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41. 发明公开

KR1020070098687A 미끄럼 부재 有权
标题翻译：滑动元件
公开(公告)号：KR1020070098687A
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020070031098
申请日：2007-03-29
申请人： 미바 베어링스 홀딩 게엠베하
发明人： 룸프토마스
IPC分类号： F16C33/06 , F16C33/02 , F16C17/00
CPC分类号： F16C33/12 , C25D3/54 , C25D7/10 , F16C33/14 , F16C2223/70 , Y10S384/912 , Y10S428/935 , Y10T428/12681
摘要： A sliding element is provided to improve wear resistance and sticking resistance properties by using bismuth or bismuth alloy having a desired orientation where a lattice surface having the largest X -ray diffraction intensity is represented as a miller index(012). A sliding element includes a supporting member and a sliding layer as a sliding bearing. A bearing metal layer is placed between the supporting member and the sliding layer. The sliding layer is manufactured in bismuth or bismuth alloy having a desired orientation representing a lattice surface having the largest X-ray diffraction intensity in comparison with those of the other lattice surfaces as a miller index(012). The maximum X-ray diffraction intensity of the lattice surface having the second largest X-ray diffraction intensity is 10% of the X-ray diffraction intensity of the lattice surface.
摘要翻译：提供滑动元件以通过使用具有所需取向的铋或铋合金来提高耐磨性和耐粘附性，其中具有最大X射线衍射强度的晶格表面为米勒指数（012）。滑动元件包括支撑构件和作为滑动轴承的滑动层。轴承金属层被放置在支撑构件和滑动层之间。滑动层以铋或铋合金制造，具有与其他格子表面相比具有最大X射线衍射强度的晶格表面的期望取向作为磨机指数（012）。具有第二大X射线衍射强度的晶格表面的最大X射线衍射强度为晶格表面的X射线衍射强度的10％。

42. 发明公开

KR1020060102320A 일체적 고온 ＳＩＭＯＸ-Ｇｅ 상호확산 어닐에 의한절연체-상-규소-게르마늄(ＳＧＯＩ)의 형성된 기판 물질 및헤테로구조물 失效
标题翻译：通过一体化高温SIMOX-GE内插法形成硅 - 绝缘体（SGOI）
公开(公告)号：KR1020060102320A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：KR1020060086725
申请日：2006-09-08
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 샤히디가밤지 , 베델스티븐더블유 , 시다나데벤드라케이 , 포겔케이쓰이
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76243 , H01L21/26506 , H01L21/76267 , Y10T428/12674 , Y10T428/12681
摘要： SIMOX 및 Ge 상호확산을 사용하여 실질적으로 이완된(relaxed) 고품질 절연체-상-SiGe 기판 물질의 형성 방법이 제공된다. 상기 방법은 먼저 이온을 Si-함유 기판에 이식하여 Si-함유 기판중에 이식 풍부 영역을 형성하는 것을 포함한다. 이식 풍부 영역은 후속된 고온에서의 어닐링 동안 Ge 확산에 대해 저항성을 갖는 장벽 층을 형성하기에 충분한 이온 농도를 갖는다. 다음으로, Ge-함유 층을 Si-함유 기판의 표면 상에 형성하고, 이후 가열 단계를 장벽 층의 형성 및 Ge의 상호확산을 허용하는 온도에서 수행함으로써 상기 장벽 층 상부에 실질적으로 이완된 단결정 SiGe 층을 형성한다.
SIMOX, SiGe 기판, Ge 상호확산

