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81. 发明公开

KR1020100010324A 공핍형 접합형 전계효과 트랜지스터 보호회로 및 이를 이용한 전원장치 有权
标题翻译：正常（保护模式）JFET和电源设备的保护电路
公开(公告)号：KR1020100010324A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：KR1020080071249
申请日：2008-07-22
申请人： 한국전기연구원
发明人： 강인호 , 김남균 , 김상철 , 방욱 , 주성재
IPC分类号： H02M3/28 , H02M1/32
摘要： PURPOSE: A circuit for protecting a depletion JEFT(Junction Field Effect Transistor) and a power supply unit using the same are provided to generate a negative voltage for switching operation of JFET by including a regulator. CONSTITUTION: A filter(310) remove a noise element of an input AC power(300). A bridge diode(320) rectifies an AC signal to a DC voltage. Two DC link capacitors(330,340) are charged with the DC voltage. A regulator protects the JFET from a rush current. The regulator generates the negative voltage for driving the JFET. A gate control signal generator generates a control signal for switching the JFET.
摘要翻译：目的：提供用于保护耗尽JEFT（结型场效应晶体管）和使用其的电源单元的电路，以通过包括调节器来产生JFET的开关操作的负电压。构成：滤波器（310）去除输入交流电源（300）的噪声元件。桥式二极管（320）将AC信号整流为DC电压。两个直流链路电容器（330,340）用直流电压充电。稳压器保护JFET不受冲击电流的影响。调节器产生用于驱动JFET的负电压。门控制信号发生器产生用于切换JFET的控制信号。

82. 发明公开

KR1020090113964A 고전압 쇼트키장벽 다이오드의 제조방법 无效
标题翻译：高压肖特基二极管的制造方法
公开(公告)号：KR1020090113964A
公开(公告)日：2009-11-03
申请号：KR1020080039693
申请日：2008-04-29
申请人： 한국전기연구원
发明人： 강인호 , 김남균 , 김상철 , 방욱 , 주성재
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/872
摘要： PURPOSE: A fabrication method of a high voltage Schottky diode is provided to reduce the mask pattern forming for the ion implantation and mask removal process by forming simultaneously the junction length wall area and termination structure area. CONSTITUTION: The low concentration thin film layer(220) is formed on the substrate(210). The anode electrode(250) is formed at the upper part of the low concentration thin film layer. The P-type guard ring disperses the high electric field. The p-type grid(240) for forming the junction barrier area for protecting a device from the surge is formed to decrease the leakage current. The cathode electrode(200) is formed. The interval of the P-type guard ring is 1~3um.
摘要翻译：目的：提供高电压肖特基二极管的制造方法，通过同时形成接合长度壁面积和端接结构面积来减少用于离子注入和掩模去除过程的掩模图案形成。构成：在基板（210）上形成低浓度薄膜层（220）。阳极电极（250）形成在低浓度薄膜层的上部。 P型保护环分散高电场。形成用于形成用于保护装置免于浪涌的结阻挡区域的p型格栅（240），以减小漏电流。形成阴极电极（200）。 P型保护环的间隔为1〜3um。

