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61. 发明授权

KR101420917B1 세포 계수 장치 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：细胞计数装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101420917B1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：KR1020120054355
申请日：2012-05-22
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 송윤흡
IPC分类号： G01N15/02 , G01N27/30 , C12Q1/02
摘要： 세포 계수 장치 및 이의 제조방법을 제공한다. 세포 계수 장치는 세포 감지셀을 복수개로 구성하여 표적 세포가 부착될 확률을 증가시켜, 세포 계수의 정확도를 향상시킬 수 있다. 또한, 복수개의 세포 감지셀들은 직렬로 연결되어 세포액의 지속적인 유입이 가능하므로, 하나의 장치에서 신속하게 다량의 세포액 내에 존재하는 표적 세포를 계수할 수 있다. 더욱이, 복수개의 세포 감지셀들 각각은 탐지 패드와 연결되는 탐지 전극을 구비하여, 각 세포 감지셀에서 발생하는 전기적 특성의 변화를 각 세포 감지셀 별로 확인할 수 있다.
摘要翻译：提供一种细胞计数装置及其制造方法。细胞计数装置可以构成多个细胞感应细胞，以增加靶细胞附着的可能性并提高细胞计数的准确性。另外，由于多个细胞检测细胞串联连接以允许细胞液的连续流入，因此可以在一个装置中快速计数存在于大量细胞液中的靶细胞。此外，多个单元感测单元中的每一个可以包括连接到检测焊盘的检测电极，使得可以为每个单元感测单元识别在每个单元感测单元中出现的电特性的变化。

62. 发明公开

KR1020140006719A 세포 계수 장치 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：用于单元计数的装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140006719A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：KR1020130076870
申请日：2013-07-02
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 송윤흡 , 김규범
IPC分类号： C12M1/36 , G01N27/22
CPC分类号： C12M41/36 , B01L3/5027 , C12M41/48 , G01N27/221 , G01N33/49 , G01N2015/0065
摘要： A cell counting device and a manufacturing method thereof are provided. The cell counting device comprises: a conductive substrate comprising a standard area and sensing areas are on both sides thereof; a protrusion standard organic layer on the standard area; probes placed on the sensing organic layer of each sensing area; and a detection electrode arranged on the upper part of the probes of each sensing area.
摘要翻译：提供了细胞计数装置及其制造方法。细胞计数装置包括：包括标准区域的导电基底和感测区域在其两侧; 标准区域的突出标准有机层; 探针放置在每个感测区域的感测有机层上; 以及检测电极，其布置在每个感测区域的探针的上部。

63. 发明公开

KR1020130038999A 센서 셀 및 이를 포함하는 바이오 센서 无效
标题翻译：传感器和生物传感器包括它们
公开(公告)号：KR1020130038999A
公开(公告)日：2013-04-19
申请号：KR1020110103404
申请日：2011-10-11
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박완준 , 김철근 , 송윤흡
IPC分类号： G01N27/403 , G01N27/416
摘要： PURPOSE: Sensor cells and a bio sensor with the same are provided to form the bio sensor by arranging a plurality of the sensor cells into a matrix form, thereby precisely measuring target substances of little concentration. CONSTITUTION: A bio sensor(100) with sensor cells(10) comprises a detecting unit(110), a reference detecting unit(120), a row decoder unit(130), a column decoder unit(140), and a detecting unit(150). The sensing unit arranges a plurality of the sensor cells into a matrix form. The sensor cells outputs the existence of reaction to a target substance and probe substance with electric signals. The reference sensing unit is electrically arranges a plurality of reference cells(20) into a matrix form. The reference cells are electrically connected to the sensing unit through a plurality of row selecting lines and outputs reference electric signals. [Reference numerals] (130) Row decoder unit; (140) Column decoder unit; (150) Detecting unit;
摘要翻译：目的：通过将多个传感器单元布置成矩阵形式，提供传感器单元和具有相同传感器的生物传感器以形成生物传感器，从而精确测量少量浓度的目标物质。构成：具有传感器单元（10）的生物传感器（100）包括检测单元（110），参考检测单元（120），行解码器单元（130），列解码器单元（140）和检测单元（150）。感测单元将多个传感器单元布置成矩阵形式。传感器单元通过电信号输出对目标物质和探针物质的反应的存在。参考感测单元将多个参考单元（20）电排列成矩阵形式。参考单元通过多个行选择线电连接到感测单元并输出参考电信号。（附图标记）（130）行解码器单元; （140）列解码器单元; （150）检测单元;