43. 发明公开

KR1020040104360A 일체적 고온 ＳＩＭＯＸ-Ｇｅ 상호확산 어닐에 의한절연체-상-규소-게르마늄(ＳＧＯＩ)의 형성 失效
标题翻译：通过组合含硅绝缘体形成与含Ge层的扩散相结合形成绝缘层，高质量SiGe晶体层的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020040104360A
公开(公告)日：2004-12-10
申请号：KR1020040030221
申请日：2004-04-29
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 샤히디가밤지 , 베델스티븐더블유 , 사다나데벤드라케이 , 포겔케이쓰이
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76243 , H01L21/26506 , H01L21/76267 , Y10T428/12674 , Y10T428/12681
摘要： PURPOSE: A method of producing a substantially relaxed and high-quality SiGe-on-insulator substrate material is provided to form thin, high-quality, and substantially relaxed SiGe-on-insulator substrate materials. CONSTITUTION: Ions are implanted into an Si-containing substrate(10) to form an implant rich region having an ion concentration that is sufficient to act as a diffusion barrier to Ge. The implant rich region has a surface layer of the Si-containing substrate located thereon. A Ge-containing layer is formed on the top of the implanted Si-containing substrate. The substrate is heated at a temperature which permits formation of a diffusion barrier layer and inter-diffusion of Ge throughout the Ge-containing layer and the surface layer of Si-containing substrate located above the implant rich region. A substantially relaxed SiGe layer(20) is formed on the top of the diffusion barrier layer.
摘要翻译：目的：提供一种制造基本上轻松且高品质的绝缘体上硅衬底材料的方法，以形成薄的，高质量的和基本上松弛的绝缘体上硅衬底材料。构成：将离子注入到含Si衬底（10）中以形成具有足以充当Ge的扩散阻挡层的离子浓度的注入富含区域。注入富含区域具有位于其上的含Si衬底的表面层。在注入的含硅衬底的顶部上形成含Ge层。在允许形成扩散阻挡层和Ge遍及Ge含有层和位于植入物富集区域上方的含Si衬底的表面层的温度下加热衬底。在扩散阻挡层的顶部上形成基本上松弛的SiGe层（20）。

44. 发明公开

KR1020010039801A 반도체 세라믹과 반도체 세라믹 장치 有权
标题翻译：半导体激光器和半导体元件元件
公开(公告)号：KR1020010039801A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1020000046098
申请日：2000-08-09
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 나비카야스히로 , 오카모토데츠카즈 , 히로타도시하루 , 나가오요시타카
IPC分类号： H01L29/12
CPC分类号： H01C7/025 , Y10T428/12528 , Y10T428/12611 , Y10T428/12681 , Y10T428/12729
摘要： PURPOSE: To produce a semiconductor porcelain element having a temp. coefficient of resistant of 9%/ deg.C , a specific resistance of = 50 V/mm, which is provided with a prime field consisting of, as a main component, barium titanate and semiconductor porcelain having a positive temp. coefficient of resistance, and electrodes which are formed on the prime field. CONSTITUTION: A thermistor element 1 having positive characteristic has a prime field 2 comprising semiconductor porcelain having a positive temp. coefficient of resistant. The prime field 2 is formed in a disk-like form and electrodes 3 and 4 are formed on both main surfaces of the prime field 2. In such thermistor element 1 having positive characteristics, as the semiconductor procelain constituting the prime field 2, a semiconductor porcelain containing, as a main component, barium titanate, having an average crystalline particle size of 7 to 12 μm and having Na-content of
摘要翻译：目的：制造具有温度的半导体瓷元件。电阻系数为9％/℃，比电阻<=3.5Ω.cm，静态耐受电压> 50V / mm，其设有由主要成分钡钛酸盐和半导体瓷具有正温度电阻系数，以及在主场上形成的电极。构成：具有正特性的热敏电阻元件1具有包含正温度的半导体瓷的素场2。抗性系数。主场2形成为盘状，电场3和4形成在主场2的两个主表面上。在具有正特性的这种热敏电阻元件1中，作为构成主场2的半导体衬底，半导体使用含有平均结晶粒径为7〜12μm，Na含量<70重量％的钛酸钡作为主要成分的瓷器。此外，作为电极3和4，使用In-Ga电极。

