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31. 发明公开

KR1020100027079A 신규한 열전 변환 재료 및 그 제조 방법과, 이를 이용한 열전 변환 소자 有权
标题翻译：新型热电转换材料及其制造方法及使用其的热电转换元件
公开(公告)号：KR1020100027079A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：KR1020090081462
申请日：2009-08-31
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 박철희 , 손세희 , 홍승태 , 권원종 , 김태훈
IPC分类号： C01G29/00 , C01G3/00 , C01B19/00 , H01L35/18
CPC分类号： H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
摘要： PURPOSE: A thermoelectric conversion material, a manufacturing method thereof, and a thermoelectric conversion device using the same are provided to improve thermoelectric conversion performance, and to improve energy conversion efficiency of the thermoelectric conversion device. CONSTITUTION: A thermoelectric conversion material is indicated as Bi_(1-x) M_x Cu_w O_(a-y) Q1_y Te_(b-z) Q2_z. In an equation, M is Ba, Sr, Ca, Mg, Cs, K, Na, Cd, Hg, Sn, Pb, Mn, Ga, In, Tl, As or Sb. Q1 and Q2 are S, Se, As and Sb. A compound semiconductor is BiCuOTe. The thermoelectric conversion material is manufactured by mixing powder of Bi2O3, Bi, Cu and Te.
摘要翻译：目的：提供热电转换材料及其制造方法和使用该热电转换材料的热电转换装置，以提高热电转换性能，提高热电转换装置的能量转换效率。构成：热电转换材料表示为Bi_（1-x）M_x Cu_w O_（a-y）Q1_y Te_（b-z）Q2_z。在等式中，M是Ba，Sr，Ca，Mg，Cs，K，Na，Cd，Hg，Sn，Pb，Mn，Ga，In，Tl，As或Sb。 Q1和Q2是S，Se，As和Sb。化合物半导体是BiCuOTe。通过混合Bi 2 O 3，Bi，Cu和Te的粉末来制造热电转换材料。

32. 发明授权

KR100859464B1 디지털 엑스레이 검출기용 박막트랜지스터 어레이 패널 및 그 제조방법 有权
标题翻译：数字X射线剔除器件的薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR100859464B1
公开(公告)日：2008-09-23
申请号：KR1020000085562
申请日：2000-12-29
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 추교섭 , 박준호
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/14692 , H01L27/124 , H01L27/14601 , H01L27/14676 , H01L31/0272
摘要： 본 발명은 본딩 패드의 접촉 면적을 넓힘으로써 외부 와이어와 TFT 어레이 패널의 접착력을 좋게 하는 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기용 TFT 어레이 패널 및 그 제조방법은 액티브 영역과 패드 영역으로 정의된 DXD를 구성하는 TFT 어레이 패널에 있어서, 절연 기판상의 패드영역에 복수개의 홀이 요철 구조를 갖도록 형성된 제 1 도전층; 상기 제 1 도전층 상측 및 액티브 영역에 요철 구조로 형성되는 제 2 도전층을 포함하여 이루어지며, 그 제조방법은 절연 기판상의 패드영역에 복수개의 홀이 요철구조를 갖도록 패터닝하여 제 1 도전층을 형성하는 단계; 상기 제 1 도전층을 포함한 액티브 영역에 상기 제 1 도전층에 의해 요철 구조의 제 2 도전층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본딩 패드, 와이어 본딩, DXD(Digital X-ray Detector)

