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41. 发明公开

KR1020160100035A 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160100035A
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020150022488
申请日：2015-02-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정종현
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78639 , G02F1/1368 , H01L27/3262
摘要： 본발명의실시예에따른박막트랜지스터어레이기판은제1 방향을따라연장된게이트라인, 상기제1 방향에교차되는제2 방향을따라연장되며상기게이트라인을사이에두고상기제2 방향을따라이격되어배치된데이터라인들, 및상기게이트라인으로부터돌출된게이트전극을포함하는제1 도전패턴그룹; 상기게이트전극에중첩되도록상기게이트전극상에배치된액티브패턴; 상기데이터라인들연결하는브릿지패턴, 상기브릿지패턴으로부터상기액티브패턴상부로연장된소스전극및 상기소스전극으로부터이격되고상기소스전극에마주하며상기액티브패턴상에형성된드레인전극을포함하는제2 도전패턴그룹; 및상기액티브패턴과상기소스전극사이및 상기액티브패턴과상기드레인전극사이에각각적층된메탈패턴들을포함할수 있다.
摘要翻译：本发明的目的是同时形成包括数据线和相同材料的栅极线的第一导电图案组，并且防止数据线和栅极线彼此重叠。根据本发明的实施例，薄膜晶体管阵列基板包括：第一导电图案组，包括沿第一方向延伸的栅极线，沿与第一方向相交并沿间隔布置的第二方向延伸的数据线在第二方向上与栅极线之间，以及从栅极线突出的栅电极; 布置在栅极顶部以与栅电极重叠的有源图案; 包括用于连接数据线的桥接图案的第二导电图案组，从有源图案上方的桥接图案延伸的源电极和与源电极分离的漏电极，面对源电极并形成在活动的顶部模式; 以及分别在有源图案和源电极之间以及有源图案和漏极之间堆叠的金属图案。

42. 发明公开

KR1020160080068A 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 有权
标题翻译：蚀刻组合物及使用其制造金属布线的方法
公开(公告)号：KR1020160080068A
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：KR1020150173054
申请日：2015-12-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정종현 , 박홍식 , 문영민 , 양희성 , 김규포 , 신현철 , 서원국 , 김재명
IPC分类号： C09K13/04 , C23F1/18 , C23F1/30 , C23F1/44 , C09K13/08 , C09K13/06
摘要： 본발명의실시예에따른식각액조성물은과황산염 10 내지 20 중량%, 인산(HPO) 또는아인산(HPO) 0.1 내지 10 중량%. 질소계고리형화합물 0.1 내지 2 중량%. 술폰산화합물 0.1 내지 5 중량%, 구리부식방지제 0.1 내지 2 중량%, 불소화합물 0.1 내지 2 중량% 및전체조성물의총 중량이 100 중량%가되도록하는잔량의물을포함한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施方案，蚀刻剂组合物包含：10-20wt％的过硫酸盐; 0.1-10重量％的磷酸（H 3 PO 4）或亚磷酸（H 3 PO 3）; 0.1〜2重量％的氮系环状化合物; 0.1-5重量％的磺酸化合物; 0.1-2wt％的防腐蚀铜; 0.1-2重量％的氟化合物; 剩余的水使组合物的总重量等于100重量％。蚀刻剂组合物具有优异的锥角，并且即使在溶解铜离子积聚时也能保持原有特性。

43. 发明公开

KR1020160077511A 표시 장치용 어레이 기판 审中-实审
标题翻译：用于显示设备的阵列基板
公开(公告)号：KR1020160077511A
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020140187279
申请日：2014-12-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정종현 , 김봉균
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/1244 , H01L27/124 , G02F1/1362 , G02F1/136286 , G02F1/1368
摘要： 디스플레이장치및 디스플레이장치의구동방법이제공된다. 디스플레이장치는매트릭스배열된복수의화소를포함하는표시부로서, 제1 화소행 블록과제2 화소행 블록을포함하는표시부, 및제1 화소행 블록에프레임별최초주사신호를순차적으로인가하는제1 주사구동유닛과제2 화소행 블록에프레임별최초주사신호를순차적으로인가하는제2 주사구동유닛을포함하는주사구동부, 및 n번째프레임에제1 프레임영상데이터를표시부에 1차입력하고, (n+1)번째프레임에제1 프레임영상데이터를표시부에 2차입력하는데이터구동부를포함한다.
摘要翻译：提供了一种显示装置和显示装置的驱动方法。显示装置包括：显示单元，包括以矩阵布置的多个像素，并且包括第一像素行块和第二像素行块; 扫描驱动单元，其包括：第一扫描驱动单元，其顺序地将每个帧的第一像素行块施加初始扫描信号;以及第二扫描单元，其将每个帧的第二像素行块顺序地施加初始扫描信号; 以及数据驱动单元，被配置为主要将第n帧的第一帧图像数据输入到显示单元，并且将第（n + 1）帧的第一帧图像数据二次输入到显示单元。

