitje 2配合在强磁性金属层支撑隧道势垒层，隧道势垒层，由称为ABO下式表示的间并且A是二价阳离子，Mg和Zn中的一种，B是三价阳离子，并且选自Al，Ga和In中的多种元素由它包括。

2. 发明公开

KR1020160089969A 자기소용돌이와 자기반소용돌이 구조를 갖는 자성박막을 이용한 신호전달소자 및 신호전달방법 有权
标题翻译：信号传输装置和使用包含MORTIC VORTEX和ANTIVORTEX的磁薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020160089969A
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020150009655
申请日：2015-01-21
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 김상국 , 정한별
IPC分类号： H01L43/08 , H01F10/08 , G11B5/39
CPC分类号： H01L43/08 , G11B5/39 , H01F10/08
摘要： 본발명은복수개의자기소용돌이구조가주기적으로배열된박막구조체를포함하며, 상기박막구조체는수평자화의회전방향이동일한제 1 자기소용돌이및 제 2 자기소용돌이와, 상기제 1 자기소용돌이및 상기제 2 자기소용돌이사이에형성된자기반소용돌이를포함하고, 상기제 1 자기소용돌이및 상기제 2 자기소용돌이와, 상기자기반소용돌이가형성된박막의영역들은일체로연결되어있거나자기고정층; 자기소용돌이를포함하는자유층; 및상기자기고정층과자유층사이에개재되며비자성물질또는부도체로이루어지는중간층;을포함하며, 상기자유층은수평자화의회전방향이동일한제 1 자기소용돌이및 제 2 자기소용돌이와상기제 1 자기소용돌이및 상기제 2 자기소용돌이사이에형성된자기반소용돌이를포함하고, 상기제 1 자기소용돌이및 상기제 2 자기소용돌이와상기자기반소용돌이가형성된영역들은일체로연결되어있는, 자기소용돌이와자기반소용돌이구조를갖는자성박막을이용한신호전달소자및 상기자기소용돌이와자기반소용돌이구조를갖는자성박막을이용한신호전달소자에신호를인가하는단계; 및상기자기소용돌이구조내에구비된핵의회전운동에의해상기핵과인접한부근에배치된다른핵의회전운동을여기시켜상기신호를전달하는단계;를포함하는, 신호전달방법을제공한다.
摘要翻译：本发明提供一种使用具有磁涡旋结构和磁反涡流的磁性薄膜的信号传递装置，其包括周期性排列有多个磁涡流结构的薄膜结构。薄膜结构包括具有与水平磁化相同的旋转方向的第一磁涡流和第二磁涡流; 以及形成在第一磁涡流和第二磁涡流之间的磁反涡流，其中形成有第一磁涡旋，第二磁涡和磁反涡流的薄膜区彼此一体地连接。信号传送装置包括：磁性固定层; 包括磁涡旋的自由层; 介于磁性固定层和自由层之间的中间层，由非磁性材料或非导体形成。自由层包括具有与水平磁化相同的旋转方向的第一磁涡流和第二磁涡旋，以及在第一磁涡和第二磁漩涡之间形成的磁反涡流。分别形成有第一磁涡，第二磁涡和磁反涡的区域彼此一体地连接。本发明还提供了一种传输信号的方法，包括以下步骤：使用具有磁涡旋和磁反涡结构的磁性薄膜将信号施加到信号传输装置; 并且通过激励设置在邻近所述核附近的附近的另一核心的旋转运动，通过设置在所述磁涡流结构内部的细胞核的旋转运动来传递所述信号。因此，即使用少量的能量也能够容易地产生信号，实现了快速的传播速度和信号控制技术。

