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71. 发明公开

KR1020130067514A 반도체 소자 제조 방법 无效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020130067514A
公开(公告)日：2013-06-25
申请号：KR1020110134129
申请日：2011-12-14
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 서원철 , 갈대성 , 이정훈
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0016
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a semiconductor device is provided to improve the properties of a light emitting device by including a seed layer with a lattice constant or a terminal expansion coefficient. CONSTITUTION: A support substrate is prepared. A nanorod(110) is formed on one surface of the support substrate. A seed layer(210) is formed on the nanorod. A CVD(Chemical Vapor Deposition) method is used on the nanorod. An HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) method is used on the nanorod.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件的制造方法，通过包括晶格常数或端子膨胀系数的晶种层来提高发光器件的性能。构成：制备支撑衬底。纳米棒（110）形成在支撑基板的一个表面上。种子层（210）形成在纳米棒上。在纳米棒上使用CVD（化学气相沉积）方法。在纳米棒上使用HVPE（氢化物气相外延）方法。

72. 发明公开

KR1020130064250A 발광 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：发光剂及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130064250A
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020110130778
申请日：2011-12-08
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 김설희 , 임현철 , 정명훈 , 오정탁
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/04
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0016
摘要： PURPOSE: A light emitting device and a method for fabricating the same are provided to reduce the damage of a light emitting structure due to a laser beam in a laser lift off process. CONSTITUTION: A buffer layer(115) of superlattice structure is formed on a substrate(110). A light emitting structure(120) is formed on the buffer layer. The light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer(122), an active layer(124), and a second conductive semiconductor layer(126). A protection layer(130) is formed on the light emitting structure. An electrode layer(201) is formed on the protection layer and the light emitting structure. A substrate is removed from the buffer layer by a laser lifting off method.
摘要翻译：目的：提供一种发光器件及其制造方法，以减少由激光剥离过程中的激光束引起的发光结构的损伤。构成：在基板（110）上形成超晶格结构的缓冲层（115）。在缓冲层上形成发光结构（120）。发光结构包括第一导电半导体层（122），有源层（124）和第二导电半导体层（126）。在发光结构上形成保护层（130）。在保护层和发光结构上形成电极层（201）。通过激光剥离法从缓冲层中除去衬底。

73. 发明公开

KR1020130053990A 발광 다이오드 및 그 제조방법 有权
标题翻译：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130053990A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020110119744
申请日：2011-11-16
申请人： 한국광기술원
发明人： 정탁 , 김승환 , 이상헌 , 주진우 , 김자연 , 오화섭 , 백종협
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/22 , H01L2933/0016
摘要： PURPOSE: A light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to improve performance by using a ceramic substrate including at least one substrate via hole. CONSTITUTION: At least one inner via hole is formed at in an n-type semiconductor layer(110) and an active layer. The via hole is formed in a p-type semiconductor layer(130) and a reflection layer(140). An electrode is formed in the via hole. A first electrode pad is connected to the electrode. A ceramic substrate electrically connects at least one substrate via hole. A second electrode pad is formed in the front surface or a part of the ceramic substrate.
摘要翻译：目的：提供发光二极管及其制造方法，以通过使用包括至少一个衬底通孔的陶瓷衬底来提高性能。构成：在n型半导体层（110）和有源层中形成至少一个内部通孔。通孔形成在p型半导体层（130）和反射层（140）中。在通孔中形成电极。第一电极焊盘连接到电极。陶瓷基板电连接至少一个基板通孔。第二电极焊盘形成在陶瓷衬底的前表面或部分中。

74. 发明公开

KR1020130046402A 반도체 발광소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：半导体发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130046402A
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：KR1020130018224
申请日：2013-02-20
申请人： (주)쓰리엘시스템
发明人： 이재은 , 손효근 , 최성철
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L21/31144 , H01L33/0079 , H01L33/42 , H01L2933/0016
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve brightness by extending the area of a light emitting layer. CONSTITUTION: An active layer is formed on an n-type semiconductor layer. A p-type semiconductor layer is formed on the active layer. A transparent electrode layer(180) is formed on a p-type semiconductor layer. A first electrode(191) is formed on the transparent electrode layer. A second electrode(192) is formed in the exposure region of the n-type semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供半导体发光器件及其制造方法，以通过延长发光层的面积来改善亮度。构成：在n型半导体层上形成有源层。在有源层上形成p型半导体层。在p型半导体层上形成透明电极层（180）。第一电极（191）形成在透明电极层上。在n型半导体层的曝光区域中形成第二电极（192）。

