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41. 发明授权

KR101313498B1 전력용 반도체 소자의 구동 회로 有权
标题翻译：功率半导体元件驱动电路
公开(公告)号：KR101313498B1
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：KR1020117003761
申请日：2009-07-22
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 나카야마야스시 , 나카가와료스케
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/22
CPC分类号： H02M1/08 , H03K17/08128 , H03K2017/066 , H03K2217/0081
摘要： 간단한 회로 구성으로, 소비 전력을 억제하면서, 전압 변동 dV/dt에 대한 고속 응답이 가능하고, 전력용 반도체 소자의 오동작을 방지할 수 있는 전력용 반도체 소자의 구동 회로를 얻기 위해, 전력용 반도체 소자의 온 오프를 제어하는 제어 회로와, 전력용 반도체 소자의 제어 단자 사이에 전압을 공급하는 직류 전원과, 전력용 반도체 소자의 제어 단자 사이에 접속된 스위칭 소자를 구비하고, 스위칭 소자는, 직류 전원의 전원 전압이 저하된 경우에 온하거나, 또는, 직류 전원의 전원 전압이 저하된 상태에서 전력용 반도체 소자의 제어 단자 사이 전압이 상승한 경우에 온하여, 전력용 반도체 소자의 제어 단자 사이를 단락시킨다.

42. 发明公开

KR1020130086847A 음의 전력을 이용하여 리키지 전력 소모를 줄이는 저전력 회로 审中-实审
标题翻译：用于降低泄漏电力的低功率电路使用负电压
公开(公告)号：KR1020130086847A
公开(公告)日：2013-08-05
申请号：KR1020120007883
申请日：2012-01-26
申请人： 삼성전자주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이재섭 , 김성중 , 김범만 , 이한규 , 정대철 , 정태영
IPC分类号： G05F3/02 , G05F3/24
CPC分类号： G05F3/02 , H03K17/063 , H03K2017/066
摘要： PURPOSE: A low power circuit is provided to reduce leakage power consumption by applying negative power to the gate of a transistor when a current source is operating in an inactive mode. CONSTITUTION: A low power circuit using negative voltage comprises a current source (410), a first sub control circuit (420) including a first switch transistor (Tr1) and a second switch transistor (Tr2), a second sub control circuit (430) including one of third transistors (Tr3-1, Tr3-2, Tr3-3, Tr3-4) and fourth switch transistor (Tr4) and a capacitor (440). [Reference numerals] (410) Current source; (420) First sub control circuit; (430) Second sub control circuit
摘要翻译：目的：当电流源工作在非工作模式时，提供一个低功率电路来减少泄漏功耗，即通过向晶体管的栅极施加负电源。构成：使用负电压的低功率电路包括电流源（410），包括第一开关晶体管（Tr1）和第二开关晶体管（Tr2）的第一子控制电路（420），第二子控制电路（430）包括第三晶体管（Tr3-1，Tr3-2，Tr3-3，Tr3-4）和第四开关晶体管（Tr4）和电容器（440）中的一个。（附图标记）（410）电流源; （420）第一子控制电路; （430）第二子控制电路

43. 发明公开

KR1020130041991A RF 차폐를 수행하는 장치 및 방법 有权
标题翻译：射频隔离开关电路
公开(公告)号：KR1020130041991A
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：KR1020137005160
申请日：2011-07-26
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 얀홍얀 , 산카라나라야난자나키람가네쉬 , 아수리부샨샨티 , 카트리히만슈 , 파니카트비노드브이
IPC分类号： H03K17/06 , H03K17/16 , H03H11/32 , H04B1/48
CPC分类号： H03K17/063 , H03K17/161 , H03K17/687 , H03K2017/066 , H03K2217/0018 , H03K2217/0054
摘要： In a first aspect, an RF switch includes a main transistor and a gate-to-source shorting circuit. When the RF switch is turned off, the gate-to-source shorting circuit is turned on to short the source and gate of the main transistor together, thereby preventing a Vgs from developing that would cause the main transistor to leak. When the RF switch is turned on, the gate-to-source shorting circuit is turned off to decouple the source from the gate. The gate is supplied with a digital logic high voltage to turn on the main transistor. In a second aspect, an RF switch includes a main transistor that has a bulk terminal. When the RF switch is turned off, the bulk is connected to ground through a high resistance. When the RF switch is turned on, the source and bulk are shorted together thereby reducing the threshold voltage of the main transistor.

44. 发明公开

KR1020130003252A 스테이지 회로 및 이를 이용한 주사 구동부 审中-实审
标题翻译：阶段电路和扫描驱动器使用它
公开(公告)号：KR1020130003252A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：KR1020110064439
申请日：2011-06-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정보용 , 최덕영 , 김용재
IPC分类号： G09G3/30
CPC分类号： H03K17/687 , G09G3/3266 , H03K2017/066
摘要： PURPOSE: A stage circuit and a scan driver using the same are provided to improve reliability by stably turning-off a transistor. CONSTITUTION: A stage(200) includes a sequential driver(230), and a simultaneous driver(232). The sequential driver outputs a scanning signal. A mode control signal is used for selecting the sequential driver or the simultaneous driver. A first control signal and a second control signal are used for controlling the supply of the scanning signal in the simultaneous driver. The sequential driver includes first to tenth transistors(M1-M10), a first capacitor(C1), a third capacitor(C3), and a fourth capacitor(C4).
摘要翻译：目的：提供舞台电路和使用它的扫描驱动器，以通过稳定地关断晶体管来提高可靠性。构成：舞台（200）包括顺序驱动器（230）和同时驱动器（232）。顺序驱动器输出扫描信号。模式控制信号用于选择顺序驱动器或同时驱动器。第一控制信号和第二控制信号用于控制同时驱动器中的扫描信号的供给。顺序驱动器包括第一至第十晶体管（M1-M10），第一电容器（C1），第三电容器（C3）和第四电容器（C4）。

