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31. 发明公开

KR1020090067095A 마스크 컨테이너 有权
标题翻译：面膜容器
公开(公告)号：KR1020090067095A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：KR1020080129745
申请日：2008-12-19
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 강긍원 , 장동근
IPC分类号： B65D85/38 , B65D85/48 , G02F1/13
CPC分类号： B65D85/48 , B65D81/053 , B65D81/107 , B65D85/38
摘要： A mask container easily receives a large glass substrate, a large blank mask or a large photo mask, and prevents the generation of foreign materials or the contamination caused by metallic foreign materials in the process of receiving and transporting the masks. A mask container comprises: a first main body(20) having a plurality of first receiving parts(231) in which one edge portion of a first surface(11) of a mask(10) is received; a second main body(30) disposed oppositely to the first main body, the second main body having a plurality of second receiving parts(331) in which one edge portion of a second surface(12) of the mask is received; joining units for removably joining the first and second main bodies in the thickness direction of the mask received in the first and second receiving parts; and holding units for holding the mask into the first and second receiving parts. Flat plate parts(31) of the first and second main bodies are formed of one or more of resin plates. First contact members(26b) for supporting the mask are joined with inner surfaces of the respective first receiving parts. Second contact members(35b) for supporting the mask are joined with inner surfaces of the respective second receiving parts.
摘要翻译：掩模容器容易地容纳大的玻璃基板，大的掩模或大的光罩，并且在接收和传送掩模的过程中防止异物的产生或由金属异物引起的污染。掩模容器包括：第一主体（20），具有多个第一接收部分（231），其中容纳有掩模（10）的第一表面（11）的一个边缘部分; 与所述第一主体相对设置的第二主体（30），所述第二主体具有多个第二容纳部（331），所述第二主体接收所述面罩的第二表面（12）的一个边缘部分; 接合单元，用于在第一和第二接收部分中容纳的掩模的厚度方向上可拆卸地接合第一和第二主体; 以及用于将掩模保持在第一和第二接收部分中的保持单元。第一和第二主体的平板部分（31）由一个或多个树脂板形成。用于支撑掩模的第一接触构件（26b）与相应的第一接收部分的内表面接合。用于支撑掩模的第二接触构件（35b）与各个第二接收部分的内表面接合。

32. 发明公开

KR1020090049112A 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：用于减少湿度的高速相位移位空白及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090049112A
公开(公告)日：2009-05-18
申请号：KR1020070115178
申请日：2007-11-13
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 차한선 , 양신주 , 양철규 , 강주현
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/38
摘要： 본 발명은 바이너리 블랭크 마스크 및 포토마스크 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 Haze 저감용 바이너리 블랭크 마스크 및 Haze 저감용 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 용한 Haze 저감용 바이너리 마스크 및 Haze 저감용 위상반전 마스크의 제조에 관한 것이다. 본 발명에 따른 Haze 저감용 바이너리 블랭크 마스크에 있어서 차광막 및 반사방지막의 조성, 성막방법, 면저항, 잔류응력 및 표면처리 방법을 통해 차광막 및 반사방지막의 특성을 조절함으로써 Haze가 적게 발생하는 바이너리 블랭크 마스크 제조가 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 Haze 저감용 위상반전 블랭크 마스크에 있어서 위상반전막의 조성, 성막 방법, 면저항, 잔류응력 및 표면처리 방법을 통해 위상반전막의 특성을 조절함으로써 Haze 적게 발생하는 위상반전 블랭크 마스크 제조가 가능하다. 이로써 본 발명에 따른 Haze 저감용 바이너리 블랭크 마스크 및 Haze 저감용 위상반전 블랭크 마스크를 이용하여 바이너리 마스크 및 위상반전 마스크를 제조할 경우 우수한 품질의 바이너리 마스크 및 위상반전 마스크의 제조가 가능할 뿐만 아니라 Haze 결함에 대해 안정적인 특성을 갖는 바이너리 마스크 및 위상반전 마스크를 얻을 수 있는 효과를 가진다.
하프톤형 위상반전 블랭크 마스크, Haze, 반응성 가스

