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31. 发明授权

KR101288572B1 보관안정성이 우수한 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 有权
标题翻译：硬光掩膜组合物涂在光刻胶上，具有改进的储存稳定性
公开(公告)号：KR101288572B1
公开(公告)日：2013-07-22
申请号：KR1020080128625
申请日：2008-12-17
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 고상란 , 김상균 , 임상학 , 김미영 , 윤희찬 , 김도현 , 어동선 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/075
CPC分类号： G03F7/0752 , C08G77/18 , C08L83/04 , C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
摘要： 본 발명은 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 유기 실란계 중합체(A); 및 1종 이상의 안정화제(B)를 포함하는 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물을 제공한다.
본 발명의 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물은 우수한 저장안정성을 가지며 하드마스크 특성이 우수하여 재료층에 훌륭한 패턴을 전사할 수 있다.
하드마스크, 유기 실란계 중합체, 안정화제, 저장안정성

32. 发明授权

KR101266291B1 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：抗蚀底层组合物及使用其的集成电路器件的制造工艺
公开(公告)号：KR101266291B1
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020080137227
申请日：2008-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 조현모 , 김상균 , 우창수 , 김미영 , 고상란 , 윤희찬 , 이우진 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0752 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/24 , C08G77/26 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , C08K5/0008 , C08L83/04 , C08L83/14 , C09D183/04 , C09D183/14 , G03F7/0757 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36
摘要： 이로써, 본발명은굴절률과흡광도를용이하게조절하여, 반사방지특성이우수한레지스트하층막을제공할수 있는레지스트하층막용조성물, 이를이용한반도체집적회로디바이스의제조방법을제공한다.

33. 发明公开

KR1020130009509A 갭필용 충전제, 이의 제조 방법 및 이를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법 有权
标题翻译：用于填充气隙的填充物，其制备方法和使用其制造半导体电容器的方法
公开(公告)号：KR1020130009509A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：KR1020110070672
申请日：2011-07-15
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박은수 , 김봉환 , 임상학 , 곽택수 , 배진희 , 윤희찬 , 김상균 , 이진욱
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/318
CPC分类号： C08G77/62 , C01B21/087 , H01L28/90
摘要： PURPOSE: A filter for filling a gap, a manufacturing method thereof, and a method for manufacturing a semiconductor capacitor are provided to improve the uniformity of a thickness and the dispersion of solutions by including surfactant of 0.001 to 10 weight%. CONSTITUTION: A mold oxide layer(3) is formed on a semiconductor substrate(1). A gap exposing a contact plug of a semiconductor substrate by the photolithography of the mold oxide layer. A conductive layer(5) is formed on the semiconductor substrate and the mold oxide layer. A filling layer(7) is formed on the conductive layer. The conductive layer located on the upper side of the mold oxide layer is partially removed.
摘要翻译：目的：提供用于填充间隙的过滤器，其制造方法和制造半导体电容器的方法，通过包括0.001至10重量％的表面活性剂来提高厚度的均匀性和溶液的分散性。构成：在半导体衬底（1）上形成模具氧化物层（3）。通过模具氧化物层的光刻法暴露半导体衬底的接触插塞的间隙。在半导体衬底和模具氧化物层上形成导电层（5）。在导电层上形成填充层（7）。部分去除位于模具氧化物层上侧的导电层。