45. 发明授权

KR101879116B1 도금 강판 有权
公开(公告)号：KR101879116B1
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：KR1020167027581
申请日：2015-04-08
申请人： 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤
发明人： 구로사키마사오 , 야마구치신이치
IPC分类号： C23C22/44 , C25D3/56 , C25D5/48
CPC分类号： C23C22/44 , B32B15/012 , B32B15/013 , B32B15/015 , C22C9/06 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C18/00 , C22C28/00 , C23C22/36 , C23C28/00 , C23C28/02 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/025 , C23C28/30 , C23C28/321 , C23C28/34 , C23C30/00 , C23C30/005 , C23C2222/20 , C25D3/04 , C25D3/12 , C25D3/22 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D3/54 , C25D3/565 , C25D3/60 , Y10T428/12681 , Y10T428/12722 , Y10T428/12757 , Y10T428/12799 , Y10T428/12806 , Y10T428/12819 , Y10T428/12917 , Y10T428/12937 , Y10T428/12951 , Y10T428/12972 , Y10T428/12979 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967 , Y10T428/24975 , Y10T428/263 , Y10T428/264 , Y10T428/265 , Y10T428/27 , Y10T428/31678
摘要： 도금강판(1)에는, 강판(2)과, 강판(2)의적어도한쪽의표면상의, Al, Cu, In, Zn, Sn 혹은 Sb 또는이들의임의의조합을포함하는예비도금층(3)과, 예비도금층(3) 상의, Ni 함유율이 5질량%∼15질량%인 Zn-Ni 합금으로이루어지는도금층(4)이포함된다. 예비도금층(3)의부착량은 0.5g/㎡이상이고, 도금층(4)의부착량은 5g/㎡이상이다.

46. 发明授权

KR101678289B1 부품용 금속 재료, 그것을 사용한 커넥터 단자, 커넥터 및 전자 부품 有权
标题翻译：用于使用相同连接器和电子元件获得的电子元件连接器端子的金属材料
公开(公告)号：KR101678289B1
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：KR1020147029427
申请日：2013-01-25
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 시부야요시타카 , 후카마치가즈히코 , 고다마아츠시
IPC分类号： C23C28/02 , C23C10/00
CPC分类号： H01B1/02 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/04 , C22C5/06 , C22C13/00 , C22C19/03 , C23C10/28 , C23C10/60 , C23C14/14 , C23C14/58 , C23C28/021 , H01R4/58 , H01R13/03 , H05K1/09 , H05K3/244 , Y10T428/12681 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12722
摘要： 저삽발성, 저위스커성및 고내구성을갖는전자부품용금속재료, 그것을사용한커넥터단자, 커넥터및 전자부품을제공한다. 전자부품용금속재료는, 기재와, 기재상에 Ni, Cr, Mn, Fe, Co 및 Cu 로이루어지는군에서선택된 1 종또는 2 종이상으로구성된하층을구비하고, 하층상에 Sn 및 In (A 구성원소) 의일방혹은양방그리고 Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os 및 Ir (B 구성원소) 의 1 종혹은 2 종류이상으로이루어지는합금으로구성된상층을구비하고, 하층의두께가 0.05 ㎛이상이고, 상층의두께가 0.005 ㎛이상 0.6 ㎛이하이고, 상층에있어서, A 구성원소/(A 구성원소 + B 구성원소) [mass%] (이하, Sn + In 비율이라고한다) 와도금두께 [㎛] 의관계가, 도금두께≤ 8.2 × (Sn + In 비율)[여기서, (Sn + In 비율) ≥ 10 mass% 이다] 이다.

