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1. 发明公开

KR1020060070560A 플라스마 처리방법 및 그 장치 无效
标题翻译：等离子体处理方法及其装置
公开(公告)号：KR1020060070560A
公开(公告)日：2006-06-23
申请号：KR1020067005076
申请日：2004-08-30
申请人： 펄 고교 가부시키가이샤
发明人： 사에키노보루
IPC分类号： H05H1/24 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/48 , H05H2001/481
摘要： The amount and area of irradiating excited species onto a surface of an object to be processed can be enlarged; an even irradiation can be performed over the whole surface; and the loss of the effective excited species can be suppressed so as to significantly improve the processing performance and efficiency. A pulse voltage is applied between mutually opposed discharge electrodes (4), thereby causing a corona discharge to occur between the peaks of those discharge electrodes, and the excited species including plasma generated by the corona discharge is irradiated onto the surface of the object to be processed. The discharge electrodes (4) are constituted by a center electrode (11) and two peripheral electrodes (12,13) that are mutually opposed with the center electrode (11) therebetween. A pulse voltage is alternately applied from pulse voltage applying means (16), which is constituted by utilizing an even-multiple voltage rectifying circuit, to the center electrode (11) and two peripheral electrodes (12,13) of the discharge electrodes (4). It is arranged that the corona discharge alternately occur between the center electrode (11) and one of the two peripheral electrodes (12,13).
摘要翻译：可以扩大照射被处理物体表面上的激发物质的量和面积; 可以在整个表面上进行均匀照射; 并且可以抑制有效激发物质的损失，从而显着提高加工性能和效率。在相互相对的放电电极（4）之间施加脉冲电压，从而在这些放电电极的峰之间产生电晕放电，将包含由电晕放电产生的等离子体的激发物质照射到物体的表面上处理。放电电极（4）由与其间的中心电极（11）相对的中心电极（11）和两个外围电极（12,13）构成。从施加了均匀电压整流电路的脉冲电压施加装置（16）向放电电极（4）的中心电极（11）和两个外围电极（12,13）交替施加脉冲电压）。布置成在中心电极（11）和两个周边电极（12,13）中的一个之间交替出现电晕放电。

2. 发明授权

KR100615127B1 고주파 검출 방법 및 고주파 검출 회로 有权
标题翻译：高频检测方法和高频检测电路
公开(公告)号：KR100615127B1
公开(公告)日：2006-08-22
申请号：KR1020047006196
申请日：2002-08-01
申请人： 펄 고교 가부시키가이샤
发明人： 와타나베신이치 , 사에키노보루
IPC分类号： G01R21/01
CPC分类号： G01R21/00 , G01R23/145
摘要： A high frequency detection circuit in accordance with the present invention detects information about a first high frequency power in a high frequency power source device supplying the first high frequency power having a first frequency (f) and a second high frequency power having a second frequency (f1) lower than the first frequency (f) to a load (7). A third high frequency signal (V1) that is a mixed signal of a first high frequency signal having the first frequency (f) and a second high frequency signal having the second frequency (f1) is detected by a directional coupler (12). The third high frequency signal (V1) is converted to a fourth high frequency signal (V1') having a third frequency ( DELTA f) between the first and second frequencies (f, f1) using a heterodyne system. A progressive wave power (Pf) of the first frequency (f) is detected based on the fourth high frequency signal (V1').

3. 发明公开

KR1020040088507A 플라즈마표면처리방법 및 그 장치 失效
标题翻译：等离子体表面处理方法及其装置
公开(公告)号：KR1020040088507A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：KR1020047012880
申请日：2003-09-04
申请人： 펄 고교 가부시키가이샤 , 비비케이 바이오 가부시끼가이샤
发明人： 사에키노보루
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/24 , B01J19/08 , C08J7/00
CPC分类号： H01J37/3266 , H05H1/48 , H05H2001/483
摘要： 에어 등의 분사를 필요로 하지 않고, 피처리물표면에 대한 여기종류의 조사량 및 조사면적을 확대할 수 있음과 동시에 표면전역에 균일하게 조사할 수가 있고, 또한 유효여기종류의 손실도 억제해서 처리성능 및 처리효율의 현저한 향상이 도모되도록 한 것이다.
상호 대향하는 한 쌍의 방전전극(1),(1)에 펄스전압을 인가시키므로서 전극첨단부(1a)(1a)간에 발생되는 코로나방전에 의해 플라즈마를 포함하는 여기종류를 생성시켜 표면처리를 행하는 방법으로서, 방전전극(1),(1)의 첨단부(1a),(1a)의 부근에 영구자석(4), 자성체(5) 및 극편(6)으로 된 자장형성 수단에 의해 자장을 형성시켜 이 자장 중을 운동하는 플라즈마중의 하전입자에 압출 작용하는 로렌츠력으로 여기종류를 피처리물 W의 표면 Wf로 향해서 분사시켜서 표면처리를 행한다.

