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31. 发明公开

KR1020170119076A 기판 처리 장치 无效
标题翻译：基板处理设备
公开(公告)号：KR1020170119076A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：KR1020160046766
申请日：2016-04-18
申请人： 피에스케이 주식회사
发明人： 이윤영
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/321 , H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/67069 , H01L21/6719 , H01L21/683
摘要： 본발명은기판을처리하는장치를제공한다. 본발명의일 실시예에의한기판처리장치는, 내부에처리공간이형성된공정유닛; 공정가스로부터플라즈마를발생시키는플라즈마발생유닛; 상기플라즈마발생유닛과상기공정유닛사이에위치하여, 상기플라즈마가상기처리공간으로공급되는통로를제공하는유도유닛; 및상기공정유닛과상기유도유닛사이에제공되고, 상기공정유닛과상기유도유닛사이를실링하는실링부재를포함하고, 상기공정유닛은, 내부에상기처리공간이제공되는하우징; 상기처리공간에위치되며, 기판을지지하는지지유닛; 및상기플라즈마를상기처리공간에공급하는배플;을포함하고, 상기유도유닛은, 상기하우징의상부와결합하는커버를포함하고, 상기커버의하단이상기하우징의상단을덮을수 있도록제공되며, 상기하우징의상단과상기커버의하단중 어느하나에는그 가장자리를따라실링홈이형성되고, 상기실링부재는상기실링홈을따라삽입되어제공되되, 상기실링부재는상기실링홈에완전히삽입되고, 상기하우징의상단과상기커버의하단중 다른하나에는돌출부가형성되되, 상기돌출부는상기실링홈에대향되도록제공되고, 상기커버의하단이상기하우징의상단을덮을때, 상기돌출부는상기실링홈에삽입된다.
摘要翻译：本发明提供了一种用于处理基板的设备。根据本发明实施例的基板处理设备包括：处理单元，其中形成有处理空间; 等离子体产生单元，用于从处理气体产生等离子体; 引导单元，位于等离子体产生单元和处理单元之间，用于提供等离子体通过其供给到处理空间的路径; 和处理单元和导向单元，所述处理单元之间设置和所述导向件包括用于该单元和处理单元之间密封的密封构件包括由所述处理空间提供在其中的外壳; 支撑单元，定位在处理空间中并支撑基板; 和所述挡板以供应在所述处理空间中的等离子体;提供包括所述感应单元包括一个盖与所述外壳的上部接合，以便覆盖所述移相器壳体的在所述盖的底部，外壳的顶部衣服的顶部和所述盖的底部中的任何一个中，密封槽沿其边缘形成的，设置在所述密封部件沿着所述密封槽被插入，它表示密封部件完全插入密封槽，所述壳体的突出部设置成面向密封槽，并且当盖的下端子壳体的上端被覆盖时，突出部被插入到密封槽中。

32. 发明公开

KR1020170090967A 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 审中-实审
标题翻译：基板处理设备，制造半导体器件的方法和记录介质
公开(公告)号：KR1020170090967A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：KR1020160029459
申请日：2016-03-11
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 타카하시아키라 , 토요다카즈유키
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/6719
摘要： 본발명은처리실을고온으로유지하여기판을처리하는경우에도주위의구조로의열 영향을억제가능하게하는것을목적으로한다. 본발명의일 형태에의하면, 제1 기판을가열하는제1 가열부와, 상기제1 기판이처리되는제1 처리공간과, 상기제1 처리공간의하방에배치되는제1 반송공간과, 상기제1 처리공간과상기제1 반송공간을구성하는벽을구비한제1 처리실; 상기벽의일부인공통벽을개재하여상기제1 처리실에인접되고, 제2 기판을가열하는제2 가열부와, 상기제2 기판이처리되는제2 처리공간과, 상기제2 처리공간의하방에배치되는제2 반송공간을구비한제2 처리실; 상기제1 처리실과상기제2 처리실을구성하는벽 중상기공통벽과다른벽을구성하는다른벽; 및상기공통벽과상기다른벽에설치되고, 상기다른벽보다상기공통벽의냉각효율이높아지도록구성되는냉각유로;를포함하는기술이제공된다.
摘要翻译：本发明的目的在于，即使在将处理室保持在高温下进行处理的情况下，也能够抑制对周围结构的热影响。根据本发明的一个方面，所述第一加热部分，用于加热所述第一基板，且其中所述第一衬底处理的第一处理空间，以及被布置在所述第一处理空间的所述底部的第一传送空间，其中第一处理室，其具有第一处理空间和构成所述第一传送空间的壁; 第二加热单元，所述第二加热单元经由作为所述壁的一部分的公共壁与所述第一处理腔室相邻并加热所述第二基板;第二处理空间，所述第二基板被处理在所述第二处理空间中; 具有待布置的第二传送空间的第二处理室; 构成与构成第一处理室和第二处理室的壁式重机公共壁不同的壁的另一壁; 并且，在共用壁和另一壁上设置有冷却流路，该冷却流路构成为具有比其他壁更高的共用壁的冷却效率。