33. 发明公开

KR1020080049474A ｎ-형 ＣＩＳ와 ｐ-형 ＣｕＳｅ를 이용한 이종접합다이오드 失效
标题翻译：具有N型CIS和P型电池的异质结二极管
公开(公告)号：KR1020080049474A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：KR1020060120079
申请日：2006-11-30
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이상수 , 송기봉 , 조두희 , 김경암
IPC分类号： H01L31/0272 , H01L29/786 , H01L31/14 , H01L31/103
CPC分类号： H01L31/0272 , H01L29/861 , H01L31/103 , H01L31/14
摘要： A hetero-junction diode having an n-type CIS(CuInSe2) and a p-type CuSe is provided to obtain a rectification function by using a stacked structure including a junction of the n-type CIS and the p-type CuSe. An n-type region is made of an n-type CIS. A p-type region is made of a p-type CuSe. A junction is formed between the n-type region and the p-type region. Each of the n-type region and the p-type region is made of a thin film. A cathode is electrically connected to the n-type region. An anode is electrically connected to the p-type region. A CIS layer is formed on a substrate. A CuSe layer is formed on the CIS layer. A first electrode is electrically connected to the CIS layer. A second electrode is electrically connected to the CuSe layer.
摘要翻译：提供具有n型CIS（CuInSe 2）和p型CuSe的异质结二极管，以通过使用包括n型CIS和p型CuSe的结的堆叠结构来获得整流功能。 n型区域由n型CIS制成。 p型区域由p型CuSe制成。在n型区域和p型区域之间形成结。 n型区域和p型区域中的每一个由薄膜制成。阴极与n型区电连接。阳极电连接到p型区域。在衬底上形成CIS层。在CIS层上形成CuSe层。第一电极电连接到CIS层。第二电极电连接到CuSe层。

34. 发明公开

KR1020010095147A 전하량검출회로 및 이를 사용한 ２차원화상센서 失效
标题翻译：充电检测电路
公开(公告)号：KR1020010095147A
公开(公告)日：2001-11-03
申请号：KR1020010016805
申请日：2001-03-30
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 타카하시마사유키 , 오카다히사오
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14676 , H01L27/12 , H01L27/14609 , H01L31/0272 , H04N5/32 , H04N5/3575
摘要： PURPOSE: To compress the increase of a chip size due to the provision of a low-pass filter circuit as much as possible and to suppress the increase of a chip cost as much as possible in a charge amount detection circuit provided with the low-pass filter circuit in the post stage of a charge detection amplifier and provided with a voltage amplifier circuit in the post stage further. CONSTITUTION: A part of elements for constituting the low-pass filter circuit is made to serve also as a part of the elements for constituting the voltage amplifier circuit.
摘要翻译：目的：通过尽可能地提供低通滤波器电路来压缩芯片尺寸的增加，并且在设置有低通滤波器的电荷量检测电路中尽可能地抑制芯片成本的增加在电荷检测放大器的后级中的滤波电路，并在后级中提供一个电压放大器电路。构成：构成低通滤波器电路的一部分元件也用作构成电压放大器电路的元件的一部分。

35. 发明公开

KR1020180015388A 태양전지 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020180015388A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：KR1020160098851
申请日：2016-08-03
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 김은규 , 이경수 , 오규진
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/0272 , H01L21/02
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0392 , H01L21/02675 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/0272 , H01L31/02966 , H01L31/03925 , H01L31/18
摘要： 태양전지및 이의제조방법이제공된다. 구체적으로, 태양전지는, 기판상에배치된투명산화물전극층, 투명산화물전극층상에배치되고산소를포함하는 n형황화카드뮴(CdS:O) 반도체층, 산소를포함하는 n형황화카드뮴반도체층상에배치되는 p형텔루르화카드뮴(CdTe) 반도체층, 및 p형텔루르화카드뮴반도체층상에배치되는금속전극층을포함한다. 산소를포함한 n형황화카드뮴반도체층은 Cd:S:O의함량비(원자%)가 47~49 : 31~32 : 19~21 이다.
摘要翻译：提供了一种太阳能电池及其制造方法。具体而言，太阳能电池包括设置在基板上的透明氧化物电极层，设置在透明氧化物电极层上并包含氧的n型硫化镉（CdS：O）半导体层，包含氧的n型硫化镉半导体层设置在p型碲化镉半导体层上的p型碲镉（CdTe）半导体层和设置在p型碲化镉半导体层上的金属电极层。含有氧的n型硫化镉半导体层的Cd:S:O的含有比例（原子％）为47〜49：31〜32：19〜21。