4. 发明公开

KR1020040048999A 고주파 검출 방법 및 고주파 검출 회로 有权
标题翻译： 고주파검출방법및고주파검출회로
公开(公告)号：KR1020040048999A
公开(公告)日：2004-06-10
申请号：KR1020047006196
申请日：2002-08-01
申请人： 펄 고교 가부시키가이샤
发明人： 와타나베신이치 , 사에키노보루
IPC分类号： G01R21/01
CPC分类号： G01R21/00 , G01R23/145
摘要： 본 발명의 고주파 검출 회로는, 제 1의 주파수(f)를 갖는 제 1의 고주파 전력과 제 1의 주파수(f)보다도 낮은 제 2의 주파수(f1)를 갖는 제 2의 고주파 전력을 하나의 부하(7)에 공급하는 고주파 전원 장치에 있어서 제 1의 고주파 전력에 관한 정보를 검출하는 것으로서, 제 1의 주파수(f)를 갖는 제 1의 고주파 신호와 제 2의 주파수(f1)를 갖는 제 2의 고주파 신호와의 혼합 신호인 제 3의 고주파 신호(V1)를 방향성 결합기(12)에 의해 검출하고, 그 제 3의 고주파 신호(V1)를 헤테로다인 방식을 이용하여 제 1 및 제 2의 주파수(f, f1) 사이의 제 3의 주파수(Δf)를 갖는 제 4의 고주파 신호(VI')로 변환하고, 그 제 4의 고주파 신호(VI')에 의거하여 제 1의 주파수(f)의 진행파 전력(Pf)을 검출한다.
摘要翻译：根据本发明的高频检测电路在提供具有第一频率（f）的第一高频功率和具有第二频率（f）的第二高频功率的高频电源装置中检测关于第一高频功率的信息（ f1）低于所述第一频率（f）。由定向耦合器（12）检测作为具有第一频率（f）的第一高频信号和具有第二频率（f1）的第二高频信号的混合信号的第三高频信号（V1）。使用外差系统将第三高频信号（V1）转换成在第一和第二频率（f，f1）之间具有第三频率（Δf）的第四高频信号（V1'）。基于第四高频信号（V1'）检测第一频率（f）的行波功率（Pf）。＆lt;图像＆GT;

5. 发明授权

KR100980165B1 고주파 전원 장치 및 고주파 전력 공급 방법 有权
标题翻译：高频电源装置和高频供电方式
公开(公告)号：KR100980165B1
公开(公告)日：2010-09-03
申请号：KR1020070119106
申请日：2007-11-21
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드 아시아 , 펄 고교 가부시키가이샤
发明人： 야수노리마에카와 , 타케시나카무라 , 에이이치하야노 , 진유안첸 , 히로시이이즈카
IPC分类号： H02M3/28 , H05H7/02 , H05B7/00 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H05H2001/4645
摘要： 플라즈마 생성에 효과적인 고주파 전력을 정밀하게 단시간에 제어하여 공급할 수 있는 고주파 전원 장치 및 고주파 전력 공급 방법을 제공한다.
플라즈마 처리실(5)로 제1 주파수(f
1 )의 고주파 전력을 공급하는 제1 고주파 전원부(11) 및 제2 주파수(f
2 )(f
1 ＞f
2 )의 고주파 전력을 공급하는 제2 고주파 전원부(71)를 적어도 구비하고, 제1 고주파 전원부(11)에, 제1 주파수의 고주파 전력을 발진시키는 주파수 가변의 제1 고주파 발진부(16)와, 제1 고주파 발진부의 출력을 받아 그 전력을 증폭하는 제1 전력 증폭부(15)와, 반사파를 헤테로다인 검파하는 헤테로다인 검파부(13)와, 헤테로다인 검파부에서 검파된 신호 및 진행파 신호를 수신하고, 제1 고주파 발진부의 발진 주파수 및 제1 전력 증폭부의 출력을 제어하는 제1 제어부(14)를 구비한다.
헤테로다인, 플라즈마, 고주파 전력, 진행파, 검파, 발진, 증폭

