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81. 发明公开

KR1020070008258A 식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：用于制造使用该液晶显示器的液晶显示器的蚀刻和方法
公开(公告)号：KR1020070008258A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：KR1020050063345
申请日：2005-07-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박홍식 , 김시열 , 정종현 , 신원석
IPC分类号： C23F1/16 , C23F1/44
CPC分类号： G02F1/13439 , H01L31/022466 , H01L31/1884
摘要： An etchant for a transparent conductive oxide film, an etchant of which applications according to types of transparent conductive oxide films are less limited, an etchant for improving etching performance of a transparent conductive oxide film, an etchant which has less damage on a film formed below a transparent conductive oxide film, and a method for fabricating a liquid crystal display using the etchant for the transparent conductive oxide film are provided. An etchant for a transparent conductive oxide film comprises: 2 to 15 wt.% of sulfuric acid; 0.02 to 10 wt.% of alkali metal hydrogen sulfate; and the balance of deionized water. The alkali metal hydrogen sulfate includes KHSO4. The etchant further comprises 0.02 to 10 wt.% of subsidiary oxidizing agent. The subsidiary oxidizing agent is at least one selected from the group consisting of H3PO4, HNO3, CH3COOH, HClO4, H2O2, and oxone. The etchant further comprises 0.01 to 5 wt.% of a subsidiary inhibitor. The subsidiary inhibitor is at least one selected from the group consisting of VH3COONH4, NH4SO3NH2, NH4C6H5O2, NH4COONH4, NH4Cl, NH4H2PO4, NH4OOCH, NH4HCO3, H4NO2CCH2C(OH)(CO2NH4)CH2CO2NH4, NH4PF6, HOC(CO2H)(CH2CO2NH4)2, NH4NO3, (NH4)2S2O8, H2NSO3NH4, and (NH4)2SO4. The transparent conductive oxide film is indium tin oxide or indium zinc oxide. The indium tin oxide is amorphous indium tin oxide.
摘要翻译：用于透明导电氧化物膜的蚀刻剂，根据透明导电氧化物膜的类型的应用的蚀刻剂较少受限制，用于改善透明导电氧化物膜的蚀刻性能的蚀刻剂，对下面形成的膜具有较小损伤的蚀刻剂透明导电氧化物膜，以及使用该透明导电氧化物膜用蚀刻剂制造液晶显示器的方法。用于透明导电氧化物膜的蚀刻剂包括：2至15重量％的硫酸; 0.02〜10重量％的碱金属硫酸氢盐; 和去离子水的平衡。碱金属硫酸氢盐包括KHSO 4。蚀刻剂还包含0.02〜10重量％的辅助氧化剂。辅助氧化剂是选自H 3 PO 4，HNO 3，CH 3 COOH，HClO 4，H 2 O 2和氧化物中的至少一种。蚀刻剂还包含0.01至5重量％的辅助抑制剂。辅助抑制剂是选自VH 3 COONH 4，NH 4 SO 3 NH 2，NH 4 C 6 H 5 O 2，NH 4 COONH 4，NH 4 Cl，NH 4 H 2 PO 4，NH 4 OCH，NH 4 HCO 3，H 4 NO 2 CCH 2 C（OH）（CO 2 NH 4）CH 2 CO 2 NH 4，NH 4 PF 6，HOC（CO 2 H）（CH 2 CO 2 NH 4）2，NH 4 NO 3 ，（NH4）2S2O8，H2NSO3NH4和（NH4）2SO4。透明导电氧化物膜是氧化铟锡或氧化铟锌。氧化铟锡是非晶态氧化铟锡。

82. 发明授权

KR102204110B1 터치 스크린 패널 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102204110B1
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020140013233
申请日：2014-02-05
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정종현 , 김인배 , 박홍식 , 이병진
IPC分类号： G06F3/044 , G06F3/041
摘要： 본발명의일 실시예에따른터치스크린패널은터치영역과상기터치영역을둘러싸는주변영역을가지는기판, 상기터치영역위에제1 방향으로형성되어있으며제1 터치신호를전달하는제1 터치전극패턴, 상기터치영역위에상기제1 방향과교차하는제2 방향으로형성되어있으며제2 터치신호를전달하는복수개의제2 터치전극패턴, 상기주변영역위에형성되어있으며상기제1 터치전극패턴과연결되어있는제1 구동회로배선을포함하고, 상기제1 구동회로배선은저저항배선층을포함할수 있다.

