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41. 发明公开

KR1020150079271A 스트레인 보상층을 포함한 기판 재활용 구조, 구조 생성 방법 및 소자 제작 방법 有权
标题翻译：回收衬底结构，包括应变补偿层，其制造方法和器件制造方法
公开(公告)号：KR1020150079271A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130169385
申请日：2013-12-31
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 전동환 , 박원규
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 본발명의일 측면에의하면, 기판을준비하는기판준비단계; 상기기판과상이한격자상수를가진희생층을상기기판상에성장시키는희생층성장단계; 상기기판과상기희생층사이의긴장상태와반대인긴장상태를가진보상층을상기희생층상에성장시키는보상층성장단계;및상기보상층상에소자층을성장시키는소자층형성단계; 를포함하는것을특징으로하는기판재활용구조생성방법을제공한다. 이상에서살펴본본 발명에의하면, 희생층을두텁게성장시킬수 있게함 으로써, 소자를손쉽게제거할수 있는효과가있다.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，提供了一种基板回收结构的制造方法，包括：准备基板的基板准备工序; 生长牺牲层的牺牲层生长步骤，所述牺牲层能够使衬底上的衬底生长具有不同晶格常数的牺牲层; 补偿层生长步骤，在所述牺牲层上生长具有处于所述基板和所述牺牲层之间的张力状态的相反张紧状态的补偿层; 在所述补偿层上生长器件层的器件层形成步骤。根据所审查的本发明，通过使牺牲层生长成厚，可以容易地去除器件。

42. 发明授权

KR101531870B1 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 제조하는 방법 有权
标题翻译：具有大面积基片的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR101531870B1
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020130165606
申请日：2013-12-27
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 신찬수 , 조영대 , 전동환 , 박원규
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76807 , H01L21/32055 , H01L21/7684 , H01L21/76877
摘要： 본발명은실리콘기판상에화합물반도체소자를제조하는방법에있어서, 실리콘기판을준비하는제1단계, 상기실리콘기판상에산화막을증착시키는제2단계, 상기산화막을패터닝하여, 상기실리콘기판의일부영역을노출시키면서, 상기실리콘기판상에는계단형트렌치를형성하는제3단계, 상기계단형트렌치형성후, 노출된상기실리콘기판영역과상기계단형트렌치상측에화합물반도체층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는계단형트렌치를이용하여실리콘기판상에대면적화합물반도체소자를형성하는방법을기술적요지로한다. 이에의해실리콘기판상에계단형트렌치를형성하여, 실리콘과화합물반도체간의계면에서발생하는관통전위를트랩시켜결함이없는(defect free) 대면적의화합물반도체소자를제공할수 있는이점이있다.
摘要翻译：本发明涉及一种在硅衬底上制造化合物半导体器件的方法，更具体地说，涉及通过使用步骤沟槽在硅衬底上制造具有大面积的化合物半导体器件的方法，包括：制备第硅基板; 在硅衬底上沉积氧化膜的第二步骤; 图案化氧化膜的第三步骤，暴露硅衬底的一些区域，以及在硅衬底上形成步骤沟槽; 以及形成所述台阶沟槽的第四步骤，以及在所述暴露的硅衬底区域和所述台阶沟槽的上侧上方生长化合物半导体层。因此，在硅基板上形成台阶沟槽，从而通过捕获从硅与化合物半导体之间的界面产生的穿透电位，提供具有大面积的无缺陷化合物半导体器件。

43. 发明公开

KR1020150047828A 변조 적외선 컬러 영상 획득 시스템 有权
标题翻译：使用调制红外光谱获得彩色图像的系统
公开(公告)号：KR1020150047828A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：KR1020130127788
申请日：2013-10-25
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 전동환 , 신찬수 , 박원규
IPC分类号： H04N5/225 , H04N5/232 , H04N7/18
CPC分类号： H04N5/332 , H04N5/2251 , H04N5/232
摘要： 본발명은변조적외선컬러영상획득시스템으로서, 둘이상의변조적외선파장을피사체에조사하는적외선조사장치; 적외선조사장치에의해조사되고피사체에의해반사된둘 이상의변조적외선파장을감지하고, 둘이상의변조적외선파장을변환및 조합하여컬러영상을획득하는컬러영상획득장치; 및컬러영상획득장치와미리결정된시간에보정및 동기화되고, 적외선조사장치의적외선조사시간을파장별로조정하는동기화장치를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种使用调制的红外线获得彩色图像的系统，该系统包括：向被摄体照射至少两个调制的红外波长的红外辐射装置; 检测由所述红外线照射装置照射并被所述被检体反射的经调制的红外波长的彩色图像获取装置，并且通过转换和组合调制的红外波长获得彩色图像; 以及在预定时间与彩色图像获取装置校正和同步的同步装置，并且每波长调整红外线照射装置的红外线照射时间。