33. 发明公开

KR1020170088309A 용량 결합형 플라즈마 처리 장치의 에지 링의 RF 진폭 제어 审中-实审
标题翻译：电容耦合等离子体处理设备边缘环的RF幅度控制
公开(公告)号：KR1020170088309A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：KR1020170009863
申请日：2017-01-20
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 로저스,제임스
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32605 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/3288 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/67017 , H01L21/67103 , H01L21/6719 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01L21/68785
摘要： 본개시는일반적으로에지링의 RF 진폭을제어하는장치들및 방법들에관한것이다. 이장치들및 방법들은가변커패시터를통해접지에결합되는전극을포함한다. 전극은링 형상일수 있고, 정전척을포함하는기판지지부에매립될수 있다. 전극은기판및/또는에지링의둘레아래에포지셔닝될수 있다. 에지링 부식으로인해플라즈마시스가에지링에인접하게떨어질때, 기판의에지근처의 RF 진폭에영향을주도록가변커패시터의커패시턴스가조정된다. 전극및 가변커패시터를통한 RF 진폭의조정은기판둘레근처에서플라즈마시스의조정을야기한다.
摘要翻译：本公开总体上涉及用于控制边缘环的RF幅度的设备和方法。这些装置和方法包括通过可变电容器耦合到地的电极。电极可以是环形的并且嵌入包括静电吸盘的基板支架中。电极可以定位在衬底周边和/或边缘环的下方。当由于边缘环，腐蚀减小邻近边缘环的等离子体鞘，以影响在衬底的边缘附近的RF振幅的可变电容器的电容被调整。调整通过电极和可变电容器的RF幅度导致调整衬底周边附近的等离子体鞘层。

34. 发明授权

KR101739702B1 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 기록매체 有权
公开(公告)号：KR101739702B1
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020160115324
申请日：2016-09-08
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사와다,모토시
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67109 , H01J37/32009 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32899 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67017 , H01L21/67167 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/67248
摘要： 복수의처리모듈을구비하는경우에, 각처리모듈의기판을처리하는조건을, 소정의품질을얻을수 있는조건으로유지한다. 기판을처리하는복수의처리모듈과, 복수의처리모듈의각각에설치된열 매체의유로와, 유로를흐르는열 매체의상태를검출하는센서와, 복수의처리모듈의각각에대응해서개별로설치되고, 처리모듈의온도를조정하는열 매체를유로에흘림과함께, 센서에의한검출결과에기초하여유로에흘리는열 매체를소정의상태로제어하는복수의온도조절부를구비해서기판처리장치를구성한다.

35. 发明公开

KR1020170056459A 기판 처리 장치 审中-实审
标题翻译：基板处理设备
公开(公告)号：KR1020170056459A
公开(公告)日：2017-05-23
申请号：KR1020160150288
申请日：2016-11-11
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 마에다마사후미
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67
CPC分类号： B05D1/005 , H01L21/00 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67253 , H01L21/67742
摘要： 기판처리장치는, 기판에액 처리를행하는복수의액 처리유닛과, 각액 처리유닛에대응하여개별로설치되고, 1개의액 처리유닛에만공급량을가변으로기체를공급하는복수의개별급기부를구비하고있다. 액처리유닛은, 기판에처리액을공급하는액 처리를행한다. 개별급기부는, 액처리유닛마다설치된다. 개별급기부는, 대응하는액 처리유닛에만기체를공급한다. 개별급기부는, 액처리유닛에대한기체의공급량을조정가능하다. 따라서, 액처리유닛마다, 액처리유닛에대한기체의공급량을바꿀수 있다.
摘要翻译：该基板处理装置包括：多个液体处理单元，用于对基板进行液体处理;以及多个单独供应单元，与角度液体处理单元对应地单独设置，并且将具有可变供应量的气体仅供应给一个液体处理单元有。液体处理单元执行液体处理以将处理液供应到基板。为每个液体处理单元提供单独的供应单元。单独的供应单元仅将气体供应给相应的液体处理单元。单独供应部分可以调节到液体处理单元的气体供应量。因此，对于每个液体处理单元，可以改变向液体处理单元的气体供应量。

