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41. 发明授权

KR101621621B1 밀리파대용 반도체 패키지 및 밀리파대용 반도체 장치 有权
标题翻译：用于Millipore替代的半导体封装和用于Millipore替代的半导体器件
公开(公告)号：KR101621621B1
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020140116105
申请日：2014-09-02
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 다카기가즈타카
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/12 , H01L23/02
CPC分类号： H01P3/08 , H01L23/66 , H01L24/73 , H01L2223/6627 , H01L2223/6633 , H01L2223/6677 , H01L2223/6683 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1423 , H01L2924/15151 , H01L2924/1903 , H01P5/107 , H05K1/0237 , H05K1/115 , H05K1/181 , H01L2924/00012
摘要： 실시형태는밀리파대용반도체패키지를제공한다. 밀리파대용반도체패키지는금속제의기체, 회로기판및 금속제의덮개를갖는다. 기체는제1 관통구멍및 제2 관통구멍을갖는다. 회로기판은기체위에배치되어있고, 표면에는입력용신호선로및 출력용신호선로가형성되어있다. 덮개는회로기판위에배치되어있고, 제1 비관통구멍및 제2 비관통구멍을갖는다. 이덮개는, 제1 비관통구멍이기체의제1 관통구멍의바로위에배치됨과함께, 제2 비관통구멍이기체의제2 관통구멍의바로위에배치되도록회로기판위에배치된다. 그리고, 제1 비관통구멍및 제1 관통구멍은제1 도파관을구성함과함께, 제2 비관통구멍및 제2 관통구멍은제2 도파관을구성한다.
摘要翻译：一个实施例提供了用于毫米波的半导体封装。毫米波半导体封装具有金属底座，电路板和金属盖。基座具有第一通孔和第二通孔。电路板设置在基座上，输入信号线和输出信号线形成在表面上。盖体设置于电路板上，并具有第一非贯孔与第二非贯孔。盖布置在电路板上，使得第一非贯通孔设置在基板的第一通孔的正上方，并且第二非贯通孔设置在基板的第二通孔的正上方。第一非贯通孔和第一贯通孔构成第一波导，第二非贯通孔和第二贯通孔构成第二波导。

42. 发明授权

KR101609472B1 일체화된 전자 요소들 및 이들의 형성 방법 有权
标题翻译：集成电子元件及其形成方法
公开(公告)号：KR101609472B1
公开(公告)日：2016-04-05
申请号：KR1020140136694
申请日：2014-10-10
申请人： 누보트로닉스, 인크.
发明人： 롤린장-마르크 , 쉐러데이비드더블유.
IPC分类号： H01P3/00 , H01P3/06
CPC分类号： H01L23/373 , H01L23/5286 , H01L23/552 , H01L23/562 , H01L23/58 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2224/48091 , H01L2224/85444 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07811 , H01L2924/1423 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01P3/06 , H01P11/005 , H05K1/0221 , H05K1/0224 , H05K1/0272 , H05K3/4092 , H05K3/4661 , H05K2201/09809 , H05K2201/10636 , H05K2201/10674 , H05K2203/0733 , H05K2203/308 , Y02P70/611 , Y10T29/49002 , Y10T29/49018 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 연속적인빌드공정에의해형성된웨이브가이드미세구조물및 전자소자를포함하는일체화된전자요소들및 이러한일체화된전자요소들을형성하는방법이제공된다. 미세구조물들은전자기에너지및 다른전자신호들을전달하기위한소자들에대한특별한적용가능성을가진다.

