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1. 发明授权

KR101301001B1 파손방지 기능을 구비한 기판처리 시스템 有权
标题翻译：具有防止损坏功能的基板处理系统
公开(公告)号：KR101301001B1
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：KR1020120063954
申请日：2012-06-14
申请人： 에스엔유 프리시젼 주식회사
发明人： 박상현 , 이동현 , 오현필 , 전광진 , 권진환 , 박성진
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32807 , B01J3/002 , C23C14/06 , C23C14/243
摘要： PURPOSE: A substrate processing system with a function for preventing damage is provided to prevent the breakage of a tank by using a damage prevention part. CONSTITUTION: A fluid tank (100) stores a fluid. A chamber (110) has a space for processing a substrate. The fluid tank and the chamber are connected by a pipe (120). A damage prevention part (130) changes the position of the fluid tank in response to thermal expansion. The thermal expansion is caused when heat is supplied to the pipe.
摘要翻译：目的：提供具有防止损坏功能的基板处理系统，以通过使用防损部件来防止罐体破损。构成：流体箱（100）存储流体。室（110）具有用于处理衬底的空间。流体箱和腔室通过管道（120）连接。防止损伤部件（130）响应于热膨胀而改变流体箱的位置。当向管道供热时，会产生热膨胀。

2. 发明授权

KR101627040B1 CIGS 열처리 셀레늄 공급장치 및 공급방법 有权
标题翻译： CIGS硒供应装置和CIGS热处理方法
公开(公告)号：KR101627040B1
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020140113995
申请日：2014-08-29
申请人： 에스엔유 프리시젼 주식회사
发明人： 전광진 , 최한빈 , 오현필 , 박상현
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/0272 , H01L31/024
CPC分类号： H01L31/024 , H01L31/0272 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본발명은 CIGS 열처리셀레늄공급장치에관한것으로서, 본발명에따른 CIGS 열처리셀레늄공급장치는 CIGS 태양전지제조시, CIGS 열처리장치측으로셀레늄을공급하는장치에있어서, 일단이상기 CIGS 열처리장치에연결되며, 셀레늄가스가이동하는경로인공급관; 상기공급관의일측으로부터분기되는분기관; 상기공급관상에설치되어상기셀레늄가스의상기 CIGS 열처리장치로의이동을차단하는밸브부; 상기분기관에연결되며, 상기밸브부가폐쇄시구동하여상기셀레늄가스를상기분기관측으로안내하는펌프부;를포함하는것을특징으로한다. 이에의하여, CIGS 광흡수층형성을위한 CIGS 열처리장치로셀레늄가스를공급시, 셀레늄가스의공급여부를정밀하게제어할수 있는 CIGS 열처리셀레늄공급장치및 공급방법이제공된다.

3. 发明公开

KR1020160027403A CIGS 열처리 셀레늄 공급장치 및 공급방법 有权
标题翻译：硒供应装置和CIGS热处理方法
公开(公告)号：KR1020160027403A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140113995
申请日：2014-08-29
申请人： 에스엔유 프리시젼 주식회사
发明人： 전광진 , 최한빈 , 오현필 , 박상현
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/0272 , H01L31/024
CPC分类号： H01L31/024 , H01L31/0272 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본발명은 CIGS 열처리셀레늄공급장치에관한것으로서, 본발명에따른 CIGS 열처리셀레늄공급장치는 CIGS 태양전지제조시, CIGS 열처리장치측으로셀레늄을공급하는장치에있어서, 일단이상기 CIGS 열처리장치에연결되며, 셀레늄가스가이동하는경로인공급관; 상기공급관의일측으로부터분기되는분기관; 상기공급관상에설치되어상기셀레늄가스의상기 CIGS 열처리장치로의이동을차단하는밸브부; 상기분기관에연결되며, 상기밸브부가폐쇄시구동하여상기셀레늄가스를상기분기관측으로안내하는펌프부;를포함하는것을특징으로한다. 이에의하여, CIGS 광흡수층형성을위한 CIGS 열처리장치로셀레늄가스를공급시, 셀레늄가스의공급여부를정밀하게제어할수 있는 CIGS 열처리셀레늄공급장치및 공급방법이제공된다.
摘要翻译：本发明涉及一种CIGS热处理硒供应装置。本发明涉及一种用于在制造CIGS太阳能电池时向CIGS热处理装置供应硒的装置，包括：供给管，其一端连接到用于转移硒气体的CIGS热处理装置; 分支管，其从供给管的一端分支; 安装在所述供给管上的阀部，以关闭所述硒气体向CIGS热处理装置的移动; 以及泵部，其连接到分支管，以在阀部被关闭的同时通过操作将硒气引导到分支管。同样地，当将硒气体供给到用于形成CIGS光吸收层的CIGS热处理装置时，可以精确地控制硒气体的供给。

