专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明公开

KR1020170070179A 금속 산화물막의 제조 방법, 금속 산화물막, 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법, 전자 디바이스, 및 자외선 조사 장치 审中-实审
标题翻译：的金属氧化物膜的制造方法，所述金属氧化物膜，薄膜晶体管，一种制造薄膜晶体管的电子装置的方法，以及UV照射
公开(公告)号：KR1020170070179A
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020177013093
申请日：2015-12-04
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 모치즈키후미히코 , 다카타마사히로
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L29/786 , H01L21/8234
CPC分类号： C01G15/00 , G02F1/1368 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L29/786 , H01L21/02172 , H01L21/02205 , H01L21/02348 , H01L21/324
摘要： 인듐및 용매를포함하는용액을기판상에도포하여금속산화물막의전구체막을형성하는전구체막형성공정과, 가열한상태의전구체막에대하여 10Pa 이하의분위기하에서자외선조사를행함으로써전구체막을금속산화물막으로전화시키는전화공정을포함하는금속산화물막의제조방법및 그응용과, 감압실과, 감압실내에서기판을지지하고, 또한가열하는지지대와, 감압실내를 10Pa 이하로감압하는진공펌프와, 지지대에지지된기판에대하여자외선을조사하는광원을구비한자외선조사장치.
摘要翻译：铟和形成通过施加在基板上的前体膜形成的前体膜是金属氧化物膜，所述溶液包含溶剂处理，并通过相对于为10Pa的气氛中或更小下进行UV照射到金属氧化物膜的加热hansangtae电话前体膜的前体膜的金属氧化物膜的制造方法及其应用，并且在压力室中，支撑在真空室的基板，并且进一步支持了支持，并在减压室内，以加热真空泵，和用于降低小于10Pa的衬底，其包括呼叫处理的支撑，其中并且对紫外线照射紫外线的光源。

32. 发明公开

KR1020150014360A 가로형 바이폴러 트랜지스터 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：侧向双极晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150014360A
公开(公告)日：2015-02-06
申请号：KR1020140071961
申请日：2014-06-13
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 미요시도모유키 , 오오시마다카유키 , 야나기다요우헤이
IPC分类号： H01L29/735 , H01L21/8249 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7394 , H01L29/0821 , H01L29/1008 , H01L29/6625 , H01L29/66325 , H01L29/735 , H01L29/7816 , H01L21/326 , H01L21/8248 , H01L27/06 , H01L29/78
摘要： 본 발명은, 미세 CMOSFET, LDMOSFET와 혼재할 수 있는 가로형 바이폴러 트랜지스터에 있어서, 제조 불균일의 영향을 받기 어렵고, 높은 게인을 갖는 트랜지스터 구조, 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 개시된 가로형 바이폴러 트랜지스터는, 게이트 전극에 대하여 자기 정합적으로 불순물 투입하고, 확산에 의해 베이스 및 이미터층을 형성하는 제조 공정과 구조를 갖는 점을 특징으로 한다. 또한, 게이트 전극을, 베이스, 이미터, 콜렉터에 더하여, 독립한 4번째의 단자로서 이용함으로써, 부여한 게이트 전위에 의해, hfe를 제어, 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다. 이상으로부터, 제조 불균일의 영향을 받기 어려운, 혹은, 게이트 단자에 의해 보정 가능한, 높은 게인을 갖는 바이폴러 트랜지스터를 제공할 수 있다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种横向双极晶体管及其制造方法。可以与微CMOSFET和LDMOSFET混合的横向双极晶体管具有几乎不受制造不平衡影响并具有高增益的晶体管结构。横向双极晶体管的特征在于具有用于栅电极以自匹配方式注入杂质的制造工艺和结构，以及通过扩散形成基极和发射极层。此外，横向双极晶体管的特征在于除了基极，发射极和集电极之外，使用栅电极作为独立的第四端子，以通过给定的栅极电位来控制和改善HFE，从而几乎不受制造不平衡的影响，或者由栅极端子校正并具有高增益。