43. 发明公开

KR1020140074913A 고성능 무선 주파수 애플리케이션을 위한 송신선 有权
标题翻译：用于高性能无线电频率应用的传输线
公开(公告)号：KR1020140074913A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：KR1020147008549
申请日：2012-05-07
申请人： 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드
发明人： 페티-위크스,산드라루이스 , 장,구오하오 , 모디,하르디크부펜드라
IPC分类号： H01L29/417 , H04B1/40
CPC分类号： H01L24/85 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2223/6677 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48159 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48644 , H01L2224/48844 , H01L2224/73265 , H01L2224/85444 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1421 , H01L2924/1423 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H05K1/0243 , H05K3/244 , H05K2201/0341 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 개시물은 고성능 무선 주파수(RF) 애플리케이션을 위한 송신선에 관한 것이다. 이러한 하나의 송신선은 RF 신호를 수신하도록 구성되는 본딩층, 배리어층, 확산 배리어층 및 확산 배리어층에 근접한 도전층을 포함할 수 있다. 확산 배리어층은 수신된 RF 신호가 확산 배리층을 관통하여 도전층으로 침투할 수 있게 하는 두께를 가질 수 있다. 특정 실시예에서, 확산 배리어층은 니켈일 수 있다. 이들 구현예의 일부에서, 송신선은 금 본딩층, 팔라듐 배리어층 및 니켈 확산 배리어층을 포함할 수 있다.
摘要翻译：本公开涉及用于高性能射频（RF）应用的传输线。一个这样的传输线可以包括被配置为接收RF信号的结合层，阻挡层，扩散阻挡层和靠近扩散阻挡层的导电层。扩散阻挡层可以具有允许接收的RF信号穿透到导电层的扩散阻挡层的厚度。在某些实施方案中，扩散阻挡层可以是镍。在这些实施方案中，传输线可以包括金结合层，钯阻挡层和镍扩散阻挡层。

44. 发明授权

KR101353927B1 얇은 다이들 및 금속 기판들을 사용하는 반도체 다이 패키지들 有权
标题翻译：使用薄模和金属基板的半导体管芯封装
公开(公告)号：KR101353927B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020087027052
申请日：2007-03-13
申请人： 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
发明人： 일마즈함자 , 샙스티븐 , 왕치 , 리민후아 , 머피제임스제이. , 디롤존로버트
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L25/072 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/06102 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/1411 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要： 반도체 다이 패키지가 개시된다. 반도체 다이 패키지는 금속 기판, 그리고 제1 전기 단자를 포함하는 제1 면, 제2 전기 단자를 포함하는 제2 면, 및 적어도 하나의 어퍼쳐를 포함하는 반도체 다이를 포함한다. 금속 기판은 상기 제2 면에 부착된다. 복수개의 도전성 구조체들은 반도체 다이 상에 위치하며, 그리고 적어도 하나의 어퍼쳐 내에 배치되는 적어도 하나의 도전성 구조체를 포함한다. 다른 도전성 구조체들은 반도체 다이의 상기 제1 면 상에 배치될 수 있다.
금속 기판, 반도체 다이, 도전성 구조체, 어퍼쳐, 금속 층
摘要翻译：公开了一种半导体管芯封装。半导体管芯封装包括金属基板和半导体管芯，其包括第一表面，第一表面包括第一电端子，第二表面，包括第二电端子和至少一个孔。金属基板附接到第二表面。多个导电结构在半导体管芯上，并且包括设置在该至少一个孔中的至少一个导电结构。其他导电结构可以设置在半导体管芯的第一表面上。

45. 发明授权

KR101148351B1 멀티 칩 모듈 구조를 갖는 고주파 회로 有权
标题翻译：具有多芯片模块结构的高频电路
公开(公告)号：KR101148351B1
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：KR1020100047270
申请日：2010-05-20
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 다까기가즈따까
IPC分类号： H03F3/60 , H03F3/68 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/642 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0655 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L2223/6627 , H01L2223/6644 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01084 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/1461 , H01L2924/1903 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H03F3/195 , H03F3/604 , H03F2200/255 , H03F2200/366 , H03F2200/408 , H03F2200/423 , H03F2200/543 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要： 복수의 개별 트랜지스터(FET1 내지 FET3)를 각각 형성하는 반도체 기판(16
1 내지 16
3 )과, 복수의 캐패시터(C1 내지 C4)를 각각 형성하는 제1 유전체 기판(14
1 내지 14
4 )과, 복수의 정합 회로를 각각 형성하는 제2 유전체 기판(18
1 , 18
2 )을 구비하고, 복수의 개별 트랜지스터(FET1 내지 FET3)는 직렬 접속된 것을 특징으로 하는 멀티 칩 모듈 구조를 갖는 고주파 회로(30)에 관한 것이다. 마이크로파?밀리미터파에 있어서의 집적 회로 치수를 소형화하고, 저렴한 멀티 칩 모듈 구조를 갖는 고주파 회로를 제공한다.

