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51. 发明公开

KR1020140015366A 연마용 조성물 审中-实审
标题翻译：抛光组合物
公开(公告)号：KR1020140015366A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020137024298
申请日：2012-02-20
申请人： 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드
发明人： 아사노,히로시 , 타마이,카즈세이 , 오카다,야스노리
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024
摘要： 본 발명은 적어도 산화알루미늄 지립 및 물을 함유하고, 8.5 이상의 pH를 갖는 연마용 조성물이 제공된다. 산화알루미늄 지립은 20 m
2 /g 이하의 비표면적을 갖는다. 산화알루미늄 지립은 0.1 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하의 평균 이차 입경을 갖는 것이 바람직하다. 연마용 조성물은 빅커스 경도가 1,500 Hv 이상인 경취 재료, 예를 들면 사파이어, 탄화규소 또는 질화갈륨을 연마하는 용도로 사용된다.
摘要翻译：本发明提供至少含有氧化铝磨粒和水，pH值在8.5以上的抛光组合物。氧化铝磨粒的比表面积为20m 2 / g以下。优选氧化铝磨粒的平均二次粒径为0.1μm以上且20μm以下。抛光组合物用于研磨维氏硬度为1500Hv或更高的硬质和脆性材料，例如蓝宝石，碳化硅和氮化镓。

52. 发明授权

KR101340822B1 ＧａＮ 결정 기판 및 그 제조 방법 및 반도체 장치의 제조방법 有权
标题翻译： GaN晶体基板及其制造方法及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101340822B1
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：KR1020070008201
申请日：2007-01-26
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
发明人： 다나카노리코
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B25/20 , C30B29/40 , G01B11/30 , H01L21/02005 , H01L21/02019 , H01L21/02024 , H01L21/30612 , H01L21/30617 , H01L33/0075
摘要： 본 GaN 결정 기판(10)은 결정 성장면(10c)의 반대측 면인 이면(10r)의 휘어짐(w
(R) )이 -50 ㎛ ≤ w
(R) ≤ 50 ㎛이며, 이면(l0r)의 면 거칠기(Ra
(R) )를 Ra
(R) ≤ 10 ㎛, 이면(1Or)의 면 거칠기(Ry
(R) )를 Ry
(R) ≤ 75 ㎛로 할 수 있다. 또한, 본 반도체 장치(99)의 제조 방법은 기판으로서 상기 GaN 결정 기판(10)을 준비하며, 이 GaN 결정 기판(10)의 결정 성장면(10c)측에 적어도 1층의 III족 질화물 결정층(20)을 성장시키는 공정을 포함한다. 이에 따라, 결정 성장면 상에 결정성이 좋은 반도체층을 성장시키는 것이 가능한, 이면의 휘어짐이 작은 GaN 결정 기판 및 그 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.

53. 发明公开

KR1020130114635A 연마제 및 연마 방법 无效
标题翻译：抛光剂和抛光方法
公开(公告)号：KR1020130114635A
公开(公告)日：2013-10-18
申请号：KR1020137000480
申请日：2011-06-28
申请人： 아사히 가라스 가부시키가이샤
发明人： 요시다유이코
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： B24B37/044 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L33/007
摘要： 본 발명은 연마 대상물 (1) 의 피연마면을 연마하기 위한 연마제 (5) 로서, 평균 일차 입자경이 5∼20 ㎚ 인 제 1 산화규소 미립자와, 평균 일차 입자경이 40∼110 ㎚ 인 제 2 산화규소 미립자와, 물을 함유하고, 또한 상기 제 1 산화규소 미립자와 제 2 산화규소 미립자의 합계량에서 차지하는 상기 제 1 산화규소 미립자의 비율이 0.7∼30 질량％ 인 연마제에 관한 것이다.

