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61. 发明授权

KR101469323B1 백플레이트 구조의 굽힘 편향을 갖는 마이크로 전기 기계 시스템 有权
标题翻译：微型电气机械系统，具有弯曲偏移的背板结构
公开(公告)号：KR101469323B1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：KR1020120100525
申请日：2012-09-11
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 데헤알폰스
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： H04R7/125 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00476 , B81C2201/0167 , G01L9/0016 , H04R1/005 , H04R7/14 , H04R7/24 , H04R19/005 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2440/05
摘要： 마이크로전기기계시스템은멤브레인구조체및 백플레이트구조체를포함한다. 백플레이트구조체는백플레이트재료및 백플레이트재료에기계적으로접속된적어도하나의예비인장요소를포함한다. 적어도하나의예비인장요소는멤브레인구조체로부터이격하는방향에서백플레이트구조체의굽힘편향을위해백플레이트재료위에기계인장을발생시킨다.

62. 发明公开

KR1020140082948A 백플레이트 구조의 굽힘 편향을 갖는 마이크로 전기 기계 시스템 无效
标题翻译：微型电气机械系统，具有弯曲偏移的背板结构
公开(公告)号：KR1020140082948A
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：KR1020140062880
申请日：2014-05-26
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 데헤알폰스
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： H04R7/125 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00476 , B81C2201/0167 , G01L9/0016 , H04R1/005 , H04R7/14 , H04R7/24 , H04R19/005 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2440/05
摘要： A micro electrical mechanical system includes a membrane structure and a backplate structure. The backplate structure includes a backplate material and at least one pre-tensioning element mechanically connected to the backplate material. The at least one pre-tensioning element causes a mechanical tension on the backplate material for a bending deflection of the backplate structure in a direction away from the membrane structure.
摘要翻译：微电气机械系统包括膜结构和背板结构。背板结构包括背板材料和机械地连接到背板材料的至少一个预张紧元件。所述至少一个预张紧元件在所述背板材料上引起机械张力，以使所述背板结构沿远离所述膜结构的方向弯曲偏转。

63. 发明公开

KR1020130055693A 기준 커패시터를 포함하는 미소 전자기계 압력 센서 有权
标题翻译： 기준커패시터를포함하는미소전자기계압력센서
公开(公告)号：KR1020130055693A
公开(公告)日：2013-05-28
申请号：KR1020137010143
申请日：2011-09-20
申请人： 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
发明人： 브리젝야누스
IPC分类号： G01L9/12 , G01L7/08 , B81B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00015 , B81C1/00158 , G01L9/0016 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , G01L19/04
摘要： This document discusses, among other things, an apparatus including a silicon die including a vibratory diaphragm, the die having a silicon die top opposite a silicon die bottom, with a top silicon die port extending from the silicon die top through the silicon die to a top of the vibratory diaphragm, and with a bottom silicon die port extending from the silicon die bottom to a bottom of the vibratory diaphragm, wherein the bottom silicon die port has a cross sectional area that is larger than a cross-sectional area of the top silicon die port, a capacitor electrode disposed along a bottom of the silicon die, across the bottom silicon die port, the capacitor electrode including a first signal generation portion that is coextensive with the top silicon die port, and a second signal generation portion surrounding the first portion.
摘要翻译：该文件尤其讨论了一种包括具有振动隔膜的硅管芯的设备，管芯具有与硅管芯底部相对的硅管芯顶部，顶部硅管芯端口从硅管芯顶部延伸穿过硅管芯至振动膜的顶部，以及具有从硅模底部延伸到振动膜的底部的底部硅模口，其中底部硅模口的横截面面积大于顶部的横截面面积硅晶片端口;电容器电极，其沿着所述硅晶片的底部设置，跨过所述底部硅晶片端口，所述电容器电极包括与所述顶部硅晶片端口共同延伸的第一信号产生部分;以及第二信号产生部分，第一部分。