34. 发明公开

KR1020120071311A 실리카층 형성용 조성물, 그 제조방법, 이를 이용한 실리카층 및 실리카층 제조방법 有权
标题翻译：用于形成二氧化硅层的组合物，其制造方法，使用其的二氧化硅层和用于制造基于二氧化硅的层的方法
公开(公告)号：KR1020120071311A
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020110107657
申请日：2011-10-20
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 윤희찬 , 곽택수 , 김봉환 , 배진희 , 오정강 , 임상학 , 한동일 , 김상균 , 이진욱
IPC分类号： C08L83/04 , C09D183/04 , C08G77/04
摘要： PURPOSE: A composition for forming a silica layer is provided to remarkably reduce defects and form a silica layer with improved insulation and gap-fill properties. CONSTITUTION: A composition for forming a silica layer comprises one selected from hydrogenated polysilazane, hydrogenated polysiloxazane, and combinations thereof. The concentration of the hydrogenated polysilazane and hydrogenated polysiloxazane more than an average molecular weight of polystyrene of 50,000 is 0.1% or less. The number of particulates of the composition in the solution is 0-100 /cc. The weight average molecular weight of the hydrogenated polysilazane and hydrogenated polysiloxazane is 1,000-10,000. The total contents of the hydrogenated polysilazane and the hydrogenated polysiloxazane is 0.1-50 weight%.
摘要翻译：目的：提供用于形成二氧化硅层的组合物以显着减少缺陷并形成具有改善的绝缘和间隙填充性能的二氧化硅层。构成：用于形成二氧化硅层的组合物包括选自氢化聚硅氮烷，氢化聚硅氧氮烷及其组合的组合物。氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧氮烷的聚苯乙烯的平均分子量为50,000以下的浓度为0.1％以下。溶液中组合物的颗粒数为0-100 / cc。氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧氮烷的重均分子量为1,000〜10000。氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧氮烷的总含量为0.1-50重量％。

35. 发明公开

KR1020100078853A 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：使用相同的底层组合物和制造集成电路装置的方法
公开(公告)号：KR1020100078853A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080137227
申请日：2008-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 조현모 , 김상균 , 우창수 , 김미영 , 고상란 , 윤희찬 , 이우진 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0752 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/24 , C08G77/26 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , C08K5/0008 , C08L83/04 , C08L83/14 , C09D183/04 , C09D183/14 , G03F7/0757 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/0043 , G03F7/0045 , G03F7/0754
摘要： PURPOSE: A resist under-layer composition, and a manufacturing method of a semiconductor integrated circuit device using thereof are provided to offer a resist under-layer with the excellent anti-reflection property by easily control the absorbance and the refractive index of the composition. CONSTITUTION: A resist under-layer composition contains the following: more than one compound selected from the group containing compounds marked with [R1]3Si-[Ph1]l-Si[R2]3 and [R1]3Si-[Ph1]m-Ph2; an organic silane polycondensate selected from the group containing compounds marked with [R1]3Si-(CH2)n-R3, [R1]3Si-R4, and [R1]3Si-X-Si[R1]3; and a solvent. In the chemical formulas, Ph1 and Ph2 area substituted or non-substituted phenylene group, respectively. R1 and R2 are selected from the group consisting of a halogen group, an alkoxy group, a carboxy group, and others, respectively. R3 is a substituted or non-substituted aryl group with the carbon number of 6~12.
摘要翻译：目的：抗蚀剂层下组合物及其使用的半导体集成电路器件的制造方法，通过容易地控制组合物的吸光度和折射率，提供具有优异的抗反射性的抗蚀剂底层。抗蚀剂底层组合物包含以下：多于一种选自含有[R 1] 3 Si- [Ph 1] Si [R 2] 3和[R 1] 3 Si- [Ph 1] m - PH2; 选自由[R1] 3Si-（CH2）n-R3，[R1] 3Si-R4和[R1] 3Si-X-Si [R1] 3标记的含有化合物的组的有机硅烷缩聚物; 和溶剂。在化学式中，Ph1和Ph2分别取代或未取代的亚苯基。 R1和R2分别选自卤素基，烷氧基，羧基等。 R3是碳数为6〜12的取代或未取代的芳基。