36. 发明公开

KR1020170054249A 인터페이싱 챔버들을 사용하는 소모성 부품들의 자동화된 교체 审中-实审
标题翻译：使用接口室自动更换易损件
公开(公告)号：KR1020170054249A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020160136377
申请日：2016-10-20
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 게네티다몬티론 , 맥케즈니존 , 패터슨알렉스 , 윗카우이키데릭존 , 엔고오스틴
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6875 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67386 , H01L21/67742 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , H01L21/68735 , H01L21/68785
摘要： 클러스터툴 어셈블리는진공이송모듈, 진공이송모듈에연결된제 1 측면을가진프로세스모듈을포함한다. 격리밸브는제 1 측면및 제 2 측면을갖고, 격리밸브의제 1 측면은프로세스모듈의제 2 측면에커플링된다. 교체스테이션은격리밸브의제 2 측면에커플링된다. 교체스테이션은교환핸들러및 부품버퍼를포함한다. 부품버퍼는새로운소모성부품또는사용된소모성부품을홀딩하도록복수의격실들을포함한다. 프로세스모듈은상승된위치로의프로세스모듈내에설치된소모성부품의배치를가능하게하도록리프트메커니즘을포함한다. 상승된위치는프로세스모듈로부터소모성부품의제거그리고부품버퍼의격실내의저장을가능하게하도록교환핸들러에대한액세스를제공한다. 교체스테이션의교환핸들러는부품버퍼로부터다시프로세스모듈로소모성부품에대한교체를제공하도록구성된다. 리프트메커니즘은교환핸들러에의한교체를위해제공된소모성부품을수용하고그리고소모성부품을설치된위치로하강시키도록구성된다. 교환핸들러및 프로세스모듈에의한교체는프로세스모듈및 교체스테이션이진공상태에서유지되는동안실시된다.
摘要翻译：群集工具组件包括真空传输模块，具有连接到真空传输模块的第一侧的处理模块。隔离阀具有第一侧和第二侧，其中隔离阀的第一侧联接到处理模块的第二侧。更换站连接到隔离阀的第二侧。替换站包括一个交换处理程序和一个部分缓冲区。部件缓冲器包括用于容纳新的可使用部件或消耗部件的多个隔室。处理模块包括升降机构，以使得能够将安装在处理模块内的消耗性部件放置到升高的位置。升高的位置提供进入交换处理器的通道，以使得能够从处理模块移除消耗部件并将部件缓冲器存储在室内。替换工位的替换处理器被配置为将零件缓冲器中的易损部件的替换提供回处理模块。提升机构构造成接收被更换处理器更换的可消耗部件并将可消耗部件降低到安装位置。当处理模块和替换站保持在真空状态时，由交换处理模块和处理模块替换。

37. 发明公开

KR1020170002486A 타겟 가공 기계용 봉입체 审中-实审
标题翻译：目标加工机的外壳
公开(公告)号：KR1020170002486A
公开(公告)日：2017-01-06
申请号：KR1020167033123
申请日：2015-05-01
申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
发明人： 비버베르그조에프제라드 , 플란드소엔라우렌스빈센트 , 반젤더바스 , 데보어귀도 , 단스베르그미쉘피터
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/67 , H01L21/677 , B25J11/00 , H01J37/16 , H01J37/317
CPC分类号： B25J11/00 , G03F7/7075 , G03F7/70808 , G03F7/70841 , G03F9/7096 , H01J37/16 , H01J37/3177 , H01J2237/024 , H01J2237/166 , H01L21/6719 , H01L21/67225 , H01L21/67775
摘要： 본발명은타겟가공기계를포위하기위한조립체(1)에관한것이다. 조립체는봉입체(2) 및이송유닛(3)을포함한다. 봉입체는상기타겟가공기계를그 위에배열하기위한베이스플레이트(21), 상기베이스플레이트에고정된측벽패널(22), 및상기측벽패널에고정된상부벽패널(23)을포함한다. 게다가, 봉입체는봉입체의측벽내의액세스개구(24)를포함한다. 이송유닛은베이스플레이트에대해이송유닛을이동시키기위한하나이상의이송요소(31)를포함한다. 이송유닛은액세스개구를폐쇄하기위해배열된도어패널(32)을더 포함하고, 도어패널은가요성커플링(33)에의해이송유닛에이동가능하게장착되는데, 이는적어도봉입체를향한그리고/또는이격하는방향에서이송유닛에대한도어패널의이동을허용한다.
摘要翻译：本发明涉及用于封闭目标加工机器的组件。组件包括外壳和转移单元。外壳包括用于在其上布置所述目标加工机的基板，固定到所述基板的侧壁板和固定到所述侧壁板的顶壁板。此外，外壳包括在外壳的侧壁中的进入开口。转印单元包括用于相对于基板移动转印单元的一个或多个转印元件。传送单元还包括门板，其被布置成用于关闭进入开口，其中门板通过柔性联接件可移动地安装到传送单元，该柔性联接器允许门板相对于传送单元至少移动在朝向和/或远离外壳的方向上。