64. 发明公开

KR1020130028880A 백플레이트 구조의 굽힘 편향을 갖는 마이크로 전기 기계 시스템 有权
标题翻译：微型电气机械系统，具有弯曲偏移的背板结构
公开(公告)号：KR1020130028880A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：KR1020120100525
申请日：2012-09-11
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 데헤알폰스
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： H04R7/125 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00476 , B81C2201/0167 , G01L9/0016 , H04R1/005 , H04R7/14 , H04R7/24 , H04R19/005 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2440/05
摘要： PURPOSE: A micro electronic-mechanical system having the bending-deflection of a back-plate structure is formed into the back-plate structure with pretension element and to generate mechanical tension on a back-plate material for the bending-deflection of the back-plate structure by using the pretension element. CONSTITUTION: A micro electronic-mechanical system comprises a membrane structure(14) and a back-plate structure(16). The back-plate structure includes a back-plate material and one or more pretension elements mechanically connected to the back-plate material. The one or more pretension elements respectively generate mechanical tension on the back-plate material for the bending-deflection of the back-plate structure in a direction being spaced from the membrane structure.
摘要翻译：目的：具有背板结构的弯曲偏转的微电子机械系统被形成为具有预张紧元件的背板结构，并且在背板材料上产生机械张力以用于背板结构的弯曲偏转，通过使用预张力元件的板结构。构成：微电子机械系统包括膜结构（14）和背板结构（16）。背板结构包括背板材料和机械地连接到背板材料的一个或多个预紧元件。一个或多个预张力元件分别在后板材料上产生机械张力，用于在与膜结构间隔开的方向上弯曲偏转背板结构。

65. 发明公开

KR1020130022083A 초음파 변환기 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：超声波传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130022083A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：KR1020110084822
申请日：2011-08-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정석환
IPC分类号： H04R19/02 , H04R31/00
CPC分类号： B32B37/14 , B06B1/0292 , B32B38/10 , B81C1/00158 , H02N11/00 , H04R31/00 , Y10T156/10
摘要： PURPOSE: An ultrasonic transducer and a manufacturing method thereof are provided to improve the transmission power and the receiving sensitivity of the ultrasonic transducer, and provide a manufacturing method of the ultrasonic transducer by bonding a SOI wafer and a Si wafer without arranging. CONSTITUTION: An ultrasonic transducer(100) comprises a substrate(110) a supporting part(130) in which a penetration hole prepared on the substrate(110) is formed, a thin film(150) which is prepared by being separated with the substrate(110) and the supporting part(130) respectively, and a connection part(140) connecting the supporting part(130) and the thin film(150).
摘要翻译：目的：提供超声波换能器及其制造方法，以提高超声波换能器的发射功率和接收灵敏度，并且通过不排列地结合SOI晶片和Si晶片来提供超声波换能器的制造方法。构成：超声波换能器（100）包括基板（110），其上形成有在基板（110）上制备的穿透孔的支撑部分（130），通过与基板分离而制备的薄膜（150）（110）和支撑部分（130）以及连接支撑部分（130）和薄膜（150）的连接部分（140）。

66. 发明授权

KR101074581B1 이중 박막을 갖는 마이크로공학적 박막 센서 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：包含双层薄膜的微机械膜传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR101074581B1
公开(公告)日：2011-10-17
申请号：KR1020077018811
申请日：2005-12-21
申请人： 로베르트 보쉬 게엠베하
发明人： 일링마티아스 , 베버헤리베르트 , 셸링크리스토프 , 슈탈하이코 , 바이스슈테판
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00476 , B81C2201/0109 , B81C2201/053
摘要： 본발명은마이크로공학적박막센서제조방법또는상기방법에의해서제조된마이크로공학적박막센서에관한것이다. 이경우마이크로공학적박막센서는적어도하나의제1 박막및 실질적으로제1 박막위에위치한제2 박막을포함한다. 또한마이크로공학적박막센서가제1 중공공간및 실질적으로제1 중공공간위에놓인제2 중공공간을포함한다.

