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51. 发明授权

KR101454077B1 캐리어 웨이퍼를 갖는 웨이퍼 어셈블리 有权
标题翻译：带载波的WAFER装配
公开(公告)号：KR101454077B1
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：KR1020120127609
申请日：2012-11-12
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 황이슝 , 리우흥신 , 리흥젠 , 린친시앙
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0201 , H01L21/6835 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要： The present invention relates to a wafer assembly with a carrier wafer. The wafer assembly with the carrier wafer according to the embodiment of the present invention includes a process wafer and the carrier wafer. An integrated circuit is formed of the process wafer. The carrier wafer is bonded to the process wafer. The carrier wafer includes at least one alignment mark.
摘要翻译：本发明涉及具有载体晶片的晶片组件。根据本发明的实施例的具有载体晶片的晶片组件包括处理晶片和载体晶片。集成电路由处理晶片形成。载体晶片结合到工艺晶片。载体晶片包括至少一个对准标记。

52. 发明公开

KR1020140063840A 반도체 처리를 위한 평면형 열적 존을 갖는 열적 플레이트 有权
标题翻译：具有用于半导体加工的平面热区的热板
公开(公告)号：KR1020140063840A
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020147010282
申请日：2012-09-17
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 개프키이스윌리암 , 커멘댄트키이스 , 리치앤서니
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/30
CPC分类号： F25B21/04 , H01L21/0201 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L35/34 , Y10T29/49083 , Y10T29/49165 , H01L21/683 , H01L21/30 , H01L21/324 , H01L21/6833
摘要： 반도체 플라즈마 처리 장치 내의 기판 지지 어셈블리를 위한 열적 플레이트는,스케일링 가능한 다중화 층 내에 배열된 다중의 독립적으로 제어가능한 평면형 열적 존과, 상기 평면형 열적 존을 독립적으로 제어하고 전력을 공급하기 위한 전자 기술을 포함한다. 각각의 평면형 열적 존은 열전기 요소로서 적어도 하나의 펠티에 디바이스를 사용한다. 상기 열적 플레이트가 합체된 기판 지지 어셈블리는 정전기적 클램핑 전극 층 및 온도 제어형 베이스 플레이트를 포함한다. 상기 열적 플레이트를 제조하는 방법은 평면형 열적 존을 갖는 세라믹 또는 폴리머 시트와, 양 전압 라인, 음 전압 라인 및 공통 라인과, 비아 (via) 를 포함한다.

53. 发明公开

KR1020130120403A 접착제 조성물, 및 이를 이용한 접착 시트, 반도체 장치 보호용 재료, 및 반도체 장치 有权
标题翻译：粘合组合物和粘合片，用于保护半导体器件的材料和使用该半导体器件的半导体器件
公开(公告)号：KR1020130120403A
公开(公告)日：2013-11-04
申请号：KR1020130044808
申请日：2013-04-23
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 콘도,카즈노리
IPC分类号： C09J183/04 , C09J163/00 , C09J7/02 , H01L21/02
CPC分类号： H01L24/26 , H01L23/293 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13564 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81011 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/83877 , H01L2224/83885 , H01L2224/92125 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/15788 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , Y10T428/31511 , Y10T428/31663 , H01L2924/0665 , H01L2924/0715 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00 , C09J183/04 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J7/35 , C09J163/00 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , H01L21/0201 , H01L21/02013 , H01L21/6836
摘要： The purpose of the present invention is to provide an adhesive composition which is preferably used for the manufacture of a semiconductor device and, especially, to the adhesive composition which prevents a void from being easily generated between bumps in a bonding process and protects the positional deviation of the bump and the generation of a void after solder junction. To this end, the adhesive composition contains polymers with a reactive functional group, thermosetting resins and compounds with flux action and has the lowest melting point of less than 500 Pa·s at the temperature of less than 200 and the melting point of more than 500 Pa·s at the temperature of 200.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种粘合剂组合物，其优选用于制造半导体器件，特别是粘合剂组合物，其防止在接合过程中在凸块之间容易产生空隙并保护位置偏差的碰撞和焊接后产生的空隙。为此，粘合剂组合物含有具有反应性官能团的聚合物，热固性树脂和具有助焊剂作用的化合物，其熔点低于500Pa，熔点低于200℃，熔点超过500℃ 温度为200℃。

54. 发明授权

KR101261239B1 반도체 기판의 표면 가공 방법 失效
标题翻译：半导体衬底表面处理方法
公开(公告)号：KR101261239B1
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：KR1020110131218
申请日：2011-12-08
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 어성우 , 김경준
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02024 , H01L21/0201 , H01L21/02052
摘要： PURPOSE: A method for processing the surface of a semiconductor substrate is provided to etch a damage layer to form a concavo-convex shape after the semiconductor substrate is lapped, to perform a polishing process after a polishing surface area is reduced, and to completely remove the damage layer without several surface processes. CONSTITUTION: The surface of a semiconductor substrate is lapped(S100). The lapped surface of the semiconductor substrate is etched to form a concavo-convex shape(S200). The concavo-convex-shaped surface is polished(S300). [Reference numerals] (S100) Lap the surface of a semiconductor substrate; (S200) Etch into a concavo-convex shape; (S300) Perform polishing
摘要翻译：目的：提供一种用于处理半导体衬底的表面的方法，以在半导体衬底被研磨之后蚀刻损伤层以形成凹凸形状，以在研磨表面积减小之后执行抛光工艺，并且完全去除损伤层没有几个表面处理。构成：研磨半导体衬底的表面（S100）。蚀刻半导体衬底的重叠表面以形成凹凸形状（S200）。抛光凹凸形表面（S300）。（附图标记）（S100）搭接半导体衬底的表面; （S200）蚀刻成凹凸形状; （S300）进行抛光