44. 发明公开

KR1020130133986A 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：水平型太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130133986A
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120057164
申请日：2012-05-30
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 전동환 , 김창주 , 허종곤 , 김영조 , 박원규
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/06 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/06 , H01L31/18
摘要： The invention relates to a horizontal electrode structure solar cell and manufacturing method thereof which produces the most optimized horizontal electrode structured solar cell, avoid the influence by structural deformity where the lattice misfits the dislocation of the growth regulator, and substrate is generated. The horizontal electrode structure solar cell of the present invention has an effect to increase the efficiency because the reduction does not occur since the carrier is not transmitted in the misfit dislocation layer, and the efficiency is improved by the influence of the deformity of the solar cell of which a thin film is included. The invention also comprises a wide band gap layer formed on the upper part of the thin film and the ohmic layer, the first electrode formed at the upper part of the wide band gap layer into a predetermined thickness and the device layer, and the second electrode formed in the upper part of the device of the ohmic layer. At the same time, the lattice mismatch substrate including the substrate formed on the substrate, and the lattice of the misfit dislocation of the lattice constants are included in the present invention. [Reference numerals] (130) Misfit dislocation layer;(150) Ohmic layer;(160) Device layer;(170,180) Electrode
摘要翻译：本发明涉及一种水平电极结构太阳能电池及其制造方法，其制造最优化的水平电极结构太阳能电池，避免了晶格不适于生长调节器位错的结构变形的影响，产生了基板。本发明的水平电极结构太阳能电池具有提高效率的效果，因为不会在不匹配位错层中传输载体而不发生还原，并且通过太阳能电池的畸变的影响来提高效率其中包括薄膜。本发明还包括形成在薄膜的上部和欧姆层上的宽带隙层，形成在宽带隙层的上部的第一电极和装置层，以及第二电极形成在欧姆层的器件的上部。同时，包括形成在基板上的基板的晶格失配基板和晶格常数的失配位错的晶格包括在本发明中。（130）不匹配位错层;（150）欧姆层;（160）器件层;（170,180）电极

45. 发明授权

KR101161264B1 기판 재사용을 위한 반도체 소자 제조 방법 有权
标题翻译：用于衬底再利用的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR101161264B1
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020100124812
申请日：2010-12-08
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 전동환 , 김창주 , 양창재 , 성호근 , 강호관 , 신찬수 , 박원규 , 고철기
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00
摘要： 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 방법에서는 기판의 한쪽 면에 제1 소자층을 형성한 다음, 상기 기판을 뒤집어 상기 기판의 다른쪽 면에 제2 소자층을 형성한다. 상기 제1 소자층에 제1 캐리어 기판을 접합하고 상기 제2 소자층에 제2 캐리어 기판을 접합한 후 상기 기판과 상기 제1 소자층 사이 및 상기 기판과 제2 소자층 사이를 분리하거나, 상기 기판과 상기 제1 소자층 사이 및 상기 기판과 제2 소자층 사이를 분리한 후 상기 제1 소자층에 제1 캐리어 기판을 접합하고 상기 제2 소자층에 제2 캐리어 기판을 접합한다. 본 발명에 따르면, 기판의 양쪽 면을 이용하고 기판을 재사용함에 따라 기판의 소모, 재료의 소모를 최소화한다. 그리고, 기판을 중심으로 동일한 방향의 힘(compressive or tensile)이 가해짐으로써 기판과 박막의 열팽창 계수의 차이로 인한 휨 현상이 억제된다.

46. 发明公开

KR1020210044519A 금속 접합 구조를 포함하는 고효율 마이크로 LED 장치 有权
公开(公告)号：KR1020210044519A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：KR1020190127781
申请日：2019-10-15
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 전동환 , 정상현
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/06 , H01L33/00 , H01L33/38
摘要： 본발명에서는 10000um2 이하의발광부면적을갖는마이크로 LED 장치가개시된다. 본발명의일 실시예에따른마이크로 LED 장치는상기마이크로 LED 장치는 P형반도체, 발광부및 N형반도체가적층되는적층구조를포함하고, 상기발광부의사이드월바깥면에쇼키컨택된금속층이형성된다.