33. 发明授权

KR100890409B1 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크, 하프톤형 위상반전포토마스크 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：高音相位移动空白，高音相位移动光电及其制造方法
公开(公告)号：KR100890409B1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：KR1020080047855
申请日：2008-05-23
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 차한선 , 양신주 , 강주현 , 양철규
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/26
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/26 , G03F1/29 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/82 , G03F7/70875
摘要： A half-tone phase shift blank mask is provided to maintain thin film property for a long time and to form a phase shift film having critical dimension of high quality. A half-tone phase shift blank mask is formed with one or more films selected from a phase shift film(2), light-shielding film, anti-reflective film and resist film on a transparent substrate(1). The phase shift film is formed from a sputtering target having the thickness of 2~7 mm and is used for a KrF lithography using the wavelength of 248 nm. The phase shift film comprises molybdenum 7~15 at%, silicon 55~63 at% and nitrogen 28~35 at%.
摘要翻译：提供半色调相移空白掩模以保持薄膜性能长时间并形成具有高质量临界尺寸的相移膜。在透明基板（1）上由相移膜（2），遮光膜，抗反射膜和抗蚀剂膜中选择的一个或多个膜形成半色调相移空白掩模。相移膜由厚度为2〜7mm的溅射靶形成，用于使用波长248nm的KrF光刻。相变膜包括7〜15原子％的钼，55〜63原子％的硅和氮28〜35原子％。

34. 发明授权

KR100800301B1 그레이톤 블랭크마스크 및 포토마스크 제조방법 有权
标题翻译：用于灰色调的空白掩模和光掩模的制造方法
公开(公告)号：KR100800301B1
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：KR1020060001480
申请日：2006-01-05
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 차한선 , 서성민 , 강형종 , 최세종 , 양신주
IPC分类号： G02F1/1335
摘要： 본 발명은 투과율과 광 위상차가 정밀하게 제어된 그레이톤 블랭크마스크 및 포토마스크 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 그레이톤 블랭크마스크 제조방법에서는 투명기판 위에 차광막을 형성한 다음, 이를 패터닝하여 투명기판 표면을 노출시키는 개구부를 형성한다. 개구부를 포함한 결과물의 전면에 반투과막을 형성한 다음, 반투과막 상에 레지스트막을 형성한다. 본 발명에 따른 그레이톤 포토마스크 제조방법에서는 이러한 방식으로 제조된 그레이톤 블랭크마스크에서 차광막 패턴 및 반투과막을 동시에 패터닝하여, 개구부에 형성된 반투과막 패턴으로 이루어져 자기정렬된 반투과영역, 차광막 패턴과 반투과막 패턴이 적층되어 이루어진 차광영역 및 투명기판 표면이 노출된 투과영역을 형성한다. 본 발명에 따르면, 반투과막 패턴 오정렬의 문제가 없고 투과율과 광 위상차가 정밀하게 제어된 그레이톤 블랭크마스크 및 포토마스크를 제공할 수 있다.
액정표시장치, 투과율, 위상차, 차광막, 반사방지막, 반투과막, 슬릿 패턴

35. 发明公开

KR1020080001571A 마스크 컨테이너 无效
标题翻译：面膜容器
公开(公告)号：KR1020080001571A
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：KR1020060089970
申请日：2006-09-18
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 강긍원 , 장동근
IPC分类号： B65D85/38 , B65D85/48 , H01L21/673 , H01L21/67
摘要： A mask container is provided to prevent the generation and adsorption of foreign materials during receiving and transporting large masks. A mask container formed in the shape of a square plate to receive one of a blank mask and a photomask(10) having first and second surfaces(11,12) formed orthogonal to the thickness direction is composed of a first body(20) having plural first receiving parts(231) for containing a portion of the edge of the first surface of the mask; a second body(30) disposed with facing the first body and provided with plural second receiving parts(331) for containing a portion of the edge of the second surface of the mask; a combining unit detachably joining the first and second bodies in the thickness direction of the mask contained in the first and second receiving parts; and a fixing unit fixing the mask in the first and second receiving parts.
摘要翻译：提供面罩容器以防止在接收和运输大面罩期间异物的产生和吸附。形成为正方形板形状的掩模容器由第一主体（20）组成，该掩模容器形成为接收空白掩模和具有与厚度方向正交形成的第一和第二表面（11,12）的光掩模（10）之一的方形板，多个用于容纳所述掩模的第一表面的边缘的一部分的第一接收部分（231）第二主体（30），其面向所述第一主体设置并设置有多个用于容纳所述掩模的第二表面的边缘的一部分的第二接收部（331）组合单元，其在所述第一和第二接收部中包含的所述掩模的厚度方向上可分离地接合所述第一和第二主体; 以及将所述掩模固定在所述第一和第二接收部中的定影单元。

