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1. 发明授权

KR102297371B1 니켈-그래파이트 코어-쉘 나노입자를 포함하는 태양전지용 전자수송물질, 이를 포함하는 벌크 헤테로 접합 태양전지 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102297371B1
公开(公告)日：2021-09-01
申请号：KR1020190133674
申请日：2019-10-25
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0296 , H01L31/18
摘要： 본발명은니켈-그래파이트코어-쉘나노입자를포함하는태양전지용전자수송물질, 이를포함하는벌크헤테로접합태양전지및 이의제조방법에관한것으로, 본발명의태양전지용전자수송물질은니켈나노입자의표면에다층의그래핀이형성되어코어-쉘구조를갖는니켈-그래파이트코어-쉘나노입자를포함한다.

2. 发明授权

KR102262616B1 UV를 이용한 태양전지 버퍼층의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102262616B1
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：KR1020190058915
申请日：2019-05-20
申请人： 영남대학교 산학협력단
发明人： 전찬욱
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0224

3. 发明授权

KR102182702B1 광전 특성이 향상된 산화카드뮴계 p-n 이종접합 구조체 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102182702B1
公开(公告)日：2020-11-25
申请号：KR20180119770
申请日：2018-10-08
IPC分类号： H01L31/072 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/0304
摘要： 본발명은특정농도의금속도핑을통해광전특성이향상된 n형산화카드뮴반도체를포함하는산화카드뮴계 p-n 이종접합구조체에관한것이다. 본발명에따르면, n형산화카드뮴/p형반도체이종접합구조체의 n형산화카드뮴반도체에분무열분해코팅을이용하여 0.1~0.3 mM로금속도핑함으로써, 광학적및 전기적특성이향상되는효과를나타내므로, 본발명에따른산화카드뮴계 p-n 이종접합구조체는전계효과트랜지스터, 발광다이오드, 자외선센서, 레이저센서등 광학회로분야에유용하게사용될수 있다.

4. 发明公开

KR20200127095A 그래핀－ＣｄＳ 하이브리드 나노복합체를 적용한 ＣＩＧＳ 박막태양전지 및 상기 ＣＩＧＳ 박막태양전지의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200127095A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：KR20190050632
申请日：2019-04-30
申请人： UNIV YEUNGNAM RES COOPERATION FOUNDATION
发明人： KIM WOO KYOUNG , SALH ALHAMMADI , MOON DOO HYUNG
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/0216 , H01L31/0445
摘要： 본발명은그래핀과 CdS의하이브리드나노복합체로부터제조되는박막을버퍼층으로사용하는 CIGS 박막태양전지에관한기술이다.

6. 发明授权

KR101894408B1 공핍된 이종접합면 및 쉘-부동화된 나노 입자를 지니는 광기전력 장치 有权
公开(公告)号：KR101894408B1
公开(公告)日：2018-09-03
申请号：KR1020127029025
申请日：2011-03-25
申请人： 더 가버닝 카운실 오브 더 유니버시티 오브 토론토
发明人： 탕,지앙 , 파탄티유스-아브라함,안드라스 , 크라머,일란 , 바크하우스,아론 , 왕,시후아 , 데브나쓰,라탄 , 사르겐트,에드워드에이치. , 게라시모스,콘스탄타토스
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/072
CPC分类号： H01L31/035218 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/661 , C09K11/662 , H01L31/022466 , H01L31/0296 , H01L31/0324 , H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y10S977/774 , Y10S977/892 , Y10S977/948
摘要： 빛-흡수층 및전자-수용층의조성물이이러한두 층사이의접합면중 적어도한 면이전하캐리어, 즉, 자유전자및 자유정공둘 모두가실질적으로공핍되도록선택되어제작된광기전력전지가본원에개시된다. 본발명의추가양태에서, 빛-흡수층은각각표면음이온을지니는양자점코어, 코어표면음이온을부동화시키는양이온을함유하는내부쉘, 내부쉘의음이온및 코어표면상의음이온을부동화시키는음이온을함유하는외부쉘을지니는, 이중-쉘부동화된양자점으로구성된다.

