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1. 发明公开

KR1020170072681A 저 암전류 아발란치 포토다이오드 有权
标题翻译：低暗电流雪崩光电二极管
公开(公告)号：KR1020170072681A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：KR1020150181157
申请日：2015-12-17
申请人： (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
发明人： 정해용 , 전동환 , 신찬수 , 박경호 , 박원규 , 김민수 , 한상욱 , 문성욱 , 김상인
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/02 , H01L29/66 , H01L31/09
摘要： 본발명은, 저암전류아발란치포토다이오드로서, 증폭층의중심부에형성되는멀티플리케이션(multiplication) 영역과그 주변에형성되는비-멀티플리케이션영역을포함하는상기증폭층; 및상기증폭층상단의수광부에배치되는전극을포함하고, 상기전극은멀티플리케이션영역및 비-멀티플리케이션영역의일부를포함하도록배치되는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及一种低暗电流雪崩光电二极管，其包括：放大层，其包括形成在所述放大层的中心处的倍增区和形成在所述倍增区周围的非多路复用区; 以及设置在放大层的上侧的光接收部分处的电极，其中电极被布置为包括倍增区域和非多路复用区域的一部分。

2. 发明授权

KR101734077B1 다중접합 태양전지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：多结太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101734077B1
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150188846
申请日：2015-12-29
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 김강호 , 김영조 , 정상현 , 김창주 , 전동환 , 신현범 , 박원규 , 강호관 , 이재진
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/046 , H01L31/18 , H01L21/027 , H01L21/3213
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 본발명은다중접합태양전지및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른다중접합태양전지의제조방법은, 기판의상면에하부, 중부, 상부태양전지층및 포토레지스트층을차례로적층형성하는단계와; 포토레지스트층및 그하부의상부태양전지층의일부를각각메사식각하는단계와; 상부태양전지층의식각후, 포토레지스트를리플로우하고열처리하여식각된상부태양전지층을포토레지스트로보호하는단계와; 상부태양전지층하부에위치하는중부태양전지층의일부를식각한후, 포토레지스트를리플로우하고열처리하여식각된중부태양전지층을포토레지스트로보호하는단계와; 중부태양전지층하부에위치하는하부태양전지층의일부를식각하는단계; 및상부태양전지층위에위치하는포토레지스트층과, 상기식각부보호용으로형성된포토레지스트를제거하여다중접합태양전지구조체를완성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 다중접합태양전지의제조공정에다단계습식식각공정을도입함으로써, 메사습식식각공정에서의언더컷발생문제를해결하여메사습식식각공정으로인한활성면적감소를원천적으로방지할수 있고, 이에따라태양전지의효율저하문제를근본적으로해결할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种多结太阳能电池及其制造方法。按照本发明制造键合的太阳能电池的方法包括：形成下部，中部，并依次层叠顶部太阳能电池层和所述衬底的所述顶表面上的光致抗蚀剂层的工序; 分别在光致抗蚀剂层下方蚀刻光致抗蚀剂层和部分上太阳能电池层; 在蚀刻上太阳能电池层之后，回流并热处理光致抗蚀剂以用光致抗蚀剂保护蚀刻的上太阳能电池层; 进一步包括：蚀刻，其位于顶太阳能电池层底部中央的太阳能电池层的一部分，保护所述中心太阳能电池层蚀刻所述回流热处理，并在光致抗蚀剂和光致抗蚀剂之后; 蚀刻位于中间太阳能电池层下方的下部太阳能电池层的一部分; 以及形成顶部太阳能电池层上，除去蚀刻保护部形成光致抗蚀剂，包括步骤完成的多结太阳能电池结构的光致抗蚀剂层。因此，根据如本发明，通过在结太阳能电池的制造过程中引入的多步骤湿蚀刻工艺多，台面湿法蚀刻工艺eseoui并能解决底切问题，从根本上防止活性区域由于台面湿法蚀刻工艺减小，因此，可以从根本上解决降低太阳能电池效率的问题。

