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81. 发明公开

KR1020090036505A 모노리식 반도체 레이저의 제조방법 失效
标题翻译：制造单晶半导体激光的方法
公开(公告)号：KR1020090036505A
公开(公告)日：2009-04-14
申请号：KR1020080055560
申请日：2008-06-13
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 카사이노부유키
IPC分类号： H01S3/0941 , H01S5/00
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/2081 , H01S5/22 , H01S5/4087
摘要： A method for manufacturing a monolithic semiconductor laser is provided to improve reliability by controlling the thickness of an epitaxial layer on an active layer with high precision. A lower clad layer(12), a first active layer(13), a first upper clad layer(14), a first etching stopper layer(15), a second upper clad layer(16), and a first contact layer(17) of a first semiconductor laser are formed on a semiconductor substrate(10). A second lower clad layer(22), a second active layer(23), a third upper clad layer(24), a second etching stopper layer(25), a fourth upper clad layer(26) and a second contact layer(27) of a second semiconductor laser are formed on the semiconductor substrate. A total of the thickness of a fourth upper clad layer and a second contact layer is smaller than the total of the thickness of the second upper clad layer and the first contact layer. A first ridge(32) and a second ridge(33) are formed in the second upper clad layer and the first contact layer, and the fourth upper clad layer and the second contact layer at the same time. The second upper clad layer on the first etching stopper layer is selectively removed.
摘要翻译：提供一种用于制造单片半导体激光器的方法，以通过以高精度控制有源层上的外延层的厚度来提高可靠性。下包层（12），第一有源层（13），第一上覆层（14），第一蚀刻阻挡层（15），第二上覆层（16）和第一接触层）形成在半导体衬底（10）上。第二下包层（22），第二有源层（23），第三上包层（24），第二蚀刻阻挡层（25），第四上覆层（26）和第二接触层（27））形成在半导体衬底上。第四上覆层和第二接触层的厚度的总和小于第二上覆层和第一接触层的厚度的总和。同时在第二上包覆层和第一接触层以及第四上覆层和第二接触层中形成第一脊（32）和第二脊（33）。选择性地去除第一蚀刻停止层上的第二上包层。

82. 发明公开

KR1020090036217A 나노 패턴들을 갖는 레이저 다이오드 및 그것을 제조하는방법 有权
标题翻译：具有纳米图案的激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090036217A
公开(公告)日：2009-04-14
申请号：KR1020070101262
申请日：2007-10-09
申请人： 서울바이오시스 주식회사 , 토쿠시마 대학
发明人： 사카이,시로
IPC分类号： H01S3/0941 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/12 , H01S5/34333 , Y10S977/72
摘要： A laser diode having nano patterns thereon and method of fabricating the same is provided to realize a single mode laser with a single wave by arranging a nono pattern of a pillar shape periodically. A first conductivity type clad layer(35) is positioned on a substrate(21), and a second conductive clad layer(41) is positioned on the first conductivity type clad layer. An active layer(37) is inserted between the first and the second clad layer. The nano pattern(42) has the pillar shape and is periodically arranged on the surface of the second conductive clad layer.
摘要翻译：提供其上具有纳米图案的激光二极管及其制造方法，以周期性地布置柱形的非图形来实现具有单一波的单模激光器。第一导电型覆盖层（35）位于基板（21）上，第二导电覆盖层（41）位于第一导电型覆盖层上。有源层（37）插入在第一和第二覆层之间。纳米图案（42）具有柱状并且周期性地布置在第二导电包层的表面上。