83. 发明授权

KR101992341B1 액정 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR101992341B1
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：KR1020120124719
申请日：2012-11-06
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정종현 , 이왕우 , 김봉균 , 김인배 , 김선일 , 문영민 , 박홍식 , 김기태
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1343

84. 发明授权

KR101964826B1 금속 패턴의 형성 방법 및 이를 포함하는 표시 기판의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101964826B1
公开(公告)日：2019-04-03
申请号：KR1020110057937
申请日：2011-06-15
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정종현 , 박지영 , 김선일 , 김상갑 , 김인배 , 정재우
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/786 , C09K13/04

85. 发明公开

KR1020170106262A 식각액, 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：蚀刻剂及使用其的显示器的制造方法
公开(公告)号：KR1020170106262A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020170114753
申请日：2017-09-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 박지영 , 최신일 , 정종현 , 김상갑 , 김선일 , 김상태 , 이준우 , 박영철 , 진영준 , 강경민 , 이석준 , 권오병 , 유인호 , 장상훈 , 임민기 , 이유진
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06 , C09K13/08 , G02F1/13 , H01L33/36
CPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06 , C09K13/08 , G02F1/13 , H01L33/36
摘要： 본발명의실시예에따른식각액은과황산염 0.5 내지 20 중량%, 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, 무기산 1 내지 10 중량%, 고리형아민화합물 0.5 내지 5 중량%, 염소화합물 0.1 내지 5 중량%, 구리염 0.05 내지 3 중량%, 유기산또는유기산염 0.1 내지 10 중량%, 그리고물을포함한다.
摘要翻译：蚀刻是过硫酸盐0.5至20重量％根据本发明的一个实施例，（重量）的氟化合物的0.01〜2％，1％至10％无机酸（重量），0.5至5％的环状胺化合物（重量），氯化合物，0.1至5％（重量）， 0.05至3重量％的铜盐，0.1至10重量％的有机酸或有机酸盐和水。

86. 发明授权

KR101778296B1 식각액, 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101778296B1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：KR1020110030238
申请日：2011-04-01
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 박지영 , 최신일 , 정종현 , 김상갑 , 김선일 , 김상태 , 이준우 , 박영철 , 진영준 , 강경민 , 이석준 , 권오병 , 유인호 , 장상훈 , 임민기 , 이유진
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06 , C09K13/08 , G02F1/13
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L27/1259 , H01L29/41733
摘要： 본발명의실시예에따른식각액은과황산염 0.5 내지 20 중량%, 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, 무기산 1 내지 10 중량%, 고리형아민화합물 0.5 내지 5 중량%, 염소화합물 0.1 내지 5 중량%, 구리염 0.05 내지 3 중량%, 유기산또는유기산염 0.1 내지 10 중량%, 그리고물을포함한다.

87. 发明公开

KR1020160090948A 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：液晶显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160090948A
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020150010587
申请日：2015-01-22
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정종현 , 박홍식
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/1244 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/136227 , G02F1/136259 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L21/77 , H01L27/1296 , H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L2021/775
摘要： 본발명의일 실시예에따른액정표시장치는제1 기판, 상기제1 기판위에배치되어있고, 제1 방향으로뻗어있으며, 게이트전극을포함하는게이트선, 상기게이트선위에배치되어있는게이트절연막, 상기게이트절연막위에배치되어있고, 상기제1 방향과교차하는방향인제2 방향으로뻗어있으며, 상기게이트선과중첩하지않는선형반도체층, 상기게이트절연막위에배치되어있고, 상기선형반도체층과분리되어있으며, 상기게이트전극과중첩되어있는섬형반도체층, 상기선형반도체층위에배치되어있으며, 상기게이트선과중첩하지않는데이터선, 상기섬형반도체층위에배치되어있으며, 서로분리되어있는소스전극및 드레인전극, 상기데이터선및 상기게이트절연막위에배치되어있으며, 상기데이터선의일부를노출하는데이터선노출구를포함하는층간절연막, 상기층간절연막위에배치되어있으며, 상기데이터선노출구를통하여평면상상기게이트선의상부및 하부에배치되어있는상기데이터선에서로연결되어있는연결부재, 그리고상기층간절연막위에배치되어있으며, 상기연결부재와분리되어있는화소전극을포함하고, 상기연결부재는상기소스전극과직접연결되어있고, 상기화소전극은상기드레인전극과직접연결되어있다.
摘要翻译：本发明提供一种液晶显示器及其制造方法，其能够实现在包括铜布线的LCD中设置在TFT的通道中的电极的微小图案。根据本发明的一个实施例的液晶显示器包括：第一基板; 设置在第一基板上的栅极线沿第一方向延伸，并且包括栅电极; 设置在栅极线上的栅极绝缘层; 设置在栅极绝缘层上的半导体条纹层沿与第一方向垂直的第二方向延伸并与栅极线分离; 设置在栅绝缘层上的半导体岛层与半导体条纹层分离，与栅电极重叠; 设置在与栅极线分离的半导体条纹层上的数据线; 源极电极和漏极电极，其设置在所述半导体岛层上以彼此分离; 设置在数据线和栅极绝缘层上并且限定暴露数据线的一部分的数据线曝光孔的层间绝缘层; 连接构件，其设置在所述层间绝缘层上，并且连接到在所述平面图中通过所述数据线曝光孔设置在所述栅极线上和下方的数据线; 以及像素电极，其设置在所述层间绝缘层上并与所述连接构件分离，其中所述连接构件直接连接到所述源电极，并且所述像素电极直接连接到所述漏电极。