36. 发明公开

KR1020070121485A 기판 세정장치 및 기판 세정방법 无效
标题翻译：板清洁装置和清洁板的方法
公开(公告)号：KR1020070121485A
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：KR1020060090927
申请日：2006-09-20
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 강긍원 , 박연수
IPC分类号： H01L21/304
摘要： A substrate washing apparatus and method is provided to minimize generation of a watermark by optimizing a construction and condition to wash and dry a substrate. A processing chamber(10) is provided with a processing space(11) for washing and drying a substrate therein. The processing chamber has an inlet port(12) feeding air into the processing space and a drain port(13) discharging the air from the space. A spin chuck(20) is rotatably engaged in the processing chamber. A substrate support pin(30) protrudes from a top surface of the spin chuck, and has a mounting portion(31) supporting a bottom surface of the substrate, and a release preventing portion(32) protruding from an top surface of the mounting portion. The substrate support pins make a pair so that they are positioned at opposite sides of the substrate.
摘要翻译：提供了一种基板清洗装置和方法，通过优化用于洗涤和干燥基板的结构和条件来最小化水印的产生。处理室（10）设置有用于在其中洗涤和干燥衬底的处理空间（11）。处理室具有将空气送入处理空间的入口（12）和从空间排出空气的排出口（13）。旋转卡盘（20）可旋转地接合在处理室中。基板支撑销（30）从旋转卡盘的上表面突出，并且具有支撑基板的底面的安装部（31）和从安装部的顶面突出的防脱部（32）。基板支撑销成对，使得它们位于基板的相对侧。

37. 发明公开

KR1020070098750A 블랭크마스크, 이를 이용한 투과 제어 슬릿 마스크 및 그제조방법 有权
标题翻译：使用相同的BLANKMASK和发送调制滑块，以及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070098750A
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020070032002
申请日：2007-03-30
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 차한선 , 강형종 , 류기훈
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0274 , G03F1/38 , G03F1/66 , H01L21/0276 , H01L21/0337
摘要： A blankmask, a transmittance modulation slit mask using the same, and a manufacturing method thereof are provided to manufacture easily a high-definition slit mask by effectively adjusting the thickness of a material composing a transmittance control film. A transmittance control film(2), a mask film(3), and an anti-reflection film(4) are sequentially formed on a transparent substrate(1). A resist film(5) is formed on a transmittance control blankmask. A transmittance control slit mask includes a mask portion, a transmittance portion, and a semi-transmittance portion. The transmittance control film, mask film, and the anti-reflection film are laminated on the transparent substrate to form the mask portion. The transmittance portion is formed by etching the transmittance control film, mask film, and the anti-reflection film for exposing the transparent substrate. The semi-transmittance portion includes a line region and a space region. The transparent substrate is exposed between the line region and the mask portion.
摘要翻译：通过有效地调整构成透光率控制膜的材料的厚度，提供了掩模，使用其的透射率调制狭缝掩模及其制造方法来容易地制造高清晰度狭缝掩模。在透明基板（1）上依次形成透光控制膜（2），掩模膜（3）和防反射膜（4）。在透光率控制坯料上形成抗蚀剂膜（5）。透射率控制狭缝掩模包括掩模部分，透射部分和半透射部分。将透光控制膜，掩模膜和防反射膜层合在透明基板上以形成掩模部。通过蚀刻透光控制膜，掩模膜和用于使透明基板曝光的防反射膜来形成透光部。半透射部包括线区域和空间区域。透明基板在线区域和掩模部分之间露出。