36. 发明授权

KR100888613B1 포토레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 失效
标题翻译：在光刻胶下涂覆的硬掩模组合物及其使用的半导体器件的制备方法
公开(公告)号：KR100888613B1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：KR1020070080920
申请日：2007-08-10
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 임상학 , 김상균 , 김미영 , 고상란 , 윤희찬 , 어동선 , 김종섭 , 김도현
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/075
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 1종 이상의 화합물로부터 생성된 가수분해물의 축중합체인 실란축합물; 암모늄염; 및 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
R
1x -Si-[OR
2 ]
4-x
(R
1 : 수소, 탄소원자수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소기, 탄소원자수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소기, 탄소원자수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 지환족 탄화수소기, 탄소원자수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 실릴기, 탄소원자수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 알릴기, 탄소원자수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 아실기, 비닐기, 아민기, 아세테이트 또는 알칼리금속,
x: 0~2,
R
2 : 수소, 탄소원자수 1 내지 4의 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소기, 아세테이트, 나트륨 및 칼륨 중 어느 하나.)
본 발명의 조성물은 우수한 보관안정성, 레지스트 현상액에 대한 내용제성 및 내에칭성을 갖는다.
리소그래피(lithography), 하드마스크(hardmask), 반사방지막(anti-reflective coating), 경화제(curing agent)

37. 发明授权

KR100796047B1 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물, 이를 이용한 반도체집적회로 디바이스의 제조방법 및 그로부터 제조된 반도체집적회로 디바이스 有权
标题翻译：在光电器件下涂覆的HARDMASK组合物，使用其制造的集成电路器件和由该工艺生产的半导体器件的工艺
公开(公告)号：KR100796047B1
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：KR1020060115411
申请日：2006-11-21
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김미영 , 김상균 , 임상학 , 고상란 , 윤희찬 , 김도현 , 어동선 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： C08G77/50 , C08L83/14 , G03F7/11 , G03F7/2022 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0271 , H01L21/31144 , H01L21/3122 , G03F7/091 , G03F7/0757
摘要： A hard mask composition for a lower layer of resist is provided to realize excellent film properties and shelf stability, to allow transfer of a high-quality pattern to a substrate, and to form a hard mask having excellent etching resistance against O2 plasma gas used in the subsequent etching step. A hard mask composition for a lower layer of resist comprises: an organosilane-based polymer produced from the compounds represented by the formula of [R1O]3Si-X, [R2O]3Si-R3 and [R4O]3Si-Y-Si[OR5]3 in the presence of an acid catalyst; and a solvent. In the formulae, X is a C6-C30 functional group containing a substituted or non-substituted aromatic ring; each of R1, R2, R4 and R5 independently represents a C1-C6 alkyl; R3 is a C1-C12 alkyl; and Y is a linking group selected from an aromatic ring, C1-C20 linear or branched, substituted or non-substituted alkylene, C1-C20 alkylene group whose backbone contains an aromatic ring, heterocyclic ring, urea or isocyanurate group, and C2-C20 hydrocarbon group containing a multiple bond.
摘要翻译：提供了用于下层抗蚀剂的硬掩模组合物以实现优异的膜性质和储存稳定性，以允许将高质量图案转印到基底上，并形成具有优异耐蚀刻性的硬质掩模随后的蚀刻步骤。用于下层抗蚀剂的硬掩模组合物包括：由式[R1O] 3Si-X，[R2O] 3Si-R3和[R4O] 3Si-Y-Si [OR5]表示的化合物制备的基于有机硅烷的聚合物 ] 3在酸催化剂存在下反应; 和溶剂。在该式中，X是含有取代或未取代的芳环的C6-C30官能团; R 1，R 2，R 4和R 5各自独立地表示C 1 -C 6烷基; R3是C1-C12烷基; Y是选自芳香环，C1-C20直链或支链，取代或未取代的亚烷基的连接基团，其主链含有芳香环，杂环，脲或异氰脲酸酯基的C1-C20亚烷基和C2-C20 含有多重键的烃基。

38. 发明授权

KR100725795B1 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100725795B1
公开(公告)日：2007-06-08
申请号：KR1020050130022
申请日：2005-12-26
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이진국 , 오창일 , 어동선 , 김도현 , 남이리나 , 윤희찬 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/004