54. 发明授权

KR101291880B1 반도체 웨이퍼 제조 방법 有权
标题翻译：生产半导体波形的方法
公开(公告)号：KR101291880B1
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：KR1020100051121
申请日：2010-05-31
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 슈반드네르위르겐
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/042 , H01L21/02024
摘要： 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법은,
a) 실리콘 봉을 절단하여 웨이퍼로 만듦으로써 반도체 웨이퍼를 마련하는 단계;
b) 반도체 웨이퍼가 전면 및 배면에서 편평한 표면과 에지 영역에서 경사진 라운드 표면을 포함하도록 반도체 웨이퍼의 에지를 라운드 가공하는 단계; 및
c) 반도체 웨이퍼의 전면 및 배면을 폴리싱 가공하는 단계
를 포함하며, 반도체 웨이퍼의 전면의 폴리싱 가공은 고정된 연마재가 없는 폴리싱 패드를 이용한 화학기계적 폴리싱 가공을 포함하며, 반도체 웨이퍼의 배면의 폴리싱 가공은 연마재 물질이 결합되어 있고 반도체 웨이퍼의 배면 상에 폴리싱 압력으로 압박되는 폴리싱 패드를 각각 이용하여 3단계로 수행하되, 제1 단계에서는 고상 성분이 없는 폴리싱제를 폴리싱 패드와 반도체 웨이퍼의 배면 사이에 도입하는 한편 제2 및 제3 단계에서는 연마재 물질을 함유한 폴리싱제를 도입하고, 상기 폴리싱 압력은 제1 및 제2 단계에서 8 내지 15 psi로 하고 제3 단계에서는 0.5 내지 5 psi로 감소시킨다.

55. 发明授权

KR101281879B1 수용성 산화제를 이용한 탄화규소 연마 방법 有权
标题翻译：使用水溶性氧化剂的碳化硅抛光方法
公开(公告)号：KR101281879B1
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：KR1020107022120
申请日：2009-03-02
申请人： 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션
发明人： 화이트,마이클 , 존스,라몬 , 질리랜드,제프리 , 모에겐보르그,케빈
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024 , H01L21/0475 , H01L29/1608
摘要： 본 발명의 방법은 액체 담체, 마모제 및 산화제를 포함하는 연마 조성물로 하나 이상의 층의 탄화규소를 포함하는 기판을 화학적-기계적으로 연마하는 단계를 포함한다.

56. 发明授权

KR101261239B1 반도체 기판의 표면 가공 방법 失效
标题翻译：半导体衬底表面处理方法
公开(公告)号：KR101261239B1
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：KR1020110131218
申请日：2011-12-08
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 어성우 , 김경준
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02024 , H01L21/0201 , H01L21/02052
摘要： PURPOSE: A method for processing the surface of a semiconductor substrate is provided to etch a damage layer to form a concavo-convex shape after the semiconductor substrate is lapped, to perform a polishing process after a polishing surface area is reduced, and to completely remove the damage layer without several surface processes. CONSTITUTION: The surface of a semiconductor substrate is lapped(S100). The lapped surface of the semiconductor substrate is etched to form a concavo-convex shape(S200). The concavo-convex-shaped surface is polished(S300). [Reference numerals] (S100) Lap the surface of a semiconductor substrate; (S200) Etch into a concavo-convex shape; (S300) Perform polishing
摘要翻译：目的：提供一种用于处理半导体衬底的表面的方法，以在半导体衬底被研磨之后蚀刻损伤层以形成凹凸形状，以在研磨表面积减小之后执行抛光工艺，并且完全去除损伤层没有几个表面处理。构成：研磨半导体衬底的表面（S100）。蚀刻半导体衬底的重叠表面以形成凹凸形状（S200）。抛光凹凸形表面（S300）。（附图标记）（S100）搭接半导体衬底的表面; （S200）蚀刻成凹凸形状; （S300）进行抛光

57. 发明公开

KR1020130022426A Ⅲ-Ｎ 기판의 평활화방법 有权
标题翻译：用于吸收III-N基材的方法
公开(公告)号：KR1020130022426A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：KR1020137001513
申请日：2006-07-26
申请人： 프라이베르게르 컴파운드 마터리얼스 게엠베하
发明人： 횔찌히쉬테판 , 라이비거군나르
IPC分类号： C30B33/00 , H01L21/304 , C30B29/38
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/30625
摘要： 본 발명은 평활화된 III-N, 상세하게는 평활화된 III-N 기판 또는 III-N 템플레이트를 준비하는 방법을 기술하며, 이때 상기 III은 Al, Ga 및 In으로부터 선택된 원소주기율표의 적어도 하나의 III족 원소를 가리키고, 평활화제는 연마제 입자로서 입방정질화붕소를 포함한다. 이로써, 기판 전체 또는 웨이퍼 표면 전체에 걸쳐 매우 낮은 표면조도의 균일성으로 적어도 40mm의 직경을 갖는 대형 III-N 기판이나 III-N 템플레이트를 제공할 수 있다. 따라서, 백색광간섭계에 의한 웨이퍼표면의 매핑에서 rms값의 표준편차는 5% 또는 그 이하이다. 동시에, 이 특성은 상기 표면 또는 상기 표면부근 영역에서 매우 양호한 결정품질로 달성될 수 있고, 이는 예를 들어 로킹곡선매핑 및/또는 마이크로라만 매핑에 의해 측정될 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种生产平滑III-N，特别是平滑的III-N底物或III-N模板的方法，III是指从Al，Ga和In中选择的周期表III族中的至少一种元素。平滑装置包括立方氮化硼作为磨料颗粒。所述方法使得可以在衬底或晶片的整个表面上产生具有最小直径为40mm的大面积III-N衬底或III-N模板，具有均匀的非常低的表面粗糙度。例如，当通过白光干涉仪映射晶片表面时，均方根值的标准偏差为5％或更小。所述性质可以在表面或表面附近的非常好的晶体质量下获得，例如通过摇摆曲线测绘和/或微拉曼测绘来测量质量。