47. 发明授权

KR101762921B1 집광형 태양광 발전 방법 및 시스템 有权
标题翻译：聚光太阳能发电的方法和系统
公开(公告)号：KR101762921B1
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020150148153
申请日：2015-10-23
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 정상현 , 김창주 , 김영조 , 김강호 , 전동환 , 박형호 , 최영수 , 성호근 , 박경호 , 최재혁 , 신현범 , 박원규 , 강호관 , 이재진
IPC分类号： H02S20/32 , H02S20/30 , H02S50/10 , G01K13/00 , H02S40/42
CPC分类号： G01K13/00 , H02S20/30 , H02S20/32 , H02S50/10
摘要： 본발명은집광형태양광발전방법및 시스템에관한것으로서, 상기방법은태양추적방식에따라태양의황도를계산하여태양전지판을조정하는단계, 상기태양전지판을구성하는하나이상의단위모듈에서태양광을집광하는단계,단위모듈에장착된온도센서를이용하여, 온도분포를측정하는단계및 측정한온도분포결과에따라하나이상의단위모듈을보정하는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明稠合形式阳光涉及一种发电的方法和系统，所述方法包括：计算一个太阳能黄道调整根据太阳能跟踪方法的太阳能电池板，集中构成太阳能面板上的一个或更多个单元模块的太阳光使用安装在单元模块上的温度传感器测量温度分布，并且根据测量的温度分布结果校正一个或多个单元模块。

48. 发明授权

KR101721244B1 매질 분석 장치 및 그 방법 有权
公开(公告)号：KR101721244B1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：KR1020150080781
申请日：2015-06-08
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 전동환
IPC分类号： G01N21/47 , G01N21/51 , G01N21/31 , G01N15/06 , G01N21/03
摘要： 본발명은매질분석장치및 그방법에관한것으로, 둘이상의파장을갖는빛을발생시키는광원, 상기빛이통과하는매질, 상기빛이통과하여상기매질에포함된입자에의해산란된산란광중 서로다른파장을갖는빛을필터링하는둘 이상의필터, 상기필터를통과한서로다른파장을갖는빛을검출하는둘 이상의검출기, 및상기둘 이상의검출기에의해검출된결과의비율또는결과의차이에기초하여상기매질에포함된입자의농도를분석하는분석기를포함한다. 본발명에따르면, 입자의흡수에의한오차를최소화하고소형화된매질분석장치를구현할수 있다.

49. 发明公开

KR1020160144569A 매질 분석 장치 및 그 방법 有权
标题翻译：媒体分析装置及其方法
公开(公告)号：KR1020160144569A
公开(公告)日：2016-12-19
申请号：KR1020150080781
申请日：2015-06-08
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 전동환
IPC分类号： G01N21/47 , G01N21/51 , G01N21/31 , G01N15/06 , G01N21/03
摘要： 본발명은매질분석장치및 그방법에관한것으로, 둘이상의파장을갖는빛을발생시키는광원, 상기빛이통과하는매질, 상기빛이통과하여상기매질에포함된입자에의해산란된산란광중 서로다른파장을갖는빛을필터링하는둘 이상의필터, 상기필터를통과한서로다른파장을갖는빛을검출하는둘 이상의검출기, 및상기둘 이상의검출기에의해검출된결과의비율또는결과의차이에기초하여상기매질에포함된입자의농도를분석하는분석기를포함한다. 본발명에따르면, 입자의흡수에의한오차를최소화하고소형화된매질분석장치를구현할수 있다.

50. 发明授权

KR101663644B1 변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드 有权
标题翻译： APD使用调制掺杂和成分吸收剂
公开(公告)号：KR101663644B1
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020140150214
申请日：2014-10-31
申请人： (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
发明人： 전동환 , 정해용 , 신찬수 , 박경호 , 박원규 , 김용수 , 한상욱 , 문성욱 , 이인준 , 김상인
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0304
摘要： 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 흡수층및 증폭층이각각분리되어형성된(separate absorption and multiplication) 애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑및 조성변화층의조합으로이루어지되, 상기도핑및 조성변화층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지면서, 상기화합물반도체의조성을기판에대해 10% 오차범위내에서의격자부정합또는정합이유지되도록변형하여형성되는것을특징으로하는변형된도핑및 조성흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 도핑이되어있으면서조성변화가이루어진도핑및 조성변화층은소수캐리어의에너지밴드를가변함으로써전계를인가하여캐리어이동을돕게되어, 캐리어가증폭층으로도달하는속도를가속할수 있도록하여, 효율특성및 응답속도를더욱개선시키는이점이있다.

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