基本信息:
- 专利标题： 메모리의 감지 증폭회로
- 专利标题（英）：Sensing Amplifier Circuit of Memory
- 专利标题（中）：存储器感应放大器电路
- 申请号：KR1020100134350 申请日：2010-12-24
- 公开(公告)号：KR101224328B1 公开(公告)日：2013-01-21
- 发明人： 박용식 , 송윤흡 , 길규현
- 申请人： 한양대학교 산학협력단
- 申请人地址： 서울특별시 성동구 왕십리로 ***(행당동, 한양대학교내)
- 专利权人： 한양대학교 산학협력단
- 当前专利权人： 한양대학교 산학협력단
- 当前专利权人地址： 서울특별시 성동구 왕십리로 ***(행당동, 한양대학교내)
- 代理人： 특허법인이상
- 主分类号： G11C11/15
- IPC分类号： G11C11/15 ; G11C7/06 ; G11C5/14
摘要：
저항의 변화상태를 감지하여 데이터를 읽기위한 메모리의 감지 증폭회로가 개시된다. 감지 증폭기 회로는 셀에서 발생되는 셀 전압을 소신호 레벨에서 증폭한다. 증폭된 신호는 다시 공통 소스 증폭기로 입력되어 반전된 소신호 레벨로 증폭된다. 이를 통해 셀 전압에서 발생된 변동값은 양의 방향 및 음의 방향으로 증폭되고, 감지 증폭기로 입력된다.
摘要（英）：
By detecting a state of change of the resistance of a memory sense amplifier circuit for reading data it is disclosed. The sense amplifier circuit amplifies the cell voltage generated in the cells in the small signal level. The amplified signal is then input back to the common source amplifier is amplified by the inverted small-signal level. This, the variation occurs in the cell voltage is amplified by the direction of the positive direction and negative, it is input to the sense amplifier.
公开/授权文献:
- KR1020120072550A 메모리의 감지 증폭회로 公开/授权日：2012-07-04
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/02 | .应用磁性元件的 |
| ----G11C11/14 | ..应用薄膜元件的 |
| ------G11C11/15 | ...应用多层磁性层的 |