45. 发明公开

KR1020120101595A 전력용 반도체 소자의 구동 회로 有权
标题翻译：功率半导体器件的驱动电路
公开(公告)号：KR1020120101595A
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：KR1020127021588
申请日：2009-07-22
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 나카야마야스시 , 나카가와료스케
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/22
CPC分类号： H02M1/08 , H03K17/08128 , H03K2017/066 , H03K2217/0081
摘要： 간단한 회로 구성으로, 소비 전력을 억제하면서, 전압 변동 dV/dt에 대한 고속 응답이 가능하고, 전력용 반도체 소자의 오동작을 방지할 수 있는 전력용 반도체 소자의 구동 회로를 얻기 위해, 전력용 반도체 소자의 온 오프를 제어하는 제어 회로와, 전력용 반도체 소자의 제어 단자 사이에 전압을 공급하는 직류 전원과, 전력용 반도체 소자의 제어 단자 사이에 접속된 스위칭 소자를 구비하고, 스위칭 소자는, 직류 전원의 전원 전압이 저하된 경우에 온하거나, 또는, 직류 전원의 전원 전압이 저하된 상태에서 전력용 반도체 소자의 제어 단자 사이 전압이 상승한 경우에 온하여, 전력용 반도체 소자의 제어 단자 사이를 단락시킨다.
摘要翻译：为了获得能够通过简单的电路配置防止功耗同时防止功率半导体器件故障的同时能够对电压波动dV / dt进行高速响应的功率半导体器件的驱动电路，并且，开关元件连接在功率半导体元件的控制端子与用于在功率半导体元件的控制端子与开关元件之间供给电压的直流电源之间，或者，在直流电源的电源电压降低的状态下，功率半导体元件的控制端子之间的电压上升时，功率半导体元件的控制端子发生短路。

46. 发明公开

KR1020110031246A 전력용 반도체 소자의 구동 회로 有权
标题翻译：功率半导体元件驱动电路
公开(公告)号：KR1020110031246A
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：KR1020117003761
申请日：2009-07-22
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 나카야마야스시 , 나카가와료스케
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/22
CPC分类号： H02M1/08 , H03K17/08128 , H03K2017/066 , H03K2217/0081
摘要： 간단한 회로 구성으로, 소비 전력을 억제하면서, 전압 변동 dV/dt에 대한 고속 응답이 가능하고, 전력용 반도체 소자의 오동작을 방지할 수 있는 전력용 반도체 소자의 구동 회로를 얻기 위해, 전력용 반도체 소자의 온 오프를 제어하는 제어 회로와, 전력용 반도체 소자의 제어 단자 사이에 전압을 공급하는 직류 전원과, 전력용 반도체 소자의 제어 단자 사이에 접속된 스위칭 소자를 구비하고, 스위칭 소자는, 직류 전원의 전원 전압이 저하된 경우에 온하거나, 또는, 직류 전원의 전원 전압이 저하된 상태에서 전력용 반도체 소자의 제어 단자 사이 전압이 상승한 경우에 온하여, 전력용 반도체 소자의 제어 단자 사이를 단락시킨다.

47. 发明公开

KR1020100074072A 상시 도통 게이트 제어 반도체스위치들을 포함하는 인버터 无效
标题翻译：包括正常导电栅控制的半导体开关的逆变器
公开(公告)号：KR1020100074072A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020090129717
申请日：2009-12-23
申请人： 에스엠에이 솔라 테크놀로지 아게
发明人： 옌스프리베 , 올리버프리오르 , 프랑크그라이쳐 , 매티아스빅터 , 스펜브레믹커
IPC分类号： H02M7/48
CPC分类号： H03K17/063 , H02M1/32 , H03K17/162 , H03K17/20 , H03K2017/066 , H03K2017/6875 , Y02E10/56 , H02M7/48
摘要： PURPOSE: An inverter is provided to prevent a short between two input lines by supplying an auxiliary control voltage to a gate of a normally conductive semiconductor switch. CONSTITUTION: The voltage of a fixed polarity is supplied to two input lines(3,4) for the operation of an inverter. An inverter bridge is connected between two input lines and includes at least one half bridge(15). The half bridge comprises two normally conductive gate-controlled semiconductor switches. A controller(5) supplies a control voltage to the gate of the normally conductive gate-controlled semiconductor switches of the inverter bridge when the inverter operates. A DC voltage source(1) supplies an auxiliary control voltage to the gate of the normally conductive gate-controlled semiconductor switches when the inverter stops.
摘要翻译：目的：提供一个逆变器，通过向正常导电的半导体开关的栅极提供辅助控制电压来防止两条输入线之间的短路。构成：将一个固定极性的电压提供给两个输入线（3,4），用于逆变器的运行。逆变桥连接在两条输入线之间，并包括至少一个半桥（15）。半桥包括两个正常导通的栅极控制半导体开关。当逆变器工作时，控制器（5）向逆变桥的常导门控制的半导体开关的栅极提供控制电压。直流电压源（1）在逆变器停止时向辅助控制电压的栅极提供辅助控制电压。

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