44. 发明授权

KR101608873B1 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 有权
标题翻译：金属丝蚀刻剂及其制造方法
公开(公告)号：KR101608873B1
公开(公告)日：2016-04-05
申请号：KR1020100024250
申请日：2010-03-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 서남석 , 홍선영 , 정종현 , 김봉균 , 박홍식 , 송진호 , 이왕우 , 김도원 , 김상우 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영
IPC分类号： C23F1/34 , C23F1/02 , H05K3/06
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/28088 , H01L21/32134 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H05K3/067
摘要： 금속배선식각액을제공한다. 본발명의한 실시예에따른금속배선식각액은과산화이황산암모늄, 유기산, 암모늄염, 불소함유화합물, 글리콜계화합물및 아졸계화합물을포함한다.

45. 发明授权

KR101520921B1 식각액 조성물, 이를 사용한 금속 패턴의 형성 방법 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101520921B1
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：KR1020080110435
申请日：2008-11-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 최영주 , 김봉균 , 이병진 , 정종현 , 홍선영 , 서남석 , 박홍식 , 김기섭 , 이승용 , 이준우 , 박영철 , 진영준 , 양승재 , 이현규 , 장상훈 , 임민기
IPC分类号： C09K13/06 , G03F7/32
CPC分类号： H01L21/32134 , C09K13/06 , C23F1/18 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
摘要： 본발명은인산 40 내지 65 중량%, 질산 2 내지 5 중량%, 초산 2 내지 20 중량%, 인산염을포함하는화합물 0.1 내지 2 중량%, 아미노기와카르복실기를동시에함유하는화합물 0.1 내지 2 중량% 및전체조성물의총 중량이 100 중량%가되도록하는물을포함하는식각액조성물, 이를사용한금속패턴의형성방법및 박막트랜지스터표시판의제조방법에관한것이다.

46. 发明公开

KR1020140058102A 액정 표시 장치 审中-实审
标题翻译：液晶显示器
公开(公告)号：KR1020140058102A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：KR1020120124719
申请日：2012-11-06
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정종현 , 이왕우 , 김봉균 , 김인배 , 김선일 , 문영민 , 박홍식 , 김기태
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/133345 , G02F1/133707 , G02F1/134363 , G02F1/136259 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2001/136231 , G02F2001/136295 , G02F2201/124 , H01L27/1225
摘要： A liquid crystal display according to an embodiment of the present invention comprises: an insulating substrate; a gate line and a data line located on the insulating substrate; a semiconductor layer located on the insulating layer; a first electric-field generating electrode and a second electric-field generating electrode located on the insulating layer; and a first protective layer which is consisted of the same layer with the first electric field generating electrode and covers at least a part of the data line.
摘要翻译：根据本发明实施例的液晶显示器包括：绝缘基板; 位于所述绝缘基板上的栅极线和数据线; 位于所述绝缘层上的半导体层; 位于所述绝缘层上的第一电场产生电极和第二电场产生电极; 以及第一保护层，其由与第一电场产生电极相同的层组成并且覆盖数据线的至少一部分。

47. 发明公开

KR1020120058109A 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 有权
标题翻译：制造薄膜晶体管基板的方法
公开(公告)号：KR1020120058109A
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：KR1020100119744
申请日：2010-11-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 배양호 , 정종현 , 송진호 , 서오성 , 홍선영 , 오화열 , 김봉균 , 서남석 , 양동주 , 이왕우
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/32134 , G02F1/136227 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L27/124 , H01L29/458
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor display substrate is provided to minimize a sidewall of a semiconductor layer from a sidewall of a data line during processes of manufacturing a thin film transistor display substrate. CONSTITUTION: A first photosensitive film pattern(50) is set as a mask to etch a data metal layer(170). Under-cut is formed on the first photosensitive film pattern on the etched data metal layer. A sidewall of an upper metal layer(170r) protrudes. Edges of a lower metal layer(170p) are located on an inner side after the sidewall of the upper metal layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造薄膜晶体管显示基板的方法，以在制造薄膜晶体管显示基板的过程期间使来自数据线的侧壁的半导体层的侧壁最小化。构成：将第一感光膜图案（50）设置为掩模以蚀刻数据金属层（170）。在蚀刻的数据金属层上的第一感光膜图案上形成欠切割。上金属层（170r）的侧壁突出。下金属层（170p）的边缘位于上金属层的侧壁之后的内侧。

