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61. 发明授权

KR101608089B1 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 有权
标题翻译：液晶显示器阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR101608089B1
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：KR1020090067531
申请日：2009-07-23
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이현규 , 이석 , 윤영진 , 이우람
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1343
摘要： 본발명은, a) 기판상에게이트전극을형성하는단계로서, a1) 구리계금속막을형성하는단계및 a2) 상기구리계금속막을식각액조성물로식각하는단계를포함하여, 게이트전극을형성하는단계; b) 상기게이트전극을포함한기판상에게이트절연층을형성하는단계; c) 상기게이트절연층상에반도체층을형성하는단계; d) 상기반도체층상에소스및 드레인전극을형성하는단계로서, d1) 구리계금속막을형성하는단계및 d2) 상기구리계금속막을식각액조성물로식각하는단계를포함하여, 소스및 드레인전극을형성하는단계; 및 e) 상기드레인전극에연결된화소전극을형성하는단계를포함하며, 상기 a2) 단계및 상기 d2) 단계에서상기식각액조성물은, 조성물의총 중량에대해 a) 과산화수소(HO) 2 내지 30 중량%; b) 질산(HNO) 0.1 내지 5 중량%; c) 함불소화합물 0.01 내지 1.0 중량%; d) 아졸화합물 0.1 내지 5 중량%; e) 이미다졸류화합물 0.1 내지 8.0 중량%; 및 f) 잔량의물을포함하는것을특징으로하는액정표시장치용어레이기판의제조방법을제공한다.
摘要翻译： A）在衬底上形成栅电极，所述方法包括：a1）形成铜基金属膜;以及a2）用蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜以形成栅电极。 b）在包括栅电极的衬底上形成栅极绝缘层; c）在栅极绝缘层上形成半导体层; d）在所述半导体层上形成源电极和漏电极，所述方法包括：d1）形成铜基金属膜;以及d2）用蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜以形成源电极和漏电极步骤; 和e）包括形成相对于所述组合物a）过氧化氢的（HO）2至30％（重量）的总重量计连接到所述漏电极的像素电极，其中，所述A2）工序和D2）在步骤中的蚀刻液体组合物具有的工序，。 b）0.1-5重量％的硝酸（HNO）; c）0.01至1.0重量％的氟化合物; d）0.1-5重量％的唑类化合物; e）0.1-8.0重量％的咪唑化合物; 并且f）剩余量的水。术语“液晶显示装置”

62. 发明公开

KR1020150074282A 박막 트랜지스터의 어레이 형성 방법 审中-实审
标题翻译：制备薄膜晶体管阵列的方法
公开(公告)号：KR1020150074282A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020130161481
申请日：2013-12-23
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김진성 , 이현규 , 정성민
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/3063 , H01L29/417 , H01L29/49
CPC分类号： H01L29/786 , H01L21/3063 , H01L29/41733 , H01L29/4908
摘要： 본발명은금속산화물막식각액조성물및 이를이용한박막트랜지스터의어레이형성방법에관한것으로서, 보다상세하게는본 발명은과산화수소 5 내지 25중량%, 불소함유화합물 0.05 내지 1중량%, 방향족유기산또는그의염 0.5 내지 3중량%, 및잔량의물을포함함으로써, 금속산화물막을선택적으로식각할수 있는금속산화물막식각액조성물및 이를이용한박막트랜지스터의어레이형성방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种金属氧化物膜的蚀刻剂组合物，以及一种使用该蚀刻剂组合物形成薄膜晶体管阵列的方法，更具体地说，涉及可以选择性地蚀刻金属氧化物膜的蚀刻剂组合物金属氧化物膜，通过含有5〜25重量％的过氧化物，0.05〜1重量％的含氟化合物，0.5〜3重量％的芳香族有机酸或其盐和残留的水，以及形成阵列的薄膜晶体管使用它。

63. 发明公开

KR1020140119885A 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 배선 형성 방법 审中-实审
标题翻译：基于铜箔的金属层的蚀刻组合物和金属线的制备方法
公开(公告)号：KR1020140119885A
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020130033687
申请日：2013-03-28
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이현규 , 김진성 , 이은원
IPC分类号： C23F1/18 , C09K13/06 , H01L21/306 , G02F1/136
CPC分类号： C23F1/18 , C09K13/06 , G02F1/136286 , G02F2001/136295
摘要： The present invention relates to an etching solution composition for a copper-based metal film and a method for forming wiring using the same. More specifically, the etching solution includes: 0.5-20 wt% of persulfate, 0.1-5 wt% of azole compound, 0.5-3 wt% of salt of copper, and the remainder consisting of water. The etching composition selectively etches only the copper-based metal film and has a taper profile with excellent straightness of an etched pattern.
摘要翻译：本发明涉及一种铜基金属膜用蚀刻液组合物及其制造方法。更具体地，蚀刻溶液包括：0.5-20重量％的过硫酸盐，0.1-5重量％的唑类化合物，0.5-3重量％的铜盐，其余由水组成。蚀刻组合物仅选择性地蚀刻铜基金属膜，并且具有具有优异蚀刻图案的平直度的锥形轮廓。