64. 发明授权

KR101224328B1 메모리의 감지 증폭회로 有权
标题翻译：存储器感应放大器电路
公开(公告)号：KR101224328B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020100134350
申请日：2010-12-24
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박용식 , 송윤흡 , 길규현
IPC分类号： G11C11/15 , G11C7/06 , G11C5/14
CPC分类号： G11C11/1673
摘要： 저항의 변화상태를 감지하여 데이터를 읽기위한 메모리의 감지 증폭회로가 개시된다. 감지 증폭기 회로는 셀에서 발생되는 셀 전압을 소신호 레벨에서 증폭한다. 증폭된 신호는 다시 공통 소스 증폭기로 입력되어 반전된 소신호 레벨로 증폭된다. 이를 통해 셀 전압에서 발생된 변동값은 양의 방향 및 음의 방향으로 증폭되고, 감지 증폭기로 입력된다.

65. 发明公开

KR1020120074187A 양방향으로 동작하는 스위칭 소자 및 이러한 스위칭 소자를 사용하는 메모리 无效
标题翻译：开关元件使用双向操作和使用相同的存储器
公开(公告)号：KR1020120074187A
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：KR1020110081841
申请日：2011-08-17
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 송윤흡
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/04 , H01L21/28291 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L45/06
摘要： PURPOSE: A switching element and a memory using a same are provided to have high integration and a great on/off ratio by implementing a switching element with a bidirectional driving property through a semiconductor process. CONSTITUTION: A oxide thin film(710) is deposited on a Si substrate(700). An N/P/N structure(720) is formed at etched parts of the oxide thin film. The N/P/N structure includes a first N-type doping layer(723), a second P-type doping layer(725) and a third N-type doping layer(727). The second P-type doping layer is performed a lower doping concentration than the first N-type doping layer and the third N-type doping layer. A P/N/P structure(730) includes a first P-type doping layer(733), a second N-type doping layer(735) and a third P-type doping layer(737).
摘要翻译：目的：通过半导体工艺实现具有双向驱动特性的开关元件，提供开关元件和使用其的存储器以具有高集成度和大的导通/截止比。构成：氧化物薄膜（710）沉积在Si衬底（700）上。在氧化物薄膜的蚀刻部分处形成N / P / N结构（720）。 N / P / N结构包括第一N型掺杂层（723），第二P型掺杂层（725）和第三N型掺杂层（727）。第二P型掺杂层的掺杂浓度低于第一N型掺杂层和第三N型掺杂层。 P / N / P结构（730）包括第一P型掺杂层（733），第二N型掺杂层（735）和第三P型掺杂层（737）。