3. 发明公开

KR1020170047721A 집광형 태양광 발전 방법 및 시스템 有权
公开(公告)号：KR1020170047721A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150148153
申请日：2015-10-23
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 정상현 , 김창주 , 김영조 , 김강호 , 전동환 , 박형호 , 최영수 , 성호근 , 박경호 , 최재혁 , 신현범 , 박원규 , 강호관 , 이재진
IPC分类号： H02S20/32 , H02S20/30 , H02S50/10 , G01K13/00 , H02S40/42
CPC分类号： G01K13/00 , H02S20/30 , H02S20/32 , H02S50/10
摘要： 본발명은집광형태양광발전방법및 시스템에관한것으로서, 상기방법은태양추적방식에따라태양의황도를계산하여태양전지판을조정하는단계, 상기태양전지판을구성하는하나이상의단위모듈에서태양광을집광하는단계,단위모듈에장착된온도센서를이용하여, 온도분포를측정하는단계및 측정한온도분포결과에따라하나이상의단위모듈을보정하는단계를포함한다.

4. 发明授权

KR101666400B1 포토다이오드 및 포토다이오드 제조 방법 有权
标题翻译：光化物及其制造方法
公开(公告)号：KR101666400B1
公开(公告)日：2016-10-14
申请号：KR1020140149039
申请日：2014-10-30
申请人： 한국과학기술연구원 , (재)한국나노기술원 , 아주대학교산학협력단
发明人： 한상욱 , 문성욱 , 김용수 , 이인준 , 김상인 , 박원규 , 전동환 , 신찬수 , 박경호 , 정해용
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/18
摘要： 포토다이오드는기판; 상기기판위에위치하는제 1 캐리어(carrier) 증폭층; 상기제 1 캐리어증폭층위에위치하는광자흡수층; 및상기광자흡수층위에위치하는제 2 캐리어증폭층;을포함할수 있다. 한편, 포토다이오드제조방법은기판위에제 1 캐리어증폭층을형성하는단계; 상기제 1 캐리어증폭층위에광자흡수층을형성하는단계; 및상기광자흡수층위에제 2 캐리어증폭층을형성하는단계;를포함할수 있다. 본발명의실시예들은두 종류의캐리어를모두이용하여신호를증폭함으로써전압이득및 단일광자검출의신뢰도를증대시킬수 있다.

5. 发明公开

KR1020160040380A 계면 재결합 억제 박막 태양전지 有权
标题翻译：薄膜太阳能电池用于减少表面重构
公开(公告)号：KR1020160040380A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：KR1020140133426
申请日：2014-10-02
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 전동환
IPC分类号： H01L31/046 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/046 , H01L31/04
摘要： 본발명은박막태양전지에관한것으로서, GaAs 계열의물질을사용하는광흡수층과, 상기광흡수층상측에형성되며, 알루미늄을포함하는화합물반도체로이루어진제1윈도우층과, 상기제1윈도우층과상기광흡수층사이에형성되며, 알루미늄을포함하지않는화합물반도체로이루어진제2윈도우층과, 상기광흡수층하측에형성되는 BSF층및 상기 BSF층하측에형성된기판을포함하여이루어지는것을특징으로하는계면재결합억제박막태양전지를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은윈도우층과광흡수층사이에새로운제2윈도우층을도입하여계면재결합속도특성을개선하여전류손실을막아태양전지의효율을향상시키는이점이있다.
摘要翻译：本发明涉及一种薄膜太阳能电池。抑制界面复合的薄膜太阳能电池包括：由GaAs基材料形成的光吸收层; 形成在由铝（Al）构成的化合物半导体的光吸收层上的第一窗口层; 插入在第一窗口层和光吸收层之间的第二窗口层，并且由不含有Al的化合物半导体形成; 形成在光吸收层下的背面场（BSF）层; 以及形成在BSF层下的基板。因此，根据本发明，在窗口层和光吸收层之间插入新的第二窗口层，以改善界面复合速率的特性; 从而防止电流损耗，从而能够提高太阳能电池的效率。