83. 发明授权

KR100780276B1 전력선 통신 모뎀용 절전관리 시스템 有权
标题翻译： PLC调制解调器电源管理系统
公开(公告)号：KR100780276B1
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：KR1020050131113
申请日：2005-12-28
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김기현 , 김남균 , 김상철 , 서길수 , 방욱 , 강인호 , 김형우
IPC分类号： H04B3/54 , H04L12/24
CPC分类号： H04L12/12 , H04B3/542 , H04L2012/2843 , Y02D50/20 , Y02D50/40
摘要： 본 발명에 따른 전력선 통신 모뎀용 절전관리 시스템은, 캐리어 주파수를 전원주파수 또는 노이즈와 분리하기 위한 중간주파수 추출부(112)와, 전원주파수 또는 잡음신호와 분리된 통신신호의 데이터 유무를 판별하기 위한 비교기(114)를 포함하여 상기 전력선통신 모뎀과 연결된 전력선 내의 데이터 신호를 추출하여 유효 데이터 유무를 판별하기 위한 신호판단부(110)와; 상기 전력선통신 모뎀(150)이 수신된 데이터의 명령어를 해석하기 위한 특정시간 동안 신호를 유지하기 위해 D-플립플롭과 클럭 제어블럭으로 이루어진 신호유지부(122)와, 전력선통신 모뎀(150)의 상태와 수신된 신호에 의해 상기 스위치부(130)를 제어하기 위한 스위치 제어블럭(124)을 포함하여 상기 신호판단부(110)에 의한 신호 유무 판별에 따라 온/오프 제어신호를 스위치 소자로 전달하는 스위치 제어부(120); 및 상기 스위치 제어부(120)의 제어신호에 따라 상기 전력선통신 모뎀(150) 또는 절전관리 시스템 자체로 전원을 공급 또는 차단하기 위해 스위치 온/오프 동작하는 스위치부(130)를 포함하여 구성된다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 전력선통신 모뎀이 동작하지 않는 신호대기 시에는 전력선통신 모뎀으로의 전원공급을 차단하고, 이때의 전력선 내의 신호유무 판단은 절전관리 시스템에서 담당하도록 되어 있으므로, 신호유무 판단에 필요한 최소한의 전력만을 소모함으로써 전체적인 전력소모량을 줄일 수 있는 장점이 있다.
전력선통신, 모뎀, 절전

84. 发明公开

KR1020070105028A 영상신호 처리장치 无效
标题翻译：用于处理图像信号的装置
公开(公告)号：KR1020070105028A
公开(公告)日：2007-10-30
申请号：KR1020060036959
申请日：2006-04-25
申请人： 한국전기연구원
发明人： 강인호 , 김남균 , 김상철 , 서길수 , 방욱 , 김형우 , 김기현
IPC分类号： G06T1/00 , H04N5/225 , H04N5/20
CPC分类号： H04N5/2353 , G06T5/007 , G06T7/30 , G06T7/41
摘要： An apparatus for processing an image signal is provided to obtain plural images having different gains with respect to the same subject, divide the images into plural areas, measure image information with respect to the same area of each image, select only an area having largest image information and synthesize the areas, thereby providing a large dynamic area. An imaging device(310) photographs an arbitrary object and provides an image signal corresponding to the photographed object. A timing generator(320) adjusts an exposure time of the imaging device. A first frame memory(330) stores an initial image signal photographed by the imaging device. A second frame memory(340) stores an image signal newly photographed by the imaging device for the exposure time adjusted by the timing generator. A histogram/entropy calculator(350) calculates a histogram, cumulative density function and image information(entropy) of each block after dividing the image, stored in the first and second frame memories, into blocks. An exposure/gain controller(360) compares entropies of each block obtained by the histogram/entropy calculator and calculates an exposure time. A demultiplexer(370) separately distributes an initial image signal obtained by the imaging device and an image signal after the exposure time adjustment to the first and second frame memories. A mixing unit(380) mixes the images stored in the first and second memories so that image information can be maximized.
摘要翻译：提供一种用于处理图像信号的装置以获得相对于相同被摄体具有不同增益的多个图像，将图像分割成多个区域，测量相对于每个图像的相同区域的图像信息，仅选择具有最大图像的区域信息和综合领域，从而提供了一个很大的动态区域。成像装置（310）拍摄任意对象并提供与拍摄对象相对应的图像信号。定时发生器（320）调整成像装置的曝光时间。第一帧存储器（330）存储由成像装置拍摄的初始图像信号。第二帧存储器（340）存储由成像装置新拍摄的用于由定时发生器调整的曝光时间的图像信号。直方图/熵计算器（350）将存储在第一和第二帧存储器中的图像划分成块后，计算每个块的直方图，累积密度函数和图像信息（熵）。曝光/增益控制器（360）比较由直方图/熵计算器获得的每个块的熵，并计算曝光时间。解复用器（370）将由成像装置获得的初始图像信号和曝光时间调整后的图像信号分别分配给第一和第二帧存储器。混合单元（380）将存储在第一和第二存储器中的图像混合，使得图像信息能够被最大化。

