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51. 发明授权

KR100817276B1 반도체 웨이퍼의 다이싱 장치 및 그 다이싱 방법 失效
标题翻译：定义装置及其定义方法
公开(公告)号：KR100817276B1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：KR1020060108053
申请日：2006-11-03
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이재훈 , 노재철 , 박하종 , 김우석 , 윤종배 , 공문헌 , 김남승
IPC分类号： H01L21/78
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L21/78
摘要： An apparatus for dicing a semiconductor wafer is provided to shorten an interval of dicing time for a semiconductor wafer by dicing a semiconductor wafer while using a difference of a thermal expansion coefficient caused by the temperature of a substrate. A semiconductor wafer(200) having a scribe line for separating the semiconductor wafer into a plurality of unit semiconductor devices is mounted on a lower holder(300). A cooling chuck(400) cools the bottom surface of the semiconductor wafer, installed between the lower holder and the semiconductor substrate. A cooling system(410) is connected to the cooling chuck to operate the cooling chuck. An upper holder(500) is installed over the semiconductor wafer, corresponding to the lower holder. A heating chuck(600) heats the scribe line of the semiconductor wafer, installed in the upper holder. A heating system(650) is connected to the heating chuck to operate the heating chuck. A cooling line is built in the cooling chuck, having a structure corresponding to the scribe line of the semiconductor wafer. An align system(420) adjusts the dicing position of the semiconductor wafer, connected to the cooling chuck.
摘要翻译：提供一种用于切割半导体晶片的装置，通过利用由基板的温度引起的热膨胀系数的差异，通过切割半导体晶片来缩短半导体晶片的切割时间的间隔。具有用于将半导体晶片分离为多个单位半导体器件的划线的半导体晶片（200）安装在下保持器（300）上。冷却卡盘（400）冷却安装在下支架和半导体基板之间的半导体晶片的底表面。冷却系统（410）连接到冷却卡盘以操作冷却卡盘。上半托架（500）安装在半导体晶片上，对应于下支架。加热卡盘（600）加热安装在上支架中的半导体晶片的划线。加热系统（650）连接到加热卡盘以操作加热卡盘。在冷却卡盘中内置冷却线，其具有对应于半导体晶片划线的结构。对准系统（420）调节连接到冷却卡盘的半导体晶片的切割位置。

52. 发明公开

KR1020070020840A 수직구조 질화갈륨계 ＬＥＤ 소자의 제조방법 有权
标题翻译：用于形成垂直结构的GaN型发光二极管器件的方法
公开(公告)号：KR1020070020840A
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020050075159
申请日：2005-08-17
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 오정탁 , 이재훈 , 최석범
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/007
摘要： 본 발명은 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 기판 상에 소정 크기의 단위 LED 형성 영역을 정의하는 절연패턴을 형성하는 단계와, 상기 절연패턴이 형성된 영역을 제외한 기판 상에 n형 질화갈륨계 반도체층과 활성층 및 p형 질화갈륨계 반도체층이 순차 적층되어 있는 구조의 발광 구조물을 형성하는 단계와, 상기 절연패턴을 제거하여 상기 발광 구조물을 소정 크기의 단위 LED로 분리하는 단계와, 상기 분리된 발광 구조물 상에 p형 전극을 각각 형성하는 단계와, 상기 p형 전극 상에 구조지지층을 형성하는 단계와, 상기 기판을 제거하여 상기 n형 질화갈륨계 반도체층을 노출하는 단계 및 상기 노출된 n형 질화갈륨계 반도체층 상에 각각 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
수직구조, 질화갈륨계 LED, 소자분리, 절연패턴

53. 发明授权

KR100674829B1 질화물계 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：基于氮化物的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100674829B1
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：KR1020040087201
申请日：2004-10-29
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이재훈 , 이정희 , 조현익
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： C30B29/403 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02636
摘要： 보다 단순한 공정으로 실리콘 기판 위에 GaN층을 용이하게 형성시킬 수 있고 크랙 발생을 충분히 억제할 수 있는 질화물계 반도체 장치의 제조 방법 및 이에 의한 질화물계 반도체 장치를 개시한다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 상에 고온 AlN 단결정층을 성장시키는 단계와; 상기 AlN 단결정층 상에 300 Torr 이상인 제1 압력에서 지배적인 성장 방향이 측방향이 되도록 제1 Ⅴ/Ⅲ비로 제1 GaN층을 성장시키는 단계와; 상기 제1 GaN층 상에 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력에서 상기 제1 Ⅴ/Ⅲ비보다 낮은 제2 Ⅴ/Ⅲ비로 제2 GaN층을 성장시키는 단계를 포함한다.
질화물계 반도체 장치, Si 기판, GaN