67. 发明公开

KR1020080098990A 압력센서 제조방법 및 그 구조 有权
标题翻译：用于制造压力传感器的方法及其结构
公开(公告)号：KR1020080098990A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：KR1020070044512
申请日：2007-05-08
申请人： 안동대학교 산학협력단
发明人： 이영태
IPC分类号： G01L9/06
CPC分类号： G01L9/06 , B81C1/00158 , G01L9/0042 , G01L9/0052
摘要： A pressure sensor manufacturing method and a structure thereof are provided to integrate a pressure sensor and a signal processing circuit on one chip with a simple process, make thin and uniform diaphragm and reduce the chip size of the sensor. A pressure sensor manufacturing method comprises the following steps. An SOI semiconductor substrate in which a first silicon layer, a first insulation layer(114) and a second silicon layer(112) are successively laminated is prepared. A piezo resistance(120) is formed on a part of the second silicon layer by diffusion or ion injection process. A sensor circuit part including an electrode(130) connected to the piezo resistance is formed. A part of the lower surface of the first silicon layer which is the lower surface of the semiconductor substrate is dry-etched and a diaphragm is formed. A diaphragm(160) is formed by a recess exposing the first insulation layer through the first silicon layer.
摘要翻译：提供了一种压力传感器的制造方法及其结构，以简单的工艺将压力传感器和信号处理电路集成在一个芯片上，制成薄且均匀的膜片，并减小传感器的芯片尺寸。压力传感器的制造方法包括以下步骤。制备其中连续层压第一硅层，第一绝缘层（114）和第二硅层（112）的SOI半导体衬底。通过扩散或离子注入工艺在第二硅层的一部分上形成压电电阻（120）。形成包括连接到压电电阻的电极（130）的传感器电路部分。作为半导体基板的下表面的第一硅层的下表面的一部分被干蚀刻并形成隔膜。隔膜（160）由通过第一硅层暴露第一绝缘层的凹部形成。

68. 发明公开

KR1020080059426A 미세 유체의 막 펌프 및 밸브 구조물 无效
标题翻译：微流体膜泵和阀
公开(公告)号：KR1020080059426A
公开(公告)日：2008-06-27
申请号：KR1020087010786
申请日：2006-10-03
申请人： 레오닉스 인코포레이티드
发明人： 영링컨 , 조우펭
IPC分类号： F04B43/04 , F04B53/10 , B01L3/00 , B32B27/00
CPC分类号： F16K7/12 , B01F5/0683 , B01F5/0688 , B01F11/0071 , B01F13/0059 , B01F2215/0034 , B01L3/502707 , B01L3/50273 , B01L3/502738 , B01L2200/12 , B01L2300/0816 , B01L2300/0861 , B01L2300/0867 , B01L2300/0887 , B01L2400/0481 , B01L2400/0487 , B01L2400/06 , B01L2400/0638 , B01L2400/0655 , B01L2400/084 , B29C65/4895 , B29C66/004 , B29C66/54 , B29C66/5412 , B29C66/71 , B29K2025/00 , B29K2025/04 , B29K2033/08 , B29K2069/00 , B29K2101/12 , B29L2031/7496 , B29L2031/7506 , B29L2031/756 , B81B3/0021 , B81B2201/036 , B81B2201/054 , B81B2203/0127 , B81C1/00103 , B81C1/00158 , F04B43/028 , F04B43/043 , F04B43/06 , F15C1/08 , F16K99/0001 , F16K99/0015 , F16K99/0021 , F16K99/0034 , F16K99/0055 , F16K99/0057 , F16K99/0059 , F16K2099/0074 , F16K2099/0076 , F16K2099/0078 , F16K2099/008 , F16K2099/0084 , F16K2099/0094 , Y10T29/49405 , Y10T137/212 , Y10T137/2202 , Y10T137/2218 , Y10T137/8593 , Y10T137/85978 , Y10T156/1002 , Y10T156/1043 , B29K2033/12 , B29K2025/06
摘要： Plastic microfluidic structures having a substantially rigid diaphragm that actuates between a relaxed state wherein the diaphragm sits against the surface of a substrate and an actuated state wherein the diaphragm is moved away from the substrate. As will be seen from the following description, the microfluidic structures formed with this diaphragm provide easy to manufacture and robust systems, as well readily made components such as valves and pumps.
摘要翻译：塑料微流体结构具有基本上刚性的膜片，其在松弛状态之间起作用，其中隔膜抵靠衬底的表面，以及致动状态，其中隔膜移动离开衬底。从以下描述可以看出，用这种隔膜形成的微流体结构提供易于制造和坚固的系统，以及易于制造的部件，例如阀和泵。