33. 发明公开

KR1020140010191A 하이브리드 차량의 제어 장치 有权
标题翻译：混合动力车辆的控制装置
公开(公告)号：KR1020140010191A
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：KR1020137034657
申请日：2012-06-19
申请人： 닛산 지도우샤 가부시키가이샤
发明人： 다니시마가오리 , 가와무라히로아키 , 군지겐이치로
IPC分类号： B60W10/06 , B60W10/08 , B60W20/00 , F02D29/02 , B60W10/02 , B60L11/14
CPC分类号： H01L21/34 , B60K6/48 , B60K2006/4825 , B60L11/14 , B60L15/2054 , B60L2210/40 , B60L2240/12 , B60L2240/421 , B60L2240/423 , B60L2240/441 , B60L2240/443 , B60L2240/486 , B60L2240/507 , B60W10/02 , B60W10/06 , B60W10/08 , B60W20/00 , B60W20/40 , B60W2510/083 , B60W2520/04 , B60W2520/10 , F02D29/02 , F02N11/04 , F02N11/0818 , F02N2300/2011 , H01L27/06 , Y02T10/48 , Y02T10/6221 , Y02T10/6252 , Y02T10/6286 , Y02T10/645 , Y02T10/70 , Y02T10/7077 , Y02T10/7241 , Y02T10/7275 , Y10S903/903
摘要： 본 발명의 과제는, 쇼크를 억제하면서 엔진 시동을 달성 가능한 하이브리드 차량의 제어 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 하이브리드 차량의 제어 장치에서는, 엔진 시동 요구가 있을 때에는, 모터 제너레이터와 구동륜 사이의 클러치를 체결하고, 모터 제너레이터에 의해 엔진 시동을 행하는 데 있어서, 엔진 시동 요구가 있고, 또한, 모터 제너레이터의 출력 토크의 절대값이 소정값 이하로 되면, 엔진 시동을 허가하는 것으로 하였다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种能够在抑制冲击的同时实现发动机启动的混合动力车辆的控制装置。对于本发明，当存在发动机起动请求的混合动力车辆的控制装置，根据收紧电动发电机和车辆的驱动轮之间的离合器，并且执行由电动发电机在发动机起动和发动机起动请求，而且，电动发电机当输出转矩的绝对值变为预定值或更小时，允许发动机启动。

34. 发明公开

KR1020130105480A 반도체 장치 및 시프트 레지스터 审中-实审
标题翻译：半导体器件和移位寄存器
公开(公告)号：KR1020130105480A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020130026598
申请日：2013-03-13
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키슌페이
IPC分类号： G11C7/00 , G11C5/14 , G11C19/00
CPC分类号： G11C19/28 , G09G2310/0286 , G11C19/184 , H01L27/06
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a shift register reduce power consumption by controlling rewriting, storing, and reading of stored data of a capacitive element. CONSTITUTION: A logic circuit (101) receives a data signal through an input terminal. A capacitive element (102) includes a pair of electrodes, one of which is supplied with a power potential or a ground potential and the other of which is supplied with a potential of the input terminal of the logic circuit, so that data of the data signal is written as stored data. A transistor (103) controls rewriting, storing and reading of the stored data by controlling conduction between the input terminal of the logic circuit and the other of the pair of electrodes of the capacitive element. The off-state current per micrometer of a channel width of the transistor is lower than or equal to 100 zA.
摘要翻译：目的：半导体器件和移位寄存器通过控制电容元件的存储数据的重写，存储和读取来降低功耗。构成：逻辑电路（101）通过输入端接收数据信号。电容元件（102）包括一对电极，其中一个电极被提供有电源电位或地电位，另一个电极被提供给逻辑电路的输入端的电位，使得数据的数据信号被写入存储数据。晶体管（103）通过控制逻辑电路的输入端子与电容元件的一对电极中的另一个之间的导通来控制存储数据的重写，存储和读取。晶体管的通道宽度每微米的截止电流低于或等于100zA。