7. 发明授权

KR101407805B1 광전 활성 반도체 재료 및 광전지 有权
标题翻译：光伏活性半导体材料和光电池
公开(公告)号：KR101407805B1
公开(公告)日：2014-06-17
申请号：KR1020087019139
申请日：2006-12-18
申请人： 바스프 에스이
发明人： 스테르젤한스-요세프
IPC分类号： H01L31/0296 , C30B29/48
CPC分类号： H01L31/02966 , H01L31/1832
摘要： 본 발명은 광전 활성 반도체 재료 및 광전 활성 반도체 재료를 포함하는 광전지에 관한 것으로서. 광전 활성 반도체 재료는 텔루르화아연으로 이루어진 결정 격자를 함유하고, 텔루르화아연 결정 격자 내, ZnTe를
- CoTe 0.01∼10 몰%,
- Cu
2 Te, Cu
3 Te 또는 CuTe 0∼10 몰% 및
- MgTe 및 MnTe 군에서 선택된 1 이상의 화합물 0∼30 몰%
로 치환시키고, 텔루르화아연 결정 격자 내 Te를
- 산소 0.1∼30 몰%로 치환시킨다. 광전지는 텔루륨을 갖는 금속 텔루르화물을 형성하는 후면 전극 재료로 이루어진 후면 전극을 추가로 갖는다.

8. 发明授权

KR101152493B1 광기전 활성 반도체 물질을 포함하는 광기전 전지 失效
标题翻译：包含光伏活性半导体材料的光电池
公开(公告)号：KR101152493B1
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：KR1020077011118
申请日：2005-10-26
申请人： 바스프 에스이
发明人： 스터첼한스-요제프
IPC分类号： H01L31/032 , C30B29/48 , H01L31/0296
CPC分类号： H01L31/068 , C30B23/02 , C30B29/48 , H01L21/02562 , H01L21/02568 , H01L21/02573 , H01L31/02963 , H01L31/032 , H01L31/0321 , H01L31/1828 , Y02E10/543 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 상기화학식에서 x는 0.01~0.99이다.

9. 发明授权

KR101063301B1 고광전도 박막 有权
公开(公告)号：KR101063301B1
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：KR1020090092781
申请日：2009-09-30
申请人： 국방과학연구소
发明人： 윤순길 , 김근홍 , 허성기
IPC分类号： H01L31/0296
摘要： 고광전도 박막이 개시된다. 고광전도 박막은 Cd
1-x S
x H
y (0.4≤x≤0.6, y(H
2 /(H
2 +Ar))≤0.5) 조성을 갖고, 근 적외선 영역부터 가시광선 영역인 1.2 eV 내지 2.8 eV의 에너지 준위를 갖는 광을 흡수한다. 상기와 같은 고광전도 박막에 따르면, 유연하면서도 높은 광전도 및 광민감도를 가진다. 특히, 이러한 고광전도 박막은 전자파 차폐 또는 투과를 임의로 선택할 수 있는 장점이 있다.
고광전도, 박막, 스퍼터링, 폴리머, 황화 카드뮴

10. 发明公开

KR1020080085200A 광전 활성 반도체 재료 및 광전지 有权
标题翻译：光伏活性半导体材料和光电池
公开(公告)号：KR1020080085200A
公开(公告)日：2008-09-23
申请号：KR1020087019139
申请日：2006-12-18
申请人： 바스프 에스이
发明人： 스테르젤한스-요세프
IPC分类号： H01L31/0296 , C30B29/48
CPC分类号： H01L31/02966 , H01L31/1832
摘要： The invention relates to a photovoltaically active semiconductor material and a photovoltaic cell comprising a photovoltaically active semiconductor material, wherein the photovoltaically active semiconductor material contains a crystal lattice composed of zinc telluride and, in the zinc telluride crystal lattice, ZnTe is substituted by-0.01 to 10 mol% CoTe,-0 to 10 mol% Cu2Te, Cu3Te or CuTe and-0 to 30 mol% of at least one compound selected from the group MgTe and MnTe, and wherein, in the zinc telluride crystal lattice Te is substituted by-0.1 to 30 mol% oxygen. The photovoltaic cell furthermore has a rear contact composed of a rear contact material that forms a metal telluride with tellurium.
摘要翻译：本发明涉及一种光伏活性半导体材料和包含光伏活性半导体材料的光伏电池，其中该光伏活性半导体材料包含由碲化碲组成的晶格，并且在碲化锌晶格中，ZnTe被-0.01至 10摩尔％CoTe，-0〜10摩尔％Cu2Te，Cu3Te或CuTe，和0〜30摩尔％的选自MgTe和MnTe的至少一种化合物，其中，在碲化锌晶格中，Te被 - 0.1〜30mol％的氧气。光伏电池还具有由形成碲化镉的金属碲化物的后接触材料构成的后接触。

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