4. 发明授权

KR101511630B1 반도체 박막 제조 시스템 有权
标题翻译：制造半导体薄膜的系统
公开(公告)号：KR101511630B1
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：KR1020120063952
申请日：2012-06-14
申请人： 에스엔유 프리시젼 주식회사
发明人： 이동현 , 박상현 , 오현필 , 김주원 , 오규운
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C14/56 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 본발명은기화상태의소스가메인챔버내부의기판의통과경로에고체화되는것을방지할수 있는반도체박막제조시스템에관한것이며, 본발명의반도체박막제조시스템은기판으로기체상태의소스를분사하는반도체박막제조시스템에있어서, 내부에기체상태의소스가기판으로분사되도록마련되며, 내부로기판이통과하도록마련된메인챔버, 상기메인챔버로상기기판을제공하는제1 부챔버, 상기메인챔버로부터소스가증착된기판을공급받는제2 부챔버, 상기메인챔버와상기제1 부챔버사이또는상기메인챔버와상기제2 부챔버사이에마련되어상기기판이통과하는경로를선택적으로개폐하며, 상기기체상태의소스가고체화되는것을방지하기위하여상기메인챔버와마주보는면을가열하는방열게이트밸브를포함하는것을특징으로한다.

5. 发明公开

KR1020130140502A 반도체 박막 제조 시스템 有权
标题翻译：制造半导体薄膜的系统
公开(公告)号：KR1020130140502A
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020120063952
申请日：2012-06-14
申请人： 에스엔유 프리시젼 주식회사
发明人： 이동현 , 박상현 , 오현필 , 김주원 , 오규운
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C14/56 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： The present invention relates to a semiconductor thin film manufacturing system and in a semiconductor thin film manufacturing system which sprays a vapor phase source to a substrate includes: a main chamber formed for spraying a vapor phase source inside to a substrate and a substrate passes through therein; a first sub-chamber for providing the substrate to the main chamber; a second sub-chamber receiving a substrate on which a source is deposited from the main chamber; a thermal radiation gate valve formed in between the main chamber and first sub-chamber or in between the main chamber and second sub-chamber for selectively opening and closing a path in which the substrate passes and heating the surface which faces the main chamber for preventing solidification of the vaporized fluid. Therefore, according to the present invention, a semiconductor thin film manufacturing system capable of preventing contamination of a substrate and maintaining an internal space of a main chamber in a vacuum state by preventing solidification of a vaporized source in the passage of the main chamber of a substrate by heating the passage of the main chamber by a thermal radiation gate valve.
摘要翻译：本发明涉及半导体薄膜制造系统和将蒸汽相源喷射到基板上的半导体薄膜制造系统，其包括：形成用于将气相源内部喷射到基板的主室，并且基板通过其中 ; 用于将基板提供到主室的第一子室; 接收基板的第二子室，源从主室沉积在其上; 形成在主室和第一子室之间或主室和第二子室之间的热辐射闸阀，用于选择性地打开和关闭基板通过的路径，并加热面向主室的表面以防止蒸发的液体的固化。因此，根据本发明，一种半导体薄膜制造系统，其能够防止基板的污染并将主室的内部空间维持在真空状态，防止蒸发源在主室的通道中的固化通过用热辐射闸阀加热主室的通道来加热基板。

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