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    • 3. 发明公开
    • 낮은 흡수 다이오드 접합을 가진 레이저 다이오드
    • 具有低吸收二极管结的激光二极管
    • KR1020040093100A
    • 2004-11-04
    • KR1020047013882
    • 2003-03-04
    • 퀸테선스 포토닉스 코오퍼레이션
    • 엉거제프리이.
    • H01S5/30H01S3/0941
    • H01S5/32H01S5/0421H01S5/3095H01S5/3211
    • 기판상에 성장된 복수의 반도체 에피택설 층을 가지고 있는 레이저 다이오드가 개시되어 있다. 다이오드는 2개의 n 형 재료의 층 사이에 위치된 층을 발생시키는 광을 포함한다. p 형 재료의 얇은 층은 활성층과 n 형 층 사이에 삽입되어 있다. 다이오드는 기판에 인접한 n 도핑된 재료의 층을 포함한다. 레이저 다이오드는 n 도핑된 층과 p 도핑된 재료의 층 사이에 위치된 활성층을 더 포함한다. n 도핑된 재료의 추가 층은 p 도핑된 재료와 콘택트 사이에 위치되어 있다. 콘택트는 활성 영역내의 정공 및 전자의 재결합을 유도하여 광을 발생시키도록 바이어싱된다. 광은 활성층, p 도핑된 층 및 양 n 도핑된 층을 따라 이동한다. 콘택트와 p 도핑된 층 사이에 n 도핑된 층을 가짐으로써 레이저 다이오드내의 광자 흡수량을 감소시킬 수 있다. 이것은 에너지 효율, 전류 필요 및 레이저 다이오드의 궁극적인 수명을 향상시킨다. 인접한 p 도핑된 층 및 n 도핑된 층은 이러한 층 사이의 접합이 역방향 바이어싱되어 있음에도 불구하고 터널 전류가 흐를 수 있도록 하는 진하게 도핑된 터널 층을 포함한다.