88. 发明授权

KR101418588B1 표시 기판 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：显示基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101418588B1
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020070115806
申请日：2007-11-14
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김장수 , 닝홍롱 , 김봉균 , 박홍식 , 김시열 , 정창오 , 김상갑 , 윤재형 , 이우근 , 배양호 , 윤필상 , 정종현 , 홍선영 , 김기원 , 이병진 , 이영욱 , 김종인 , 김병범 , 서남석
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要： 저저항 배선을 구현하기 위한 표시 기판은 베이스 기판, 게이트 배선, 제1 절연층, 제2 절연층, 데이터 배선 및 화소 전극을 포함한다. 베이스 기판은 화소 영역이 정의된다. 게이트 배선은 베이스 기판에 형성된 제1 시드층, 제1 시드층 위에 형성된 제1 금속층으로 이루어진다. 제1 절연층은 게이트 배선이 형성된 베이스 기판 위에 형성된다. 제2 절연층은 제1 절연층이 형성된 베이스 기판 위에 게이트 배선과 교차하는 방향으로 배선 트랜치가 형성된다. 데이터 배선은 배선 트랜치 아래에 형성된 제2 시드층 및 배선 트랜치 내에 형성된 제2 금속층으로 이루어진다. 화소 전극은 화소 영역에 형성된다. 이에 따라서, 절연층을 이용하여 일정 깊이의 홀을 형성하고, 홀 내에 도금 방식으로 금속층을 형성함으로써 금속 배선의 두께를 두껍게 형성할 수 있다.
도금, 저저항, 금속 배선, 트랜치, 홀, 시드층

89. 发明公开

KR1020140005411A 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 审中-实审
标题翻译：用于金属线的蚀刻和使用该金属线制造金属线的方法
公开(公告)号：KR1020140005411A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：KR1020120072295
申请日：2012-07-03
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정종현 , 김인배 , 김선일 , 박홍식 , 정재우 , 김규포 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영 , 한승연
IPC分类号： C23F1/16 , H05K3/06
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/4814
摘要： The present invention relates to an etchant for a metal wire and a method for manufacturing a metal wire using the same. According to an embodiment of the present invention, copper is etched at an efficient speed without using hydrogen peroxide and causing problems, such as strong exothermic reactions, a decline in the stability of an etchant, and the addition of expensive stabilizers; the performance of the etchant is lasted for a long time as the stability of the etchant is secured; a process yield is improved as a failed short circuit caused by residues and a failed disconnection caused by erosion are prevented; and costs for etching processes are lowered and a sufficient margin for the etching processes is ensured as exothermic reactions in the treatment of waste fluids can be controlled. [Reference numerals] (AA) Example 1; (BB) Example 2; (CC) Example 3; (DD) Example 4; (EE) Example 5; (FF) Example 6; (GG) Example 7; (HH) Example 8; (II) Example 9
摘要翻译：本发明涉及一种用于金属线的蚀刻剂及其制造方法。根据本发明的一个实施方案，在不使用过氧化氢的情况下以有效速度蚀刻铜，并引起诸如强放热反应，蚀刻剂的稳定性下降以及昂贵的稳定剂的添加等问题。蚀刻剂的性能持续很长时间，因为蚀刻剂的稳定性得到保证; 由于残留物引起的故障短路和防止由于侵蚀引起的断线失败，工艺产量得到改善。并且降低了蚀刻工艺的成本，并且确保了用于蚀刻工艺的足够的余量，因为可以控制废流体处理中的放热反应。（标号）（AA）实施例1; （BB）实施例2; （CC）实施例3; （DD）实施例4 （EE）实施例5; （FF）实施例6; （GG）实施例7 （HH）实施例8; （II）实施例9

90. 发明授权

KR101326128B1 표시 장치용 배선, 식각액, 박막 트랜지스터 표시판 및 그제조 방법 有权
标题翻译：用于显示装置的线，蚀刻薄膜薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR101326128B1
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：KR1020060095979
申请日：2006-09-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박홍식 , 김봉균 , 정창오 , 정종현 , 홍선영 , 신원석 , 이병진
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： C09K13/08 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2320/0223 , H01L23/53238 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 기판, 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층, 게이트 절연막 또는 반도체층 위에 형성되어 있으며 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 드레인 전극, 그리고 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며, 게이트선과 데이터선 및 드레인 전극 중 적어도 하나는 몰리브덴-니오븀 합금을 포함하는 제1 도전층 및 구리를 포함하는 제2 도전층을 포함한다.
몰리브덴-니오븀 합금, 잔사, 꼬리, 박막 트랜지스터, 식각액

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