6. 发明公开

KR1020080046591A 고주파 전원 장치 및 고주파 전력 공급 방법 有权
标题翻译：高频电源装置和高频供电方法
公开(公告)号：KR1020080046591A
公开(公告)日：2008-05-27
申请号：KR1020070119106
申请日：2007-11-21
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드 아시아 , 펄 고교 가부시키가이샤
发明人： 야수노리마에카와 , 타케시나카무라 , 에이이치하야노 , 진유안첸 , 히로시이이즈카
IPC分类号： H02M3/28 , H05H7/02 , H05B7/00 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H05H2001/4645
摘要： A high frequency power supply device and a method thereof are provided to minimize a semiconductor device by controlling a supply of a high frequency power in a low density plasma. A high frequency power supply device includes a first high frequency power supply unit(11), and a second high frequency power supply unit(71). The first high frequency power unit includes a first high frequency oscillation unit(16), a first power amplifying unit(15), a first directivity coupler(12), a first heterodyne detecting unit(13), and a first control unit(14). The first high frequency oscillation unit of a frequency variable oscillates a high frequency power of a first frequency. The first power amplifying unit receives an output of the first frequency oscillation unit and amplifies the output power. The first directivity coupler receives a reflective wave from a plasma chamber(5) and a propagation wave from the first power amplifying unit. The first heterodyne detection unit performs a heterodyne detection of a reflective signal from the first directivity coupler. The first control unit receives a detected signal from the first heterodyne detection unit and a propagation wave signal from the first directivity coupler. The first control unit controls an oscillation frequency of the first high frequency oscillation unit and an output power of the first power amplifying unit.
摘要翻译：提供一种高频电源装置及其方法，用于通过控制低密度等离子体中的高频功率的供给来最小化半导体装置。高频电源装置包括第一高频电源单元（11）和第二高频电源单元（71）。第一高频功率单元包括第一高频振荡单元（16），第一功率放大单元（15），第一方向性耦合器（12），第一外差检测单元（13）和第一控制单元）。频率可变的第一高频振荡单元振荡第一频率的高频功率。第一功率放大单元接收第一频率振荡单元的输出并放大输出功率。第一方向性耦合器接收来自等离子体室（5）的反射波和来自第一功率放大单元的传播波。第一外差检测单元执行来自第一方向性耦合器的反射信号的外差检测。第一控制单元接收来自第一外差检测单元的检测信号和来自第一方向性耦合器的传播波信号。第一控制单元控制第一高频振荡单元的振荡频率和第一功率放大单元的输出功率。

7. 发明公开

KR1020060111684A 플라스마처리방법 및 그 장치 无效
标题翻译：等离子体处理方法及其系统
公开(公告)号：KR1020060111684A
公开(公告)日：2006-10-27
申请号：KR1020067015897
申请日：2004-08-30
申请人： 펄 고교 가부시키가이샤
发明人： 사에키노보루
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/46 , H01L21/3065 , C08J7/00
CPC分类号： B01J19/088 , B01J2219/0809 , B01J2219/0828 , B01J2219/083 , B01J2219/0841 , B01J2219/0849 , B01J2219/0879 , H05H1/48 , H05H2001/481
摘要： Plasma processing method and system in which the irradiation quantity and irradiation area of an exciting species can be enlarged for the surface of an article to be processed, and the entire surface can be irradiated uniformly while enhancing the processing performance and efficiency significantly by suppressing loss of effective exciting species. Corona discharge is generated between the pointed end parts of discharge electrodes (4) disposed oppositely by applying a pulse voltage between them, and the surface of the article is processed by irradiating with an exciting species containing plasma generated by the corona discharge. A plurality of discharge units (13) each having a first electrode (11) and a second electrode (12) disposed oppositely are provided. One of the secondary-side terminals of a transformer (15) is connected with the first electrodes (11) of the plurality of discharge units (13) and the other of the secondary terminals of the transformer (15) is connected with the second electrodes (12) of the plurality of discharge units (13) through rectifiers so that corona discharge is generated alternately from the plurality of discharge units (13).
摘要翻译：等离子体处理方法和系统，其中激光物质的照射量和照射面积可以扩大到待处理物品的表面，并且可以均匀地照射整个表面，同时通过抑制损失来显着地提高处理性能和效率有效的刺激物种。通过在它们之间施加脉冲电压而相对设置的放电电极（4）的尖端部分之间产生电晕放电，并且通过照射由电晕放电产生的含有等离子体的激发物质来处理物品的表面。设置有相对设置的具有第一电极（11）和第二电极（12）的多个放电单元（13）。变压器（15）的二次侧端子之一与多个放电单元（13）的第一电极（11）连接，变压器（15）的另一个次级端子与第二电极通过整流器将所述多个放电单元（13）中的电极（12）交替地从所述多个放电单元（13）产生电晕放电。