58. 发明公开

KR1020130014588A 실리콘 웨이퍼의 연마 방법 无效
标题翻译：抛光硅波的方法
公开(公告)号：KR1020130014588A
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：KR1020127031269
申请日：2011-07-01
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 다니모토류이치 , 사도하라신야 , 다쿠시마타케루
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： H01L21/30625 , B24B37/044 , H01L21/02024
摘要： 무지립(無砥粒)의 약염기성 수용액이 주제(主劑)인 최종 연마액을 사용하여, 마무리 연마면을 최종 연마한다. 그때, 최종 연마액의 주제로서, 최종 연마면의 헤이즈값이 웨이퍼의 마무리 연마면의 헤이즈값보다 낮아지는 알칼리 농도의 약염기성 수용액을 이용한다.

59. 发明授权

KR101229707B1 반도체 웨이퍼의 양면 연마 방법 有权
标题翻译：半导体波形双面抛光方法
公开(公告)号：KR101229707B1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：KR1020110028882
申请日：2011-03-30
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 슈반더위르겐 , 부슈하르트토마스 , 코퍼트롤란드
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/044 , B24B37/08
摘要： 반도체 웨이퍼의 양면 연마를 위한 방법에 있어서, 제1 연마 패드로 덮인 상부 연마 플레이트와 제2 연마 패드로 덮인 하부 연마 플레이트 사이에 캐리어의 컷아웃에 위치된 반도체 웨이퍼의 동시 양면 연마를 포함하고, 캐리어에 위치된 반도체 웨이퍼는 연마 동안 상부 및 하부 연마 플레이트에 의해 형성된 작업 간격으로부터 자신의 영역의 일부가 일시적으로 돌출되며, 둘 다의 연마 패드는 정사각형 세그먼트들의 체크무늬 배열이 연마 패드 상에 형성되도록 0.5 내지 2 mm의 깊이와 폭을 갖는 채널들의 규칙적인 배열을 가지며, 상부 연마 플레이트 상에 위치된 제1 연마 패드는 20 mm x 20 mm보다 큰 세그먼트들을 갖고, 하부 연마 플레이트 상에 위치된 제2 연마 패드는 20 mm x 20 mm 이하의 세그먼트들을 가지며, 둘 다의 연마 패드는 세그먼트들 상에 0.1 내지 1.0 ㎛의 평균 크기를 갖는, 실리콘, 알루미늄 및 세륨으로 구성된 그룹으로부터 선택된 원소의 산화물의 연마재를 포함하고, 연마 프로세스 동안 연마제 용액이 공급되고, 연마제 용액의 pH 값은 11 내지 13.5의 범위에서 알칼리성 성분의 대응하는 공급에 의해 변할 수 있으며, 제1 단계에서 11-12.5의 pH를 갖는 연마제 용액이 공급되고 제2 단계에서 13-13.5의 pH를 갖는 연마제 용액이 공급되는 것인, 반도체 웨이퍼의 양면 연마를 위한 방법이 제공된다.

60. 发明公开

KR1020120091371A 반도체 웨이퍼의 제조 방법 无效
标题翻译：半导体波形制造方法
公开(公告)号：KR1020120091371A
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020127015531
申请日：2011-02-16
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 하시이토모히로 , 가키조노유이치 , 구로사와요시아키
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： B24B37/042 , B24B9/065 , B24B27/0633 , B24B37/08 , B24B37/245 , B28D5/0076 , H01L21/02008 , H01L21/02013 , H01L21/02021 , H01L21/02024
摘要： 연마 공정을 제외한 기계 가공 프로세스로 행해지는 처리 공정의 전부를, 유리(遊離) 지립(砥粒)을 포함하지 않는 순수(純水)를 공급하면서의 처리로 함으로써, 각 공정으로부터 배출되는 사용이 끝난 가공액 중에 포함되는 지립의 양을 저감시키고, 그리고 사용이 끝난 슬러리로부터 반도체 부스러기를 회수하여 재이용한다.

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