54. 发明授权

KR100643920B1 이종구조 전계효과 트랜지스터의 제조방법 失效
标题翻译： 이종구조전계효과트랜지스터의제조방법
公开(公告)号：KR100643920B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050105776
申请日：2005-11-07
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이재훈 , 노재철 , 이정표 , 공문헌 , 이현진
IPC分类号： H01L29/737 , H01L21/318
摘要： A method for manufacturing a hetero-structure FET(Field Effect Transistor) is provided to prevent the degradation of a GaN based device by emitting easily the heat of the GaN based device to the outside using an electroplating layer as a support substrate. A GaN buffer layer(20) and a GaN sacrificial layer(70) are sequentially formed on a sapphire substrate(10). An AlGaN layer(40) and a GaN semi-insulating layer(30) are sequentially formed on the GaN sacrificial layer to form a hetero-junction structure. A mesa etching process is performed on the resultant structure to separate unit FETs from each other. A mask(90) for exposing partially the GaN semi-insulating layer to the outside is formed thereon. An electroplating layer(85) is formed on the exposed GaN semi-insulating layer. Then, the sapphire substrate is removed therefrom.
摘要翻译：提供一种用于制造异质结FET（场效应晶体管）的方法，其通过使用电镀层作为支撑衬底容易地将GaN基器件的热量发射到外部来防止GaN基器件的退化。在蓝宝石衬底（10）上依次形成GaN缓冲层（20）和GaN牺牲层（70）。在GaN牺牲层上顺序形成AlGaN层（40）和GaN半绝缘层（30）以形成异质结结构。在所得结构上进行台面蚀刻工艺以将单位FET彼此分开。在其上形成用于部分地将GaN半绝缘层暴露于外部的掩模（90）。电镀层（85）形成在暴露的GaN半绝缘层上。然后，蓝宝石衬底从中移除。

55. 发明公开

KR1020060108882A 수직구조 3족 질화물 발광 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：制造立式III型氮化物发光装置的方法
公开(公告)号：KR1020060108882A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：KR1020050031107
申请日：2005-04-14
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이재훈 , 김용천 , 백형기 , 공문헌 , 김동우
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L2933/0083
摘要： The invention provides a vertical group III-nitride light emitting device improved in external extraction efficiency and a method for manufacturing the same. The method includes forming an undoped GaN layer and an insulating layer on a basic substrate. Then, the insulating layer is selectively etched to form an insulating pattern, and an n-doped AlxGayIn(1-x-y)N layer, an active layer and a p-doped AlmGanIn(1-m-n)N layer are sequentially formed on the insulating pattern. A conductive substrate is formed on the p-doped AlmGanIn(1-m-n)N layer. The basic substrate, the undoped gaN layer and the insulating pattern are removed, and an n-electrode is formed on a part of the exposed surface of the n-doped AlxGayIn(1-x-y)N layer.

56. 发明公开

KR1020060095118A 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 失效
标题翻译： FLIP芯片型氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020060095118A
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：KR1020050016523
申请日：2005-02-28
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 공문헌 , 김용천 , 이재훈 , 정영준 , 백형기
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 본 발명은 플립칩용 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 n형 질화물 반도체층의 중심부에 n측 전극의 본딩패드를 형성하고, 상기 본딩패드로부터 연장된 전극지를 형성함으로써, 전류 확산을 개선하고 전류 크라우딩 현상을 방지할 수 있는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 발명은, 투광성 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상의 거의 중심부에 형성된 본딩패드 및 상기 본딩패드로부터 연장되어 형성된 적어도 하나의 제1 전극지로 이루어진 n측 전극; 상기 n형 질화물 반도체층 상의 상기 n측 전극이 형성되지 않은 영역에 순차적으로 적층된 활성층 및 p형 질화물 반도체층; 및 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 고반사성 오믹콘택층을 포함하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물 반도체 발광소자, 고반사성 오믹콘택층, 전극, 본딩패드, 전극지