64. 发明授权

KR101406573B1 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 有权
标题翻译：蚀刻剂组成及其制作方法
公开(公告)号：KR101406573B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020080008122
申请日：2008-01-25
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 양승재 , 이현규
IPC分类号： C09K13/08
摘要： 본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, 0.5~20중량%의 (NH
4 )
2 S
2 O
8 ; 0.1~5중량%의 인산염; 0.01~1중량%의 함불소 화합물; 0.01~1중량%의 헤테로사이클릭아민
및 아미노카르복실산 화합물 중에서 선택되는 1종 이상의 질소 화합물; 및 73~99.38중량%의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법을 제공한다.
구리, 몰리브덴, 식각액

65. 发明授权

KR101403251B1 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 형성방법 有权
公开(公告)号：KR101403251B1
公开(公告)日：2014-06-03
申请号：KR1020070072599
申请日：2007-07-20
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 박영철 , 이석준 , 양승재 , 장상훈 , 이현규
IPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06
摘要： 본 발명은 구리를 포함하는 제 1 금속막 및 몰리브데늄을 포함하는 제 2 금속막을 각각 식각할 수 있고, 동시에 상기 제 1 금속막 및 상기 제 2 금속막을 포함하는 다중막을 일괄 습식 식각시키기 위한 식각액 조성물에 관한 것으로서, 조성물 총중량에 대하여, 유기산 0.1 내지 20 중량%; K
2 S
2 O
8
1 내지 20 중량%; 함불소 화합물 0.01 내지 1 중량%; Fe
3
+ 화합물 0.1 내지 10 중량%; 헤테로 사이클릭 아민 화합물 0.01 내지 5중량%; 및 잔량의 물을 조성물 총중량이 100중량%가 되도록 포함하는 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 형성 방법을 제공한다.
구리, 구리합금, 몰리브데늄, 식각액

66. 发明公开

KR1020130071083A 표시 장치 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130071083A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020110138403
申请日：2011-12-20
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이석 , 김진성 , 이현규
IPC分类号： G02F1/136 , C09K13/00
CPC分类号： G02F1/136286 , C09K13/04 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , H01L21/3213
摘要： PURPOSE: A display device and a method for manufacturing the same are provided to simplify a manufacturing process by patterning a copper alloy film and an oxide semiconductor layer at the same time. CONSTITUTION: After a gate pattern is formed on a base substrate(110), a gate insulating layer(120) is formed on the base substrate. An oxide semiconductor layer, an etch stopper(ES), and a data metal layer are successively formed on the base substrate. A photoresist pattern(152) is formed on the base substrate. The data metal layer and the oxide semiconductor layer are etched at the same time by using the etchant composition. The etchant composition includes hydrogen peroxide 1 to 30 weight %, azole compound 0.1 to 5 weight %, fluoride compound 0.01 to 2.0 weight %, chelating agent 0.1 to 5 weight %, and water.
摘要翻译：目的：提供显示装置及其制造方法，以通过同时对铜合金膜和氧化物半导体层进行图案化来简化制造工艺。构成：在基底基板（110）上形成栅极图案之后，在基底基板上形成栅极绝缘层（120）。在基底基板上依次形成氧化物半导体层，蚀刻停止层（ES）和数据金属层。在基底基板上形成光刻胶图案（152）。通过使用蚀刻剂组合物同时蚀刻数据金属层和氧化物半导体层。蚀刻剂组合物包含1〜30重量％的过氧化氢，0.1〜5重量％的唑类化合物，0.01〜2.0重量％的氟化物，0.1〜5重量％的螯合剂和水。

67. 发明公开

KR1020130050155A 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于液晶显示的阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020130050155A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：KR1020110115356
申请日：2011-11-07
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이현규 , 김진성 , 이석 , 정경섭
IPC分类号： G02F1/136 , C09K13/00
CPC分类号： G02F1/1362 , C09K13/04 , H01L21/3213
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing an LCD array panel is provided to simplify a process for manufacturing substrates including a semiconductor substrate by using an etchant composition of a metal oxide semiconductor layer. CONSTITUTION: A gate insulating layer is formed on a substrate after a gate electrode is formed. An active layer made of metal oxide semiconductor is formed on the gate insulating layer. As the active layer is etched by using an etchant composition including hydrogen peroxide 5-25 weight %, fluorocompound 0.01-1 weight %, and azole compound 0.1-5 weight % and water, a source/drain electrode is formed on the active layer. A pixel electrode connected to the drain electrode is formed.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造LCD阵列面板的方法，以简化通过使用金属氧化物半导体层的蚀刻剂组合物制造包括半导体衬底的衬底的工艺。构成：在形成栅电极之后，在基板上形成栅极绝缘层。在栅极绝缘层上形成由金属氧化物半导体构成的有源层。通过使用包含5-25重量％的过氧化氢，0.01-1重量％的氟化合物和0.1〜5重量％的唑化合物和水的蚀刻剂组合物蚀刻活性层，在活性层上形成源/漏电极。形成连接到漏电极的像素电极。