85. 发明授权

KR100708307B1 전력반도체 소자의 온도 모니터링 시스템 및 그 방법 失效
标题翻译：功率半导体器件的温度监测系统和方法
公开(公告)号：KR100708307B1
公开(公告)日：2007-04-17
申请号：KR1020050117581
申请日：2005-12-05
申请人： 한국전기연구원
发明人： 최낙권 , 서길수 , 김기현 , 강인호 , 방욱 , 김형우 , 김상철 , 김남균
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 본 발명은 전력반도체 소자의 온도 모니터링 시스템에 관한 발명으로, 모니터링의 대상이 되는 전력 반도체; 전력 반도체의 드레인과 소스 사이의 전압을 검출하는 V
ds 검출부; 아날로그-디지털변환기로 형성되는 것으로, 상기 V
ds 로부터 전력 반도체 자체의 온도를 측정하고, 과열을 방지하기 위해 전력 반도체를 제어하기 위한 신호를 발생하는 주 제어부; 및 상기 주 제어부에서 측정된 상기 전력 반도체의 온도를 표시하는 표시부를 포함하고, 그 온도 모니터링 방법으로서, 전력 반도체의 드레인단과 소스단사이의 전압을 직접 검출하는 단계; 상기 검출된 전압으로부터 전력 반도체의 온도를 산출하고, 과열을 방지하기 위해 전력 반도체를 제어하기 위한 아날로그신호를 디지털신호로 변환하여 신호를 발생하는 주 제어단계; 상기 산출된 온도를 표시하는 단계를 포함한다.
이와 같은 본 발명에 따른 전력 반도체의 온도 모니터링 시스템 및 그 방법을 제공하면, 보호온도를 사용자에 맞게 설정할 수 있으며, 다양한 용량에 사용가능하고 다양한 기능을 용이하게 추가 할 수 있을 뿐 아니라, 별도의 센서가 필요 없으며 다양한 전력 반도체 소자에 대하여 적용 가능하다.
전력반도체, 드레인, 소스, 게이트, MOSFET, A/D 변환기, Voltage Follower, 온도 모니터링 시스템
摘要翻译：本发明涉及一种用于功率半导体器件的温度监测系统，包括：要被监测的功率半导体; V，用于检测功率半导体的漏极和源极之间的电压

86. 发明授权

KR100665883B1 자체 신호를 이용한 전력반도체의 온도검지회로 失效
标题翻译：使用其特征信号检测功率半导体的温度的电路
公开(公告)号：KR100665883B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050002033
申请日：2005-01-10
申请人： 한국전기연구원
发明人： 서길수 , 김남균 , 김상철 , 김기현 , 방욱 , 김형우 , 김은동
IPC分类号： G11C11/21
摘要： 본 발명에 따른 자체 신호를 이용한 전력반도체의 온도검지회로는, 검지 대상의 임의의 전력반도체의 드레인 및 소스 단자와 전기적으로 각각 접속되며, 온도에 따른 전력반도체의 드레인-소스간 전압변동을 검출하기 위한 드레인-소스간 전압(Vds) 검출부; 상기 전력반도체의 소스 단자와 전기적으로 접속되며, 전력반도체의 보호 온도설정을 위한 기준전압 발생부; 상기 드레인-소스간 전압 검출부 및 기준전압 발생부와 전기적으로 각각 접속되며, 드레인-소스간 전압 검출부에 의해 검출된 전압변동값과 기준전압 발생부에 의해 발생된 기준전압과의 비교를 위한 비교부; 및 상기 전력반도체의 게이트 단자와 전기적으로 접속되며, 전력반도체의 안정적인 동작을 위하여 전력반도체의 게이트 신호를 일정시간 지연시켜 비교하도록 하는 지연회로부를 포함하여 구성된다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 온도를 검출하기 위한 별도의 센서를 부착하지 않고 과열 보호기능을 첨가할 수 있고, 접지측 영향을 제거함으로써 전도 노이즈로 인한 오동작을 방지할 수 있으며, IPM의 스위칭 동작시 발생하는 스위칭 노이즈에 영향을 받지 않고 안정적으로 동작할 수 있다.
전력반도체, 온도검지