46. 发明公开

KR1020100029697A 고주파 패키지 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：高频包及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100029697A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：KR1020090076113
申请日：2009-08-18
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 다까기,가즈따까
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/48
CPC分类号： H01P7/06 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/1423 , H01L2924/1461 , H01L2924/16195 , H01L2924/30107 , Y10T29/49016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A high frequency package apparatus and a manufacturing method thereof are provided to simplify a manufacturing process and improve a high frequency property by reducing reflection loss and insertion loss between input/output terminals and setting high resonance frequency of a metal seal ring. CONSTITUTION: A high frequency package apparatus and a manufacturing method thereof comprise a conductor base plate(22), a ceramic frame(16), a metal seal ring(15), a soldering barrier metal(14), a resonance frequency control conductor(12), and a ceramic cap(10). The conductor base plate is formed with the conductive metal of a copper, a copper tungsten compound metal, copper molybdenum alloy, and molybdenum. The ceramic frame is arranged on the conductor base plate. The metal seal ring is arranged on the ceramic frame. The soldering barrier metal is arranged on the metal ceiling. The resonance frequency control conductor is the conductor with a plurality of openings and is electrically connected to the metal seal ring. The ceramic cap is arranged on the resonance frequency control conductor.
摘要翻译：目的：提供高频封装装置及其制造方法，通过减少输入/输出端子之间的反射损耗和插入损耗并设置金属密封环的高共振频率来简化制造工艺并提高高频特性。构成：高频封装装置及其制造方法包括导体基板（22），陶瓷框架（16），金属密封环（15），焊接阻挡金属（14），谐振频率控制导体 12）和陶瓷帽（10）。导体基板由铜，铜钨化合物金属，铜钼合金和钼的导电金属形成。陶瓷框架布置在导体基板上。金属密封圈布置在陶瓷框架上。焊接屏障金属布置在金属天花板上。谐振频率控制导体是具有多个开口的导体，并且电连接到金属密封环。陶瓷盖布置在谐振频率控制导体上。

47. 发明授权

KR100885352B1 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 失效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100885352B1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：KR1020020020498
申请日：2002-04-15
申请人： 가시오게산키 가부시키가이샤 , 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤
发明人： 아오키유타카
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/5222 , H01L23/5227 , H01L24/14 , H01L2223/6677 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/30107 , Y10S438/957 , H01L2224/05647 , H01L2924/00014 , H01L2224/05666 , H01L2224/05124
摘要： 본 발명은 반도체 장치로서, 상면에 회로 소자 형성 영역 및 복수개의 접속 패드가 형성되는 기판; 제 1 접속 패드에 전기적으로 연결되기 위해 제 1 접속 패드상에 형성된 제 1 기둥상 전극; 제 2 접속 패드에 전기적으로 연결되기 위해 제 2 접속 패드상에 형성된 제 1 도체층; 적어도 반도체 기판상, 제 1 도체층 상 및 제 1 기둥상 전극 주위에는 형성된 밀봉막; 제 1 도체층에 대향하도록 밀봉막상에 형성된 제 2 도체층을 포함한다. 수동 소자는 제 1, 2 도체층으로부터 형성된다.
반도체, 장치, 안테나, 소자, 기판

