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41. 发明公开

KR1020030066644A 반사된 방사를 이용하여 기판 프로세싱을 모니터링하는 방법 失效
标题翻译： 반사된방사를이용하여기판프로세싱을모니터링하는방
公开(公告)号：KR1020030066644A
公开(公告)日：2003-08-09
申请号：KR1020037005580
申请日：2001-10-23
申请人： 어플라이드 머티어리얼즈 인코포레이티드
发明人： 쑤이지펑 , 산홍칭 , 요한손닐스 , 노어바크쉬하미드 , 관위 , 프룸코리오란 , 위안제 , 시에창린
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： G01N21/956 , G01N21/21 , G01N21/71 , G01N21/9501 , H01J37/32935 , H01L21/31116 , H01L21/31633
摘要： 기판 프로세싱 장치는 기판을 프로세싱할 수 있는 챔버, 방사를 제공하는 방사 소스, 기판상에서 프로세싱되는 피쳐의 방위에 대하여 선택되는 하나 이상의 편광 각도로 방사를 편광시키도록 구성되는 방사 편광자, 프로세싱시에 기판으로부터 반사된 방사를 검출하여 신호를 생성하는 방사 검출기, 및 그 신호를 프로세싱하는 제어기를 구비한다.
摘要翻译：衬底处理设备（27）具有能够处理衬底（20）的腔室（35），提供辐射的辐射源（58），适于使辐射偏振成选定的一个或多个偏振角的辐射偏振器相对于在衬底上处理的特征的取向，在处理期间检测从衬底反射的辐射并产生信号的辐射检测器（54），以及处理该信号的控制器（100）。

42. 发明公开

KR1020030058963A 질소함유부와 산소함유부를 포함하는 분할 배리어층 有权
标题翻译：包含含氮部分和含氧部分的隔壁阻挡层，
公开(公告)号：KR1020030058963A
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020030000063
申请日：2003-01-02
申请人： 에이저 시스템즈 엘엘시
发明人： 깁슨주니어,제랄드더블유. , 스테이너,커트조지 , 제센,스코트 , 비트카바지,수잔클레이 , 리틀,스티븐알란
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76835 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/02362 , H01L21/312 , H01L21/3146 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
摘要： 스플릿 배리어층은 그들이 불용성 포토레지스트가 될 수 있는 포토레지스트들로의 NH 염기 그룹들의 확산을 막는 것에 의해 낮은-k 유전체막들과 관련하여 구리 인터커넥트 배선들이 사용되도록 한다. 스플릿 배리어층은 구리와 낮은-k 유전체 사이에 배치되고 구리에 접촉된, 질소를 함유하는, 산소가 없는 막과, 낮은-k 유전체막에 접촉된, 산소를 함유하는, 질소가 없는 막을 포함한다. 질소함유막은 바람직하지 않은 구리산화물들이 형성되는 것을 막고, 산소함유막은 낮은-k 유전체막들 내로 NH 염기 그룹들이 확산하는 것을 막는다. 산소함유막은 전형적인 실시예에서 산소도핑된 실리콘 탄화물막일 수 있다. 다른 실시예에서, 낮은-k 유전체막들의 막 스택은 에칭 정지층과 산소도핑된 실리콘 탄화물의 각 형성된 하드마스크를 포함한다. 하드마스크 및 에칭 정지층은 막 스택의 이중 다마신 개구부의 형성을 가능하게 하고 본 발명의 막 구조는 낮은-k 유전체막들로부터의 확산과 이중 다마신 개구부를 정의하기 위해 사용된 포토레지스트에서의 산촉매제들을 중성화하는 것으로부터 NH 염기 그룹들을 막아준다.

43. 发明公开

KR1020030044014A 반도체 장치에서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서의 극저유전상수 물질, 이의 제조방법 및 상기 물질을 함유하는전자 장치 失效
标题翻译：在这种情况下，我们可以在一天内完成所有的工作，而不需要等待一段时间，然后才能开始工作。
公开(公告)号：KR1020030044014A
公开(公告)日：2003-06-02
申请号：KR1020037005450
申请日：2001-10-25
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 그릴알프레드 , 메데이로스데이빗알 , 파텔비쉬누브하이브이
IPC分类号： H01L21/20 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/401 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/31633 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 플라즈마 강화 화학 증착("PECVD") 공정을 이용한 평행한 판형 화학 증착 공정에서 Si, C, O 및 H 원자를 포함하는 열안정성 극저 유전상수 필름의 제조방법이 개시된다. 상기 방법에 의해 제조된 열안정성 극저 유전상수 물질의 절연층을 함유하는 전자 장치가 추가로 개시된다. 열안정성 극저 유전상수 필름을 제조하기 위해, 특정 전구체 물질, 예를 들어 환식 실록산 및 고리 구조 함유 유기 분자, 예를 들어 테트라메틸사이클로테트라실록산 및 사이클로펜텐 옥사이드가 사용된다. PECVD 반응기내에서 플라즈마를 안정화시키고 이로써 침착된 필름의 균일성을 개선시키기 위해, CO
2 가 담체 가스로서 TMCTS에 첨가되거나, CO
2 또는 CO
2 와 O
2 의 혼합물이 PECVD 반응기에 첨가된다.
摘要翻译：公开了一种利用等离子体增强化学气相沉积（“PECVD”）工艺在平行板化学气相沉积工艺中制造包含Si，C，O和H原子的热稳定超低介电常数膜的方法。为了能够制造热稳定的超低介电常数膜，使用特定的前体材料，例如环状硅氧烷和含有环结构的有机分子，例如四甲基环硅氧烷和环戊烯氧化物。为了稳定PECVD反应器中的等离子体并由此改善沉积膜的均匀性，将CO 2作为载气添加到TMCTS中，或者将CO 2或CO 2和O 2的混合物添加到PECVD反应器中。