87. 发明授权

KR100662803B1 사이리스터의 정전용량 측정장치 및 그를 이용한사이리스터의 순,역방향 차단전압(절연내력) 예측방법 失效
标题翻译： 사이리스터의정전용량측정장치및그를이용한사이리스터의순，역방향차단전압（절연내력）예측방
公开(公告)号：KR100662803B1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：KR1020050121468
申请日：2005-12-12
申请人： 한국전기연구원
发明人： 서길수 , 김형우 , 김상철 , 김기현 , 방욱 , 강인호 , 김남균
IPC分类号： G01R27/26 , G01R31/12
摘要： An apparatus for measuring capacitance of a thyristor and an estimating method of forward and reverse breaking voltage of the thyristor using the same are provided to diagnose lifetime or reliability of the thyristor by periodically checking the capacitance of the thyristor. A thyristor is seated on a jig(110). An LCR meter(120) is electrically connected to the thyristor to measure capacitance of the thyristor. A bias coupler(130) is interposed between the thyristor and the LCR meter. A high-voltage supply device is electrically connected to the bias coupler. A data converter(150) is electrically connected to a load cell installed in the jig to convert an electric signal into a digital signal. A main controller(160) is electrically connected to the LCR meter, the high-voltage supply device, and the data converter.
摘要翻译：提供一种用于测量晶闸管的电容的设备和使用该设备的晶闸管的正向和反向开断电压的估计方法，以通过周期性地检查晶闸管的电容来诊断晶闸管的寿命或可靠性。晶闸管坐在夹具（110）上。 LCR仪表（120）电连接到晶闸管以测量晶闸管的电容。偏置耦合器（130）插入在晶闸管和LCR测量仪之间。高压供电装置电连接到偏置耦合器。数据转换器（150）电连接到安装在夹具中的测力传感器，以将电信号转换为数字信号。主控制器（160）电连接到LCR仪表，高压供电装置和数据转换器。

88. 发明公开

KR1020060081477A 이중산화막을 갖는 고내압 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有双氧化层的高压SIC肖特基二极管器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060081477A
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1020050001813
申请日：2005-01-07
申请人： 한국전기연구원
发明人： 방욱 , 김상철 , 김남균 , 김형우 , 서길수 , 김기현 , 김은동
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/408 , H01L29/1608 , H01L29/66143 , H01L29/872
摘要： 본 발명에 따른 이중산화막을 갖는 고내압 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자는, 고농도 n형 탄화규소 기판과, 그 탄화규소 기판 위에 적층 형성되는 저농도 n형 탄화규소 에피탁시층과, 그 탄화규소 에피탁시층 위에 적층 형성되는 화학기상증착 산화막과, 상기 탄화규소 에피탁시층 위에 형성되는 상부 쇼트키 접촉 금속막과, 상기 탄화규소 기판의 하부에 형성되는 하부 저항성 접촉 금속막을 구비하는 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자에 있어서, 상기 저농도 n형 탄화규소 에피탁시층과 상기 화학기상증착 산화막 사이에는 화학기상증착 산화막에서 발생하는 누설전류를 차단하고 탄화규소와의 계면전하를 줄이기 위한 열산화막이 각각 형성되고, 그 열산화막의 중심부 및 그 중심부에서 수직으로 연장되는 상기 화학기상증착 산화막의 중심부에 의해 형성되는 U자형 채널과, 그 U자형 채널의 상면부, 그리고 그 상면부 양측으로 각각 일정 길이만큼 연장된 영역에 걸쳐 상기 상부 쇼트키 접촉 금속막이 형성된다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 열산화막과 화학기상증착법으로 증착한 산화막의 이중층을 전계판으로 사용하므로, 화학기상증착법으로 증착한 산화막의 누설전류를 차단할 수 있고, 장기간 사용 시 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