8. 发明授权

KR100661197B1 플라즈마표면처리방법 및 그 장치 失效
标题翻译：等离子体表面处理方法及其设备
公开(公告)号：KR100661197B1
公开(公告)日：2006-12-22
申请号：KR1020047012880
申请日：2003-09-04
申请人： 펄 고교 가부시키가이샤 , 비비케이 바이오 가부시끼가이샤
发明人： 사에키노보루
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/24 , B01J19/08 , C08J7/00
CPC分类号： H01J37/3266 , H05H1/48 , H05H2001/483
摘要： 에어 등의 분사를 필요로 하지 않고, 피처리물표면에 대한 여기종류의 조사량 및 조사면적을 확대할 수 있음과 동시에 표면전역에 균일하게 조사할 수가 있고, 또한 유효여기종류의 손실도 억제해서 처리성능 및 처리효율의 현저한 향상이 도모되도록 한 것이다.
상호 대향하는 한 쌍의 방전전극(1),(1)에 펄스전압을 인가시키므로서 전극첨단부(1a)(1a)간에 발생되는 코로나방전에 의해 플라즈마를 포함하는 여기종류를 생성시켜 표면처리를 행하는 방법으로서, 방전전극(1),(1)의 첨단부(1a),(1a)의 부근에 영구자석(4), 자성체(5) 및 극편(6)으로 된 자장형성 수단에 의해 자장을 형성시켜 이 자장 중을 운동하는 플라즈마중의 하전입자에 압출 작용하는 로렌츠력으로 여기종류를 피처리물 W의 표면 Wf로 향해서 분사시켜서 표면처리를 행한다.

9. 发明公开

KR1020060103908A 플라스마 방전장치 无效
标题翻译：等离子体放电
公开(公告)号：KR1020060103908A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020067010781
申请日：2004-08-31
申请人： 펄 고교 가부시키가이샤 , 비비케이 바이오 가부시끼가이샤
发明人： 사에키노보루 , 미요시테루카즈
IPC分类号： H05H1/24
CPC分类号： H05H1/48 , H05H2001/483 , H05H2245/1225
摘要： A plasma discharger in which a uniform energy distribution can be obtained over a wide range even for a rotating disc-like workpiece. In a plasma discharger where corona discharge is generated between a pair of rod-like discharge electrodes (6, 7) by applying a pulse voltage between them and the surface of a workpiece (W) is irradiated with an exciting species containing plasma generated by corona discharge, the pair of discharge electrodes (6, 7) are formed asymmetrically and one discharge electrode (6) is formed into substantially doglegged-shape. Pointed end part (6a) of the discharge electrode (6) is located at the outer circumferential part of the disc- like workpiece (W) being processed while being rotated. The bent base end part of the other discharge electrode (7) formed into substantially V- shape is located at the central part of rotation of the disc-like workpiece (W) being processed while being rotated. The pointed end part (6a) of one discharge electrode (6) and the pointed end part (7a) of the other discharge electrode (7) are located at different phase heights on the axis along the ejecting direction of plasma.
摘要翻译：即使对于旋转的盘状工件也能够在宽范围内获得均匀的能量分布的等离子体放电器。在通过在它们之间施加脉冲电压和工件表面（W）之间在一对棒状放电电极（6,7）之间产生电晕放电的等离子体放电器中，照射由电晕产生的含有等离子体的激发物质放电时，一对放电电极（6,7）形成为非对称的，一个放电电极（6）形成为大致笨拙的形状。放电电极（6）的点端部（6a）位于盘状工件（W）的外周部，同时进行转动。形成为大致V形的另一个放电电极（7）的弯曲的基端部位于被旋转时被处理的盘状工件（W）的旋转中心部分。一个放电电极（6）的尖端部分（6a）和另一个放电电极（7）的尖端部分（7a）沿着等离子体的喷射方向位于不同的相位高度。

10. 发明授权

KR100588944B1 반도체 플라즈마 처리 장치용 정합기 失效
标题翻译：半导体等离子体加工设备匹配单元
公开(公告)号：KR100588944B1
公开(公告)日：2006-06-09
申请号：KR1020040046431
申请日：2004-06-22
申请人： 펄 고교 가부시키가이샤
发明人： 야마기시에츠오 , 사토유키오 , 후카다타쿠 , 타카하시카츠미
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32183
摘要： 정합기(3O)는 챔버(10) 내에 마련된 전극(12)에 급전 선로(14)를 통하여 고주파 전력을 공급하는 반도체 플라즈마 처리 장치에 이용되는 것으로, 제 1 및 제 2의 가변 용량 컨덴서(22, 23)와, 제 2의 가변 용량 컨덴서(23)의 전극과 급전 선로(14)의 내부 도체(16)의 단부와의 사이에 접속된 동판(31 내지 33) 등으로 구성된 고주파선로를 구비한 것이다. 고주파선로 및 급전 선로(14)는, 고주파 전압의 2분의N(단, N은 자연수) 파장분만큼 위상을 지연시킨다. 따라서 제 2의 가변 용량 컨덴서(23)의 전극과 챔버(10) 내의 전극(12)을 직접 접속한 것과 같은 상태를 실현할 수 있고, 용이하게 정합을 취하는 것이 가능하다.
정합기, 컨덴서

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