44. 发明公开

KR1020010062216A 반도체 장치에서 트래핑된 전하를 줄이기 위한 방법 및 장치 无效
标题翻译：用于减少半导体器件中固定电荷的方法和装置
公开(公告)号：KR1020010062216A
公开(公告)日：2001-07-07
申请号：KR1020000074188
申请日：2000-12-07
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 후앙,주디에이치. , 벤처,크리스토퍼데니스 , 라시,수다
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C16/029 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/314 , H01L21/3146 , H01L21/31612 , H01L21/31633 , H01L2924/0002 , Y10S438/931 , Y10S438/94 , Y10S438/952 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A method and an apparatus for manufacturing an IC is provided to prevent charge trapping phenomenon occurring on the interface between a dielectric material having a low (k) and another insulating material. CONSTITUTION: The method for manufacturing the IC includes a step of forming a first layer(704), forming a transition layer on a first layer by making a deposition gas, a dilution gas, and a conversion gas to flow on the surface of the first layer(706), stopping the flowing of the conversion gas in steps(708), and forming a second oxide layer(710).
摘要翻译：目的：提供一种用于制造IC的方法和装置，以防止在具有低（k）的电介质材料和另一绝缘材料之间的界面上发生电荷捕获现象。构成：制造IC的方法包括形成第一层（704）的步骤，通过使沉积气体，稀释气体和转化气体在第一层上形成第一层上的过渡层以在第一层层（706），在步骤（708）中停止转化气体的流动，以及形成第二氧化物层（710）。

45. 发明公开

KR1020010051102A 극저 유전 상수를 갖는 박막을 캡핑하는 방법 및 이로부터 제조된 기판 失效
标题翻译：薄膜用于覆盖层极限极限持久性
公开(公告)号：KR1020010051102A
公开(公告)日：2001-06-25
申请号：KR1020000061249
申请日：2000-10-18
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 웨이드맨,티모씨 , 놀트,마이클피. , 창,조세핀,제이.
IPC分类号： H01L21/314
CPC分类号： H01L21/3122 , C23C16/30 , C23C16/325 , C23C16/401 , C23C16/4486 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H01L21/3124 , H01L21/3125 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L21/76801 , H01L21/76828 , H01L21/76834
摘要： PURPOSE: A thin film for capping layer extreme low permittivity constant is provided, which dose not damage the low permittivity film and increase the chemical properties of the low permittivity film. CONSTITUTION: In the method for capping layer extreme low permittivity film, an extreme low permittivity film is formed on a substrate(12) and a silicon oxide capping layer is deposited on the extreme low permittivity film using an oxygen-deficient plasma process. At this time, the silicon oxide capping layer having dielectric constant with about 5 is generated. The silicon oxide capping layer is used to resist a copper diffusion.
摘要翻译：目的：提供一种覆盖层极低介电常数的薄膜，其不会损坏低介电常数膜并增加低介电常数膜的化学性质。构成：在覆盖层极低介电常数膜的方法中，在衬底（12）上形成极低介电常数的膜，并且使用缺氧等离子体工艺在极低介电常数膜上沉积氧化硅覆盖层。此时，产生具有约5的介电常数的氧化硅覆盖层。氧化硅覆盖层用于抵抗铜扩散。

46. 发明公开

KR1020010039634A 반도체 기판 프로세싱 방법 有权
标题翻译：在底层处理含碳层的后沉积方法和系统
公开(公告)号：KR1020010039634A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1020000030343
申请日：2000-06-02
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 후앙,주디에이치.
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/325 , C23C16/56 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/02323 , H01L21/0234 , H01L21/3105 , H01L21/314 , H01L21/3146 , H01L21/31633
摘要： PURPOSE: A method and a system of post-deposition treating a carbon-containing layer on a substrate are provided to improve the oxidation resistance or loss resistance of a film by using a processing mode for generating treatment plasma or the treatment plasma. CONSTITUTION: An analytical recording data of electron spectroscopy/X-ray photoelectron spectro-scanning for chemical analysis performed on the variation of the chemical composition and coupling structure of an SiC layer, which is deposited on a dielectric layer and exposed to treatment plasma, such as He plasma and N2O plasma are produced. As a result, the coupling structure is fixed through the He plasma treatment. The surface composition of the SiC layer is changed by N2O plasma treatment and becomes to contain many C-C or C-H couplings and in addition, protects Si dangling couplings or other dangling couplings. The coupling variation on the surface strengthens adhesion of the SiC layer to the next layer. N2O oxidizes the thin portion of the layer through controlled exposure and forms a surface having a higher resistance with respect to deeper oxidation as compared with an untreated layer.
摘要翻译：目的：提供一种沉积处理基板上的含碳层的方法和系统，以通过使用用于产生处理等离子体的处理模式或处理等离子体来提高膜的耐氧化性或耐损耗性。构成：用于化学分析的电子光谱/ X射线光电子分光扫描的分析记录数据，其对沉积在介电层上并暴露于处理等离子体的SiC层的化学组成和耦合结构的变化进行，例如因为他制造了等离子体和N2O等离子体。结果，通过He等离子体处理固定了耦合结构。通过N2O等离子体处理改变SiC层的表面组成，并且变成含有许多C-C或C-H接头，并且另外保护Si悬挂接头或其它悬挂接头。表面上的耦合变化增强了SiC层与下一层的粘合性。 N2O通过受控曝光氧化层的薄部分，与未处理层相比，形成相对较深氧化具有较高电阻的表面。