83. 发明授权

KR100891270B1 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：氮化物半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：KR100891270B1
公开(公告)日：2009-04-06
申请号：KR1020027016074
申请日：2002-03-27
申请人： 소니 주식회사
发明人： 코바야시토시마사 , 야나시마카츠노리 , 야마구치타카시 , 나카지마히로시
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/02
CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L31/1852 , H01L33/007 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S2304/12 , Y02E10/544
摘要： 신뢰성이 높고, 또한 소자 설계 및 제작의 자유도가 큰 구성을 구비한 질화물 반도체 소자를 제공한다. 사파이어 기판(10) 상에 형성되어, 마스크(l2)를 한쪽 측면에 갖는 종 결정부(l1)와, 사파이어 기판(10) 상 및 종 결정부(11) 상에 가로 방향 성장법에 의해 성장시킨 GaN층(15)으로 구성되어 있다. GaN층(15)은 종 결정부(11)의 마스크(12)로 덮여 있지 않은 노출된 측면에서만 성장하기 때문에, 그 가로 방향 성장이 비대칭으로 진행한다. 그것에 의해, 회합부(32)는 종 결정부(11)와 마스크(12)와의 경계 부근에서 GaN층(l5)의 두께 방향으로 형성된다. 따라서, 회합부(32)가 이웃하는 종 결정부(11)간의 중심에서 기판 표면에 평행한 방향의 편심된 위치에 형성되어 있기 때문에, 종래의 구조에 비하여, 가로 방향 성장 영역의 폭(W
L )이 종 결정부(11)의 피치(W
p )에 대하여 넓어진다.
질화물 화합물 반도체, 레이저 스트라이프부, 결정층, 가로 방향 성장 영역

84. 发明授权

KR100889052B1 반도체 발광소자의 제조방법, 반도체발광소자,반도체소자의 제조방법, 반도체소자, 소자의 제조방법 및소자 有权
标题翻译： 반체발광발광소소법법반반반반，，，，반반반법법법법법법반반및및및및및및및및및및및및및및및및및및
公开(公告)号：KR100889052B1
公开(公告)日：2009-03-20
申请号：KR1020077021452
申请日：2002-10-03
申请人： 소니 주식회사 , 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤
发明人： 아사츠마츠네노리 , 도미야시게타카 , 다마무라고시 , 도조츠요시 , 고토오사무 , 모토키겐사쿠
IPC分类号： H01L33/16 , H01S5/343 , H01L33/30
CPC分类号： C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
摘要： 제 1 평균전위밀도를 가지는 결정으로 이루어지는 제 1 영역 내에 제 1 평균전위밀도보다 높은 제 2 평균전위밀도를 가지는 복수의 제 2 영역이 규칙적으로 배열되어 있는 질화물계 III-V족 화합물 반도체기판상에 발광소자 또는 소자구조를 형성하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체층을 성장시킴으로써 반도체 발광소자 또는 반도체소자를 제조할 때, 제 2 영역이 실질적으로 포함되지 않도록 질화물계 III-V족 화합물 반도체기판상에 소자영역을 획정(劃定)하거나, 발광영역 혹은 활성영역에 제 2 영역이 실질적으로 포함되지 않도록 한다.
摘要翻译：当通过生长氮化物III-V化合物半导体层（其将形成发光器件结构或器件结构）制造半导体发光器件或半导体器件时，在氮化物III-V族化合物半导体衬底上形成第一区域具有第一平均位错密度的晶体的形式和具有高于第一平均位错密度的第二平均位错密度并且在第一区域中周期性排列的多个第二区域中，在氮化物III-V族化合物半导体衬底上限定器件区域使得器件区域基本上不包括第二区域，最终获得的器件的发射区域或有源区域不包括第二区域。＆lt;图像＆GT;

85. 发明公开

KR1020080109598A 레이저 다이오드 칩 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：激光二极管芯片及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080109598A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：KR1020080034237
申请日：2008-04-14
申请人： 우시오덴키 가부시키가이샤
发明人： 이마이유지
IPC分类号： H01S3/0941
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S5/4087
摘要： A laser diode chip improving luminous intensity and efficiency and manufacturing method thereof are provided to increase yield by omitting a precision layer thickness control. A laser diode chip improving luminous intensity and efficiency comprises a substrate(11), a first clad layer(14), an active layer(15), a second clad layer(16), and a current restriction layer(22). The first clad layer, the active layer, and the second clad layer are laminated on the substrate. The first clad layer is made of one from among an n-type AlGaAs, an n-type AlGaInP, and an n-type AlGaN. The active layer is made of one from among an AlGaAs, a GaInP, and a GaInN. The second clad layer is made of one from among a p-type AlGaAs, a p-type AlGaInP, and a p-type AlGaN. The current restriction layer is positioned inside a plurality of recesses parallelly formed in an upper side of the second clad layer.
摘要翻译：提供了提高发光强度和效率的激光二极管芯片及其制造方法，以通过省略精密层厚度控制来提高产量。提高发光强度和效率的激光二极管芯片包括基板（11），第一覆层（14），有源层（15），第二覆层（16）和电流限制层（22）。第一覆盖层，有源层和第二覆盖层层叠在基板上。第一包层由n型AlGaAs，n型AlGaInP和n型AlGaN中的一种构成。有源层由AlGaAs，GaInP和GaInN中的一种制成。第二覆层由p型AlGaAs，p型AlGaInP和p型AlGaN中的一种构成。当前的限制层位于平行地形成在第二包层的上侧的多个凹部内。