47. 发明公开

KR1020160130819A 도금 강판 审中-实审
标题翻译：镀钢板
公开(公告)号：KR1020160130819A
公开(公告)日：2016-11-14
申请号：KR1020167027581
申请日：2015-04-08
申请人： 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤
发明人： 구로사키마사오 , 야마구치신이치
IPC分类号： C23C22/44 , C25D3/56 , C25D5/48
CPC分类号： C23C22/44 , B32B15/012 , B32B15/013 , B32B15/015 , C22C9/06 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C18/00 , C22C28/00 , C23C22/36 , C23C28/00 , C23C28/02 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/025 , C23C28/30 , C23C28/321 , C23C28/34 , C23C30/00 , C23C30/005 , C23C2222/20 , C25D3/04 , C25D3/12 , C25D3/22 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D3/54 , C25D3/565 , C25D3/60 , Y10T428/12681 , Y10T428/12722 , Y10T428/12757 , Y10T428/12799 , Y10T428/12806 , Y10T428/12819 , Y10T428/12917 , Y10T428/12937 , Y10T428/12951 , Y10T428/12972 , Y10T428/12979 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967 , Y10T428/24975 , Y10T428/263 , Y10T428/264 , Y10T428/265 , Y10T428/27 , Y10T428/31678
摘要： 도금강판(1)에는, 강판(2)과, 강판(2)의적어도한쪽의표면상의, Al, Cu, In, Zn, Sn 혹은 Sb 또는이들의임의의조합을포함하는프리도금층(3)과, 프리도금층(3) 상의, Ni 함유율이 5질량%∼15질량%인 Zn-Ni 합금으로이루어지는도금층(4)이포함된다. 프리도금층(3)의부착량은 0.5g/㎡이상이고, 도금층(4)의부착량은 5g/㎡이상이다.
摘要翻译：该镀覆钢板（1）包括：钢板（2）; 布置在钢板（2）的至少一个表面上并含有Al，Cu，In，Zn，Sn，Sb或其任意组合的预镀层（3）; 以及布置在预镀层（3）上并由Ni含量为5-15质量％的Zn-Ni合金形成的镀层（4）。预镀层（3）的附着电镀量为0.5g / m 2以上，镀层（4）的附着镀敷量为5g / m 2以上。

48. 发明授权

KR101649847B1 전자 부품용 금속 재료 및 그 제조 방법, 그것을 사용한 커넥터 단자, 커넥터 및 전자 부품 有权
标题翻译：电子元件金属材料及其制造方法及其连接器端子连接器和使用电子元器件金属材料的电子元件
公开(公告)号：KR101649847B1
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：KR1020157002016
申请日：2013-06-27
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 시부야요시타카 , 후카마치가즈히코 , 고다마아츠시
IPC分类号： C23C30/00 , C25D7/00 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C13/00 , C22C28/00 , C25D5/10 , C25D5/50 , H01B1/02 , H01B5/02
CPC分类号： H01R13/03 , B32B15/01 , C22C5/06 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1882 , C23C28/021 , C25D3/12 , C25D3/18 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D3/46 , C25D5/10 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D5/505 , C25D7/00 , C25D9/06 , C25D11/36 , H01B1/02 , H01R12/716 , H05K1/184 , Y10T428/12681 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715
摘要： 저위스커성, 저응착마모성및 고내구성을갖는전자부품용금속재료, 그것을사용한커넥터단자, 커넥터및 전자부품을제공한다. 전자부품용금속재료는, 기재와, 기재상에형성된, Ni, Cr, Mn, Fe, Co 및 Cu 로이루어지는군인 A 구성원소군에서선택된 1 종또는 2 종이상으로구성된하층과, 하층상에형성된, Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os 및 Ir 로이루어지는군인 B 구성원소군에서선택된 1 종또는 2 종류이상으로구성된중층과, 중층상에형성된, Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os 및 Ir 로이루어지는군인 B 구성원소군에서선택된 1 종또는 2 종류이상과, Sn 및 In 으로이루어지는군인 C 구성원소군에서선택된 1 종또는 2 종의합금으로구성된상층과, 상층상에형성된 Sn 및 In 으로이루어지는군인 C 구성원소군에서선택된 1 종또는 2 종으로구성된최표층을구비하고, 하층의두께가 0.05 ㎛이상 5.00 ㎛미만이고, 중층의두께가 0.01 ㎛이상 0.50 ㎛미만이고, 상층의두께가 0.50 ㎛미만이고, 최표층의두께가 0.005 ㎛이상 0.30 ㎛미만이다.