75. 发明公开

KR1020130027991A 투명 전극용 ＩＴＯ층, 이를 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于透明电极的ITO及其相关方法
公开(公告)号：KR1020130027991A
公开(公告)日：2013-03-18
申请号：KR1020120072319
申请日：2012-07-03
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 강지훈 , 이충민 , 양영은
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/42 , H01L2933/0016
摘要： PURPOSE: An ITO for a transparent electrode and a method for manufacturing the same are provided to secure excellent surface roughness by reducing plasma damage on a GaN epi layer. CONSTITUTION: An ITO(Indium Tin Oxide) layer(130) is formed on an epi layer(120). The ITO layer includes a first area(132), a second area(134), and an interface(136). The interface separates the first area from the second area. The first area touches the epi layer. The second area is formed on the first area.
摘要翻译：目的：提供一种用于透明电极的ITO及其制造方法，以通过降低GaN外延层上的等离子体损伤来确保优异的表面粗糙度。构成：在外延层（120）上形成ITO（氧化铟锡）层（130）。 ITO层包括第一区域（132），第二区域（134）和界面（136）。接口将第一个区域与第二个区域分开。第一个区域触及epi层。第二个区域形成在第一个区域。

76. 发明授权

KR101238817B1 광전자 박막 칩 有权
标题翻译：光电薄膜芯片
公开(公告)号：KR101238817B1
公开(公告)日：2013-03-04
申请号：KR1020077007167
申请日：2005-09-27
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 슈트로이벨,클라우스 , 비르트,랄프
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/387 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 광전자 박막 칩에 관한 것으로서, 상기 박막 칩은 박막 층(2)의 활성 구역(7) 안에 있는 적어도 하나의 방사선 방출 영역(8) 그리고 상기 박막 층(2)의 적어도 하나의 부분 영역에 의해서 형성되고 상기 방사선 방출 영역(8) 다운스트림에 배치된 렌즈(10, 12)를 포함하며, 상기 렌즈(10, 12)의 측면 크기(Φ)는 상기 방사선 방출 영역의 측면 크기(δ)보다 더 크다. 본 발명은 또한 상기와 같은 광전자 박막 칩을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다.

77. 发明授权

KR101230762B1 대향 표면들과 결합된 전기적 콘택들을 구비하는 활성영역을 갖는 발광소자 및 그 형성방법 有权
标题翻译：具有与其相连接的电气接触件的活动区域的发光装置及其形成方法
公开(公告)号：KR101230762B1
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：KR1020107029479
申请日：2004-04-13
申请人： 크리 인코포레이티드
发明人： 니글리제랄드에이치.
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/382 , H01L2933/0016
摘要： 발광 소자는 대향하는 제1 표면과 제2 표면 사이를 통하여 연장되는 콘택 플러그(240)를 갖는 기판(205)을 포함한다. 활성영역이 제1 표면상에 형성되고, 제1 전기적 콘택이 활성영역상에 형성되며, 제2 전기적 콘택이 기판의 제2 표면에 인접되어 형성된다. 콘택 플러그가 제2 전기적 콘택을 활성영역에 결합시킨다. 이러한 구성에 따르면, 칩의 대향면들 상에 전기적 콘택들이 존재하도록 하며, 이로 인하여, 하나의 웨이퍼상에 형성될 수 있는 소자들의 수가 증가될 수 있다.