36. 发明授权

KR101749137B1 태양광 전지용 나노결정질 구리 인듐 디셀레니드 (CIS) 및 잉크-기반 합금 흡수재층 有权
标题翻译：纳米晶铜铟二硒化物（CIS）和太阳能电池用墨基合金吸收层
公开(公告)号：KR101749137B1
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020137001744
申请日：2011-06-22
申请人： 영남대학교 산학협력단 , 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크.
发明人： 앤더슨,티모시,제임스 , 박,진호 , 크리쉬난,랑가라얀 , 파르바,움메
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , B82Y40/00 , C09D11/52 , H01L31/0272 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10S977/773 , Y10S977/824 , Y10S977/896
摘要： 본발명의실시예들은 CIS 상과구리셀레니드를포함하는이차상을포함하는구리인듐디셀레니드 (CIS)를포함하는나노입자에관한것이다. CIS를포함하는나노입자는계면활성제나결합제가없으며, 크기분포가좁고직경 30 내지 500nm인횡단면을표시한다. 본발명의일 실시예에따르면, CIS를포함하는나노입자는용제에배합되어잉크를형성한다. 본발명의또 다른실시예에있어서, 잉크는태양광장치용 CIS를포함하는나노입자를포함하는흡수재층에어닐링될 수있는스크린또는전구체층을잉크젯프링팅하는데사용될수 있다.
摘要翻译：本发明的实施方案涉及包含包含CIS相的铜铟二硒化物（CIS）和包含硒化铜的相的纳米颗粒。含有CIS的纳米颗粒不含表面活性剂或粘合剂，并且显示具有窄尺寸分布和30至500nm直径的横截面。根据本发明的一个实施方式，将包含CIS的纳米粒子与溶剂组合以形成油墨。在本发明的另一个实施方案中，所述油墨可以用于喷墨丝网或前体层，所述丝网或前体层可退火至包含用于日光的CIS的包含纳米颗粒的吸收层。

37. 发明授权

KR101627040B1 CIGS 열처리 셀레늄 공급장치 및 공급방법 有权
标题翻译： CIGS硒供应装置和CIGS热处理方法
公开(公告)号：KR101627040B1
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020140113995
申请日：2014-08-29
申请人： 에스엔유 프리시젼 주식회사
发明人： 전광진 , 최한빈 , 오현필 , 박상현
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/0272 , H01L31/024
CPC分类号： H01L31/024 , H01L31/0272 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본발명은 CIGS 열처리셀레늄공급장치에관한것으로서, 본발명에따른 CIGS 열처리셀레늄공급장치는 CIGS 태양전지제조시, CIGS 열처리장치측으로셀레늄을공급하는장치에있어서, 일단이상기 CIGS 열처리장치에연결되며, 셀레늄가스가이동하는경로인공급관; 상기공급관의일측으로부터분기되는분기관; 상기공급관상에설치되어상기셀레늄가스의상기 CIGS 열처리장치로의이동을차단하는밸브부; 상기분기관에연결되며, 상기밸브부가폐쇄시구동하여상기셀레늄가스를상기분기관측으로안내하는펌프부;를포함하는것을특징으로한다. 이에의하여, CIGS 광흡수층형성을위한 CIGS 열처리장치로셀레늄가스를공급시, 셀레늄가스의공급여부를정밀하게제어할수 있는 CIGS 열처리셀레늄공급장치및 공급방법이제공된다.

38. 发明公开

KR1020160052694A 박막 광전지 소자를 위한 무기염-나노입자 잉크 및 이에 관련된 방법 审中-实审
标题翻译：无机盐 - 纳米油墨用于薄膜光伏器件及相关方法
公开(公告)号：KR1020160052694A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：KR1020167009021
申请日：2014-09-11
申请人： 나노코 테크놀로지스 리미티드
发明人： 리우,주강 , 앨런,캐리
IPC分类号： C09D11/322 , C09D11/52 , H01L31/18 , H01L31/032
CPC分类号： H01L31/1864 , C09D11/322 , C09D11/52 , H01L31/0272 , H01L31/0322 , Y02E10/541
摘要： CIGS 막의용액기반증착을위한조성물이설명된다. 이조성물은 3 원, 4 원또는 5 원의칼코게나이드(chalcogenide) 나노입자(즉, CIGS 나노입자) 및잉크를형성하기위해용매에용해또는분산된하나이상의무기염을포함한다. 상기잉크는기존의코팅기술에의해기판상에증착되고이후결정질층을형성하기위해어닐링될수 있다. 광전지소자를제조하기위한추가공정이사용될수 있다. 무기염은 (i) CIGS 전구체잉크의화학량론을바람직한비율로조절함으로써, 반도체밴드갭을조절, (ii) 결정립성장을촉진시키기위해안티몬(Sb) 및/또는나트륨(Na)와같은첨가제를도핑, 및/또는 (iii) CIGS 전구체잉크의코팅특성을개선및 향상시키기위해포함된다.