55. 发明公开

KR1020120137411A 결함밀도가 저감된 에피택셜 기재를 수득하기 위한 결함 피복 방법 无效
标题翻译：用于减少缺陷密度外延文章的缺陷提取
公开(公告)号：KR1020120137411A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：KR1020127026675
申请日：2011-03-11
申请人： 신메트, 잉크 , 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크.
发明人： 싱하,라지브,케이. , 아르주난,아룰,차카라바티 , 싱하,디피카
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0201 , C30B25/186 , C30B29/36 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02389 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02521 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/30608 , H01L21/30617 , H01L21/30625 , H01L29/1608 , H01L29/2003
摘要： 에피택셜 기재(100)로서, 상기 에피택셜 기재(100)는 에피택셜 기판(120)을 포함하며, 상기 에피택셜 기판(120)은 결정질 결함 또는 비정질 영역(111)과 결정질 비결함 영역(112)을 포함하는 표면 조성을 갖는 기판 표면(103)이 포함하여 구성된다.
결정질 결함 또는 비정질 영역은 표면 함몰 영역이 형성된 기판 표면에 함몰 형성되며, 상기 피복 물질(108)은 기판 함몰 영역에 충전되어 피복된 결함(113(a))을 형성하고, 상기 피복된 결함(113(a))는 결함 영역의 상단부로부터 기판 표면으로 연장된다.
피복 물질은 기판 표면 조성과 조성적으로 상이하며, 기판 표면상의 에피택셜 층(115) 중 0.5 ㎛
2 이상의 면적을 갖는 적어도 하나의 영역에서의 평균 결정질 결함 밀도가 기판 표면 또는 표면 하부의 동일 영역에서의 평균 결정질 결함밀도보다 2배 이상 낮다.

56. 发明公开

KR1020110028763A 유기 반사방지막 형성용 이소시아누레이트 화합물 및 이를 포함하는 조성물 有权
标题翻译：用于形成有机抗反射涂层的异氰酸酯化合物及其组合物
公开(公告)号：KR1020110028763A
公开(公告)日：2011-03-22
申请号：KR1020090086352
申请日：2009-09-14
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 노효정 , 주동규 , 김현진 , 김덕배
IPC分类号： G03F7/09 , C07D251/06 , C08K5/00 , C08K5/42 , B05D3/02 , C08F283/00 , C08G75/00 , C08L81/00 , H01L21/027 , G03F7/16
CPC分类号： G03F7/091 , B05D3/02 , C07D251/06 , C08F283/00 , C08G75/00 , C08K5/0025 , C08K5/42 , C09D5/006 , G03F7/168 , H01L21/0201 , H01L21/0271 , H01L21/4757 , H01L31/02168 , H01L2924/0705 , H01L2924/364 , C08L81/00 , H01L21/0276
摘要： PURPOSE: An isocyanurate compound for forming an organic anti-reflective coating layer and a composition including the same, and a method for forming the organic anti-reflective coating layer are provided to modify the profile of patterns by suppressing undercutting, notching, and footing phenomena in a photo-lithographic process. CONSTITUTION: An isocyanurate compound for forming an organic anti-reflective coating layer is represented by chemical formula 1. R is hydrogen or a methyl group. R1 is respectively C1 to C15 chain or cyclic saturated or unsaturated hydrocarbon containing 0 to 6 hetero atoms. R2 is respectively C1 to C15 chain or cyclic saturated or unsaturated hydrocarbon containing 0 to 15 hetero atoms. A composition for forming the organic anti-reflective coating layer includes 1-5 weight% of the compound, 0.01 to 0.4 weight% a cross-linking agent, 0.01-0.25 weight% of an acid generator, and organic solvent.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成有机抗反射涂层的异氰脲酸酯化合物和包含其的组合物，以及形成有机抗反射涂层的方法，通过抑制底切，开槽和基脚现象来改变图案的轮廓在光刻工艺中。构成：用于形成有机抗反射涂层的异氰脲酸酯化合物由化学式1表示.R是氢或甲基。 R1分别为含有0〜6个杂原子的C1〜C15链或环状饱和或不饱和烃。 R2分别为含有0〜15个杂原子的C1〜C15链或环状饱和或不饱和烃。用于形成有机抗反射涂层的组合物包括1-5重量％的化合物，0.01至0.4重量％的交联剂，0.01-0.25重量％的酸产生剂和有机溶剂。

57. 发明公开

KR1020070037689A 웨이퍼의 가공 방법 및 가공 장치 无效
标题翻译： WAFER加工方法和加工方法
公开(公告)号：KR1020070037689A
公开(公告)日：2007-04-06
申请号：KR1020060097043
申请日：2006-10-02
申请人： 가부시키가이샤 브리지스톤
发明人： 이시다,히로유끼
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B9/065 , B24C1/086 , H01L21/0201 , H01L21/02057 , H01L21/67051
摘要： 본 발명은 성막된 웨이퍼의 표면상에 웨이퍼 주연부를 제외하고 마스크를 제공하기 위한 마스킹 공정; 및 무기 재료를 함유하는 처리액을 웨이퍼 주연부상에 분무하기 위한 연마 공정을 포함하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다. 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법에 따르면, 웨이퍼 주연부상에 존재하는 불순물을 용이하게 제거할 수 있다.
웨이퍼 가공 방법, 웨이퍼 가공 장치, 탄화규소, 비접촉식 마스크

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