3. 发明公开

KR1020150069527A 자기 저항 센서 실드 有权
标题翻译：磁传感器屏蔽
公开(公告)号：KR1020150069527A
公开(公告)日：2015-06-23
申请号：KR1020140176174
申请日：2014-12-09
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 싱글턴,에릭더블유. , 탄,리웬 , 이,재-영
IPC分类号： G01R33/09 , H01L43/08 , G11B5/39 , G12B17/02
CPC分类号： G11B5/3912 , G01R33/007 , G01R33/025 , G01R33/098 , G11B5/3916 , G11B5/398 , G11B2005/3996 , H01F10/3204 , H01F10/3272 , H01L43/08 , H01L43/10 , Y10T428/1121 , G01R33/09 , G01R33/02 , G11B5/39 , G12B17/02
摘要： 본원에서개시된구현예는, 사이드실드엘리먼트에자기적으로커플링된, 합성반강자성(synthetic antiferromagnetic; SAF) 구조체를포함하는자기저항(magnetoresistive; MR) 센서를제공한다. SAF 구조체는, 강자성재료와내화재의합금인적어도하나의자기비정질층을포함한다. 비정질자기층은비-자기층과접촉할수도있고비-자기층의대향표면과접촉하는층에반강자성적으로커플링된다.
摘要翻译：在本发明中公开的实施例提供了一种磁阻（MR）传感器，其包括与侧屏蔽元件磁耦合的合成反铁磁（SAF）结构。 SAF结构包括至少一个磁性非晶层，其是铁磁材料和耐火材料的合金。非晶磁性层可以与非磁性层接触并且与与非磁性层的相反表面接触的层反铁磁耦合。

4. 发明公开

KR1020130040751A 판독기 스톱층들 有权
标题翻译：阅读器停止LYAERS
公开(公告)号：KR1020130040751A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：KR1020120114177
申请日：2012-10-15
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 반도른,피쳐캐롤린 , 본스트라,로이토마스
IPC分类号： G11B5/62 , G11B5/84
CPC分类号： G11B5/39 , G11B5/11 , G11B5/112 , G11B5/3169 , G11B5/3912 , G11B5/40 , Y10T428/1121 , Y10T428/1164
摘要： 트랜스듀서헤드들에대한판독기구조물들을제조하기위한톨러런스들은지속해서더 작아지고있고해당저장매체에서의저장밀도는증가하고있다. 판독기구조물의다른비-보호층들을프로세싱하면서판독기구조물의다양한층들을리세션(recession) 및/또는스크래치들로부터보호하기위해판독기구조물들의제조동안판독기스톱층들이이용될수 있다. 예를들어, 스톱층은기계적또는화학적-기계적연마동안매우낮은연마속도(polish rate)를가질수 있다. 매우낮은연마속도로스톱층에의해보호되는구조물이실질적으로영향을받지않지않는동안주변영역들은심각하게연마될수 있다. 다음스톱층은예를들어, 기계적또는화학적-기계적연마가완료된이후에, 에칭을통해제거될수 있다.
摘要翻译：目的：提供阅读器停止层以同时处理读取元件的部分层，同时保护元件的其他层。构成：停止层抵抗层状磁性结构的机械抛光，而不会因分层磁性结构的化学蚀刻而显着降低和显着的产量。非磁/非导电衬底（104）将空气轴承滑块与换能器头（100）连接。读取元件（102）被放置在底部屏蔽（106）和顶部屏蔽（108）之间。换能器头部包括线圈（116）和屏蔽层之间的阻挡层（114）。

5. 发明公开

KR1020110068185A 자기터널접합 소자 및 그 제조방법과 자기터널접합 소자를 포함하는 전자소자 有权
标题翻译：磁性隧道连接装置及其制造方法及包含该方法的电子装置
公开(公告)号：KR1020110068185A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020090125036
申请日：2009-12-15
申请人： 삼성전자주식회사 , 광주과학기술원
发明人： 김광석 , 김기원 , 서순애 , 이승교 , 장영만
IPC分类号： G11C11/15 , G11B5/39 , H01F10/32 , H01F41/30 , H01L27/22 , H01L43/08 , H01L43/12 , B82Y25/00 , H01F10/13
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/161 , H01F10/133 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/307 , H01L43/08 , H01L43/12 , G11C11/15 , G11B5/39
摘要： PURPOSE: A magnetic tunnel junction device, a method of manufacturing the same and an electronic device comprising the same are provided to have a high magnetoresistance ratio by maintaining an electronic device having a magnetic tunnel junction device amorphous state in a thermal treatment process. CONSTITUTION: In a magnetic tunnel junction device, a method of manufacturing the same and an electronic device comprising the same, a vertical MTJ(100) comprises a pinned layer(30), a tunneling film(40), and a free layer(50). The pinned layer comprises a plurality of a pair of material layers(30P1~30Pn). The first material layer comprises a first rare-earth transition metal layer(30a) and a second rare-earth transition metal layer(30b) The tunneling film is used for the coherent tunneling of a spin polarization current. The free layer has a vertical magnetic anisotropy.
摘要翻译：目的：通过在热处理工艺中保持具有磁性隧道结器件非晶态的电子器件，提供磁性隧道结器件及其制造方法和包括该磁性隧道结器件的电子器件以具有高的磁阻比。构成：在磁性隧道结装置中，制造该方法的方法和包括该方法的电子装置，垂直MTJ（100）包括钉扎层（30），隧道膜（40）和自由层（50））。被钉扎层包括多个一对材料层（30P1〜30Pn）。第一材料层包括第一稀土过渡金属层（30a）和第二稀土过渡金属层（30b）。隧道膜用于自旋极化电流的相干隧穿。自由层具有垂直的磁各向异性。