78. 发明公开

KR1020130010396A 전류 저지층 구조의 수직형 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有电流阻挡层的垂直结构发光二极管的制造方法
公开(公告)号：KR1020130010396A
公开(公告)日：2013-01-28
申请号：KR1020110071164
申请日：2011-07-18
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 김동현 , 배성주 , 주인찬 , 최재혁 , 김경태 , 신찬수
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/0079 , H01L2933/0016
摘要： PURPOSE: A vertical light emitting diode device of a current stop layer structure and a manufacturing method thereof are provided to improve the productivity of the light emitting diode device and simplify a production process by forming a current stop layer without an additional photolithography process. CONSTITUTION: An n type nitride gallium layer(102) is formed on the lower side of an n type electrode(101). An active layer(103) is formed on the lower side of the n type nitride gallium layer. A p type nitride gallium layer(104) is formed on the lower side of the active layer. A current stop layer(104b) vertically corresponds to an n type electrode region in the p type nitride gallium layer. A metal layer(106) is formed on the lower side of the current stop layer and the lower side of a p type electrode(105).
摘要翻译：目的：提供一种电流停止层结构的垂直发光二极管器件及其制造方法，以提高发光二极管器件的生产率，并且通过在没有附加光刻工艺的情况下形成电流停止层来简化生产工艺。构成：n型氮化镓层（102）形成在n型电极（101）的下侧。在n型氮化镓层的下侧形成有源层（103）。在有源层的下侧形成p型氮化镓层（104）。电流停止层（104b）垂直对应于p型氮化镓层中的n型电极区域。金属层（106）形成在电流停止层的下侧和p型电极（105）的下侧。

79. 发明公开

KR1020130006977A 발광소자 및 발광소자의 제조방법 无效
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130006977A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110062695
申请日：2011-06-28
申请人： (주)세미머티리얼즈 , 박건
发明人： 박건 , 김선모 , 오충석 , 황세광 , 송호근 , 원준호 , 박지수
IPC分类号： H01L33/08
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/42 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
摘要： PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce strain by preventing a QCSE(Quantum Confined Stark Effect) in an active layer. CONSTITUTION: A light emitting structure(110) includes an active layer(114), a first conductive semiconductor layer(112), and a second conductive semiconductor layer(116). The light emitting structure is formed with a plurality of pillars which are separated. A transmissive insulation layer is formed on the light emitting structure. A transparent conductive layer is formed on the upper side of the light emitting structure.
摘要翻译：目的：提供发光器件及其制造方法，以通过防止活性层中的QCSE（量子密闭斯塔克效应）来减小应变。构成：发光结构（110）包括有源层（114），第一导电半导体层（112）和第二导电半导体层（116）。发光结构形成有分离的多个柱。在发光结构上形成透射绝缘层。在发光结构的上侧形成透明导电层。

80. 发明公开

KR1020130006754A 금속 산화물이 함유된 양극 및 상기 양극을 포함하는 유기발광소자 审中-实审
标题翻译：包含金属氧化物的阳极和有阳极的有机发光装置
公开(公告)号：KR1020130006754A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110060941
申请日：2011-06-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김원종 , 이준구 , 정지영 , 최진백 , 이연화 , 이창호 , 오일수 , 송형준 , 윤진영 , 송영우 , 이종혁
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/26
CPC分类号： H01L51/5218 , H01L2251/50 , H01L2933/0016 , H05B33/26
摘要： PURPOSE: An anode including a metal oxide and an organic light emitting device including the same are provided to reduce power consumption by improving a hole injection property through the increase of a work function. CONSTITUTION: An anode(200) includes a metal layer(210) and a conductive transparent layer(230) formed on the metal layer. The conductive transparent layer includes transparent conductive oxide(231) and metal oxide(232). The thickness of the metal layer is 500 to 3000Å. The thickness of the conductive transparent layer is 50 to 150Å. A work function of the metal oxide is 5.0 to 6.5eV. A work function of the conductive transparent layer is 4.8 to 6.5eV.
摘要翻译：目的：提供包括金属氧化物的阳极和包括其的有机发光器件，以通过增加功函数来改善空穴注入性能来降低功耗。构成：阳极（200）包括形成在金属层上的金属层（210）和导电透明层（230）。导电透明层包括透明导电氧化物（231）和金属氧化物（232）。金属层的厚度为500〜3000。导电透明层的厚度为50〜150。金属氧化物的功函数为5.0〜6.5eV。导电透明层的功函数为4.8〜6.5eV。

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