49. 发明授权

KR101649846B1 전자 부품용 금속 재료 및 그 제조 방법, 그것을 사용한 커넥터 단자, 커넥터 및 전자 부품 有权
公开(公告)号：KR101649846B1
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：KR1020157002146
申请日：2013-06-27
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 시부야요시타카 , 후카마치가즈히코 , 고다마아츠시
IPC分类号： C23C30/00 , C25D7/00 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C13/00 , C22C28/00 , C25D5/10 , C25D5/50 , H01B1/02 , H01B5/02
CPC分类号： H01R13/03 , C22C5/06 , C23C22/07 , C23C28/021 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D5/505 , C25D7/00 , C25D11/36 , H01B1/02 , H01B5/00 , Y10T428/12389 , Y10T428/12681 , Y10T428/12715
摘要： 저위스커성, 저응착마모성및 고내구성을갖는전자부품용금속재료, 그것을사용한커넥터단자, 커넥터및 전자부품을제공한다. 전자부품용금속재료는, 기재와, 기재상에형성된, Ni, Cr, Mn, Fe, Co 및 Cu 로이루어지는군인 A 구성원소군에서선택된 1 종또는 2 종이상으로구성된하층과, 하층상에형성된, Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os 및 Ir 로이루어지는군인 B 구성원소군에서선택된 1 종또는 2 종류이상과, Sn 및 In 으로이루어지는군인 C 구성원소군에서선택된 1 종또는 2 종으로합금이구성된중층과, 중층상에형성된 Sn 및 In 으로이루어지는군인 C 구성원소군에서선택된 1 종또는 2 종으로구성된상층을구비하고, 하층의두께가 0.05 ㎛이상 5.00 ㎛미만이고, 중층의두께가 0.02 ㎛이상 0.80 ㎛미만이고, 상층의두께가 0.005 ㎛이상 0.30 ㎛미만이다.

50. 发明公开

KR1020150053264A 전자 부품용 금속 재료 및 그 제조 방법, 그것을 사용한 커넥터 단자, 커넥터 및 전자 부품 有权
标题翻译：用于电子元件的金属材料及其制造方法，连接器端子，连接器和电子部件
公开(公告)号：KR1020150053264A
公开(公告)日：2015-05-15
申请号：KR1020157002146
申请日：2013-06-27
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 시부야요시타카 , 후카마치가즈히코 , 고다마아츠시
IPC分类号： C23C30/00 , C25D7/00 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C13/00 , C22C28/00 , C25D5/10 , C25D5/50 , H01B1/02 , H01B5/02
CPC分类号： H01R13/03 , C22C5/06 , C23C22/07 , C23C28/021 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D5/505 , C25D7/00 , C25D11/36 , H01B1/02 , H01B5/00 , Y10T428/12389 , Y10T428/12681 , Y10T428/12715 , C23C30/00 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C13/00 , C22C28/00 , H01B5/02
摘要： 저위스커성, 저응착마모성및 고내구성을갖는전자부품용금속재료, 그것을사용한커넥터단자, 커넥터및 전자부품을제공한다. 전자부품용금속재료는, 기재와, 기재상에형성된, Ni, Cr, Mn, Fe, Co 및 Cu 로이루어지는군인 A 구성원소군에서선택된 1 종또는 2 종이상으로구성된하층과, 하층상에형성된, Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os 및 Ir 로이루어지는군인 B 구성원소군에서선택된 1 종또는 2 종류이상과, Sn 및 In 으로이루어지는군인 C 구성원소군에서선택된 1 종또는 2 종으로합금이구성된중층과, 중층상에형성된 Sn 및 In 으로이루어지는군인 C 구성원소군에서선택된 1 종또는 2 종으로구성된상층을구비하고, 하층의두께가 0.05 ㎛이상 5.00 ㎛미만이고, 중층의두께가 0.02 ㎛이상 0.80 ㎛미만이고, 상층의두께가 0.005 ㎛이상 0.30 ㎛미만이다.
摘要翻译：一种具有低晶须性，低粘合耐磨性和高耐久性的电子部件用金属材料，使用其的连接器端子，连接器和电子部件。一种用于电子部件的金属材料，包括基材，形成在基材上并由选自Ni，Cr，Mn，Fe，Co和Cu中的一种或多种组成的下层，选自由Ag，Au，Pt，Pd，Ru，Rh，Os和Ir组成的组B组中的一种或两种合金和选自Sn和In中的至少一种具有由Sn和在由从C构件sogun选择的一个或两个的中间上层上形成用于中间的士兵，一个是较低层的厚度小于5.00㎛大于0.05㎛，小于0.02的中间层的厚度㎛小于0.80μm，上层的厚度不小于0.005μm且小于0.30μm。

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