6. 发明授权

KR101531875B1 트랩홀에 의한 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 제조하는 방법 有权
标题翻译：具有大面积基片的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR101531875B1
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020130165611
申请日：2013-12-27
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 신찬수 , 조영대 , 전동환 , 박원규
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76807 , H01L21/32055 , H01L21/7684 , H01L21/76877
摘要： 본발명은실리콘기판상에화합물반도체소자를제조하는방법에있어서, 실리콘기판상에화합물반도체소자를제조하는방법에있어서, 실리콘기판을준비하는제1단계와, 상기실리콘기판상에산화막을증착시키는제2단계와, 상기산화막을패터닝하여, 상기실리콘기판의일부영역을노출시키면서, 상기실리콘기판상에는트랩홀에의한계단형트렌치를형성하는제3단계와, 상기트랩홀에의한계단형트렌치형성후, 노출된상기실리콘기판영역과상기트랩홀에의한계단형트렌치상측에화합물반도체층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는트랩홀에의한계단형트렌치를이용하여실리콘기판상에대면적화합물반도체소자를형성하는방법을기술적요지로한다. 이에의해실리콘기판상에트랩홀에의한계단형트렌치를형성하여, 실리콘과화합물반도체간의계면에서발생하는관통전위를트랩시켜결함이없는(defect free) 대면적의화합물반도체소자를제공할수 있는이점이있다.
摘要翻译：本发明涉及使用由陷阱阶梯形的沟槽在硅衬底上制造化合物半导体器件的方法。关键技术是通过使用由陷阱阶梯式的沟槽形成大型化合物半导体器件的方法，包括：制备硅衬底的第一步骤; 在硅衬底上层压氧化膜的第二步骤; 第三步骤，通过对所述硅衬底的部分区域进行曝光来形成所述氧化物膜，从而通过所述硅衬底上的陷阱来形成沟槽; 以及第四步骤，在由陷阱阶梯形的沟槽上增加化合物半导体层，并且在形成由陷阱分阶段形成的沟槽之后增加暴露的硅衬底区域的上侧上的化合物半导体和由陷阱阶梯形的沟槽孔。因此，该方法通过形成由硅衬底上的陷阱阶梯形的沟槽而在硅和化合物半导体器件之间的界面处产生的被穿透的前点捕获而不会产生缺陷。

7. 发明授权

KR101419527B1 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：水平式太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101419527B1
公开(公告)日：2014-07-15
申请号：KR1020120057164
申请日：2012-05-30
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 전동환 , 김창주 , 허종곤 , 김영조 , 박원규
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/06 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 기판과 성장 물질의 격자 불일치 전위(misfit dislocation)가 생기는 구조에서, 결함에 의한 영향을 회피하기 위해 최적화된 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 수평형 전극구조 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막과, 상기 박막 상부에 형성되는 와이드 밴드갭 층과, 상기 와이드 밴드갭 층 상부에 소정의 두께로 형성되는 오믹 층과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 소자층과, 상기 소자층 상부에 형성되는 제1 전극과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 제2 전극을 포함하여 이루어짐으로써, 격자 부정합 기판에 제작하는 태양전지의 결함에 의한 영향을 회피하고, 결함 밀도가 높은 misfit dislocation 층에 캐리어가 전송되지 않으므로 양자 효율 감소가 일어나지 않아 효율이 개선된다는 효과가 있다.