6. 发明公开

KR1020090133101A 터널 자기저항 소자 失效
标题翻译：隧道磁阻器件
公开(公告)号：KR1020090133101A
公开(公告)日：2009-12-31
申请号：KR1020090109343
申请日：2009-11-12
申请人： 가부시키가이샤 덴소
发明人： 데라료노스케 , 도요다이나오 , 스즈키야스토시
IPC分类号： G11C11/15 , H01L27/115
CPC分类号： G11B5/39 , G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/12 , B82Y25/00 , H01L27/222
摘要： PURPOSE: A tunnel magnetic resistance element is provided to increase the tunneling current and the surface area by using the surface irregularity of a pinned layer. CONSTITUTION: A substrate(10) is formed into the silicon substrate having an insulating layer(11). The lower electrode layer is formed on the upper part of the insulating layer in the thickness of 30nm with a sputtering method. A pinned layer(30) having the thickness of the total 10nm is comprised of a lower pinned layer(31) and an upper pinned layer(32). The lower pinned layer is formed into a PtMn thin film showing antiferromagnetism. The upper pinned layer is formed into an NiFe thin film showing ferromagnetism. A tunnel barrier layer(40) is an insulating thin film which is deposited on the upper part of the upper pinned layer with the CVD method. A free layer(50) is an NiFe thin film which is formed on the tunnel barrier layer in the thickness of 100nm with a sputtering method.
摘要翻译：目的：提供隧道磁阻元件，通过使用钉扎层的表面不规则性增加隧道电流和表面积。构成：将衬底（10）形成为具有绝缘层（11）的硅衬底。通过溅射法在30nm的厚度的绝缘层的上部形成下部电极层。具有总共10nm厚度的钉扎层（30）由下钉扎层（31）和上钉扎层（32）组成。下部被钉扎层形成为显示反铁磁性的PtMn薄膜。上部被钉扎层形成为显示铁磁性的NiFe薄膜。隧道势垒层（40）是通过CVD法沉积在上部被钉扎层的上部的绝缘薄膜。自由层（50）是通过溅射法在100nm的厚度的隧道势垒层上形成的NiFe薄膜。

7. 发明公开

KR1020090040033A 자기기록소자의 정보판독방법 有权
标题翻译：在磁记录元件中读取信息的方法
公开(公告)号：KR1020090040033A
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：KR1020070105593
申请日：2007-10-19
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 김상국 , 이기석 , 유영상
IPC分类号： G11B5/02 , G11B5/39 , G11C11/15
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1673 , G11B5/39 , G11B5/1278 , G11B2005/3996
摘要： An information interpretation method of a magnetic recording element is provided to increase the rotation radius of the center of magnetic vortex selectively according to the perpendicular magnetization direction of the center of the magnetic vortex by applying current or magnetic field, whose directions are changed according to time, on a magnetic recording element. An information interpretation method of a magnetic recording element comprises: a step(S2010) for preparing the magnetic recording element including a magnetic free layer with magnetic vortex; a step(S2020) for assigning 0 or 1 according to the perpendicular magnetization direction of the center of the magnetic vortex formed in the magnetic free layer; a step(S2030) for rotating the center of the magnetic vortex on the magnetic free layer; and a step(S2040) for reading 0 or 1 assigned according to the perpendicular magnetization direction of the center of the magnetic vortex.
摘要翻译：提供磁记录元件的信息解释方法，通过施加电流或磁场，根据时间改变方向，根据磁涡旋中心的垂直磁化方向选择性地增加磁涡旋心的旋转半径在磁记录元件上。磁记录元件的信息解释方法包括：制备包括具有磁涡旋的磁性层的磁记录元件的步骤（S2010）根据形成在磁性自由层中的磁涡的中心的垂直磁化方向分配0或1的步骤（S2020）; 用于在磁性自由层上旋转磁涡旋的中心的步骤（S2030）; 以及用于读取根据磁涡旋中心的垂直磁化方向分配的0或1的步骤（S2040）。