57. 发明授权

KR100616621B1 질화물계 반도체 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：氮化物基半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100616621B1
公开(公告)日：2006-08-28
申请号：KR1020040076837
申请日：2004-09-24
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이재훈 , 이정희
IPC分类号： H01L29/772 , H03H9/64 , H01L21/336
CPC分类号： H03H9/0542 , H01L27/0605 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H03H3/08
摘要： 우수한 표면 특성을 가진 표면 탄성파(SAW) 필터와 높은 결정성의 이종접합 전계효과 트랜지스터(HFET)를 동일 기판에 집적시킨 질화물계 반도체 장치 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 장치는 반절연성 GaN층과, 상기 반절연성 GaN층 상의 일측에 형성된 SAW용 전극과, 타측에 형성된 Al이 도핑된 GaN층과, 상기 Al이 도핑된 GaN층 상에 형성된 AlGaN층과, 상기 AlGaN층 상에 형성된 이종접합 전계효과 트랜지스터용 전극을 포함하고, 상기 일측과 타측의 반절연성 GaN층 상면은 동일한 레벨로 되어 있다. 또한, 본 발명에 따른 질화물계 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 상에 반절연성 GaN층을 형성한 후 SAW 필터 영역의 반절연성 GaN층 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함함으로써, 양질의 SAW 필터 압전체 표면을 얻게 된다.
이종접합 전계효과 트랜지스터, 표면 탄성파 필터, 반절연성 GaN
摘要翻译：它公开了一种表面声波（SAW）滤波器和一个高结晶异质结场效应晶体管的氮化物系半导体器件在同一衬底以及制造该具有优异的表面性质的方法在其上集成（HFET）。根据本发明的氮化物基半导体器件是半绝缘GaN层和半绝缘GaN和用于SAW形成在一侧上的层上的电极，的Al掺杂和形成在另一侧上的GaN层中，Al形成在掺杂的GaN层上 AlGaN层，以及用于形成在AlGaN层上的异质结场效应晶体管的电极，并且所述一个端部和另一侧的半绝缘GaN层的上表面是在同一水平。此外，根据本发明的氮化物系半导体装置的生产过程中，通过形成在SAW滤波器区域的半绝缘GaN层上的保护层的工序在基板上形成的半绝缘GaN层后，高质量的SAW滤波器获得压电体的表面。

58. 发明授权

KR100593920B1 고절연성 ＧａＮ 박막의 성장 방법 失效
标题翻译：生长半导体GaN层的方法
公开(公告)号：KR100593920B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020040051983
申请日：2004-07-05
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이재훈 , 이정희
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0262 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254
摘要： 본 발명은 불순물을 도핑하지 않고서 박막 성장의 초기단계에 온도변화를 통해 그레인 크기를 조절함으로써 높은 면저항을 갖는 고절연성 GaN 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 제1 성장온도에서 기판 상에 완충층을 성장시키는 단계; 상기 제1 성장온도보다 높은 제2 성장온도를 유지하는 상태에서 제1 성장시간 동안 GaN 박막을 성장시키는 제1 성장단계; 상기 제2 성장온도보다 높은 제3 성장온도까지, 제2 성장시간 동안 온도를 상승시키면서 GaN 박막을 성장시키는 제2 성장단계; 및 상기 제3 성장온도를 유지하는 상태에서 제3 성장시간 동안 GaN 박막을 성장시키는 제3 성장단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고절연성 GaN 박막의 성장 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 별도의 도펀트를 도핑하지 않고서 성장 온도 및 성장 시간을 조절함으로써 높은 면저항을 갖는 우수한 고절연성 GaN 박막을 성장시킬 수 있다. 또한, 이와 같이 제조된 우수한 고절연성 GaN 박막을 HFET, SAW 소자에 적용함으로써 우수한 전기적 특성을 갖는 전자소자를 제작할 수 있다.
고절연성, GaN, 질화물, GaN, HFET, MESFET, MISFET

59. 发明授权

KR100586971B1 질화물 반도체 발광소자 有权
标题翻译：氮化物半导体发光元件
公开(公告)号：KR100586971B1
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020040039101
申请日：2004-05-31
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이재훈 , 김용천 , 김제원
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/16
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/06
摘要： 본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 제1 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되고, 적어도 하나의 양자우물층과 양자장벽층이 교대로 적층되어 이루어진 활성층과,상기 활성층 상에 형성되며, 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하며, 상기 활성층의 양자우물층 및 양자장벽층 중 적어도 한 층은 Al원소로 1%미만의 함량으로 도핑된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물 반도체(nitride semiconductor), 발광소자(light emitting diode), Ga 공격자(Ga vacancy), 알루미늄(Al)
摘要翻译：氮化物半导体发光器件包括：第一导电型氮化物半导体层;有源层，形成在第一导电型氮化物半导体层上并具有交替层叠的至少一个量子阱层和量子势垒层; 以及形成在所述有源层上的第二导电型氮化物半导体层，其中所述有源层的所述量子阱层和所述量子势垒层中的至少一个掺杂有少于1％的Al元素，提供氮化物半导体发光器件。

60. 发明授权

KR101983170B1 모바일 기기용 저항 조립체 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101983170B1
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：KR1020140059832
申请日：2014-05-19
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이재훈 , 최우진 , 김영기
IPC分类号： H01C1/14 , H01C17/28

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