39. 发明授权

KR100665758B1 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물 有权
标题翻译：具有抗逆性的HARDMASK组合物
公开(公告)号：KR100665758B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050086199
申请日：2005-09-15
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 오창일 , 어동선 , 김도현 , 이진국 , 남이리나 , 윤희찬 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F1/46
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/38
摘要： Provided is a hardmask composition which comprises an aromatic ring-containing polymer showing strong absorption at short wavelength area(for example, 157, 193, 248 nm). The hardmask composition comprises an aromatic ring-containing polymer, a crosslinking ingredient, and an acid catalyst. The aromatic ring-containing polymer comprises at least one selected from the group represented by the formula(1), has a weight average molecular weight of 5,000-15,000, and a polydispersity of 1.5-2.5. In the formula(1), R6 is hydrogen, C1-C10 alkyl group, C6-C10 aryl group or allyl group, n is 1
摘要翻译：提供一种硬掩模组合物，其包含在短波长区域（例如，157,193,248nm）显示强吸收的含芳族环的聚合物。硬掩模组合物包含含芳环的聚合物，交联成分和酸催化剂。含芳环的聚合物包含选自式（1）所示的基团中的至少一种，其重均分子量为5,000-15,000，多分散性为1.5-2.5。在式（1）中，R 6是氢，C 1 -C 10烷基，C 6 -C 10芳基或烯丙基，n是1 <= n <= 190，每个R 1和R 2是氢，羟基（-OH） C1-C10烷基，C6-C10芳基，烯丙基或卤素原子，R3和R4分别为氢或反应性部分与交联成分或发色团反应。

40. 发明公开

KR1020060099265A 비수계 전해질 리튬 이차전지용 양극활물질, 그 제조방법및 그를 포함하는 리튬 이차전지 有权
标题翻译：具有非水电解质的二次电池的阴极材料，用于制备阴极材料的方法和含有该电解质的锂二次电池
公开(公告)号：KR1020060099265A
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020050020601
申请日：2005-03-11
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이영기 , 곽동학 , 윤희찬 , 김종섭
IPC分类号： H01M4/58
CPC分类号： H01M4/525 , H01M4/0471 , H01M4/0497 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/364 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/56 , H01M10/052 , H01M2004/021
摘要： 본 발명은 비수계 전해질 리튬 이차전지용 양극활물질, 그 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지에 관한 것으로, 보다 상세히, Li
a Ni
1-(v+w+x+y+z) Mn
v Co
w M
x M'
y M"
z O
2 (상기식에서 M, M', M"은 Al, Mg, Sr, Ca, P, Pb, Y 및 Zr로 이루어진 군으로부터 선택되며, 0.9 ≤a≤1.05, 0.685 ≤1-(v+w+x+y+z)≤0.745, 0.05 ≤v ≤0.06, 0.20≤w≤0.24, 0.005≤x+y+z ≤0.015 이다.)로 나타내어지는 비수계 전해질의 리튬 이차 전지용 양극활물질에 관한 것이다.
본 발명의 양극활물질은 니켈, 코발트, 망간의 함량과 기타 첨가물의 함량을 적당히 조절하여 제조된 양극활물질로서, 코발트계 화합물을 대체할 만한 열적 안정성 및 에너지 밀도가 뛰어나고, 저가인 실제 전지에 사용 가능한 물성을 갖는 양극 활물질을 제조할 수 있다. 또한 착제를 이용한 공침법으로 출발 물질을 합성하기 때문에 후처리가 필요없고, 필요에 따라 물성 조절이 용이한 양극활물질을 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 양극활물질은 비수계 전해질의 리튬 이차 전지에 적용할 경우, 초기용량 및 고율이 높으며, 열적 안정성이 높으므로 그 결과 전해액과의 반응성을 억제하는 것이 가능하다. 또한, 전지를 고온에 방치 했을 때 전지의 부풀림이 현저하게 감소한다.
비수계 전해질, 고용량, 고안정성, 양극 활물질, 리튬 니켈코발트망간 복합 금속 산화물

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