69. 发明公开

KR1020070096656A 선형보정 마이크로 압력센서 有权
标题翻译：线性补偿微型压力传感器
公开(公告)号：KR1020070096656A
公开(公告)日：2007-10-02
申请号：KR1020060027537
申请日：2006-03-27
申请人： 한국기계연구원
发明人： 박중호 , 함상용 , 윤동원 , 조정대
IPC分类号： G01L7/08 , G01L9/02 , G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0041 , B81C1/00158 , G01L19/0061 , G01L27/005
摘要： A linear-compensation micro pressure sensor is provided to make output current value linear by controlling the curvature for a curved line by compensating a partial section and keeping a thin film thickness of a resistant body constantly. A linear-compensation micro pressure sensor(100) comprises a flexible diaphragm(5), a lower end wafer(2), an upper end wafer(1), a metallic thin film(6), a reference body(8), a plurality of resistant bodies(7), a plurality of electrodes(9), and a power source unit(21). The lower end wafer includes an upper chamber positioned at one side of the diaphragm and having opened upside. The upper end wafer is formed opposite to the diaphragm and combined with an upper surface of the lower end wafer to seal the upper chamber. The metallic thin film is vacuum-plated at the upper surface of the diaphragm. The reference body is fixed to the center of the lower end surface for the upper end wafer. The plural resistant bodies are curved longitudinally to increase a section toward the reference body and fixed to the lower end surface of the upper end wafer. The plural electrodes are formed at one sides of the reference body and the resistant body. The power source unit includes a lead wire(20) connecting the electrodes electrically.
摘要翻译：提供了一种线性补偿微压力传感器，通过补偿局部截面并保持耐磨体的薄膜厚度不断地通过控制曲线的曲率来使输出电流值呈线性。线性补偿微压力传感器（100）包括柔性隔膜（5），下端晶片（2），上端晶片（1），金属薄膜（6），参考体（8），多个电阻体（7），多个电极（9）和电源单元（21）。下端晶片包括位于隔膜一侧并具有向上打开的上室。上端晶片与隔膜相对地形成，并与下端晶片的上表面组合以密封上室。金属薄膜在隔膜的上表面被真空镀覆。参考体固定在上端晶片的下端面的中心。多个电阻体纵向弯曲以增加朝向基准体的截面并且固定到上端晶片的下端表面。多个电极形成在基准体和抵抗体的一侧。电源单元包括电连接电极的引线（20）。

70. 发明公开

KR1020050103601A 압력센서 有权
公开(公告)号：KR1020050103601A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：KR1020040028819
申请日：2004-04-26
申请人： (주)센서시스템기술
发明人： 김영보
IPC分类号： G01L9/04
CPC分类号： G01L9/02 , B81C1/00158 , G01L9/0041 , G01L27/005
摘要： 본 발명은 압력 센서에 관한 것으로서 링(ring) 형상의 베이스와, 상기 베이스의 압력이 인가되는 타측과 대응하는 일측에 원형의 가장자리 부분을 중첩되게 용접하여 형성되는 접합부에 의해 접합되는 높은 경도와 큰 탄성력을 갖는 절연물질로 이루어진 다이아프램과, 상기 다이아프램 상의 상기 베이스와 인접하는 부분 또는 중심 부분에 각각 폭과 길이를 가지되 상기 길이가 동일한 방향을 갖도록 형성된 다 수개의 저항체와, 상기 다이아프램 상의 상기 베이스와 대응하는 주변 부분에 상기 다 수개의 저항체와 휘스톤 브릿지 구성을 이루도록 형성된 다 수개의 전극과, 상기 다이아프램 상에 상기 다 수개의 저항체를 덮으며 상기 다 수개의 전극을 개구에 의해 노출시키도록 형성된 보호막을 구비한다. 따라서, 베이스와 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 저항체 사이에 정전 용량이 발생되지 않으므로 동작 특성을 향상시킬 수 있으며, 또한, 다이아프램의 탄성력이 크므로 저항 값의 직선성 및 재현성이 향상될 뿐만 아니라 히스테리시스 특성 및 크립(creep) 특성도 향상된다.

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