8. 发明公开

KR1020130133983A 격자 불일치 전위 극복 광소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：用于过渡失真分离的光学装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130133983A
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120057159
申请日：2012-05-30
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 전동환 , 김영조 , 허종곤 , 박원규
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/06 , H01L33/02
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/06 , H01L33/02
摘要： The present invention relates to an optical device manufacturing method when a buffer for any of the substrates is used, the lattice defects are formed on a region where it forms a tunnel diode device degradation caused by the lattice defects gets minimized, and more particularly, the optical substrate of the present invention is formed on the substrate, and it comprises the substrate and a lattice mismatch between the lattices and a misfit dislocation, a tunnel diode which is formed on the upper part of the thin file of the tunnel including the misfit dislocation of the lattice wherein a certain region of the lattice mismatch can operate only by the resistance, a tunnel diode layer formed on the upper part of the tunnel diode, the lower electrode formed on the lower part of the substrate, and a upper electrode formed on the device layer. [Reference numerals] (130) Misfit dislocation defect;(160) Device layer;(AA,BB) Electrode
摘要翻译：本发明涉及当使用任何基板的缓冲器时的光学器件制造方法，在形成由晶格缺陷引起的隧道二极管器件劣化的区域中形成晶格缺陷最小化，更具体地说，本发明的光学基板形成在基板上，并且其包括基板和晶格之间的晶格失配和失配位错，形成在隧道的薄文件的上部的隧道二极管，包括失配位错晶格失配的一定区域仅能够通过电阻工作的晶格，形成在隧道二极管的上部的隧道二极管层，形成在衬底的下部的下电极和形成在衬底的上部的上电极设备层。（附图标记）（130）不匹配位错缺陷;（160）装置层;（AA，BB）电极

9. 发明公开

KR1020110081385A ｐ―ｎ 터널 다이오드를 구비한 태양전지 有权
标题翻译：具有P-N隧道二极管的太阳能电池
公开(公告)号：KR1020110081385A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001525
申请日：2010-01-08
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 전동환 , 박용민 , 김창주 , 박상혁 , 김신근 , 성호근 , 강호관 , 박원규 , 고철기
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/06
摘要： PURPOSE: A solar cell having a p-n tunnel diode is provided to lower serial resistance by using an N-type substrate having small defect in comparison with a P-type substrate and forming an upper electrode and a lower electrode with an n-ohmic contact electrode. CONSTITUTION: In a solar cell having a p-n tunnel diode, a p-n diode tunnel(220) is formed on an n-type substrate(210) by successively laminating an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to form a p-n junction. A photovoltatic cell(230) is formed on the p-n diode tunnel by successively laminating an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to convert an optical signal into an electrical signal. A bottom electrode(270) is formed on the N-type substrate. A top electrode(260) is formed on the photovoltatic cell.
摘要翻译：目的：提供具有pn隧道二极管的太阳能电池，以通过使用与P型衬底相比具有小缺陷的N型衬底来降低串联电阻，并形成具有正欧姆接触电极的上电极和下电极。构成：在具有p-n隧道二极管的太阳能电池中，通过依次层叠n型半导体和p型半导体以形成p-n结，在n型衬底（210）上形成p-n二极管隧道（220）。通过依次层叠n型半导体和p型半导体将光信号转换为电信号，在p-n二极管隧道上形成光伏电池（230）。底部电极（270）形成在N型衬底上。顶电极（260）形成在光伏电池上。

10. 发明授权

KR100991986B1 태양전지 有权
公开(公告)号：KR100991986B1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：KR1020080103477
申请日：2008-10-22
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 전동환 , 강호관 , 신현범 , 김창주 , 전영진
IPC分类号： H01L31/054
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 태양전지가 개시된다. 제1 광전변환층은 입사된 태양광을 흡수하여 전기적 신호로 변환시킨다. 제2 광전변환층은 태양광의 진행 경로상 제1 광전변환층의 전단에 배치되며, 입사된 태양광을 흡수하여 전기적 신호로 변환시킨다. 집광장치는 태양광의 진행 경로상 제1 광전변환층과 제2 광전변환층 사이에 배치되며, 제2 광전변환층을 통과한 태양광이 제1 광전변환층을 향하도록 태양광을 집속한다. 본 발명에 따르면, 태양광의 진행 경로상 집광장치의 전단에 배치된 광전변환층에서는 짧은 파장을 갖는 태양광을 흡수하고, 후단에 배치된 광전변환층에서는 긴 파장을 갖는 태양광을 흡수하므로 발열이 완화된다. 또한, 산란 후 재입사하는 태양광을 흡수할 수 있으므로, 효율 향상을 도모할 수 있게 되고, 각각의 광전변환층에서 특정한 파장 대역만을 흡수하므로 색수차가 덜 발생하게 된다.
태양전지, 턴뎀, 집광장치, 색수차

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