86. 发明公开

KR1020080091604A 반도체 웨이퍼 및 그 절단방법 有权
标题翻译：半导体波形及其切割方法
公开(公告)号：KR1020080091604A
公开(公告)日：2008-10-14
申请号：KR1020070034642
申请日：2007-04-09
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 엄기영
IPC分类号： H01L21/78
CPC分类号： H01S5/0201 , H01L21/78 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01S5/0202 , H01S5/22 , H01S5/32341
摘要： A semiconductor wafer and a cutting method thereof are provided to release mechanical impact transferred to ridges by forming posts between the ridges along a ridge line. A semiconductor wafer comprises a substrate(31), a metal electrode(32), a ridge(33), and a post(34). A nitride based compound semiconductor is grown on the substrate. The metal electrode injects electric current to a laser diode on the substrate. The ridge projects laser lights. The post is installed between the ridge lines. The post is formed higher than ridge. The posts are installed alternately along a cleaving line(35).
摘要翻译：提供半导体晶片及其切割方法以通过沿脊线在脊之间形成柱而释放转移到脊的机械冲击。半导体晶片包括基板（31），金属电极（32），脊（33）和柱（34）。在基板上生长氮化物基化合物半导体。金属电极将电流注入基板上的激光二极管。山脊投射激光灯。该柱安装在脊线之间。该柱形成高于脊。柱沿切割线（35）交替安装。

87. 发明公开

KR1020080086905A 반도체 발광 소자, Ⅲ족 질화물 반도체 기판, 및 그 제조방법 无效
标题翻译：半导体发光元件，III族氮化物半导体基板及其制造这种III族氮化物半导体基板的方法
公开(公告)号：KR1020080086905A
公开(公告)日：2008-09-26
申请号：KR1020087017892
申请日：2007-01-19
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 미네모토히사시 , 기타오카야스오 , 가와구치야스토시 , 다카하시야스히토 , 하세가와요시아키
IPC分类号： H01L33/30
CPC分类号： H01S5/32341 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0206 , H01S5/22 , H01S5/305
摘要： In a semiconductor light emitting element using a group III nitride semiconductor substrate, a dopant species of the substrate and the concentration of the dopant species are controlled, and the semiconductor light emitting element having excellent light extracting characteristics is obtained. The semiconductor light emitting element is provided with the substrate composed of a group III nitride semiconductor including germanium (Ge) as dopant; an n-type semiconductor layer which is arranged on the substrate and is composed of a group III nitride semiconductor; and a p-type semiconductor layer which is arranged on an active layer and is composed of the group III nitride semiconductor. The concentration of the germanium (Ge) in the substrate is 2x1017-2x1019cm-3. The substrate is manufactured by using a melt including at least a group III element, an alkaline metal or an alkaline earth metal, germanium (Ge) and nitrogen, under an atmosphere including nitrogen.
摘要翻译：在使用III族氮化物半导体衬底的半导体发光元件中，控制衬底的掺杂剂种类和掺杂剂种类的浓度，并且获得具有优异的光提取特性的半导体发光元件。半导体发光元件设置有由包含锗（Ge）作为掺杂剂的III族氮化物半导体构成的衬底; n型半导体层，其配置在基板上，由III族氮化物半导体构成; 以及配置在有源层上并由III族氮化物半导体构成的p型半导体层。基底中锗（Ge）的浓度为2×10 17 -2×10 19 cm -3。通过使用包含至少III族元素，碱金属或碱土金属，锗（Ge）和氮的熔体在包括氮的气氛下制造基板。