8. 发明公开

KR1020060046607A 터널 자기저항 소자 无效
标题翻译：隧道磁阻器件
公开(公告)号：KR1020060046607A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：KR1020050029162
申请日：2005-04-07
申请人： 가부시키가이샤 덴소
发明人： 데라료노스케 , 도요다이나오 , 스즈키야스토시
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11B5/39 , G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/12 , G11C11/16 , G11C11/15 , H01L27/222
摘要： The TMR device has a structure including a lower electrode layer, a pinned layer, a tunnel barrier layer, a free layer, and an upper electrode layer which are successively formed on a substrate. The tunnel barrier layer has substantially a stoichiometric composition. The tunnel barrier layer may be a thin film of an oxide of AL formed by ALD method.

9. 发明授权

KR100342729B1 전하 클램프를 갖는 차폐된 자기저항 헤드 失效
标题翻译：带有电荷夹的屏蔽电磁头
公开(公告)号：KR100342729B1
公开(公告)日：2002-07-04
申请号：KR1019990054104
申请日：1999-12-01
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 비스크본로버트지.
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/02 , G11B5/09 , G11B5/11 , G11B5/39 , G11B5/3903 , G11B5/40 , G11B2005/3996
摘要： 본발명은전하형성을방지하기위해전도성차폐부재(shield)로부터자기저항(magnetoresistive; MR) 부재리드(lead)까지비절연전기적경로를제공하는전하클램프(charge clamp) 구조를사용하여헤드스파이크(spike)에의한문제를해결하는 MR 또는 GMR 헤드를개시한다. 본발명에기술되는전하클램프에대한여러실시예는자기추적(self-tracking) 클램프를형성하도록 S2 차폐부재(및선택적으로 S1 차폐부재)로부터 MR 부재의양쪽리드모두에전기적경로를제공하는중앙탭형(center-tapped) 저항기를포함한다. 대안적으로상기기술된저항구성은각 차폐부재에대해중복사용될수 있다. 본발명을사용하는저장시스템은 MR 부재상에 dc 바이어스전압을인가하는시스템의바이어스회로를접속시키고, MR 부재는차폐부재에전기적으로접속된다.

10. 发明授权

KR100150353B1 자기 저장 시스템, 자기저항 센서의 초기화 방법 및 자기 저장 시스템용 헤드 스택 조립체 失效
标题翻译：磁传感器的执行器和文件级初始化
公开(公告)号：KR100150353B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019950007263
申请日：1995-03-31
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 글렌아담가펑클 , 마이크폴살로 , 아오야기아끼히꼬 , 야나기사와히로시 , 데라시마히로시 , 구로끼겐지
IPC分类号： G11B5/39 , G11B21/21
CPC分类号： G11B5/39 , G11B5/00 , G11B5/465 , G11B5/4886 , G11B2005/0008
摘要： 디스크 드라이브 작동기 헤드 스택 조립체(a disk drive actuator head stack assembly)에 있어서, 자기저항 판독 헤드[magnetoresistive (MR) read heads]를 갖는 자기 트랜스듀서(magnetic transducers)는 전원(a current source)과 접속되며, 자기저항 센서 전류(an MR sensor current)를 각 자기저항 헤드(each MR head)로 제공하도록 구성되고, 각 자기저항 헤드내의 자기저항 센서 전류의 전류 흐름 방향은 작동기와 관련하여 작동기 헤드 스택(actuator head stack)내의 모든 자기저항 헤드에 대하여 동일하다. 이러한 구성에 따르면, 균일한 자계(a homogeneous magnetic field)를 작동기 헤드 스택 조립체로 인가함에 의해서 그 작동기 헤드 스택 조립체내의 모든 자기저항 헤드가 동시에 초기화될 수 있게 되므로, 자기저항 헤드를 개별적으로 초기화할 필요가 없이 자기 저항 헤드들을 작동기 또는 디스크 드라이브 레벨에서 초기화할 수 있다.

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