38. 发明公开

KR1020170001622A 웨이퍼-형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 듀얼 모드 챔버 审中-实审
标题翻译： - 用于处理波形文章的双模式室
公开(公告)号：KR1020170001622A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020160078579
申请日：2016-06-23
申请人： 램 리서치 아게
发明人： 호웬바르터카를-헤인츠 , 푸글마이클 , 슈바르젠바허라인홀드 , 플리스카밀란
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67751
摘要： 웨이퍼형상의물품을프로세싱하기위한장치는웨이퍼형상의물품을홀딩하고그리고회전축을중심으로웨이퍼형상의물품을회전시키기위한회전척을포함한다. 챔버는회전척을둘러싸고에워싸고, 챔버는상부개구를포함한다. 리드는, 리드가상부개구를시일링하는폐쇄된위치와리드가상부개구를커버하지않고상부개구로부터측면으로배치되는개방위치사이에서이동가능하도록챔버의외부에장착된다. 챔버는, 웨이퍼형상의물품이회전축에수직인방향으로챔버내로도입되게하도록리드로부터별도로개방가능하다.
摘要翻译：一种用于处理晶片成形制品的装置包括用于保持晶片成形制品并围绕旋转轴线旋转晶片成形制品的旋转卡盘。腔室围绕并包围旋转卡盘，该腔室包括上部开口。盖子安装在腔室的外部，以便能够在盖子密封上部开口的关闭位置和盖子露出上部开口并从其横向移位的打开位置之间移动。该腔室可与盖子分开地打开，以允许晶片成形制品沿垂直于旋转轴线的方向被引入腔室。

39. 发明授权

KR101687955B1 하전입자 리소그래피 장치 및 진공 챔버에 진공을 발생시키는 방법 有权
标题翻译：充气颗粒沉积装置和在真空室中产生真空的方法
公开(公告)号：KR101687955B1
公开(公告)日：2016-12-20
申请号：KR1020117022205
申请日：2010-02-17
申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
发明人： 발투센,샌더 , 데보에르,구이도 , 마크킨크,휴고마르티즌 , 테펜,티즈스프란스
IPC分类号： H01J37/18 , H01J37/16 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/16 , H01J37/18 , H01J2237/166 , H01L21/67161 , H01L21/6719
摘要： 진공챔버(400)는내부공간을둘러싸는복수의벽체패널(510)을포함하며, 상기벽체패널들은미리결정된배열구조로상기벽체패널들을위치결정하는복수의연결부재(504,524,528)를이용하여챔버를형성하도록제거가능하게부착된다. 상기진공챔버는상기벽체패널들의엣지에제공된하나또는그 이상의실링부재(522)를더 포함한다. 상기벽체패널들은내부공간에진공이형성됨에따라상기벽체패널들의엣지에기밀한진공씰이형성되도록배열된다.
摘要翻译：一种真空室，包括多个围绕内部空间的壁板，其中壁板可移除地连接以形成室，其中多个连接构件用于以预定布置定位壁板。真空室还包括设置在墙板边缘处的一个或多个密封构件。壁板被布置成使得由于在内部空间中形成真空而在壁板的边缘处形成真空密封。

40. 发明公开

KR1020160144307A 국소 처리가스 분위기를 이용한 마이크로챔버 레이저 처리 시스템 및 방법 审中-实审
标题翻译：微型激光加工系统和使用局部化过程气体的方法
公开(公告)号：KR1020160144307A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：KR1020160062123
申请日：2016-05-20
申请人： 울트라테크 인크.
发明人： 맥훠터제임스
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/268 , H01L21/54
CPC分类号： H01L21/67207 , H01L21/268 , H01L21/54 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/6838
摘要： 국소처리가스분위기를사용하는마이크로챔버레이저처리시스템및 방법이개시된다. 이방법은기판의표면을포함하는마이크로챔버의중심영역에처리가스를제공하고기판의표면을포함하는챔버의주변영역에커튼가스를제공함으로써표면을가진기판을처리하는단계를포함한다. 이방법은또한챔버의중심영역과주변영역사이의챔버의영역에진공을제공하는단계를포함하며, 진공은처리가스와커튼가스를제거함으로써, 챔버의중심영역내 기판의표면과챔버의주변영역내 커튼가스의가스커튼에서상기국소처리가스분위기를형성한다. 이방법은또한기판의표면에레이저처리를수행하기위해레이저라인을형성하는레이저빔으로국소처리가스분위기를통해기판의표면을조사하는단계를포함한다.

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