68. 发明公开

KR1020130018531A 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于液晶显示的阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020130018531A
公开(公告)日：2013-02-25
申请号：KR1020120080760
申请日：2012-07-24
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이현규 , 이석 , 이은원
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/786 , C09K13/00
CPC分类号： G02F1/136286 , C23F1/18 , G02F1/1368 , H01L21/32134 , H01L29/45 , H01L29/4908
摘要： PURPOSE: An array board manufacturing method for an LCD(Liquid Crystal Display) device is provided to implement a linear tapper profile by using etchant composites. CONSTITUTION: A gate electrode is formed by using a copper metal film, a metal oxide film, and etchant composites. A source and drain electrode is formed by etching the copper metal film and metal oxide film by using the etchant composite. The etchant composite includes hydrogen peroxide, fluorine containing compound, azole compound, inorganic acid, and water.
摘要翻译：目的：提供一种用于LCD（液晶显示器）装置的阵列板制造方法，以通过使用蚀刻剂复合材料实现线性分布器轮廓。构成：通过使用铜金属膜，金属氧化物膜和蚀刻剂复合材料形成栅电极。通过使用蚀刻剂复合物蚀刻铜金属膜和金属氧化物膜来形成源极和漏极。蚀刻剂复合物包括过氧化氢，含氟化合物，唑类化合物，无机酸和水。

69. 发明公开

KR1020130016068A 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于液晶显示的阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020130016068A
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：KR1020120081098
申请日：2012-07-25
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 전현수 , 이석 , 이현규 , 정경섭
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/78 , C09K13/00
CPC分类号： G02F1/136286 , C09K13/00 , C23F1/16 , H01L29/458 , H01L29/4908
摘要： PURPOSE: A method for fabricating an array substrate for a liquid crystal display device is provided to simplify an etching process by etching a gate electrode, a gate line, a source electrode, a drain electrode, and a data line at the same time. CONSTITUTION: Etching composition is used for etching a copper metal, a multilayer of the copper metal film and a metal oxide film, or a molybdenum metal layer. The etching composition includes hydrogen peroxide, fluorine containing compound, azole compound, sulfonic acid, and water. The Etching composition removes a residue due to an etching process. The azole compound controls the etching rate of the copper metal film. The sulfonic acid improves the taper angle and directivity of an etched metal layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于液晶显示装置的阵列基板的制造方法，以同时蚀刻栅电极，栅极线，源电极，漏电极和数据线来简化蚀刻工艺。构成：蚀刻组合物用于蚀刻铜金属，铜金属膜和金属氧化物膜的多层或钼金属层。蚀刻组合物包括过氧化氢，含氟化合物，唑类化合物，磺酸和水。蚀刻组合物由于蚀刻工艺而除去残留物。唑类化合物控制铜金属膜的蚀刻速率。磺酸改善了蚀刻金属层的锥角和方向性。

70. 发明公开

KR1020130016067A 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于液晶显示的阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020130016067A
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：KR1020120081096
申请日：2012-07-25
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이현규 , 이석 , 전현수
IPC分类号： G02F1/1368 , C09K13/00
CPC分类号： G02F1/136286 , C09K13/08 , G02F2001/136295 , H01B1/026
摘要： PURPOSE: A method for fabricating an array substrate for liquid crystal display device is provided to achieve a taper profile with an excellent etching uniformity by etching a copper metal film, a multilayer composed of the copper metal film and a metal oxide film, or a multilayer composed of the copper metal film and a molybdenum metal layer. CONSTITUTION: A copper metal film, a multilayer composed of the copper metal film and a metal oxide film, or a multilayer composed of the copper metal film and a molybdenum metal layer is formed on a substrate and a semiconductor layer. An etching process is performed on it to form a gate electrode, a source and a drain electrode. Etching composition includes hydrogen peroxide, fluorine containing compound, azole compound, fluorine containing compound, organic peracid, and water.
摘要翻译：目的：提供一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，通过蚀刻铜金属膜，由铜金属膜和金属氧化物膜构成的多层或多层膜，实现具有优异的蚀刻均匀性的锥形轮廓由铜金属膜和钼金属层组成。构成：在基板和半导体层上形成铜金属膜，由铜金属膜和金属氧化物膜构成的多层，或由铜金属膜和钼金属层构成的多层。对其进行蚀刻处理以形成栅极，源极和漏极。蚀刻组合物包括过氧化氢，含氟化合物，唑化合物，含氟化合物，有机过酸和水。

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