88. 发明公开

KR1020080079217A 질화물 반도체 레이저 소자 有权
标题翻译：氮化物半导体激光器件
公开(公告)号：KR1020080079217A
公开(公告)日：2008-08-29
申请号：KR1020080016891
申请日：2008-02-25
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 미찌우에아쯔오 , 모리즈미도모노리 , 다까하시히로아끼
IPC分类号： H01S5/14
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0267 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0283 , H01S5/2201 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要： A nitride semiconductor laser device is provided to prevent a nitride semiconductor and a protection layer from being cracked by forming a first protection layer on an active layer of a resonant surface. A nitride semiconductor laser device includes a nitride semiconductor layer and a first protection layer. The nitride semiconductor layer has a first nitride semiconductor layer(11), an active layer(12) and a second nitride semiconductor layer(13). The first protection layer comes in contact with a resonant surface of the nitride semiconductor layer. The first protection layer which comes in contact with the active layer of the resonant surface has a thinner region than the maximum layer of the first protection layer. A ridge(14) is formed on one surface of the second nitride semiconductor layer.
摘要翻译：提供一种氮化物半导体激光器件，用于通过在谐振表面的有源层上形成第一保护层来防止氮化物半导体和保护层破裂。氮化物半导体激光器件包括氮化物半导体层和第一保护层。氮化物半导体层具有第一氮化物半导体层（11），有源层（12）和第二氮化物半导体层（13）。第一保护层与氮化物半导体层的谐振表面接触。与谐振表面的有源层接触的第一保护层具有比第一保护层的最大层更薄的区域。在第二氮化物半导体层的一个表面上形成脊（14）。

89. 发明授权

KR100829562B1 기판 접합 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그제조방법 失效
标题翻译：具有晶片结合结构的半导体激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100829562B1
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020060081173
申请日：2006-08-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김규상 , 하경호
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S2301/173 , H01S2304/12
摘要： 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법이 개시된다.
개시된 반도체 레이저 다이오드는, 기판에 적층되며 광이 발진되는 제1반도체층과; 발진된 광을 가이드하는 제2반도체층;을 포함하며, 제1 및 제2반도체층은 기판 접합된 것으로서, 제1기판상에 광이 발진되는 제1반도체층을 형성하는 단계와; 제2기판상에 광을 가이드하는 제2반도체층을 형성하는 단계와; 제1 및 제2반도체층을 기판 접합하는 단계와; 제2기판을 제거하는 단계;를 포함한다.
상기와 같은 방법에 의하여, 상기 제1반도체층의 성장조건과 상이한 제2반도체층을 별도의 제2기판에서 성장시킨 후 접합함으로써, 보다 안정적으로 반도체 레이저 다이오드를 제조할 수 있다.

90. 发明公开

KR1020080039058A 반도체 발광 소자의 제조방법 失效
标题翻译：半导体发光元件的制造方法
公开(公告)号：KR1020080039058A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：KR1020060106727
申请日：2006-10-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 성연준 , 채수희 , 장태훈 , 김규상
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/22 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/32341
摘要： A method of manufacturing a semiconductor LED device is provided to form a cleaving plan of good quality and realize good heat distribution capability through a substrate and ohmic junction by forming an uneven plane at the bottom surface of a substrate. A light emitting structure(100) is formed on a substrate by stacking a first material layer, an active layer and a second material layer. At the lower surface of the substrate, an uneven plane is formed at a region except for a cleaving region for forming a cleaving plane. An n-electrode is formed at the uneven region. The uneven plane is formed at the region excluding the cleaving region, and a separation region which is formed vertical to the cleaving region.
摘要翻译：提供一种半导体LED器件的制造方法，通过在基板的底面形成不平坦的平面，形成质量好的切割图，通过基板和欧姆结实现良好的散热能力。通过层叠第一材料层，有源层和第二材料层，在基板上形成发光结构（100）。在基板的下表面，在除了用于形成切割面的切割区域之外的区域上形成不平坦的平面。在不平坦区域形成n电极。不平坦的平面形成在除了分裂区域之外的区域，以及垂直于切割区域形成的分离区域。

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