48. 发明公开

KR1020100127051A 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管阵列基板及其方法
公开(公告)号：KR1020100127051A
公开(公告)日：2010-12-03
申请号：KR1020090045556
申请日：2009-05-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최영주 , 박홍식 , 정종현 , 홍선영 , 김봉균 , 이병진 , 이왕우 , 서남석
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/7869
摘要： PURPOSE: A thin film transistor substrate and a manufacturing method thereof are provided to omit an additional etching process by etching a conductive layer for a pixel electrode and an oxide semiconductor layer. CONSTITUTION: A gate line(22) including a gate electrode(26) is formed on a substrate(10). An oxide semiconductor layer pattern(42) is formed on a transistor region and a pixel electrode forming region. A data line is formed on the oxide semiconductor layer pattern. A protection pattern(55,56) for the oxide semiconductor layer is formed between a source electrode and the oxide semiconductor layer pattern and between a drain electrode and the oxide semiconductor layer pattern. A pixel electrode(82) is electrically connected to the drain electrode.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜晶体管基板及其制造方法，通过蚀刻用于像素电极和氧化物半导体层的导电层来省略额外的蚀刻工艺。构成：在基板（10）上形成包括栅电极（26）的栅极线（22）。在晶体管区域和像素电极形成区域上形成氧化物半导体层图案（42）。在氧化物半导体层图案上形成数据线。在源电极和氧化物半导体层图案之间以及在漏电极和氧化物半导体层图案之间形成氧化物半导体层的保护图案（55,56）。像素电极（82）电连接到漏电极。

49. 发明公开

KR1020090029467A 식각액 조성물, 이를 사용한 금속 패턴 형성 방법 및 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 无效
标题翻译：蚀刻组合物，形成金属图案的方法和使用其制造薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020090029467A
公开(公告)日：2009-03-23
申请号：KR1020070094731
申请日：2007-09-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김봉균 , 박홍식 , 정종현 , 홍선영 , 이지선 , 이병진 , 이준우 , 박영철 , 김성수 , 이석준 , 양승재 , 이현규 , 장상훈
IPC分类号： G02F1/136 , C09K13/06 , H01L21/306 , H01L29/786
CPC分类号： C23F1/16 , C09K13/06 , G02F1/136286 , H01L21/32134
摘要： An etchant composition material, a method for forming metal patterns by using the same and a method for manufacturing a thin film transistor by using the same are provided to suppress undercut or overhang, thereby maintaining a profile of wiring well. A plurality of gate lines(121) transmitting a gate signal is formed on an insulating substrate. The gate line is extended horizontally. A part of each gate line is comprised of a plurality of gate electrodes(124). A lower gate line comprises a lower gate electrode made of aluminium(Al) or aluminium alloy(AlNd). Neodymium(Nd) is added to aluminium to form the aluminium alloy. An upper gate line comprises a lower gate electrode made of molybdenum(Mo) or molybdenum alloy. The upper gate line is formed on an upper part of the lower gate line. A gate insulating layer is formed on the gate line.
摘要翻译：提供蚀刻剂组合物材料，通过使用它们形成金属图案的方法以及通过使用该方法制造薄膜晶体管的方法以抑制底切或突出，从而保持布线的轮廓良好。在绝缘基板上形成有多个栅极线（121），栅极信号传输。门线水平延伸。每个栅极线的一部分由多个栅电极（124）组成。下栅极线包括由铝（Al）或铝合金（AlNd）制成的下栅电极。将钕（Nd）加入到铝中以形成铝合金。上栅极线包括由钼（Mo）或钼合金制成的下栅电极。上栅极线形成在下栅极线的上部。在栅极线上形成栅极绝缘层。

50. 发明公开

KR1020080096214A 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：制造薄膜晶体管基板的方法
公开(公告)号：KR1020080096214A
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：KR1020070041378
申请日：2007-04-27
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 진홍기 , 정유광 , 김상갑 , 김주한 , 윤주애 , 오민석 , 정종현 , 최승하
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1214
摘要： A method for manufacturing TFT substrate is provided to improve the productivity by thinning the thickness of the photoresist used for each mask process. A transparent conductive film and an opaque conductive film are formed on a substrate(1). A gate pattern having a gate line(20), and gate electrode(30), and a pixel forms the transparent conductive film and an opaque conductive film using the first mask through patterning process. A gate insulating layer(40) and a semiconductor layer(50) are formed on the substrate. A contact hole for exposing a part of the pixel electrode and a semiconductor pattern are formed using a second mask. A conductive film is formed on the substrate. A source/drain pattern including dataline, a source electrode, and a drain electrode are formed by patterning the conductive film using a third mask. The gate insulating layer on the pixel electrode and the opaque conductive film is removed.
摘要翻译：提供一种用于制造TFT基板的方法，通过使用于每个掩模处理的光致抗蚀剂的厚度变薄来提高生产率。在基板（1）上形成透明导电膜和不透明导电膜。具有栅极线（20）和栅极（30）的栅极图案，并且像素通过图案化工艺使用第一掩模形成透明导电膜和不透明导电膜。在基板上形成栅极绝缘层（40）和半导体层（50）。使用第二掩模形成用于曝光一部分像素电极和半导体图案的接触孔。在基板上形成导电膜。通过使用第三掩模图案化导电膜来形成包括数据线，源电极和漏电极的源极/漏极图案。去除像素电极上的栅极绝缘层和不透明导电膜。

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