66. 发明公开

KR1020120073433A 포지티브 피드백을 이용한 고속 감지 증폭기 및 고속 감지 증폭기의 동작 방법 有权
标题翻译：使用正反馈的高速感应放大器和操作高速感应放大器的方法
公开(公告)号：KR1020120073433A
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：KR1020100135201
申请日：2010-12-27
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 송윤흡 , 박용식 , 길규현
IPC分类号： G11C7/06 , G11C5/14 , G11C7/12
CPC分类号： G11C7/08 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C2207/002
摘要： PURPOSE: A high speed sense amplifier using positive feedback and an operating method thereof are provided to improve a response speed of a sense amplifier circuit by quickly reducing the potential of an output node of the sense amplifier circuit. CONSTITUTION: A sense amplifier circuit(200a) senses a voltage difference between a first output node and a second output node and amplifies the voltage difference. A first positive feedback current sink circuit(310a) performs a current sink operation to drop a voltage of a first output node by providing a first current sink path to the first output node if the voltage of the first output node has a first logic level and the voltage of a second output node has a second logic level when a sense amplifier enable signal is activated. A second positive feedback current sink circuit(330a) does not perform a current sink operation of the second output node if the voltage of the first output node is decreased by the current sink operation of the first positive feedback current sink circuit.
摘要翻译：目的：提供使用正反馈的高速度感测放大器及其操作方法，以通过快速降低读出放大器电路的输出节点的电位来提高读出放大器电路的响应速度。构成：读出放大器电路（200a）检测第一输出节点和第二输出节点之间的电压差并放大电压差。如果第一输出节点的电压具有第一逻辑电平，则第一正反馈电流吸收电路（310a）通过向第一输出节点提供第一电流吸收路径来执行电流吸收操作以降低第一输出节点的电压，以及当激活读出放大器使能信号时，第二输出节点的电压具有第二逻辑电平。如果第一输出节点的电压被第一正反馈电流吸收电路的电流吸收操作减小，则第二正反馈电流吸收电路（330a）不执行第二输出节点的电流吸收操作。

67. 发明公开

KR1020100131604A 자성 메모리의 동작방법 失效
标题翻译：操作磁装置的方法
公开(公告)号：KR1020100131604A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：KR1020090050279
申请日：2009-06-08
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 송윤흡
IPC分类号： G11C11/15 , G11C7/12 , G11C8/08
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/15 , H01L27/222 , H01L43/08
摘要： PURPOSE: A method for operating a magnetic device is provided to use a diode as a switching element by recording data with an electron injecting mode through STT(Spin-Transfer-Torque). CONSTITUTION: A plurality of reversed magnetic elements are arranged in row and column. A bit line is connected the reversed magnetic elements. Data is recorded through reversing of the reversed magnetic elements. The magnetization of the reversed magnetic elements is performed through STT(Spin-Transfer-Torque). Data is erased by magnetic field applied from the outside. The magnetization of the reversed magnetic elements is reversed through magnetic field.
摘要翻译：目的：提供一种操作磁性装置的方法，通过STT（旋转转矩）通过以电子注入模式记录数据来使用二极管作为开关元件。构成：多个反转的磁性元件以行和列排列。位线连接反向磁性元件。通过反转磁性元件反转来记录数据。反转磁性元件的磁化通过STT（旋转转矩）进行。数据由外部施加的磁场擦除。通过磁场反转磁性元件的磁化。

68. 发明授权

KR102254032B1 정공 주입 소거 방식을 지원하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102254032B1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：KR1020190174712
申请日：2019-12-26
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 송윤흡 , 최선준
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L29/792 , H01L29/66
摘要： 누설전류를감소시키며정공주입소거방식을지원하는 3차원플래시메모리및 그제조방법이개시된다. 일실시예에따르면, 3차원플래시메모리는, 기판; 상기기판상에일 방향으로연장형성되는속이빈 마카로니형태의채널층; 및상기채널층의내부공간에충진되어상기일 방향으로연장형성되는 P 타입필러(P-type filler)를포함한다.

69. 发明授权

KR102144536B1 리키지 전류를 감소시키는 상변화 메모리 소자 有权
公开(公告)号：KR102144536B1
公开(公告)日：2020-08-12
申请号：KR1020180143253
申请日：2018-11-20
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 송윤흡 , 최준태
IPC分类号： G11C13/00

70. 发明授权

KR102125731B1 OTS의 스냅 백 현상을 개선하는 회로 소자 및 이를 포함하는 상변화 메모리 소자 有权
公开(公告)号：KR102125731B1
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：KR1020180136340
申请日：2018-11-08
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 송윤흡 , 최준태
IPC分类号： G11C13/00 , H01L45/00

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