89. 发明公开

KR1020040017894A 탄화규소 백투백 쇼트키 장벽 다이오드 구조체 失效
标题翻译：硅碳化硅返回肖特基二极管二极管结构
公开(公告)号：KR1020040017894A
公开(公告)日：2004-03-02
申请号：KR1020020049821
申请日：2002-08-22
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김남균 , 김은동 , 방욱 , 송근호 , 김상철 , 김형우 , 서길수
IPC分类号： H01L29/47
摘要： PURPOSE: A silicon carbide back to back Schottky barrier diode structure is provided to be capable of easily embodying a high breakdown voltage and enduring surge current. CONSTITUTION: A silicon carbide back to back Schottky barrier diode structure is provided with a silicon carbide mono-crystal substrate(500) and an upper and lower silicon carbide epitaxial layer(501,502) formed at the upper and lower portion of the silicon carbide mono-crystal substrate for controlling a breakdown voltage. The silicon carbide back to back Schottky barrier diode structure further includes an upper and lower Schottky metal junction layer(503,504) formed on the predetermined surfaces of the upper and lower epitaxial layer for being used as an electrode.
摘要翻译：目的：碳化硅背靠背肖特基势垒二极管结构能够容易地体现高的击穿电压和持久的浪涌电流。构成：碳化硅背靠背肖特基势垒二极管结构设置有碳化硅单晶衬底（500）和形成在碳化硅单晶衬底（500）的上部和下部的上部和下部碳化硅外延层（501,502）用于控制击穿电压的晶体基板。碳化硅背靠背肖特基势垒二极管结构还包括形成在上外延层和下外延层的预定表面上的上和下肖特基金属结层（503,504），用作电极。

90. 发明公开

KR1020030089033A 확산 아크형 진공 갭 스위치 失效
标题翻译：扩散式ARC型真空开关
公开(公告)号：KR1020030089033A
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：KR1020020026928
申请日：2002-05-15
申请人： 한국전기연구원
发明人： 서길수 , 이홍식 , 임근희 , 김은동 , 김남균 , 김상철 , 방욱
IPC分类号： H01H33/66
摘要： PURPOSE: A diffused arc type vacuum gap switch is provided to lengthen a lifetime and enhance the reliability by preventing the generation of an anode spot and a cathode spot and reducing an electromagnetic trouble. CONSTITUTION: A diffused arc type vacuum gap switch includes an anode electrode portion(30,32), a cathode electrode portion(36,38), and a trigger electrode(20). The anode electrode portion(30,32) and the cathode electrode portion(36,38) are installed in the predetermined interval. The trigger electrode(20) is installed at the cathode electrode portion(36,38) in order to generate a vacuum arc between the anode electrode portion(30,32) and the cathode electrode portion(36,38). The anode electrode portion(30,32) is formed with an anode electrode(32), an anode electrode coil(30), and a conductive contactor. The cathode electrode portion(36,38) is formed with a cathode electrode(36), a cathode electrode coil(38), and a conductive contactor.
摘要翻译：目的：提供扩散电弧型真空间隙开关，通过防止阳极点和阴极点的产生，减少电磁故障，延长使用寿命，提高可靠性。构成：扩散弧型真空间隙开关包括阳极电极部分（30,32），阴极电极部分（36,38）和触发电极（20）。阳极电极部分（30,32）和阴极电极部分（36,38）以预定间隔安装。触发电极（20）安装在阴极电极部分（36,38）处，以便在阳极电极部分（30,32）和阴极电极部分（36,38）之间产生真空电弧。阳极电极部分（30,32）形成有阳极电极（32），阳极电极线圈（30）和导电接触器。阴极部分（36,38）形成有阴极电极（36），阴极电极线圈（38）和导电接触器。

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