47. 发明公开

KR1020160029862A ＣＶＤ 전구체 有权
标题翻译： CVD前辈
公开(公告)号：KR1020160029862A
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020167005023
申请日：2009-08-11
申请人： 다우 코닝 코포레이션
发明人： 초우,시아오빙
IPC分类号： C23C16/30 , B05D1/00 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02271 , B05D1/62 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/401 , C23C16/45553 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/3185
摘要： 비스아미노실라시클로부탄, 및질소공급가스, 산소공급가스및 이들의혼합물로부터선택된공급가스를포함하는반응성가스혼합물의열 중합에의해규소함유박막을생성시키는방법이기술된다. 증착된막은, 질화규소, 실리콘카보니트라이드, 이산화규소또는탄소도핑된이산화규소일수 있다. 이들막은반도체장치에서유전체, 패시베이션코팅, 배리어코팅, 스페이서, 라이너및/또는스트레서(stressor)로유용하다.

48. 发明授权

KR101356695B1 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101356695B1
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：KR1020070078706
申请日：2007-08-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김진균 , 구본영 , 황기현
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L29/4991 , C23C16/402 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02362 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/31629 , H01L21/31633 , H01L21/3185 , H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L29/4983
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 배선들 또는 게이트 스택을 고립화시키는 에어 갭을 갖는 절연막의 형성 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은, 서로 인접한 복수의 배선들이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계; 및 열 화학기상증착법(thermal chemical vapor deposition)에 의해, 배선들 사이의 공간에 에어 갭을 가지면서 공간의 상부를 채우는 절연막을 형성하는 단계를 포함한다.
틈, 보이드, 절연막, RC 지연, low-k 유전막

49. 发明公开

KR1020130132707A 유기아미노실란 전구체로부터 산화규소 막을 형성시키는 방법 有权
标题翻译：生产有机硅氧烷膜的方法
公开(公告)号：KR1020130132707A
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：KR1020130130985
申请日：2013-10-31
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 쓰리단담,헤리쉬 , 쟈오,만챠오 , 레이,진지안 , 가프니,토마스리챠드
IPC分类号： C07F7/10 , C23C16/42 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/31608 , C23C16/402 , H01L21/02126 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/3145 , H01L21/31633
摘要： The present invention relates to a depositing method of a silicon oxide layer on a substrate using CVD. The reaction of organic aminosilane precursors in which alkyl groups have more than two carbon atoms in the presence of an oxidizer produces the silicon oxide layer. The organic aminosilane precursors are denoted by formulas A, B, and C. Diisopropyl aminosilane is used as a suitable precursor for producing the silicon oxide layer.
摘要翻译：本发明涉及使用CVD在基板上的氧化硅层的沉积方法。在氧化剂存在下，烷基具有多于两个碳原子的有机氨基硅烷前体的反应产生氧化硅层。有机氨基硅烷前体由式A，B和C表示。二异丙基氨基硅烷用作制备氧化硅层的合适的前体。

50. 发明授权

KR101278483B1 산화규소 막 및 질화규소 막의 유전체 성질을 개질시키기위한 유기실란 화합물 有权
标题翻译：用于改性硅氧烷和硅酸盐膜的电化学性质的有机锗化合物
公开(公告)号：KR101278483B1
公开(公告)日：2013-06-24
申请号：KR1020070122205
申请日：2007-11-28
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 시아오,만차오 , 트리단담,하레쉬 , 칼왁키,유진조셉주니어 , 레이,신지안
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/00 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/3121 , H01L21/31633
摘要： 본 발명은 에칭 내성이 개선된 탄소 함유 산화규소 막, 또는 탄소 함유 질화규소 막을 증착시키는 방법을 기술한 것이다. 본 방법은 규소 함유 전구체, 탄소 함유 전구체 및 화학적 개질제를 사용함을 포함한다. 본 발명은 또한 유기실란 전구체 및 화학적 개질제를 사용함을 포함하여 에칭 내성이 개선된 산화규소 막, 또는 질화규소 막을 증착시키는 방법을 기술한 것이다.

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