38. 发明授权

KR100762403B1 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크용 스퍼터링 타겟, 이를이용한 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크,그리고 그 제조방법 有权
标题翻译：半色调相移掩模，半色调相移掩模和光掩模的溅射靶及其制造方法
公开(公告)号：KR100762403B1
公开(公告)日：2007-10-02
申请号：KR1020060078251
申请日：2006-08-18
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 차한선 , 양신주 , 양철규 , 강주현
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명은 위상반전 블랭크 마스크용 스퍼터링 타겟, 이를 이용한 블랭크 마스크 및 포토마스크, 그리고 이들의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 500nm 이하의 노광파장에서 0.1% 이상의 투과율을 가지는 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크의 위상반전막 형성시 사용되는 스퍼터링 타겟과 이를 이용한 블랭크 마스크 및 포토마스크, 그리고 이들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크용 스퍼터링 타겟은, 2종 이상의 전이금속과 실리콘을 적어도 포함한다. 이러한 스퍼터링 타겟을 사용하면 우수한 내화학성을 가지고 이러한 우수한 내화학성으로 인해 성장성 결함이 발생하지 않으며, 여러 장의 하프톤형 블랭크 마스크 생산시 여러 장의 하프톤형 블랭크 마스크에 있어서 조성비의 재현성이 우수한 고품질의 블랭크 마스크 및 포토마스크를 제조할 수 있다.

39. 发明授权

KR100757537B1 표면 개질 방법 및 그에 의한 블랭크 마스크 및 포토마스크 有权
标题翻译：表面处理方法和BLANKMASK及其光刻胶
公开(公告)号：KR100757537B1
公开(公告)日：2007-09-11
申请号：KR1020050099596
申请日：2005-10-21
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 차한선 , 서성민 , 양신주 , 남기수
IPC分类号： G03F1/38 , G03F1/46 , G03F1/50
摘要： 본 발명은 포토마스크 제작시 사용되는 블랭크 마스크와 포토마스크, 그리고 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 블랭크 마스크 제조 시 투명기판 위에 위상반전막, 차광막, 반사방지막 중에서 모두 또는 선택된 1종 이상의 박막을 순차적으로 적층하고, 모두 또는 선택된 1종 이상의 박막에 열처리 및 표면 개질한 후 레지스트 막을 도포하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 위상반전막, 차광막, 반사방지막 중의 어느 하나의 박막에 열처리 공정과 표면 개질 공정을 실시함으로써 공기이동분자오염의 농도를 감소시키고 기판의존성을 감소시킴으로써 우수한 형상을 가지는 레지스트 패턴을 형성할 수 있으며, 고품질의 포토마스크 제조가 가능하고, KrF 및 ArF 엑시머 레이저 리소그래피 공정에서 성장성 결함이 발생하지 않는 우수한 품질을 가지는 포토마스크를 제조할 수 있다.
블랭크 마스크, 포토마스크, 열처리, 표면 개질, 공기이동분자오염, 기판의존성

40. 发明公开

KR1020070075735A 위상 반전형 그레이톤 블랭크 마스크 및 위상반전형포토마스크와 그 제조 방법 有权
标题翻译：相移型式灰白色掩膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070075735A
公开(公告)日：2007-07-24
申请号：KR1020060004327
申请日：2006-01-16
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 차한선 , 최세종 , 강형종
IPC分类号： G03F1/26
摘要： Provided are a phase shift type gray-tone blank mask and a phase shift type gray-tone photomask with their transmittance and phase properly controlled to improve inclination of the residual photoresist layer, and a method for manufacturing the masks. The phase shift type gray-tone blank mask includes a semi-light transmitting layer(2) with a properly controlled transmittance to light, a phase shift layer(3) with a properly controlled transmittance and phase and a light barrier on a transparent substrate. The semi-light transmitting layer(2) is formed to leave a residual photoresist layer with a proper thickness in the 4-mask process. The phase shift layer(3) is for increasing an inclination of the residual photoresist layer by offset interference between the light transmitting the semi-light transmitting layer(2) and the light transmitting the phase shift layer(3).
摘要翻译：提供了一种相移型灰色灰度掩模和相移型灰色光掩模，其透射率和相位被适当地控制以改善残留光致抗蚀剂层的倾斜度，以及制造掩模的方法。相移型灰色空白掩模包括具有对光的适当控制的透光率的半透光层（2），在透明基板上具有适当控制的透射率和相位以及光阻挡的相移层（3）。半透光层（2）形成为在4掩模工艺中留下具有适当厚度的残留光致抗蚀剂层。相移层（3）用于通过透射半光透射层（2）的光和透射相移层（3）的光之间的偏移干涉来增加残留光致抗蚀剂层的倾斜度。

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