39. 发明公开

KR1020160027403A CIGS 열처리 셀레늄 공급장치 및 공급방법 有权
标题翻译：硒供应装置和CIGS热处理方法
公开(公告)号：KR1020160027403A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140113995
申请日：2014-08-29
申请人： 에스엔유 프리시젼 주식회사
发明人： 전광진 , 최한빈 , 오현필 , 박상현
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/0272 , H01L31/024
CPC分类号： H01L31/024 , H01L31/0272 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본발명은 CIGS 열처리셀레늄공급장치에관한것으로서, 본발명에따른 CIGS 열처리셀레늄공급장치는 CIGS 태양전지제조시, CIGS 열처리장치측으로셀레늄을공급하는장치에있어서, 일단이상기 CIGS 열처리장치에연결되며, 셀레늄가스가이동하는경로인공급관; 상기공급관의일측으로부터분기되는분기관; 상기공급관상에설치되어상기셀레늄가스의상기 CIGS 열처리장치로의이동을차단하는밸브부; 상기분기관에연결되며, 상기밸브부가폐쇄시구동하여상기셀레늄가스를상기분기관측으로안내하는펌프부;를포함하는것을특징으로한다. 이에의하여, CIGS 광흡수층형성을위한 CIGS 열처리장치로셀레늄가스를공급시, 셀레늄가스의공급여부를정밀하게제어할수 있는 CIGS 열처리셀레늄공급장치및 공급방법이제공된다.
摘要翻译：本发明涉及一种CIGS热处理硒供应装置。本发明涉及一种用于在制造CIGS太阳能电池时向CIGS热处理装置供应硒的装置，包括：供给管，其一端连接到用于转移硒气体的CIGS热处理装置; 分支管，其从供给管的一端分支; 安装在所述供给管上的阀部，以关闭所述硒气体向CIGS热处理装置的移动; 以及泵部，其连接到分支管，以在阀部被关闭的同时通过操作将硒气引导到分支管。同样地，当将硒气体供给到用于形成CIGS光吸收层的CIGS热处理装置时，可以精确地控制硒气体的供给。

40. 发明公开

KR1020150119723A 셀레늄확산방지층을 구비하는 태양전지의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造具有SELIAI扩散阻挡层的太阳能电池的方法
公开(公告)号：KR1020150119723A
公开(公告)日：2015-10-26
申请号：KR1020140045499
申请日：2014-04-16
申请人： 에스케이이노베이션 주식회사
发明人： 이병석
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/0272 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0749 , H01L31/0272 , H01L31/18
摘要： 일실시예에따르는태양전지의제조방법이제공된다. 상기태양전지의제조방법에있어서, 기판상에후면전극을형성한다. 상기후면전극상에 CI(G)S 전구체박막을형성한다. 상기 CI(G)S 전구체박막을셀렌화열처리하여 CI(G)S 광흡수층을형성한다. 상기후면전극을형성하는공정은상기기판상에접착층을형성하는단계, 상기접착층상에전극물질층을형성하는단계, 및상기전극물질층상에셀레늄확산방지층을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：提供了根据本发明的一个实施例的太阳能电池的制造方法。在制造太阳能电池的方法中，在基板上形成后电极。在后电极上形成有CI（G）S前体薄膜。通过硒化和热处理Ci（G）S前体薄膜形成CI（G）S光吸收层。形成后电极的工艺包括以下步骤：在衬底上形成粘合剂层; 在粘合剂层上形成电极材料层; 以及在所述电极材料层上形成硒扩散阻挡层。

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