48. 发明公开

KR1020090018043A 얇은 다이들 및 금속 기판들을 사용하는 반도체 다이 패키지들 有权
标题翻译：半导体封装使用薄片和金属基板
公开(公告)号：KR1020090018043A
公开(公告)日：2009-02-19
申请号：KR1020087027052
申请日：2007-03-13
申请人： 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
发明人： 일마즈함자 , 샙스티븐 , 왕치 , 리민후아 , 머피제임스제이. , 디롤존로버트
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L25/072 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/06102 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/1411 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要： A semiconductor die package is disclosed. The semiconductor die package comprises a metal substrate, and a semiconductor die comprising a first surface comprising a first electrical terminal, a second surface including a second electrical terminal, and at least one aperture. The metal substrate is attached to the second surface. A plurality of conductive structures is on the semiconductor die, and includes at least one conductive structure disposed in the at least one aperture. Other conductive structures may be disposed on the first surface of the semiconductor die.
摘要翻译：公开了一种半导体管芯封装。半导体管芯封装包括金属基板和半导体管芯，其包括第一表面，第一表面包括第一电端子，第二表面，包括第二电端子和至少一个孔。金属基板附接到第二表面。多个导电结构在半导体管芯上，并且包括设置在该至少一个孔中的至少一个导电结构。其他导电结构可以设置在半导体管芯的第一表面上。

49. 发明公开

KR1020080065952A 고주파 전자 회로 탑재의 고주파용 패키지 有权
标题翻译：包含高频电子电路的高频波包
公开(公告)号：KR1020080065952A
公开(公告)日：2008-07-15
申请号：KR1020080047725
申请日：2008-05-22
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 타카기카주타카
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/552 , H01L24/49 , H01L2223/6627 , H01L2224/45014 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/1903 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H01P5/02 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： An RF(radio frequency) package including an RF electronic circuit is provided to increase current capacity at the output of an RF package by reducing the characteristic impedance of a feed-through part at the output to a range that the characteristic impedance can match with a built-in RF circuit. An RF electronic circuit is built in a box-type RF package that has airtightness and is shielded by a conductor. An input terminal(10) and an output terminal are partially extended to the outside of the RF package. One end of an input feed-through part is connected to the input terminal, and the other end of the input feed-through part is connected to the RF electronic circuit wherein the input feed-through part has a predetermined characteristic impedance. One end of an output feed-through part is connected to the output terminal, and the other end of the output feed-through part is connected to the RF electronic circuit wherein the output feed-through part has a characteristic impedance in which the characteristic impedance of the output terminal is lower than the characteristic impedance of the input feed-through part.
摘要翻译：提供包括RF电子电路的RF（射频）封装，以通过将输出端的馈通部分的特性阻抗降低到特征阻抗可匹配的范围来增加RF封装输出端的电流容量内置射频电路。 RF电子电路内置在具有气密性并被导体屏蔽的盒式RF封装中。输入端子（10）和输出端子部分地延伸到RF封装的外部。输入馈通部分的一端连接到输入端子，输入馈通部分的另一端连接到RF电子电路，其中输入馈通部分具有预定的特性阻抗。输出馈通部分的一端连接到输出端子，输出馈通部分的另一端连接到RF电子电路，其中输出馈通部分具有特性阻抗，其中特性阻抗的输出端低于输入馈通部分的特性阻抗。

50. 发明授权

KR100755832B1 모듈 패키지 및 모듈 패키징 방법 失效
标题翻译：模块的封装和封装方法
公开(公告)号：KR100755832B1
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：KR1020010064406
申请日：2001-10-18
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 박재영
IPC分类号： H01L23/50
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1423 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 모듈 패키지 및 모듈 패키징 방법을 제공하기 위한 것으로서, 상기 모듈 패키지는 그 상부에 다수개의 소자 및 칩으로 구성되는 모듈을 한번에 패키징하기 위한 제1 패키지와, 제1 패키지와 대향하는 위치에 제1 패키지와 함께 모듈을 패키징하는 제2 패키지로 구성되며, 제1 및 제2 패키지의 기판으로 실리콘이라는 저가 재료와 종래의 반도체 공정과 유사한 마이크로머시닝 기술을 이용하여 모듈을 하나의 웨이퍼 레벨에서 대량으로 일괄적으로 형성하고 한번에 패키지하여 이를 개별 패키지로 분리함으로써 무선통신 모듈의 저가격화 및 소형화를 실현한다.
RFIC, MMIC, 실리콘

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