35. 发明公开

KR1020120062646A 반도체 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기 有权
标题翻译：半导体器件，显示模块和电子设备
公开(公告)号：KR1020120062646A
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：KR1020120005156
申请日：2012-01-17
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 우메자키아추시
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/13306 , G02F1/133753 , G02F1/13452 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F1/1393 , G02F2001/133622 , G02F2202/103 , G09G3/342 , G09G3/3655 , G09G3/3674 , G09G3/3677 , G09G3/3685 , G09G2300/0426 , G09G2300/0452 , G09G2310/024 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G09G2320/0252 , G09G2330/021 , G11C19/28 , H01L21/67167 , H01L27/06 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/15 , H01L27/156 , H01L27/3211 , H01L27/3213 , H01L27/3216 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/247 , H01L29/78693 , H01L51/5246 , H01L51/56 , H01L2251/5307 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
摘要： PURPOSE: A semiconductor device, a display module, and an electronic device are provided to suppress feature deterioration of a transistor, thereby preventing malfunction of a shift register. CONSTITUTION: A signal line driving circuit comprises a first transistor(101), a second transistor(102), a third transistor(103), and a fourth transistor(104). Either one of the source or the drain of the first transistor is electrically connected to a first terminal of a driver IC. Either one of the source or the drain of the second transistor is electrically connected to the first terminal of the driver IC. Either one of the source or the drain of the third transistor is electrically connected to a second terminal of the driver IC.
摘要翻译：目的：提供半导体器件，显示模块和电子器件，以抑制晶体管的特征劣化，从而防止移位寄存器的故障。构成：信号线驱动电路包括第一晶体管（101），第二晶体管（102），第三晶体管（103）和第四晶体管（104）。第一晶体管的源极或漏极之一电连接到驱动器IC的第一端子。第二晶体管的源极或漏极之一电连接到驱动器IC的第一端子。第三晶体管的源极或漏极之一电连接到驱动器IC的第二端子。

36. 发明公开

KR1020110094213A 트랜지스터, 반도체 디바이스, 및 멀티-레벨 디바이스 有权
标题翻译： JFET器件结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110094213A
公开(公告)日：2011-08-22
申请号：KR1020117015916
申请日：2009-11-19
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 모우리,챈드라
IPC分类号： H01L29/808 , H01L21/337 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/098 , H01L21/22 , H01L21/225 , H01L21/2251 , H01L21/3226 , H01L21/385 , H01L27/108 , H01L27/1203 , H01L29/66893 , H01L29/66901 , H01L29/80 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L29/8086 , H01L21/326 , H01L27/06
摘要： 본 기술에 따르면, JFET 디바이스 구조 및 이를 제조하는 방법이 제공된다. 구체적으로, 소스(84) 및 드레인(86)을 갖는 반도체 기판을 포함하는 트랜지스터(80)가 제공된다. 이 트랜지스터(80)는 또한 소스(84) 및 드레인(86) 사이의 반도체 기판 내에 형성된 도핑된 채널(88)을 포함하고, 이 채널(88)은 소스(84) 및 드레인(86) 사이에서 전류를 흐르게 하도록 구성된다. 추가적으로, 트랜지스터(80)는 채널(88) 위에 형성된 반도체 재료 및 게이트(90)의 각 측면 상의 유전체 스페이서들(92)을 포함하는 게이트(90)를 갖는다. 소스(84) 및 드레인(86)은 게이트(90)가 드레인(86) 및 소스(84) 위에 있지 않도록 게이트(90)로부터 공간적으로 분리된다.

37. 发明授权

KR1019920001403B1 반도체집적회로장치의 제조방법 失效
标题翻译：制造半导体集成电路器件的方法
公开(公告)号：KR1019920001403B1
公开(公告)日：1992-02-13
申请号：KR1019830003011
申请日：1983-07-01
申请人： 가부시기가이샤히다찌세이사꾸쇼
发明人： 안자기노리오-1
IPC分类号： H01L29/68
CPC分类号： H01L21/225 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/74 , H01L21/761 , H01L21/8249 , H01L27/06
摘要： 내용 없음.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式